国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種形成淺結的方法

      文檔序號:6917408閱讀:2453來源:國知局
      專利名稱:一種形成淺結的方法
      技術領域
      本發(fā)明屬于集成電路制造工藝技術領域,具體涉及一種形成漏源淺結的方法。
      目前主流的工藝都是在定義了晶體管源/漏結后,也就是完成了結的高劑量注入及退火后再生長硅化物。由于硅化物本身的生長會消耗一部分硅,所以如果硅化物工藝不好,硅化物和硅的界面不平整,或者結深控制不好(過淺),在源漏極加電壓時,在界面突起的部位很容易造成漏電的產生,導致器件的失效。如

      圖1所示。此外在硅化物形成過程中,還有雜質再分布的問題,需要考慮到硅化物工藝對最終雜質分布,也就是晶體管性能的影響。
      也有方法是在硅化物形成后,通過離子注入將雜質(例如As(砷)、B(硼))注入到硅化物中,再通過加熱,讓雜質從硅化物中擴散出來,形成源漏淺結。這樣有助于解決因硅化物工藝不好造成界面不平整的問題。但是這里將硅化物本身作為一個擴散源來使用,在對雜質分布的控制和工藝重復性上都存在一定的問題,而擴散工藝本身已經在先進的制造工藝中被淘汰。
      本發(fā)明提出的形成淺結的方法,是在硅襯底上形成硅化物層后,通過離子注入將雜質注入到硅化物下面,讓雜質分布的峰值深度正好位于硅化物的下面3-10nm處,見圖2;然后通過高溫快速熱退火激活雜質并進行一定的擴散,完成淺結的形成。這樣在加熱激活中可以很大程度上忽略硅化物自身的影響。此外由于注入已經有了一定的深度,在隨后的熱處理中,對于雜質向下的擴散就不必考慮太多,重點是雜質的激活,這樣既可以提高摻雜的濃度,又可以保證結的深度。相比較而言在目前主流的工藝中,在注入之后退火,則要兼顧濃度和深度的要求。這是因為在本發(fā)明中雜質已經注入到一定的深度,不象傳統(tǒng)的工藝中雜質雖然已經激活分布了,但是在形成硅化物過程中,一是再度受熱雜質會再擴散,二是雜質在硅化物中的分布跟在硅中的分布是不同的,因而還要考慮從硅化物中排出來的雜質再分布的問題。簡而言之,本方法就是在形成硅化物后再形成淺結。本方法的另一個優(yōu)點是省去了氧化物作為注入掩膜這道工序,直接用硅化物做掩膜。
      本發(fā)明的具體操作步驟如下1、在硅襯底上先形成低電阻的硅化物,具體可采用如下方法(1)用稀釋的氫氟酸清潔硅片表面;(2)通過PVD方法在硅片表面整片淀積形成硅化物所需的金屬,如Co(鈷)/Ti(鈦);(3)采用快速熱退火方法,在較低溫度如500-600℃下形成高電阻硅化物,如CoSi、等;(4)將不需要的和未反應的金屬,如Co、Ti等,給腐蝕掉;(5)通過更高溫度的快速熱退火,如800-900℃,形成低電阻的硅化物,如CoSi2。
      2、以低電阻硅化物如CoSi2為注入掩膜,完成源/漏結和柵極所需劑量的注入,使雜質濃度分布的峰值正好在硅化物下面3-10nm;3、采用高溫快速熱退火(RTP)方式,形成淺結。
      在注入后的退火溫度應在900℃以上,一般為900-1000℃。可以使用目前最新的快速熱退火(RTP)方式,如SPIKE退火和IMPULSE退火,這些退火方式都能保證雜質的電學激活和分布深度。同時由于退火的時間非常短,不會破壞硅化物的質量。P型注入可以使用B(硼)或者BF2(二氟化硼),劑量在1015/cm2-5×1015/cm,能量在30-50keV;N型注入則要使用As(砷)或者P(磷),劑量在1015/cm2-5×1015/cm,能量在50-100keV。
      本發(fā)明由于在硅化物形成之后再注入退火,保證了淺結的可靠性,并且具有結深易控制,結摻雜濃度高,雜質濃度的分布比較穩(wěn)定等特點。本方法由于是注入后快速熱退火,相對于從硅化物中擴散雜質的方式還具有重復性好的特點。此外相對主流工藝而言,還減少了一步氧化物做注入掩膜的工序。
      圖2是本方法中離子注入后,雜質濃度的峰值處于硅化物以下的圖示。
      圖中標號1為硅襯底,2為硅化物,3為淺結,4為雜質原子。
      3.采用快速熱退火的方法,在較低溫度,如550度,形成高電阻的硅化物,如CoSi4.將不需要的以及未反應的金屬,如Co或者Ti金屬,給腐蝕掉。
      5.通過更高溫度的快速熱退火,如850度,形成低電阻的硅化物,如CoSi26.以硅化物為注入掩膜,如CoSi2,完成源/漏結和柵極劑量的注入,雜質濃度的峰值正好在硅化物下面,如5nm左右7.使用SPIKE退火或者IMPULSE退火等方式退火,形成淺結。
      由上述方法制得淺結的可靠性好,結摻雜濃度高,雜質濃度分布比較穩(wěn)定。
      權利要求
      1.一種集成電路制造工藝中形成淺結的方法,其特征在于,在硅襯底表面形成硅化物以后,通過離子注入的方法將雜質注入到硅化物下面,使雜質濃度分布峰值位于硅化物下3-10nm處,然后通過高溫快速熱退火,熱激活形成淺結。
      2.根據(jù)權利要求1所述的形成淺結的方法,其特征在于注入的雜質可用As或P,劑量為1015/cm2-5×1015/cm,能量在50-100keV。
      3.根據(jù)權利要求1所述的形成淺結的方法,其特征在于注入的雜質可用B或BF2,劑量為1015/cm2-5×1015/cm,能量在30-50keV。
      4.根據(jù)權利要求1所述的形成淺結的方法,其特征在于注入后的快速熱退火可采用SPIKE退火或IMPULSE退火,退火溫度為900-1000℃。
      全文摘要
      本發(fā)明是在集成電路制造工藝中一種形成淺結的方法。目前,都是在源漏注入后,退火激活成結了,才開始硅化物制備的工藝。使用這種方法,會引起可靠性的問題,主要是漏電。同時硅化物工藝對晶體管最終的性能也會有一定的影響。本發(fā)明是先形成硅化物再注入雜質、退火成結。在這里注入雜質的分布峰值處于硅化物以下,這樣就避免了硅化物作為擴散源所帶來的一些問題。通過注入將雜質注入到硅化物以下,具有結深容易控制、雜質濃度高、重復性好的特點,而且還減少了氧化物作為注入掩膜的工序,簡化了工藝。
      文檔編號H01L21/324GK1385880SQ02112148
      公開日2002年12月18日 申請日期2002年6月20日 優(yōu)先權日2002年6月20日
      發(fā)明者胡恒升 申請人:上海華虹(集團)有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1