r>[0026] 在初始編程模式完成后，開關330a"斷開"，此后電容器350a不再連接到電流源 310,并因而在電容器350a的端子（與電流鏡340的柵極相同）上保持偏置電壓，而電流鏡 340的漏極不再連接到存儲器單元副本320?，F(xiàn)在應用操作編程模式，在該模式下，可使用 電流鏡340對存儲器陣列中的一個或多個存儲器單元編程。應當理解，系統(tǒng)中的所有電流 鏡都可采用與上文針對電流鏡340所述相同的方式編程?？商鎿Q地，可W依次對全部電流 鏡340a至34化應用初始編程模式（初始化編程階段）。然后在操作編程模式下，將所有電 流鏡340a-n同時施加到所選擇存儲器單元的所選擇位線，W供編程操作之用。
[0027] 因此，圖4的實施例提出了一種方式W用于對系統(tǒng)中的電流鏡進行初始化從而W 精準的編程電流W理想的漏極編程電壓使電流鏡W幾乎理想的狀態(tài)工作。
[002引圖4的實施例的變型現(xiàn)在圖5中被示出為編程電路400。圖5示出了此前圖4所示 的相同裝置，考慮到效率，此處不再寶述。然而，在圖5中，電流源310直接禪接到開關330a， 開關330a禪接到存儲器單元副本320a，存儲器單元副本320a然后禪接到電流鏡340a的漏 極。否則，該電路會W與圖4相同的方式工作，電流鏡可被編程為使得在操作模式期間最初 W幾乎理想的狀態(tài)工作。
[0029]圖4和圖5系統(tǒng)中的電流鏡的編程受控制器390控制?？刂破?90將控制開關 330a-n及其他開關，還將確保編程模式期間電流鏡340a-n及其他電流鏡不被用于操作存 儲器陣列的操作。
[0030] 在圖4和圖5實施例的操作模式期間，電容器350的電荷最初將使電流鏡340維 持特定工作狀態(tài)，在此狀態(tài)下，電流鏡340引出與電流源310相同的電流水平。由于電容器 350因正常漏泄而失去電荷，因此，前述效應將隨時間推移逐漸減弱。一旦電容器的電荷完 全耗盡，電流鏡340便會像從來沒有出現(xiàn)過編程模式那樣工作。
[0031] 響應于該一挑戰(zhàn)，圖6示出了另一個實施例。圖6描繪了另一種動態(tài)編程電路500。 動態(tài)編程電路包括第一多個可編程電流鏡510和第二多個可編程電流鏡520。第一多個電 流鏡510和第二多個電流鏡520可基于圖4實施例和圖5實施例中的一者或兩者。當所示 第一多個電流鏡510正被編程時（編程模式），所述第二多個電流鏡520用于閃速存儲器 陣列（未示出）的實際操作（操作模式）。時間ti過去后，所述第一多個電流鏡510便用 于閃速存儲器陣列的實際操作（操作模式），而所述第二多個電流鏡520被編程（編程模 式）。另一個時間ti過去后，所述第一多個電流鏡510進入編程模式，所述第二多個電流鏡 520進入操作模式，如此循環(huán)往復。將時間ti選擇為一時間間隔，使得電容電荷尚未消減到 讓相關電流鏡的工作狀態(tài)達到不期望水平的程度。例如，在某些系統(tǒng)中可將時間ti選擇為 Ims。
[0032] 本文中對本發(fā)明的引用并非旨在限制任何權利要求或權利要求條款的范圍，而僅 僅是對可由一項或多項權利要求涵蓋的一個或多個特征的引用。上文描述的材料、工藝和 數(shù)字示例僅僅是示例性的，并且不應被認為限制權利要求。應當指出的是，如本文所使用， 術語"在...上方"和"在...上"都包含性地包括"直接在...上"（兩者間未設置中間材 料、元件或空間）和"間接在...上"（兩者間設置有中間材料、元件或空間）。同樣，術語 "相鄰"包括"直接相鄰"（兩者間未設置中間材料、元件或空間）和"間接相鄰"（兩者間設 置有中間材料、元件或空間）。例如，"在襯底上方"形成元件可包括在襯底上直接形成元 件，此時襯底和元件間沒有中間材料/元件；W及在襯底上間接形成元件，此時襯底和元件 間有一個或多個中間材料/元件。
【主權項】
1. 一種用于在存儲器裝置中使用的編程電路，包括： 第一位線，所述第一位線耦接到存儲器單元陣列并耦接到第一開關和第二開關；第二 位線，所述第二位線耦接到所述存儲器單元陣列并耦接到第三開關和第四開關，其中所述 第一開關和所述第三開關耦接到第一電流鏡，并且所述第二開關和所述第四開關耦接到第 二電流鏡；以及 控制器，所述控制器被配置為在第一時間間隔期間接通所述第一開關和所述第三開 關，在第二時間間隔期間接通所述第二開關和所述第四開關，其中在跨越所述第一時間間 隔和所述第二時間間隔的第三時間間隔期間，將值編程到至少一些所述存儲器單元中。2. 根據(jù)權利要求1所述的電路，其中所述存儲器單元為閃速存儲器單元。3. 根據(jù)權利要求1所述的電路，其中所述第一時間間隔和所述第二時間間隔持續(xù)相同 的時間。4. 一種對存儲器裝置編程的方法，包括： 在第一時間間隔期間，通過第一開關將第一位線連接到第一電流鏡，通過第二開關將 第二位線連接到第二電流鏡； 在第二時間間隔期間，通過第三開關將所述第一位線連接到所述第二電流鏡，通過第 四開關將所述第二位線連接到所述第一電流鏡； 在所述第一時間間隔和所述第二時間間隔期間，將值編程到與所述第一位線相關聯(lián)的 多個存儲器單元以及與所述第二位線相關聯(lián)的多個存儲器單元中。5. 根據(jù)權利要求4所述的方法，其中所述存儲器單元為閃速存儲器單元。6. 根據(jù)權利要求4所述的方法，其中所述第一時間間隔和所述第二時間間隔持續(xù)相同 的時間。7. -種用于在存儲器裝置中使用的編程電路，包括： 電流鏡，所述電流鏡包括晶體管； 電容器，所述電容器耦接到所述晶體管的柵極；以及 開關，所述開關耦接到電流源和所述電容器，其中所述電流源在第一模式中通過所述 開關耦接到所述電容器，且所述電流源在第二模式期間從所述電容器斷開并耦接到存儲器 單元。8. 根據(jù)權利要求7所述的電路，其中所述存儲器單元為閃速存儲器單元。9. 根據(jù)權利要求7所述的電路，其中所述存儲器單元為分裂柵閃速存儲器單元。10. 根據(jù)權利要求7所述的電路，其中所述晶體管為NMOS晶體管。11. 一種用于在存儲器裝置中使用的編程電路，包括： 電流鏡，所述電流鏡包括晶體管；以及 開關，所述開關耦接到電流源和所述晶體管的柵極，其中所述電流源在第一模式中通 過所述開關耦接到所述電容器的所述柵極，且所述電流源在第二模式期間從所述電容器的 所述柵極斷開并耦接到存儲器單元。12. 根據(jù)權利要求11所述的電路，其中所述存儲器單元為分裂柵閃速存儲器單元。13. -種用于對存儲器裝置編程的方法，包括： 在第一模式期間通過開關將電流源耦接到電容器； 在第二模式期間將所述電流源從所述電容器斷開； 在所述第二模式期間將來自所述電容器的電荷提供給晶體管的柵極； 在所述第二模式期間從耦接到所述晶體管的所述漏極的存儲器單元引出電流。14. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中所述存儲器單元為閃速存儲器單元。15. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中所述晶體管為NMOS晶體管。16. 根據(jù)權利要求14所述的電路，其中所述存儲器單元為分裂柵閃速存儲器單元。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于對先進納米閃速存儲器單元編程的改進的方法和設備，其中一組鏡像電流源(110、111、112、113)中的每個電流源經(jīng)由多組開關(120-123、130-133、140-143、150-153)輪流連接到對應的一組位線(160、170、180、190)中的一根位線。所述改進的方法和設備向每根位線提供按時間平均的編程電流，并且減小了編程電流變化，所述編程電流變化歸因于，例如，在制造形成所述鏡像電流源(110-113)的所述晶體管時的工藝變化。
【IPC分類】G11C16/10, G11C16/30
【公開號】CN104956444
【申請?zhí)枴緾N201480005655
【發(fā)明人】H.V.特蘭, A.利, T.伍, H.Q.阮
【申請人】硅存儲技術公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2014年1月14日
【公告號】EP2923359A1, US9093161, US20140269098, US20150310922, WO2014158311A1