果，計算出上述式（1)所表示的Rl和上述式(2)所表示的R2。
[0104] 通過原子力顯微鏡（SII公司制，SPA400)測定制造的各玻璃基板的主平面的表面 粗糖度Ra。將測定區(qū)域設(shè)定為一邊化m的正方形、將測定頻率設(shè)定為IHz、將測定點設(shè)定為每 1邊256個點、整個面65536個點。將測定模式設(shè)定為輕敲模式。使用原子力顯微鏡附帶的軟 件進(jìn)行斜率補正(2次曲面補正）后計算出表面粗糖度Ra。此處，表面粗糖度Ra是指日本工業(yè) 標(biāo)準(zhǔn)(JIS B 0601)中記載的算術(shù)平均粗糖度。
[0105] 使用制造的各玻璃基板并實施下述(F)~（I)的工序，由此制造了磁記錄介質(zhì)。
[0106] (F)在將各玻璃基板浸潰于抑12、40°C的化OH水溶液的狀態(tài)下進(jìn)行10分鐘、40曲Z 的超聲波清洗。之后，進(jìn)行利用純水的沖洗、IPA干燥。之后，通過上述原子力顯微鏡測定各 玻璃基板的主平面的表面粗糖度，求出了（F)的工序前后的表面粗糖度Ra的變化A Ra。此 處，在將(F)的工序后的表面粗糖度Ra設(shè)為RaU將(F)的工序前的表面粗糖度設(shè)為Ra2時，可 W 由式 A Ra = Ral-Ra2求出 A Ra。
[0107] (G)通過在線（In-line)型瓣射裝置，依次在玻璃基板的主平面上形成作為密合層 的Cr層(層厚IOnm)、作為基底層的Co-Fe-Zr-化合金層(層厚30皿）、作為晶種層的NiW合金 層(層厚IOnm)、作為取向控制層的Ru層(層厚IOnm)、作為磁性層的粒狀結(jié)構(gòu)層(層厚IOnm)、 作為非磁性層的Ru層(層厚0.6nm)、作為磁性層的粒狀結(jié)構(gòu)層(層厚6nm)成膜。各粒狀結(jié)構(gòu) 層是在Co化Pt合金中添加了Si化的私狀結(jié)構(gòu)層。
[0108] 化)通過CV的去，形成作為保護層的碳膜(膜厚3nm)。
[0109] (I)通過浸潰法，形成全氣聚酸潤滑層(層厚2nm)。
[0110] 通過滑行高度(glide hei曲t)和額外位(extra bit)評價了制造的磁記錄介質(zhì)。
[0111] 滑行高度用于評價磁記錄介質(zhì)上的凸?fàn)钊毕莸母叨?。使磁記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)，并使磁 頭懸浮至規(guī)定的高度。通過將磁頭與凸?fàn)钊毕菖鲎矔r的沖擊變換為電信號，可W評價凸?fàn)?缺陷的高度。作為磁頭，使用了具有DFH(動態(tài)浮動高度)功能的磁頭。將在浮動高度5nm時沒 有沖擊的評價為"A"，將浮動高度IOnm時沒有沖擊但在浮動高度5nm時有沖擊的評價為帶'， 將浮動高度IOnm時有沖擊的評價為。
[0112] 額外位通過磁頭讀取沿著磁記錄介質(zhì)上的軌道記錄的多個數(shù)據(jù)，數(shù)出來自磁頭的 輸出信號超過闊值的數(shù)據(jù)的個數(shù)，由此評價磁記錄介質(zhì)的品質(zhì)。作為磁頭，使用了具有DFH (動態(tài)浮動高度)功能的磁頭。將磁頭的浮動高度設(shè)定為Inm。將來自磁頭的輸出信號超過闊 值的數(shù)據(jù)的平均個數(shù)少于0.4的評價為"A"，將0.4W上且少于0.6的評價為"B"，將0.6W上 的評價為"C'。
[0113] [例5]
[0114] 比較例1中，進(jìn)行下述的清洗工序代替第2清洗工序S19,除此W外，在與實施例2相 同的條件下制造、評價玻璃基板和磁記錄介質(zhì)。
[0115] 比較例1中，作為代替第2清洗工序S19的清洗工序，用純水實施2分鐘超聲波清洗。 接著，利用純水沖洗后，進(jìn)行利用pH 10的堿性洗劑溶液的擦洗，之后，用純水在室溫下實施 2分鐘超聲波清洗。之后，實施利用純水的沖洗、IPA干燥。
[0116] [例6]
[0117] 比較例2中，進(jìn)行下述的清洗工序代替第2清洗工序S19,除此W外，在與實施例3相 同的條件下制造、評價玻璃基板和磁記錄介質(zhì)。
[0118] 比較例2中，作為代替第2清洗工序S19的清洗工序，用純水實施2分鐘超聲波清洗。 接著，利用純水沖洗后，進(jìn)行利用pH 10的堿性洗劑溶液的擦洗，之后，用純水在室溫下實施 2分鐘超聲波清洗。之后，實施利用純水的沖洗、IPA干燥。
[0119] [例7]
[0120] 比較例3中，進(jìn)行下述的清洗工序代替第2清洗工序S19,除此W外，在與實施例3相 同的條件下制造、評價玻璃基板和磁記錄介質(zhì)。
[0121] 比較例3中，作為代替第2清洗工序S19的清洗工序，用純水實施2分鐘超聲波清洗。 接著，利用純水沖洗后，進(jìn)行利用抑5的溶液的擦洗，之后，用純水在室溫下實施2分鐘超聲 波清洗。之后，實施利用純水的沖洗、IPA干燥。
[0122] [評價結(jié)果]
[0123] 表1中示出例1~7中準(zhǔn)備的玻璃的種類和評價結(jié)果。
[0124] [表 1]
[0126] 由表1可知，例1~4中，在第2清洗工序S19中實施了利用強堿清洗液的清洗，因此 可W使Rl和R2處于適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。因此，A Ra小至0.03W下、且滑行高度的評價和額外位的 評價良好。另一方面，例5~6中，R巧PR2過小、A Ra大至0.05 W上。特別是例6中，滑行高度的 評價和額外位的評價都差。另外，例7中，Rl過大，額外位的評價差。
[0127] W上，說明了磁記錄介質(zhì)用玻璃基板和磁記錄介質(zhì)的實施方式等，但本發(fā)明不限 定于上述實施方式等，在權(quán)利要求書中記載的本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可W進(jìn)行各種變形、 改良。
【主權(quán)項】
1. 一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其為具有要形成磁性層的主平面的磁記錄介質(zhì)用玻璃 基板，其中， 在將所述玻璃基板的所述主平面的表層的第13族元素的原子濃度的合計設(shè)為C1原 子％、將所述表層的Si元素的原子濃度設(shè)為C2原子％、將所述玻璃基板的內(nèi)部的第13族元 素的合計設(shè)為C3原子％、將所述玻璃基板的內(nèi)部的Si元素的原子濃度設(shè)為C4原子％時，由 下述式（1)表不的R1為0.30~0.90，-)2. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，在將所述表層的堿金屬的原子濃 度的合計設(shè)為巧原子％、將所述表層的第2族元素的原子濃度的合計設(shè)為C6原子％、將所述 玻璃基板的內(nèi)部的堿金屬的原子濃度的合計設(shè)為C7原子％、將所述玻璃基板的內(nèi)部的第2 族元素的原子濃度的合計設(shè)為C8原子％時，由下述式(2)表示的R2為0.20~0.90，〇3. 如權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，W氧化物基準(zhǔn)的摩爾％計，所 述玻璃基板含有62~74%的Si化、5~30%的Al2〇3和B2化中的任意一種W上成分、合計0~ 10%的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一種W上成分，且含有合計0~23%的Li2〇、Na2〇和Κ2〇中 的任意一種W上成分。4. 一種磁記錄介質(zhì)，其使用了權(quán)利要求1~3中任一項所述的玻璃基板。
【專利摘要】本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板和磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明的課題在于提供可以穩(wěn)定地進(jìn)行磁記錄介質(zhì)的讀寫的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其為具有要形成磁性層的主平面的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，在將上述玻璃基板的上述主平面的表層的第13族元素的原子濃度的合計設(shè)為C1(原子％)、將上述表層的Si元素的原子濃度設(shè)為C2(原子％)、將上述玻璃基板的內(nèi)部的第13族元素的合計設(shè)為C3(原子％)、將上述玻璃基板的內(nèi)部的Si元素的原子濃度設(shè)為C4(原子％)時，由下述式(1)表示的R1為0.30～0.90。<maths num="0001"></maths>
【IPC分類】C03C23/00, C09G1/02, G11B5/73, G11B5/84, C03C19/00
【公開號】CN105702265
【申請?zhí)枴緾N201510920652
【發(fā)明人】宮谷克明, 小林大介
【申請人】旭硝子株式會社
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月11日