專利名稱：半導(dǎo)體封裝制造方法及其封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要是用于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的要求細(xì)薄化的場(chǎng)合，以厚的耐熱膠帶充當(dāng)基底，并于耐熱膠帶上施以電路基板成形加工方法，制作出電路，并與芯片電氣接合封裝，之后再移除膠帶，形成薄形封裝元件。
本發(fā)明的次要目的是可獲得更佳的散熱封裝體本發(fā)明的芯片背面在移除耐熱膠帶后直接曝露，對(duì)于芯片的散熱更有幫助。
本發(fā)明的再一目的是本發(fā)明的工藝可以更為經(jīng)濟(jì)本發(fā)明不采用昂貴的金屬導(dǎo)線架，而改用以耐熱膠帶為基底，并在其上用一般電路成形法來(lái)制作，可降低金屬導(dǎo)線架的購(gòu)制成本；又芯片直接貼于耐熱膠帶上，亦可省去芯片接合膠的成本。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝制造方法及其封裝件，包括以耐熱膠帶為基墊，并在其上制作電路布線后與芯片作電性接合并封裝成型后，移除耐熱膠帶成為一封裝件。
該耐熱膠帶與芯片接合采用引線接合形式接合，其電路布局在芯片位置預(yù)留空間，以便容置芯片，其工藝為a)在一耐熱膠帶上鋪上一銅層；b)于銅層上再覆一層光阻劑；c)以一設(shè)計(jì)好的電路圖形的負(fù)片于光源下照射光阻劑，使曝光顯影；d)續(xù)施行蝕刻作業(yè)后，清除光阻劑作成銅線路；e)將裸芯片直接貼在銅線路預(yù)留位置(耐熱膠帶上)，并以引線接合形式方式將芯片與銅線路作電氣接合；f)以環(huán)氧樹(shù)脂封裝后切割成粒狀封裝體；g)將粗裝封裝體撕去耐熱膠帶成為一封裝件。
該耐熱膠帶與芯片接合采用倒裝片方式接合，其工藝為a)在一耐熱膠帶上鋪上一銅層；b)于銅層上再覆一層光阻劑；c)以一設(shè)計(jì)好的電路圖形的負(fù)片于光源下照射光阻劑，使曝光顯影；d)續(xù)施行蝕刻作業(yè)后，清除光阻劑作成銅線路；e)將裸芯片翻轉(zhuǎn)直接與銅線路預(yù)留位置作電氣接合；f)以環(huán)氧樹(shù)脂封裝后切割成粒狀封裝體；g)將粒狀封裝體撕去耐熱膠帶成為一封裝件。
圖5A-G是本發(fā)明的倒裝片形式工藝示意圖；圖6A、圖6B是本發(fā)明的倒裝片形式封裝件與現(xiàn)有金屬導(dǎo)線架封裝件的比較示意圖。
圖中符號(hào)說(shuō)明現(xiàn)有部分1’金屬導(dǎo)線架11’芯片承載板12’ 肋片13 導(dǎo)線接腳2’芯片21’凸塊 22’ 鋁質(zhì)墊片23’芯片接合膠3’金線4’環(huán)氧樹(shù)脂本發(fā)明部份1 耐熱膠帶2 銅層3 光阻劑4 負(fù)片網(wǎng)板5 銅線路6 芯片61凸塊62金線7 環(huán)氧樹(shù)脂請(qǐng)參閱圖4A-G所示，本發(fā)明是為一種半導(dǎo)體封裝工藝，包括以耐熱膠帶為基墊，并在其表面上制作電路布線后與芯片作電性接合并封裝成型后，移除耐熱膠帶成為一封裝件。其中(I)芯片接合以引線接合形式的工藝為a)在一耐熱膠帶1上鋪上一銅層2以利制作銅線路5(圖4A示出)。
b)于銅層2上再覆一層光阻劑3(圖4B示出)。
c)以一設(shè)計(jì)好的電路圖形的負(fù)片網(wǎng)板4于光源下照射光阻劑3，使之曝光顯影，將線路部份的圖案以光阻劑3保留出來(lái)(圖4C示出)。
d)續(xù)施行蝕刻作業(yè)，將銅層2的線路不要的部分去除之后，清除光阻劑3成為銅線路5(圖4D示出)。
E)將裸芯片6直接貼在銅線路5預(yù)留位置(耐熱膠帶1上)，并以引線接合方式將芯片6與銅線路5作電氣接合(圖4E示出)。
f)以環(huán)氧樹(shù)脂7封裝后切割成粒狀封裝體(圖4F示出)。
g)將粒裝封裝體撕去耐熱膠帶1成為一封裝件(圖4G示出)。
以上實(shí)施例的芯片6直接與耐熱膠帶1粘貼，并在最后撕去耐熱膠帶1。因此可較傳統(tǒng)金屬導(dǎo)線架1’的引線接合封裝形式更能有效降低封裝高度，且本工藝的封裝件芯片背面裸露散熱佳，并更為節(jié)省金屬導(dǎo)線架1’與芯片接合膠23’的材料成本。
(II)另一種芯片接合以倒裝片形式的工藝為a)在一耐熱膠帶1上鋪上一銅層2以利制作銅線路5(圖5A示出)。
b)于銅層2上再覆一層光阻劑3(圖5B示出)。
c)以一設(shè)計(jì)好的電路圖形的負(fù)片網(wǎng)板4于光源下照射光阻劑3，使之曝光顯影，將銅線路5部份的圖案以光阻劑3保留出來(lái)(圖5C示出)。
d)續(xù)施行蝕刻作業(yè)將銅層2的線路不要的部分去除之后，清除光阻劑3成為銅線路5(圖5D示出)。
E)將裸芯片6直接貼在銅線路5預(yù)留位置(耐熱膠帶1上)，并以倒裝片方式將芯片6與銅線路5作電氣接合(圖5E示出)。
f)以環(huán)氧樹(shù)脂7封裝后切割成粒狀封裝體(圖5F示出)。
g)將粒裝封裝體撕去耐熱膠1帶成為一封裝件(圖5G示出)。
以上實(shí)施例可不必在芯片下方設(shè)置一芯片承載板11’，可較傳統(tǒng)金屬導(dǎo)線架1’的打線封裝形式更為節(jié)省金屬導(dǎo)線架1’與芯片接合膠23’的材料成本(圖6A、圖6B示出)。
綜上所述，當(dāng)知本案所發(fā)明的半導(dǎo)體封裝制造方法及其封裝件已具有產(chǎn)業(yè)利用性、新穎性與創(chuàng)造性，符合發(fā)明專利要求，但以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍。即凡依本發(fā)明所做的均等變化與修飾，皆為本發(fā)明專利范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝制造方法及其封裝件，包括以耐熱膠帶為基墊，并在其上制作電路布線后與芯片作電性接合并封裝成型后，移除耐熱膠帶成為一封裝件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝制造方法及其封裝件，其特征在于耐熱膠帶與芯片接合采用引線接合形式接合，其電路布局在芯片位置預(yù)留空間，以便容置芯片，其工藝為a)在一耐熱膠帶上鋪上一銅層；b)于銅層上再覆一層光阻劑；c)以一設(shè)計(jì)好的電路圖形的負(fù)片于光源下照射光阻劑，使曝光顯影；d)續(xù)施行蝕刻作業(yè)后，清除光阻劑作成銅線路；e)將裸芯片直接貼在銅線路預(yù)留位置(耐熱膠帶上)，并以引線接合方式將芯片與銅線路作電氣接合；f)以環(huán)氧樹(shù)脂封裝后切割成粒狀封裝體；g)將粗裝封裝體撕去耐熱膠帶成為一封裝件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝制造方法及其封裝件，其特征在于耐熱膠帶與芯片接合采用倒裝片方式接合，其工藝為a)在一耐熱膠帶上鋪上一銅層；b)于銅層上再覆一層光阻劑；c)以一設(shè)計(jì)好的電路圖形的負(fù)片于光源下照射光阻劑，使曝光顯影；d)續(xù)施行蝕刻作業(yè)后，清除光阻劑作成銅線路；e)將裸芯片翻轉(zhuǎn)直接與銅線路預(yù)留位置作電氣接合；f)以環(huán)氧樹(shù)脂封裝后切割成粒狀封裝體；g)將粒狀封裝體撕去耐熱膠帶成為一封裝件。
全文摘要
本發(fā)明是一種半導(dǎo)體封裝制造方法及其封裝件，是使用厚的耐熱膠帶，并在其表面上鋪一層銅層，在銅層上涂上感光靈敏的抗物質(zhì)(光阻劑)，之后以光源經(jīng)設(shè)有電路圖案的負(fù)片曝曬，使光阻劑留在銅層表面上，再進(jìn)行蝕刻作業(yè)以留下具有電路圖案的銅線，再將裸芯片以引線接合形式(Wire Bonding)或倒裝片形式(F1ip Chip)與銅線路接合后，以適用的封裝方式封裝后，撕去耐熱膠帶而成的封裝件。
文檔編號(hào)H01L21/50GK1471160SQ0212562
公開(kāi)日2004年1月28日 申請(qǐng)日期2002年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月25日
發(fā)明者謝文樂(lè), 黃寧, 陳慧萍, 蔣華文, 張衷銘, 涂豐昌, 黃富裕, 張軒睿, 胡嘉杰, 呂文隆, 陳哲禎 申請(qǐng)人:華泰電子股份有限公司