限定到波導(dǎo)33，甚至在彎曲部分中，并且，由彎曲引起的光的傳播損耗實質(zhì)上不出現(xiàn)(例如，基于差和曲率半徑而小于能量的大約1%、5%或10%的損耗)。另外，存在關(guān)于通過增大波導(dǎo)33的長度導(dǎo)致在傳播損耗上的增大的問題；然而，傳播損耗取決于波導(dǎo)33形成過程的管理被控制為大約2dB/cm或更小。因此，即使當(dāng)波導(dǎo)33是650 μ m長或更長時，傳播損耗具有大約0.065dB的最大值，即，它可以可靠地被抑制為大約1.3%或更小，這在實際使用中不存在問題。
[0072]圖7A-7B示出根據(jù)另一個實施例的、被配置為延長波導(dǎo)33的彎曲的反射波導(dǎo)33。如圖7A中所示的來自激光單元的入射在波導(dǎo)33上的光以大約40°的入射角被照射在第一彎曲波導(dǎo)333中的近場光生成元件32上。在近場光生成元件32上，反射光的大約15%。
[0073]圖7B是接近近場光生成元件32的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的擴展視圖。反射激光9通過第二彎曲的波導(dǎo)334，并且被引入到功率監(jiān)控元件或功率傳感器34，如圖7A中所示。因此，有效的波長長度變?yōu)榈谝粡澢▽?dǎo)333和第二彎曲波導(dǎo)334的和，并且在這個示例中對應(yīng)于大約650 μ mo因此，該結(jié)構(gòu)可以對應(yīng)于具有大約400 μπι的長度的激光器。在這個工作示例中，在功率傳感器34附近被反射并且返回到第二波導(dǎo)334的激光9的數(shù)量，即，在波導(dǎo)33的端部處的有效反射相對容易被降低到大約I %或更小。當(dāng)考慮近場光生成元件32的15%的反射率時，端表面的有效反射率可以被進一步降低為大約1% *15% *15%= 0.0225%或更小。通過降低在端表面處的反射率，預(yù)期減小效果。
[0074]圖9示出一個示例，該示例利用根據(jù)在此所述的實施例的磁頭來檢查如何通過隨著激光諧振器和波導(dǎo)的長度的不同組合的、在諸如激光單元或激光二極管(LD)溫度的環(huán)境溫度中的波動來改變由接近近場光生成元件的波導(dǎo)發(fā)射的光的強度。這些結(jié)果示出當(dāng)因為通過溫度波動來改變激光波長而改變波導(dǎo)和激光器的干涉條件時產(chǎn)生跳模。因此，功率相對于溫度突然和不連續(xù)地改變。對于激光器和波導(dǎo)的不同長度檢查這些波動。圖10匯總了激光諧振器和波導(dǎo)的光程的比率的激光。該光程比率變?yōu)檎麛?shù)倍，并且，功率波動采取極小值。當(dāng)該比率是大約1.0時，S卩，諧振器和波導(dǎo)的光程匹配時，減小功率波動的效果相當(dāng)大。
[0075]接下來，圖11用于說明根據(jù)在此所述的實施例的使用讀/寫頭的熱輔助磁記錄器件的結(jié)構(gòu)。被懸掛物12支撐的滑塊30被配置為在磁介質(zhì)11上方大約3nm的飛高處浮動，并且被用于在軌方向中訪問和用于伺服尋軌的音圈電機(VCM)致動器79驅(qū)動。雖然未詳細說明，但是該實施例可以提供從在該懸掛物中的壓電元件構(gòu)造的另一個致動器，用于精確地實現(xiàn)更高精度的軌道定位。另外，在滑塊中嵌入熱驅(qū)動致動器，以精確地控制飛高。
[0076]當(dāng)讀取時，在滑塊上方安裝的CPP/GMR傳感器元件(未示出)的電阻被前置放大器51檢測到，被在控制器(SOC) 20中安裝的信號檢測電路22例如經(jīng)由均衡化而預(yù)處理，并且被發(fā)送到信號處理電路25。信號處理電路25基于在位置/地址檢測電路23中的位置數(shù)據(jù)和定時信息來同步和解調(diào)，向微處理器27發(fā)送已經(jīng)被處理、例如在解碼電路26中被解碼后在解調(diào)電路24中糾錯的數(shù)據(jù)，并且該數(shù)據(jù)被傳送到高位(high-order)器件99?？梢詫⑿畔⒋鎯Φ酱鎯ζ?9以在隨后的功能中的使用。伺服電路54基于在位置/地址檢測電路23中檢測到的數(shù)據(jù)來控制VCM致動器79。
[0077]在記錄期間，在讀取期間基于由位置/地址檢測電路23檢測到的位置/地址信號來伺服控制VCM致動器79，并且，頭被定位在由高位器件99指定的扇區(qū)中。然后，由寫入控制電路52編碼的用戶數(shù)據(jù)通過激光驅(qū)動器53和在滑塊30中嵌入的寫入頭而驅(qū)動在滑塊30上方安裝的激光單元31，并且進行熱輔助記錄。熱輔助記錄將在記錄期間在介質(zhì)上的局部區(qū)域加熱到適當(dāng)?shù)臏囟?，并且通過寫入頭向那個局部區(qū)域施加記錄磁場。激光單元31的驅(qū)動電流被精確地控制以加熱到適當(dāng)?shù)臏囟取Ｔ谝粋€實施例中，通過由電阻檢測電路50檢測在近場光生成元件32附近設(shè)置的功率監(jiān)控器元件的電阻，監(jiān)控近場光生成元件32的溫度。然后，基于那個溫度信息，精確地控制激光單元31的驅(qū)動電流。
[0078]在任何讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g，主軸電機76轉(zhuǎn)動主軸(以及因此介質(zhì)11)，以將介質(zhì)11移動跨過滑塊30。
[0079]接下來，說明被注入到這個工作示例的近場光生成元件的能量的控制方法。在根據(jù)一個實施例的用于熱輔助磁的頭中，如圖3B中所示，在波導(dǎo)的端部附近的光強，即，照射近場光生成元件的光的強度相對于從激光單元發(fā)射的激光的強度具有線性相關(guān)關(guān)系。因此，檢測功率監(jiān)控元件的輸出。通過反饋控制將照射近場光生成元件的光的功率控制為恒定，使得檢測值變?yōu)楹愣ā?br>[0080]再一次參見圖11，實際上，寫入控制電路52執(zhí)行該控制。反饋控制的帶寬可以是從大約1kHz至大約10kHz，以使能對于例如在激光單元中的溫度波動進行響應(yīng)。因為功率監(jiān)控元件的溫度以大約I μ s或更小的時間常數(shù)來響應(yīng)，所以控制在多達IMHz的帶寬是可能的。然而，考慮對于記錄的數(shù)據(jù)的干擾(串?dāng)_)的影響，并且控制帶寬可以是10kHz或更低。
[0081]現(xiàn)在參見圖12，示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的磁數(shù)據(jù)存儲器件1000(其可以是盤驅(qū)動器)。如圖12中所示，至少一個可旋轉(zhuǎn)的磁介質(zhì)(例如，磁盤)被支撐在主軸1014上，并且被驅(qū)動機構(gòu)旋轉(zhuǎn)，該驅(qū)動機構(gòu)可以包括盤驅(qū)動電機1018。在每一個盤上的磁記錄通常以在盤1012上的同心數(shù)據(jù)軌道(未示出)的環(huán)形圖案的形式。因此，盤驅(qū)動電機1018優(yōu)選地將磁盤1012從磁讀取/寫入部分1021上方經(jīng)過(越過)，如緊接下來的內(nèi)容所述。
[0082]在盤1012附近定位至少一個滑塊1013，每一個滑塊1013支撐例如根據(jù)在此所述和/或建議的途徑的任何一個的磁頭的、一個或多個磁讀取/寫入部分1021。當(dāng)盤1012旋轉(zhuǎn)時，滑塊1013徑向地在盤表面1022上移入和移出，使得部分1021可以訪問其中記錄和/或要寫入期望數(shù)據(jù)的盤1012的不同軌道。每一個滑塊1013被使用懸掛物1015附接到致動器臂1019。懸掛物1015提供略微的彈簧力，該略微的彈簧力將滑塊1013抵靠盤表面1022。每一個致動器臂1019被附接到致動器1027。如圖12中所示的致動器1027可以是VCM。該VCM包括在固定磁場內(nèi)可移動的線圈，該線圈移動的方向和速度被由控制器1029供應(yīng)的電機電流信號控制。
[0083]在盤存儲系統(tǒng)的運行期間，盤1012的旋轉(zhuǎn)在滑塊1013和盤表面1022之間產(chǎn)生空氣軸承，該空氣軸承在滑塊1013上施加向上的力或升力。該空氣軸承因此將懸掛臂1015的略微的彈簧力反平衡，并且支持滑塊1013在正常運行期間脫離滑塊1013和略高于盤表面1022小的大體恒定的間隔。注意，在一些實施例中，滑塊1013可以沿著盤表面1022滑動。
[0084]通過由控制器1029產(chǎn)生的控制信號來在運行中控制盤存儲系統(tǒng)的各種組件，該控制信號例如是訪問控制信號和內(nèi)部時鐘信號。通常，控制器1029包括邏輯控制電路、存儲器(例如，內(nèi)存)和微處理器。在一個優(yōu)選途徑中，控制器1029電耦合(例如，經(jīng)由導(dǎo)線、電纜、線路等)到一個或多個磁讀取/寫入部分1021，以用于控制其操作?？刂破?029產(chǎn)生用于控制各種系統(tǒng)操作的控制信號，諸如在線1023上的驅(qū)動電機控制信號和在線1028上的頭位置和尋找控制信號。在線1028上的控制信號提供了期望的電流分布，以最佳地將滑塊1013移動和定位到在盤1012上的期望的數(shù)據(jù)軌道。通過記錄通道1025讀取和寫入信號被傳送到讀取/寫入部分1021和從讀取/寫入部分1021傳送讀取和寫入信號。
[0085]典型的磁盤存儲系統(tǒng)和圖12的附圖的上面的說明僅用于代表的目的。顯然的是，盤存儲系統(tǒng)可以包含大量的盤和制動器，并且每一個制動器可以支持多個滑塊。
[0086]也可以提供接口以用于在盤驅(qū)動器和主機(集成或外部)之間進行通信，以發(fā)送和接收數(shù)據(jù)，并且控制盤驅(qū)動器的操作，并且向主機傳送盤驅(qū)動器的狀態(tài)，這全部為本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所明了。
[0087]在典型的磁頭中，感應(yīng)寫入部分包括在一個或多個絕緣層(絕緣堆)中嵌入的線圈層，該絕緣堆位于第一(主)和第二(返回)極片層之間?？梢栽诒抽g隙處連接該極片層。電流傳導(dǎo)通過線圈層，該電流在主極片周圍產(chǎn)生磁場。在通過近場光生成元件產(chǎn)生局部熱點的同時，在面向介質(zhì)側(cè)處的磁場用于在移動介質(zhì)上的軌道中、諸如在旋轉(zhuǎn)磁盤上的圓形軌道中寫入磁場信息的比特的目的。
[0088]圖12的磁數(shù)據(jù)存儲器件可以包括:根據(jù)任何實施例的在此所述的至少一個熱輔助磁頭；磁介質(zhì)(諸如盤1012);驅(qū)動機構(gòu)(諸如盤驅(qū)動電機1018)，用于將磁介質(zhì)從該至少一個熱輔助磁頭上方經(jīng)過；以及，控制器1029，其電耦合到該至少一個熱輔助磁頭，用于控制該至少一個熱輔助磁頭的操作。
[0089]現(xiàn)在參見圖13，說明根據(jù)一個實施例的用于制造熱輔助磁頭的方法1300。
[0090]如圖13中所示，方法1300可以使用操作1302啟動。在操作1302中，形成近場光生成元件。該近場光生成元件被配置為當(dāng)向其提供激光時產(chǎn)生近場光，以在通過加熱磁介質(zhì)的局部區(qū)域而向磁介質(zhì)寫入數(shù)據(jù)中輔助主磁極。
[0091 ] 在一個實施例中，近場光生成元件可以在器件的面向介質(zhì)的表面處包括等腰三角形棱錐形狀。
[0092]在操作1304中，形成用于將激光向近場光生成元件引導(dǎo)的波導(dǎo)，該波導(dǎo)包括圍繞芯的包層。
[0093]在操作1