專利名稱：半導(dǎo)體晶片裝置及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片，尤其是涉及一種適于安裝至一基板上的半導(dǎo)體晶片裝置及其封裝方法。
隨著半導(dǎo)體制程的發(fā)展，晶片表面上的焊墊變得越來(lái)越小，且焊墊間的距離也越來(lái)縮小，以致于在與外部電路電氣連接時(shí)變得非常不易，并進(jìn)而影響到了生產(chǎn)效率，甚至影響到半導(dǎo)體制程的繼續(xù)發(fā)展。
本發(fā)明的目的在于提供一種易于與外部電氣連接的、生產(chǎn)效率高的、使半導(dǎo)體制程可繼續(xù)發(fā)展的半導(dǎo)體晶片裝置及其封裝方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取如下的技術(shù)方案。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，該半導(dǎo)體晶片裝置是以安裝在一具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)的基板上，其特征在于包含如下步驟a、提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；b、提供一鋼模，在該鋼模的一表面上的預(yù)定位置形成有數(shù)個(gè)導(dǎo)電體容置凹坑；c、以導(dǎo)電金屬膠為材料，于該導(dǎo)電體容置凹坑中形成導(dǎo)電體；d、利用一移刷膠頭把形成于該導(dǎo)電體容置凹坑內(nèi)的導(dǎo)電體移至該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面，各導(dǎo)電體具有一從該半導(dǎo)體晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部和一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在提供該半導(dǎo)體晶片的步驟中，還包含一以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間形成一保護(hù)墻的步驟。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在把形成于該導(dǎo)電體容置凹坑內(nèi)的導(dǎo)電體移至該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面的步驟之前，還包含如下步驟提供一防止該導(dǎo)電體被擠壓而擴(kuò)張變形的鋼板于該半導(dǎo)體晶片上，該鋼板具有與該鋼模的凹坑對(duì)應(yīng)的貫孔，以帶有該導(dǎo)電體的該移刷膠頭施壓于該鋼板上，將該導(dǎo)電體轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在導(dǎo)電體轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體晶片的步驟之后，還包含有于各導(dǎo)電體的電氣連接部設(shè)置一作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)的導(dǎo)電金屬球的步驟。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟中，該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪?、銀、錫和鋁導(dǎo)電金屬材料中之一種的銅球。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟之后，還包含以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上形成一保護(hù)層的步驟，該導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟中，該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫、鋁和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在導(dǎo)電體轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體晶片的步驟之后，還包含如下的步驟提供一第二鋼板于該半導(dǎo)體晶片上，該第二鋼板形成有與該導(dǎo)電體的電氣連接部對(duì)應(yīng)的貫孔，并在形成各貫孔的周壁與該導(dǎo)電體的電氣連接部之間形成一隆起部形成空間；及以導(dǎo)電金屬膠為材料，利用印刷手段于各隆起部形成空間形成一作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)的隆起部。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在各隆起部形成空間形成隆起部的步驟之后，還包含在該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上以樹(shù)脂為材料形成一保護(hù)層的步驟，各導(dǎo)電體的隆起部的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于包含如下步驟a、提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；b、把一鋼板置于該晶片的焊墊安裝表面上，該鋼板形成有數(shù)個(gè)用于暴露該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊的一部份及該晶片的焊墊安裝表面的預(yù)定部份的貫孔，在形成該鋼板的各貫孔的孔壁與該晶片的焊墊安裝表面之間形成一導(dǎo)電體形成空間；c、以導(dǎo)電金屬膠為材料利用印刷手段于各導(dǎo)電體形成空間形成一導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一從該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部及一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟中，該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包含如下的步驟于各導(dǎo)電體的電氣連接部設(shè)置一導(dǎo)電金屬球。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟中，該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪稹y、錫和鋁金屬材料中之一種的銅球。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包含如下的步驟以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上形成一保護(hù)層，各導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在提供該半導(dǎo)體晶片的步驟中，還包含一以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間形成一保護(hù)墻的步驟。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于包含如下步驟a、提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；b、于該晶片的焊墊安裝表面上形成一層經(jīng)化學(xué)沖洗的薄膜材料；c、把一光罩置于該薄膜材料上，該光罩形成有數(shù)個(gè)貫孔；d、以化學(xué)沖洗手段于該薄膜材料上形成用于暴露該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊的一部份及該晶片的焊墊安裝表面的預(yù)定部份的導(dǎo)電體形成槽孔；e、以導(dǎo)電金屬膠為材料利用印刷手段于各導(dǎo)電體形成槽孔內(nèi)形成一導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一從該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部及一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包含如下的步驟于各導(dǎo)電體的電氣連接部設(shè)置一導(dǎo)電金屬球。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟中，該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪稹y、錫和鋁金屬材料中之一種的銅球。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于還包含如下的步驟以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上形成一保護(hù)層，各導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟中，該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成該薄膜材料的步驟中，該薄膜材料為感光干薄膜。
一種半導(dǎo)體晶片裝置，該半導(dǎo)體晶片裝置是以安裝在一具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)的基板上，其特征在于包含有一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；數(shù)個(gè)導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一從該半導(dǎo)體晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部和一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間設(shè)有一使該兩相鄰焊墊之間不短路的保護(hù)墻。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該保護(hù)墻的材料為樹(shù)脂。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于還包括有數(shù)個(gè)導(dǎo)電金屬球，該導(dǎo)電金屬球設(shè)置于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體的電氣連接部上以作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪稹y、錫和鋁導(dǎo)電金屬材料中之一種的銅球。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上還設(shè)有一保護(hù)層，該導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫、鋁和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在各導(dǎo)電體的電氣連接部上設(shè)有作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)的隆起部，該隆起部以導(dǎo)電金屬膠為材料。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上設(shè)有一保護(hù)層，各導(dǎo)電體的隆起部的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于包括有一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；一層薄膜材料，該層薄膜材料設(shè)于該晶片的焊墊安裝表面上并且設(shè)有用于暴露該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊的一部份及該晶片的焊墊安裝表面的預(yù)定部份的導(dǎo)電體形成槽孔；及數(shù)個(gè)導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體設(shè)置于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體形成槽孔內(nèi)，各導(dǎo)電體具有一從該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部及一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電氣連接部。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于還包含有數(shù)個(gè)導(dǎo)電金屬球，該導(dǎo)電金屬球設(shè)置于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體的電氣連接部上。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪?、銀、錫和鋁導(dǎo)電金屬材料中之一種的銅球。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上還設(shè)有一保護(hù)層，該導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電體的材料為導(dǎo)電金屬膠。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該薄膜材料為感光干薄膜。
所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間設(shè)有一使該兩相鄰焊墊之間不短路的保護(hù)墻。
采用了上述技術(shù)方案后，在本發(fā)明中，提供了一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該等焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；還提供了一鋼模，該鋼模在其一表面上的預(yù)定位置形成有數(shù)個(gè)導(dǎo)電體容置凹坑；并以導(dǎo)電金屬膠為材料，于該等導(dǎo)電體容置凹坑形成導(dǎo)電體；再利用一移刷膠頭把形成于該等導(dǎo)電體容置凹坑內(nèi)的導(dǎo)電體移至該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面，使各導(dǎo)電體具有一從該半導(dǎo)體晶片對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)作為電路軌跡的延伸部和一位于該延伸部的自由端且位置與該基板對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。從而使該半導(dǎo)體晶片在與外部電路電氣連接時(shí)變得非常容易，既能夠提高其生產(chǎn)效率，也能保證半導(dǎo)體制程的繼續(xù)發(fā)展。
下面，結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片裝置及其封裝方法做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。


圖1至圖5是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例中半導(dǎo)體晶片裝置封裝方法的各流程的示意圖。
圖6是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例中半導(dǎo)體晶片裝置與一基板結(jié)合的剖視圖。
圖7至圖8是本發(fā)明第二較佳實(shí)施例中半導(dǎo)體晶片裝置封裝方法的部份流程的示意圖。
圖9是本發(fā)明第二較佳實(shí)施例中半導(dǎo)體晶片裝置與一基板結(jié)合的剖視圖。
圖10是本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片裝置的剖視圖。
圖11至圖16是本發(fā)明第四較佳實(shí)施例半導(dǎo)體晶片裝置封裝方法的各流程的示意圖。
圖17是本發(fā)明第五較佳實(shí)施例的示意圖，其中，保護(hù)層被移去。
圖18是本發(fā)明第六較佳實(shí)施例的示意圖，其中，保護(hù)層被移去。
圖19至圖24是本發(fā)明第七較佳實(shí)施例半導(dǎo)體晶片裝置封裝方法的各流程的示意圖。
圖25是在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中使用半導(dǎo)體晶片的上視圖。
首先需要說(shuō)明的是，在如下對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)描述中，相同的元件是由相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)示。
本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片裝置是適于安裝至一基板9(見(jiàn)圖6)上。該基板9具有一晶片安裝區(qū)域。于該晶片安裝區(qū)域內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)90。在本實(shí)施例中，該基板9為一系統(tǒng)基板。
圖1至5所示，為本發(fā)明半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法的第一較佳實(shí)施例。如圖1所示，一半導(dǎo)體晶片1具有一用于安裝焊墊11的焊墊安裝表面10。該等焊墊11的位置是不對(duì)應(yīng)于該基板9的焊點(diǎn)90的位置。
如圖2和圖3所示，提供一鋼模2。該鋼模2在其一表面的預(yù)定位置上形成有數(shù)個(gè)導(dǎo)電體容置凹坑20。
如圖4所示，以導(dǎo)電金屬膠為材料，于該等導(dǎo)電體容置凹坑20內(nèi)形成導(dǎo)電體3。然后，利用一移刷膠頭4把形成于該等導(dǎo)電體容置凹坑20內(nèi)的導(dǎo)電體3移離。至于移刷膠頭4是如何把導(dǎo)電體3從鋼模2移去的，因是習(xí)知技術(shù)，于此不再贅述。
如圖5所示，一鋼板5被置于該晶片1上。該鋼板5具有與該鋼模2的凹坑20對(duì)應(yīng)的貫孔50。然后，以帶有該等導(dǎo)電體3的該移刷膠頭4施壓于該鋼板5上，使將該等導(dǎo)電體3轉(zhuǎn)移至該晶片1的焊墊安裝表面10上。該鋼板5的設(shè)置可防止該等導(dǎo)電體3被過(guò)度擠壓而擴(kuò)張變形。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有銀的導(dǎo)電銀膠。另外，該導(dǎo)電金屬膠也可以是摻雜有如金、銅、鐵、鋁、錫與鉛等導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電金屬膠。各導(dǎo)電體3具有一從對(duì)應(yīng)的焊墊11延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部300和一位于該延伸部300的自由端且位置與該基板9對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)90的位置對(duì)應(yīng)的并作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部301。另，在鋼板5被移去后，是通過(guò)加熱烤干處理使該等導(dǎo)電體3帶有硬性。
參閱圖6，當(dāng)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片裝置如上所述制成時(shí)，其即適于安裝至一基板9上。該等導(dǎo)電體3的電氣連接部301通過(guò)在該基板9的焊點(diǎn)90上預(yù)先設(shè)置的導(dǎo)電銀膠91來(lái)與該基板9對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)90電氣連接。最后，在該晶片1的焊墊安裝表面10上以樹(shù)脂為材料設(shè)有一保護(hù)層7。
應(yīng)要注意的是，在該基板9的焊點(diǎn)90和該晶片1的對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體3的電氣連接部301之間的電氣連接也可以通過(guò)錫膏達(dá)成。
參閱圖7至圖9，是本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例。由于本較佳實(shí)施例中在導(dǎo)電體3形成為止前與第一較佳實(shí)施例相同，故于此不再贅述。在圖7中，一第二鋼板6被提供。該第二鋼板6是置于該晶片1上并且形成有與該等導(dǎo)電體3的電氣連接部301對(duì)應(yīng)的貫孔60，以致于在形成各貫孔60的周壁與該導(dǎo)電體3的電氣連接部301之間形成一隆起部形成空間。然后，同樣以導(dǎo)電金屬膠為材料，利用印刷手段于各隆起部形成空間形成一隆起部302。由于該等隆起部302與該等導(dǎo)電體3均是以相同的材料形成，故兩者會(huì)熔合在一起。在該鋼板6被移去后，也通過(guò)加熱烤干處理使該等導(dǎo)電體3帶有硬性。
然后，如圖8所示，在該晶片1的焊墊安裝表面10上是以樹(shù)脂為材料設(shè)有一保護(hù)層7。應(yīng)要注意的是，各導(dǎo)電體3的隆起部302的頂端部份是凸露在該保護(hù)層7外。
參閱圖9，當(dāng)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片裝置如上所述制成時(shí)，其即適于安裝至一基板9上。該等電氣連接部隆起部302是通過(guò)在該基板9的焊點(diǎn)90上預(yù)先設(shè)置的導(dǎo)電銀膠91來(lái)與該基板9的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)90電氣連接。應(yīng)要注意的是，在安裝該半導(dǎo)體晶片裝置至該基板9的過(guò)程中，在該基板9與該晶片1之間可設(shè)有一用于在導(dǎo)電銀膠91被加熱硬化之前防止該基板9與該晶片1之間相對(duì)移動(dòng)的黏膠層92。
與第一較佳實(shí)施例相同，在該基板9的焊點(diǎn)90和該晶片1對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體3的隆起部302之間的電氣連接也可以通過(guò)錫膏達(dá)成。當(dāng)錫膏被使用時(shí)，黏膠層即可被免除。
如圖10所示，為本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例。與第一較佳實(shí)施例不同的是，在各導(dǎo)電體3經(jīng)過(guò)加熱硬化處理之前，于各導(dǎo)電體3的電氣連接部301設(shè)置有一導(dǎo)電金屬球303。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)電金屬球303可以為以如金、銀、錫和鋁般的導(dǎo)電金屬電鍍的銅球。
當(dāng)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片裝置被安裝至一基板時(shí)，該等銅球303如上述的實(shí)施例一樣，是通過(guò)在該基板的焊點(diǎn)上預(yù)先設(shè)置的導(dǎo)電銀膠或錫膏來(lái)與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電氣連接。
圖11至圖16所示，為本發(fā)明半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法的第四較佳實(shí)施例。
如圖11至圖16所示，一鋼板5’被置放于該晶片1的安裝表面10上。在本實(shí)施例中，該鋼板5’為印刷網(wǎng)板。該鋼板5’形成有數(shù)個(gè)用于暴露對(duì)應(yīng)的焊墊11的一部份及該焊墊安裝表面10預(yù)定部份的貫孔50’。在形成該鋼板5’的各貫孔50’的孔壁與該晶片1的焊墊安裝表面10之間形成一導(dǎo)電體形成空間。
之后，如圖14至圖15所示，是以導(dǎo)電金屬膠為材料，利用印刷手段于該等導(dǎo)電體形成空間形成導(dǎo)電體3。在該鋼板5’被移去后，經(jīng)過(guò)加熱烤干處理使該等導(dǎo)電體3成為帶硬性的導(dǎo)電體3。與前述實(shí)施例相同，各導(dǎo)電體3具有一從對(duì)應(yīng)的焊墊11延伸出來(lái)作為電路軌跡的延伸部300和一位于該延伸部300的自由端且其位置與該基板9對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)90的位置對(duì)應(yīng)的并作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部301。
如圖16所示，在晶片1的焊墊安裝表面10上以樹(shù)脂為材料設(shè)有一保護(hù)層7。各導(dǎo)電體3的電氣連接部301的頂端部份是凸露在該保護(hù)層7外。
與前述實(shí)施例相同，當(dāng)本實(shí)施例要安裝至一基板上時(shí)，該等電氣連接部是通過(guò)在該基板的焊點(diǎn)上預(yù)先設(shè)置的導(dǎo)電銀膠來(lái)與該基板對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)電氣連接。當(dāng)然，在該基板的焊點(diǎn)上預(yù)先設(shè)置的導(dǎo)電銀膠也可以錫膏代替。
應(yīng)要注意的是，在本實(shí)施例中，通過(guò)控制鋼板貫孔的尺寸，該等導(dǎo)電體的電氣連接部的高度即可受到控制。
如圖17所示，該晶片1的焊墊11的位置可以在該晶片1的焊墊安裝表面10的兩側(cè)。
參閱圖18，該晶片1的焊墊11的位置也可以位于該晶片1的焊墊安裝表面10的四周。
如圖19至圖24所示，為本發(fā)明第七較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝過(guò)程。
如圖19所示，一感光干薄膜80形成于該晶片1的焊墊安裝表面10上。然后，以一形成有數(shù)個(gè)貫孔810的光罩81(見(jiàn)圖20)覆蓋于該干薄膜80上，如圖20和圖21所示。接著，經(jīng)過(guò)化學(xué)沖洗處理，如圖23所示一般，使該感光干薄膜80形成有數(shù)個(gè)用于暴露該晶片1對(duì)應(yīng)的焊墊11的一部份及該晶片1的焊墊安裝表面10的預(yù)定部份的導(dǎo)電體形成槽孔800。其后，如圖2 4所示，以如導(dǎo)電銀膠般的材料于各導(dǎo)電體形成槽孔800內(nèi)形成導(dǎo)電體3及以樹(shù)脂為材料在導(dǎo)電體3與感光干薄膜80上形成一保護(hù)層7。
在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體3的電氣連接部也可以形成如圖5或圖10中所示的一樣的電氣連接部。
如圖25所示，在以上所述的本發(fā)明較佳實(shí)施例中，為了防止在兩焊墊11之間因距離太短而發(fā)生短路現(xiàn)象，于該半導(dǎo)體晶片1的兩相鄰焊墊11之間可以以樹(shù)脂為材料形成一保護(hù)墻12。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，該半導(dǎo)體晶片裝置是以安裝在一具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)的基板上，其特征在于包含如下步驟a、提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；b、提供一鋼模，在該鋼模的一表面上的預(yù)定位置形成有數(shù)個(gè)導(dǎo)電體容置凹坑；c、以導(dǎo)電金屬膠為材料，于該導(dǎo)電體容置凹坑中形成導(dǎo)電體；d、利用一移刷膠頭把形成于該導(dǎo)電體容置凹坑內(nèi)的導(dǎo)電體移至該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面，各導(dǎo)電體具有一從該半導(dǎo)體晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部和一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
2．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在提供該半導(dǎo)體晶片的步驟中，還包含一以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間形成一保護(hù)墻的步驟。
3．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在把形成于該導(dǎo)電體容置凹坑內(nèi)的導(dǎo)電體移至該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面的步驟之前，還包含如下步驟提供一防止該導(dǎo)電體被擠壓而擴(kuò)張變形的鋼板于該半導(dǎo)體晶片上，該鋼板具有與該鋼模的凹坑對(duì)應(yīng)的貫孔，以帶有該導(dǎo)電體的該移刷膠頭施壓于該鋼板上，將該導(dǎo)電體轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上。
4．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在導(dǎo)電體轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體晶片的步驟之后，還包含有于各導(dǎo)電體的電氣連接部設(shè)置一作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)的導(dǎo)電金屬球的步驟。
5．如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟中，該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪?、銀、錫和鋁導(dǎo)電金屬材料中之一種的銅球。
6．如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟之后，還包含以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上形成一保護(hù)層的步驟，該導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
7．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟中，該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫、鋁和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
8．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在導(dǎo)電體轉(zhuǎn)移至該半導(dǎo)體晶片的步驟之后，還包含如下的步驟提供一第二鋼板于該半導(dǎo)體晶片上，該第二鋼板形成有與該導(dǎo)電體的電氣連接部對(duì)應(yīng)的貫孔，并在形成各貫孔的周壁與該導(dǎo)電體的電氣連接部之間形成一隆起部形成空間；及以導(dǎo)電金屬膠為材料，利用印刷手段于各隆起部形成空間形成一作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)的隆起部。
9．如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在各隆起部形成空間形成隆起部的步驟之后，還包含在該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上以樹(shù)脂為材料形成一保護(hù)層的步驟，各導(dǎo)電體的隆起部的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
10．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于包含如下步驟a、提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；b、把一鋼板置于該晶片的焊墊安裝表面上，該鋼板形成有數(shù)個(gè)用于暴露該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊的一部份及該晶片的焊墊安裝表面的預(yù)定部份的貫孔，在形成該鋼板的各貫孔的孔壁與該晶片的焊墊安裝表面之間形成一導(dǎo)電體形成空間；c、以導(dǎo)電金屬膠為材料利用印刷手段于各導(dǎo)電體形成空間形成一導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一從該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部及一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
11．如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟中，該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
12．如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包含如下的步驟于各導(dǎo)電體的電氣連接部設(shè)置一導(dǎo)電金屬球。
13．如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟中，該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪?、銀、錫和鋁金屬材料中之一種的銅球。
14．如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包含如下的步驟以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上形成一保護(hù)層，各導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
15．如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在提供該半導(dǎo)體晶片的步驟中，還包含一以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間形成一保護(hù)墻的步驟。
16．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于包含如下步驟a、提供一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；b、于該晶片的焊墊安裝表面上形成一層經(jīng)化學(xué)沖洗的薄膜材料；c、把一光罩置于該薄膜材料上，該光罩形成有數(shù)個(gè)貫孔；d、以化學(xué)沖洗手段于該薄膜材料上形成用于暴露該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊的一部份及該晶片的焊墊安裝表面的預(yù)定部份的導(dǎo)電體形成槽孔；e、以導(dǎo)電金屬膠為材料利用印刷手段于各導(dǎo)電體形成槽孔內(nèi)形成一導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一從該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部及一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
17．如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟之后，還包含如下的步驟于各導(dǎo)電體的電氣連接部設(shè)置一導(dǎo)電金屬球。
18．如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電金屬球的步驟中，該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪稹y、錫和鋁金屬材料中之一種的銅球。
19．如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于還包含如下的步驟以樹(shù)脂為材料于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上形成一保護(hù)層，各導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
20．如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成導(dǎo)電體的步驟中，該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
21．如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法，其特征在于在形成該薄膜材料的步驟中，該薄膜材料為感光干薄膜。
22．一種半導(dǎo)體晶片裝置，該半導(dǎo)體晶片裝置是以安裝在一具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)的基板上，其特征在于包含有一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；數(shù)個(gè)導(dǎo)電體，各導(dǎo)電體具有一從該半導(dǎo)體晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部和一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的作為導(dǎo)電觸點(diǎn)的電氣連接部。
23．如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間設(shè)有一使該兩相鄰焊墊之間不短路的保護(hù)墻。
24．如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該保護(hù)墻的材料為樹(shù)脂。
25．如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于還包括有數(shù)個(gè)導(dǎo)電金屬球，該導(dǎo)電金屬球設(shè)置于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體的電氣連接部上以作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)。
26．如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪稹y、錫和鋁導(dǎo)電金屬材料中之一種的銅球。
27．如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上還設(shè)有一保護(hù)層，該導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
28．如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫、鋁和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
29．如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在各導(dǎo)電體的電氣連接部上設(shè)有作為該導(dǎo)電觸點(diǎn)的隆起部，該隆起部以導(dǎo)電金屬膠為材料。
30．如權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上設(shè)有一保護(hù)層，各導(dǎo)電體的隆起部的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
31．如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于包括有一半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊，該焊墊的位置不對(duì)應(yīng)于該基板的焊點(diǎn)的位置；一層薄膜材料，該層薄膜材料設(shè)于該晶片的焊墊安裝表面上并且設(shè)有用于暴露該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊的一部份及該晶片的焊墊安裝表面的預(yù)定部份的導(dǎo)電體形成槽孔；及數(shù)個(gè)導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體設(shè)置于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體形成槽孔內(nèi)，各導(dǎo)電體具有一從該晶片的對(duì)應(yīng)的焊墊延伸出來(lái)的作為電路軌跡的延伸部及一位于該延伸部的自由端且位置與該基板的對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)的位置對(duì)應(yīng)的電氣連接部。
32．如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于還包含有數(shù)個(gè)導(dǎo)電金屬球，該導(dǎo)電金屬球設(shè)置于對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體的電氣連接部上。
33．如權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬球?yàn)殡婂冇薪稹y、錫和鋁導(dǎo)電金屬材料中之一種的銅球。
34．如權(quán)利要求33所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于于該半導(dǎo)體晶片的焊墊安裝表面上還設(shè)有一保護(hù)層，該導(dǎo)電金屬球的至少頂端部份凸露在該保護(hù)層外。
35．如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電體的材料為導(dǎo)電金屬膠。
36．如權(quán)利要求35所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該導(dǎo)電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鉛導(dǎo)電金屬材料中之一種的導(dǎo)電金屬膠。
37．如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于該薄膜材料為感光干薄膜。
38．如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體晶片裝置，其特征在于在該半導(dǎo)體晶片的兩相鄰焊墊之間設(shè)有一使該兩相鄰焊墊之間不短路的保護(hù)墻。
全文摘要
一種半導(dǎo)體晶片裝置及其封裝方法,該半導(dǎo)體晶片裝置適于安裝在一具有數(shù)個(gè)焊點(diǎn)的基板上,該半導(dǎo)體晶片裝置的封裝方法包含如下步驟提供一具有一焊墊安裝表面及數(shù)個(gè)設(shè)于該焊墊安裝表面的焊墊的半導(dǎo)體晶片;提供一鋼模,于其表面上預(yù)定位置形成有數(shù)個(gè)導(dǎo)電體容置凹坑;于該等導(dǎo)電體容置凹坑內(nèi)形成導(dǎo)電體;以一移刷膠頭把所形成的導(dǎo)電體移至該晶片的焊墊安裝表面,各導(dǎo)電體具有一作為電路軌跡的延伸部和一作為導(dǎo)電觸電的電氣連接部。
文檔編號(hào)H01L23/48GK1315742SQ00105468
公開(kāi)日2001年10月3日 申請(qǐng)日期2000年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月30日
發(fā)明者陳怡銘 申請(qǐng)人:陳怡銘