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      半導(dǎo)體激光器v形槽固定光纖同軸器件的制作方法

      文檔序號:7106491閱讀:407來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體激光器v形槽固定光纖同軸器件的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于光纖通信技術(shù)領(lǐng)域,更具體說是半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件。
      本發(fā)明解決其技術(shù)問題的技術(shù)方案是本發(fā)明一種半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件,其特征在于,其中包括一管殼,該管殼為一圓形殼體;一管座固定在管殼的一端;一內(nèi)支架固定在管殼內(nèi)的管座的一面;一帶有半導(dǎo)體激光器和光纖的硅熱沉固定在內(nèi)支架上;一背光探測器固定在管殼內(nèi)的管座的一面;管座引腳插置在管座上;用互連金絲連接半導(dǎo)體激光器、背光探測器和管座引腳。
      其中硅熱沉上形成有一熱沉高臺面和熱沉低臺面,在熱沉高臺面上縱向有一V形槽,在沉低臺面上制作有平面電極以及對準(zhǔn)標(biāo)記;半導(dǎo)體激光器固定在平面電極上;一頭部為圓錐形的光纖用固化膠固定在V形槽內(nèi)。
      其中管殼的另一端用密封膠封堵。
      其中所述的硅熱沉的背面有一金屬層。
      本發(fā)明的有益效果是能夠快速簡便可靠高效地進行半導(dǎo)體激光器同軸器件的耦合封裝,無需人工精確調(diào)整光纖位置,達到提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本的目的。
      圖2是本發(fā)明熱沉上安裝半導(dǎo)體激光器和光纖的側(cè)視圖。
      圖3是本發(fā)明半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件剖面俯視圖。
      圖4是本發(fā)明半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件剖面?zhèn)纫晥D。
      請再參閱圖3及圖4,在圖3和圖4的實施例中,將帶有半導(dǎo)體激光器7和光纖6的硅熱沉9以及背光探測器14分別燒焊在管座10的管座內(nèi)支架15上,固定硅熱沉9。用互連金絲16連接半導(dǎo)體激光器7、背光探測器14和管座引腳13,套上管殼11,焊接或用膠粘固定管殼11和管座10。用管殼密封膠12密封管殼11,保證管殼11內(nèi)的氣密性。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件,其特征在于,其中包括一管殼,該管殼為一圓形殼體;一管座固定在管殼的一端;一內(nèi)支架固定在管殼內(nèi)的管座的一面;一帶有半導(dǎo)體激光器和光纖的硅熱沉固定在內(nèi)支架上;一背光探測器固定在管殼內(nèi)的管座的一面;管座引腳插置在管座上;用互連金絲連接半導(dǎo)體激光器、背光探測器和管座引腳。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件,其特征在于,其中硅熱沉上形成有一熱沉高臺面和熱沉低臺面,在熱沉高臺面上縱向有一V形槽,在沉低臺面上制作有平面電極以及對準(zhǔn)標(biāo)記;半導(dǎo)體激光器的波導(dǎo)位置利用對準(zhǔn)標(biāo)記和V形槽的中心位置精確對準(zhǔn),半導(dǎo)體激光器固定在平面電極上;一頭部為圓錐形的光纖用固化膠固定在V形槽內(nèi)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件,其特征在于,其中管殼的另一端用密封膠封堵。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件,其特征在于,其中所述的硅熱沉的背面有一金屬層。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光器V形槽固定光纖同軸器件,其中包括一管殼,該管殼為一圓形殼體;一管座固定在管殼的一端;一內(nèi)支架固定在管殼內(nèi)的管座的一面;一帶有半導(dǎo)體激光器和光纖的硅熱沉固定在內(nèi)支架上;一背光探測器固定在管殼內(nèi)的管座的一面;管座引腳插置在管座上;用互連金絲連接半導(dǎo)體激光器、背光探測器和管座引腳。本發(fā)明的有益效果是能夠快速簡便可靠高效地進行半導(dǎo)體激光器同軸器件的耦合封裝,無需人工精確調(diào)整光纖位置,達到提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本的目的。
      文檔編號H01S5/00GK1479126SQ02142109
      公開日2004年3月3日 申請日期2002年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月26日
      發(fā)明者陳振宇, 祝寧華 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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