一種ddr3快速測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及服務(wù)器硬件和PC(Personal Computer)硬件測量技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種DDR3 (Dual Data Rate)快速測量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—般服務(wù)器電路板都會使用大量的內(nèi)存，內(nèi)存需要使用的電源很多，不論是前期的設(shè)計和后期的保護，通常在設(shè)計的過程中都會加相應(yīng)的供電電路，使內(nèi)存能在多路電源的情況下都能正常工作，但內(nèi)存上一路電源對地阻抗發(fā)生變化時，在不知情的情況下會對板卡造成損壞。因此，有必要對內(nèi)存上板卡前進行檢測。現(xiàn)有技術(shù)性，對于內(nèi)存的測試現(xiàn)階段都局限在直接上電測試，但是不排除個別的板卡由于機構(gòu)、電源設(shè)計、空間等等的原因，造成不必要的損傷，沒有一個針對內(nèi)存DDR3 (Dual Data Rate)上電源對地情況、電源與電源之間的阻抗情況的排查設(shè)備，增大了系統(tǒng)由于異常內(nèi)存造成的風(fēng)險，給企業(yè)帶來不必要的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的技術(shù)任務(wù)是針對上述存在的問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計合理，操作方便，能準確的檢測出內(nèi)存是否合格的DDR3快速測量方法。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
一種DDR3快速測量方法，包括DDR3快速測量設(shè)備，所述DDR3快速測量設(shè)備上設(shè)有電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位，其測試步驟為:
1)將待檢測內(nèi)存安裝在DDR3快速測量設(shè)備的測試位點上；
2)用該測量設(shè)備檢測內(nèi)存單體各電源與地之間的阻抗情況；
3)當測量的阻抗超過規(guī)定的目標值認為內(nèi)存存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理；
4)當測量的阻抗值符合規(guī)定的目標值時，認為內(nèi)存正常，可以將內(nèi)存用在板卡上；
其中，所述測試步驟在內(nèi)存上板卡之前完成。
[0005]內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關(guān)的阻抗測試，這樣測試儀器更加直接的顯示內(nèi)存單體的好壞，通過儀器顯示的情況將好的內(nèi)存上板測試，減少主板因為內(nèi)存異常造成的燒毀現(xiàn)象，最大程度上保護主板。即使后期當電路出現(xiàn)短路的時候，我們也可以判斷造成短路燒毀的點不是內(nèi)存造成的。
[0006]作為優(yōu)選，所述測量方法主要針對短路、虛焊和冷焊造成的內(nèi)存異常問題。
[0007]本發(fā)明具有以下突出的有益效果:增加外部測試點位測試，減少直接在內(nèi)存測試的風(fēng)險；內(nèi)存上系統(tǒng)前可以快速排查出內(nèi)存的異常，避免造成主板的損傷，能最大程度的保護主板不受損壞。
【具體實施方式】
[0008]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明所述的DDR3快速測量方法作進一步詳細說明。
實施例
[0010]本發(fā)明所述DDR3快速測量方法，包括DDR3快速測量設(shè)備，所述DDR3快速測量設(shè)備上設(shè)有電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位，其測試步驟為:
1)將待檢測內(nèi)存安裝在DDR3快速測量設(shè)備的測試位點上；
2)用該測量設(shè)備檢測內(nèi)存單體各電源與地之間的阻抗情況；
3)當測量的阻抗超過規(guī)定的目標值認為內(nèi)存存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理；
4)當測量的阻抗值符合規(guī)定的目標值時，認為內(nèi)存正常，可以將內(nèi)存用在板卡上；
其中，所述測試步驟在內(nèi)存上板卡之前完成。測量方法主要針對短路、虛焊和冷焊造成的內(nèi)存異常問題，能在內(nèi)存上板卡之前快速的檢測出內(nèi)存存在的問題，將存在異常的不合規(guī)定的內(nèi)存作為異常體，不用于上主板板卡。將正常的內(nèi)存用于主板上，最大程度的避免出現(xiàn)燒板卡的問題。
[0011]以上所述的實施例，只是本發(fā)明較優(yōu)選的【具體實施方式】，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)進行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種DDR3快速測量方法，其特征在于:包括DDR3快速測量設(shè)備，所述DDR3快速測量設(shè)備上設(shè)有電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位，其測試步驟為: 1)將待檢測內(nèi)存安裝在DDR3快速測量設(shè)備的測試位點上； 2)用該測量設(shè)備檢測內(nèi)存單體各電源與地之間的阻抗情況； 3)當測量的阻抗超過規(guī)定的目標值認為內(nèi)存存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理； 4)當測量的阻抗值符合規(guī)定的目標值時，認為內(nèi)存正常，可以將內(nèi)存用在板卡上； 其中，所述測試步驟在內(nèi)存上板卡之前完成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DDR3快速測量方法，其特征在于:所述測量方法主要針對短路、虛焊和冷焊造成的內(nèi)存異常問題。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種DDR3快速測量方法，屬于服務(wù)器硬件和PC硬件測量技術(shù)領(lǐng)域。所述DDR3快速測量方法包括DDR3快速測量設(shè)備，所述DDR3快速測量設(shè)備上設(shè)有電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位，其測試步驟為：1）將待檢測內(nèi)存安裝在DDR3快速測量設(shè)備的測試位點上；2）用該測量設(shè)備檢測內(nèi)存單體各電源與地之間的阻抗情況；3）當測量的阻抗超過規(guī)定的目標值認為內(nèi)存存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理；4）當測量的阻抗值符合規(guī)定的目標值時，認為內(nèi)存正常，可以將內(nèi)存用在板卡上；其中，所述測試步驟在內(nèi)存上板卡之前完成。本發(fā)明所述方法，能準確的檢測出內(nèi)存是否合格，具有很好的推廣應(yīng)用價值。
【IPC分類】G11C29/08, G11C29/56
【公開號】CN105489249
【申請?zhí)枴緾N201510903515
【發(fā)明人】張曉 , 付猛猛
【申請人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年12月9日