存儲器的編程校驗方法和編程校驗裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種存儲器的編程校驗方法和一種編程校驗裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲器的存儲單元一般處于一個大的存儲陣列中，基于存儲器的結(jié)構(gòu)特征，同一根位線(BL)上會連接很多(通常有幾千個)存儲單元。
[0003]當選中某一 BL線上的一個存儲單元進行操作時，在該BL線連接上的其他存儲單元雖被選中仍會對該BL線造成影響。存儲器的編程校驗中，會選中某一 BL線上的一個存儲單元進行測試，但是由于BL線上的其他存儲單元的影響導(dǎo)致該BL線內(nèi)的電流不準確，從而影響了校驗結(jié)果。而且隨著工藝尺寸的不斷縮小，存儲單元對BL線的影響變得越來越大，使得編程校驗的結(jié)果越來越不準確，一些已經(jīng)編程成功的存儲單元可能無法通過編程校驗，導(dǎo)致編程效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供一種存儲器的編程校驗方法，以解決編程校驗結(jié)果不準確的問題。
[0005]相應(yīng)的，本發(fā)明實施例還提供了一種編程校驗裝置，用以保證上述方法的實現(xiàn)及應(yīng)用。
[0006]為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種存儲器的編程校驗方法，包括:發(fā)送執(zhí)行編程校驗的數(shù)據(jù)讀取指令，其中所述數(shù)據(jù)讀取指令用于從選中存儲單元中讀取數(shù)據(jù)；依據(jù)所述數(shù)據(jù)讀取指令，所述存儲器的電壓生成模塊為所述選中存儲單元提供預(yù)設(shè)正電壓，并為與所述選中存儲單元在同一位線上的其他存儲單元均提供設(shè)定負電壓，以降低所述其他存儲單元的漏電流；所述存儲器的讀取放大器讀取所述位線的實際電流；將所述實際電流與預(yù)設(shè)電流進行比較，依據(jù)比較結(jié)果確定所述選中存儲單元的編程校驗成功與否。
[0007]可選的，所述存儲器的電壓生成模塊為所述選中存儲單元提供預(yù)設(shè)正電壓之前，還包括:從所述數(shù)據(jù)讀取指令中獲取所述選中存儲單元；依據(jù)所述存儲器的存儲陣列查找所述選中存儲單元的陣列信息；依據(jù)所述陣列信息查找與所述選中存儲單元位于同一位線的其他存儲單元。
[0008]可選的，所述存儲器的電壓生成模塊為所述選中存儲單元提供預(yù)設(shè)正電壓，并為與所述選中存儲單元在同一位線上的其他存儲單元提供設(shè)定負電壓，包括:所述存儲器的電壓生成模塊在所述選中存儲單元的柵極上加載所述預(yù)設(shè)正電壓，以使連接所述選中存儲單元的漏極的位線接收所述漏極產(chǎn)生的電流；所述存儲器的電壓生成模塊在所述選中存儲單元在同一位線上的其他存儲單元的柵極均加載所述設(shè)定負電壓，以降低連接所述其他存儲單元的漏極的位線接收的漏電流。
[0009]可選的，還包括:所述存儲器的讀取放大器的第一輸入端讀取所述預(yù)設(shè)電流；所述存儲器的讀取放大器讀取所述位線上的實際電流，包括:所述存儲器的讀取放大器確定所述選中存儲單元的漏極連接的位線，并采用第二輸入端讀取所述位線上流過的實際電流。
[0010]可選的，所述將所述實際電流與預(yù)設(shè)電流進行比較，依據(jù)比較結(jié)果確定所述選中存儲單元的編程校驗通過與否，包括:將所述第二輸入端讀取的實際電流與所述第一輸入端讀取預(yù)設(shè)電流進行比較；當所述實際電流小于或等于所述預(yù)設(shè)電流時，所述選中存儲單元的編程校驗成功；當所述實際電流大于所述預(yù)設(shè)電流時，所述選中存儲單元的編程校驗失敗。
[0011]相應(yīng)的，本發(fā)明還公開了一種編程校驗裝置，包括:發(fā)送模塊，用于發(fā)送執(zhí)行編程校驗的數(shù)據(jù)讀取指令，其中所述數(shù)據(jù)讀取指令用于從選中存儲單元中讀取數(shù)據(jù)；電壓輸入模塊，用于依據(jù)所述數(shù)據(jù)讀取指令，為所述選中存儲單元提供預(yù)設(shè)正電壓，并為與所述選中存儲單元在同一位線上的其他存儲單元均提供設(shè)定負電壓，以降低所述其他存儲單元的漏電流；電流讀取模塊，用于讀取所述位線的實際電流；校驗檢測模塊，用于將所述實際電流與預(yù)設(shè)電流進行比較，依據(jù)比較結(jié)果確定所述選中存儲單元的編程校驗成功與否。
[0012]可選的，還包括:陣列信息確定模塊，用于從所述數(shù)據(jù)讀取指令中獲取所述選中存儲單元；依據(jù)所述存儲器的存儲陣列查找所述選中存儲單元的陣列信息；依據(jù)所述陣列信息查找與所述選中存儲單元位于同一位線的其他存儲單元。
[0013]可選的，所述電壓輸入模塊，用于在所述選中存儲單元的柵極上加載所述預(yù)設(shè)正電壓，以使連接所述選中存儲單元的漏極的位線接收所述漏極產(chǎn)生的電流；在所述選中存儲單元在同一位線上的其他存儲單元的柵極均加載所述設(shè)定負電壓，以降低連接所述其他存儲單元的漏極的位線接收的漏電流。
[0014]可選的，所述電流讀取模塊，還用于觸發(fā)讀取放大器的第一輸入端讀取所述預(yù)設(shè)電流；且所述電流讀取模塊，具體用于觸發(fā)讀取放大器確定所述選中存儲單元的漏極連接的位線，并采用第二輸入端讀取所述位線上流過的實際電流。
[0015]可選的，所述校驗檢測模塊，用于將所述第二輸入端讀取的實際電流與所述第一輸入端讀取預(yù)設(shè)電流進行比較；當所述實際電流小于或等于所述預(yù)設(shè)電流時，所述選中存儲單元的編程校驗成功；當所述實際電流大于所述預(yù)設(shè)電流時，所述選中存儲單元的編程校驗失敗。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例包括以下優(yōu)點:
[0017]綜上所述，發(fā)送用于從選中存儲單元中讀取數(shù)據(jù)的讀取指令，依據(jù)所述數(shù)據(jù)讀取指令，所述存儲器的電壓生成模塊為所述選中存儲單元提供預(yù)設(shè)正電壓，并為與所述選中存儲單元在同一位線上的其他存儲單元均提供設(shè)定負電壓，以降低所述其他存儲單元的漏電流，使得位線上受漏電流的影響較小，位線上的實際電流更加接近選中存儲單元產(chǎn)生的電流，使得讀取放大器將讀取的位線的實際電流與預(yù)設(shè)電流的比較結(jié)果更加準確，確保編程校驗的準確性。
【附圖說明】
[0018]圖1是存儲器的校驗中讀操作的窗口示意圖；
[0019]圖2是本發(fā)明的一種存儲器的編程方法實施例的步驟流程圖；
[0020]圖3是本發(fā)明一種存儲器的編程校驗方法可選實施例中存儲陣列示意圖；
[0021]圖4是本發(fā)明一種存儲器的編程校驗方法可選實施例中讀取放大器示意圖；
[0022]圖5是本發(fā)明一種存儲器的編程校驗方法可選實施例的步驟流程圖；
[0023]圖6是本發(fā)明一種編程校驗裝置實施例的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實施方式】
[0024]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0025]本發(fā)明實施例的核心構(gòu)思之一在于，提出一種存儲器的編程校驗方法，以解決編程校驗結(jié)果不準確的問題。發(fā)送用于從選中存儲單元中讀取數(shù)據(jù)的讀取指令，依據(jù)所述數(shù)據(jù)讀取指令，所述存儲器的電壓生成模塊為所述選中存儲單元提供預(yù)設(shè)正電壓，并為與所述選中存儲單元在同一位線上的其他存儲單元均提供設(shè)定負電壓，以降低所述其他存儲單元的漏電流，使得位線上受漏電流的影響較小，位線上的實際電流更加接近選中存儲單元產(chǎn)生的電流，使得讀取放大器將讀取的位線的實際電流與預(yù)設(shè)電流的比較結(jié)果更加準確，確保編程校驗的準確性。
[0026]本發(fā)明實施例對存儲器如快閃存儲器進行編程校驗，例如快閃存儲器是一種非易失類存儲器，它通過改變浮