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      低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯的制作方法

      文檔序號(hào):7211461閱讀:344來源:國(guó)知局
      專利名稱:低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明是一種用于顯像管的偏轉(zhuǎn)磁芯,尤其是一種以鐵氧體材料制造的低磁滯損耗的偏轉(zhuǎn)磁芯。
      背景技術(shù)
      隨著大屏幕高清晰度電視和計(jì)算機(jī)用高分辨率顯示器的的發(fā)展,使得偏轉(zhuǎn)線圈的掃描頻率越來越高。彩色顯示管的大偏轉(zhuǎn)角、高分辨率發(fā)展趨勢(shì),對(duì)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)提出了更高的要求。偏轉(zhuǎn)電流和偏轉(zhuǎn)頻率的提高,對(duì)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)帶來的是發(fā)熱和能量損耗的增大,這對(duì)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)性能的穩(wěn)定性是十分不利的。偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的發(fā)熱是影響顯示管性能的主要因素之一,它帶來了圖象質(zhì)量的不穩(wěn)定,因此應(yīng)該設(shè)法降低。
      偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的發(fā)熱,除了偏轉(zhuǎn)線圈的發(fā)熱以外,另外一個(gè)主要原因是偏轉(zhuǎn)磁芯中的磁滯損耗引起的發(fā)熱。偏轉(zhuǎn)線圈的發(fā)熱由偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的繞線分布和電路所決定;偏轉(zhuǎn)磁芯的發(fā)熱則由磁性材料的選擇和磁芯的形狀能影響的磁場(chǎng)分布所決定。降低偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的能量損耗和發(fā)熱,較為有效可行的方法是降低偏轉(zhuǎn)磁芯的能量損耗。選擇低磁滯損耗偏轉(zhuǎn)磁芯用鐵氧體材料,可以有效地降低偏轉(zhuǎn)磁芯的能量損耗,這可以通過磁性材料的各項(xiàng)特性的比較進(jìn)行選擇;改變磁芯內(nèi)的磁場(chǎng)分布和磁通密度,也可以降低磁芯的能量損耗。
      對(duì)于磁性材料,在交變磁場(chǎng)中存在磁滯損耗,如果交變磁場(chǎng)的最大磁通密度為Bmax’當(dāng)交變磁場(chǎng)的頻率為f時(shí),每秒的磁滯損耗密度即磁滯損耗功率密度Ph和f、Bmax的關(guān)系用以下的經(jīng)驗(yàn)公式來表示Ph=&eta;fnBmaxmW/m3----(1)]]>這里η為常數(shù),n和m次方為經(jīng)驗(yàn)值,它們可以通過對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品磁環(huán)的在不同頻度、磁通密度和溫度下進(jìn)行測(cè)量得到。
      一種典型的偏轉(zhuǎn)磁芯的結(jié)構(gòu)其沿軸截面為與軸垂直方向的橫截面為一個(gè)圓環(huán)形或由兩個(gè)半圓環(huán)型拼為一個(gè)圓環(huán)形,在此截面上偏轉(zhuǎn)磁芯內(nèi)的磁能分布一般為余弦分布。因?yàn)殡娮邮狡D(zhuǎn)的頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于垂直偏轉(zhuǎn)的頻率,因此在偏轉(zhuǎn)磁芯中水平偏轉(zhuǎn)的磁場(chǎng)的磁滯損耗遠(yuǎn)大于垂直轉(zhuǎn)磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁滯損耗。由于磁滯損耗與磁通密度的非線形關(guān)系,和磁場(chǎng)的余弦分布,如果加厚磁場(chǎng)較強(qiáng)部位的磁芯厚度,可以有效的降低磁芯的磁滯損耗。
      三、技術(shù)內(nèi)容1、發(fā)明目的本發(fā)明的目的是提供一種降低顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯中的磁滯損耗、降低偏轉(zhuǎn)磁芯的工作溫升、提高偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)工作穩(wěn)定性的低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯。
      2、技術(shù)方案本發(fā)明的低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯的設(shè)計(jì)方法是在橫截面為環(huán)形的偏轉(zhuǎn)磁芯中,磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚,在保證磁芯總重量不變的情況下,可以減薄磁通密度小的部位的磁芯厚度,增加磁通密度大的部位的磁芯厚度,減少偏轉(zhuǎn)磁芯垂直方向的磁芯厚度,增加水平方向的磁芯厚度,磁芯橫截面的內(nèi)孔和外孔形狀分別為圓形或橢圓形或矩形,但內(nèi)孔與外孔的形狀不同時(shí)為圓形。
      3、技術(shù)效果本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是偏轉(zhuǎn)磁芯中總的磁滯損耗小,磁芯的工作溫升低,因此整個(gè)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的工作穩(wěn)定性也相應(yīng)提高,尤其可以提高偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)在高頻、大偏轉(zhuǎn)角度工作狀態(tài)下的穩(wěn)定性。
      因?yàn)殡娮邮狡D(zhuǎn)的頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于垂直偏轉(zhuǎn)的頻率,因此在偏轉(zhuǎn)磁芯中水平偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的磁滯損耗遠(yuǎn)大于垂直偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的磁滯損耗。而水平偏轉(zhuǎn)的偏轉(zhuǎn)線圈的大部分線圈繞線集中在線圈和其上下對(duì)稱面的附近,因此在偏轉(zhuǎn)磁芯中,對(duì)應(yīng)部位的磁通密度也將很強(qiáng),相應(yīng)的磁滯損耗也就很大,造成局部的溫度過高。為了降低磁滯損耗,可以通過增加相應(yīng)部位的磁芯厚度,從而使通過這一部分磁芯中的磁通密度降低,達(dá)到減小磁滯損耗的目的。
      增加磁芯的厚度在一定程度上增加了磁芯所用鐵氧體材料的總量,增加了成本,為了保證所用材料總量的不變,可以減小磁通密度較小部位的磁芯厚度,但這增加了相應(yīng)部位的磁滯損耗,因?yàn)榇艤p耗和磁通密度的非線性關(guān)系,在保證磁芯總重量的不變的情況下,可以使偏轉(zhuǎn)磁芯總體的磁滯損耗降低。


      圖1是本發(fā)明磁芯中,磁芯橫截面為內(nèi)圓,外橢圓的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖2是本發(fā)明磁芯中,磁芯橫截面為內(nèi)橢圓,外橢圓的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖3是本發(fā)明磁芯中,磁芯橫截面為內(nèi)矩形,外橢圓的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖4是本發(fā)明磁芯中,磁芯橫截面為內(nèi)矩形,外矩形的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖5是本發(fā)明沿軸向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
      五、具體實(shí)施方法采用鐵氧體制作軸向?yàn)槔葼?、橫截面的內(nèi)孔為圓形、橢圓形、矩形,外側(cè)為圓形、橢圓形、矩形的偏轉(zhuǎn)磁芯,但內(nèi)孔與外側(cè)的截面形態(tài)不同時(shí)為圓形,其設(shè)計(jì)的要點(diǎn)是磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位的磁芯厚度厚。根據(jù)生產(chǎn)工藝的要求,其橫截面形狀沿軸線方向的不同位置的厚度可以相同,也可以不同。
      權(quán)利要求
      1.一種低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯,其特征在于在橫截面為環(huán)形的偏轉(zhuǎn)磁芯中,磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯,其特征在于在保證磁芯總重量不變的情況下,減薄磁通密度小的部位的磁芯厚度,增加磁通密度大的部位的磁芯厚度。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯,其特征在于減少偏轉(zhuǎn)磁芯垂直方向的磁芯厚度,增加水平方向的磁芯厚度。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯,其特征在于磁芯橫截面的內(nèi)孔和外孔形狀分別為圓形或橢圓形或矩形,但內(nèi)孔與外孔的形狀不同時(shí)為圓形。
      全文摘要
      低磁滯損耗的顯像管偏轉(zhuǎn)磁芯是一種以鐵氧體為材料制造的低磁滯損耗、低工作溫升、高工作穩(wěn)定性的偏轉(zhuǎn)磁芯,其設(shè)計(jì)方法是在橫截面為環(huán)形的偏轉(zhuǎn)磁芯中,磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚,在保證磁芯總重量不變的情況下,減薄磁通密度小的部位的磁芯厚度,增加磁通密度大的部位的磁芯厚度,減少偏轉(zhuǎn)磁芯垂直方向的磁芯厚度,增加水平方向的磁芯厚度,磁芯橫截面的內(nèi)孔和外孔形狀分別為圓形或橢圓形或矩形,但內(nèi)孔與外孔的形狀不同時(shí)為圓形。
      文檔編號(hào)H01F3/00GK1354492SQ01137398
      公開日2002年6月19日 申請(qǐng)日期2001年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月18日
      發(fā)明者張曉兵, 尹涵春 申請(qǐng)人:東南大學(xué)
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