專利名稱：噪聲濾波器和使用該噪聲濾波器的電子機器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及解決移動電話、信息機器等的噪聲問題的部分中使用的噪聲濾波器和使用該噪聲濾波器的電子機器。
背景技術(shù)：
圖13A～圖13G是特開昭62-257709號公報記載的以往的噪聲濾波器的疊層變壓器的俯視圖。該變壓器具有多個磁性體薄板1、第一線圈圖形2和第二線圈圖形3，在每一個磁性體薄板1的上表面上各設(shè)置了一個。俯視觀察設(shè)置在磁性體薄板1上的第一、第二線圈圖形，形成同方向的約0.25～0.75匝的螺旋狀，彼此大致平行。
并且，多個磁性體薄板1被疊加，如圖13B～13F所示，設(shè)置在各磁性體薄板1上的多個第一線圈圖形2彼此連接，形成了第一線圈4，多個第二線圈圖形3彼此連接，形成了第二線圈5。在形成在各磁性體薄板1上的第一、第二線圈圖形2、3的兩端部，分別設(shè)置了轉(zhuǎn)接(via)電極6、7。轉(zhuǎn)接電極6彼此間、轉(zhuǎn)接電極7彼此間分別通過形成在磁性體薄板1上的轉(zhuǎn)接孔(via hole)8電連接。在第一、第二線圈4、5的兩端部、也就是最下層、最上層的線圈圖形2、3上，設(shè)置了圖13B和圖13F所示的引出電極9a～9d。除了引出電極9a～9d和它的附近，最下層、最上層的線圈圖形2、3形成了約0.5匝的螺旋狀。
如圖13A～圖13G所示，在第一、第二線圈4、5的上表面、下表面，視需要設(shè)置了規(guī)定個數(shù)的磁性體薄板1。
通過把第一、第二線圈4、5、多個磁性體薄板1疊層，并且一體化，取得了以往的噪聲濾波器。
在以往的噪聲濾波器中，當在第一線圈4、第二線圈5上外加了共態(tài)噪聲時，流過線圈4、5的電流方向在俯視圖中變?yōu)橥较?。因此，阻抗升高，能除去共態(tài)噪聲。
可是，以往的噪聲濾波器無法使共態(tài)阻抗變得較高。因為形成在一個相同的磁性體薄板1上的第一線圈圖形2和第二線圈圖形3約為0.25～0.75匝，所以相互產(chǎn)生相鄰影響的第一線圈圖形2和第二線圈圖形3較短。因此，在第一線圈4產(chǎn)生的磁通量和第二線圈5中產(chǎn)生的磁通量彼此無法有效地加強。因此，這種濾波器的共態(tài)噪聲阻抗還不夠高。
圖14是表示特開平5-101950號公報中記載的另一以往噪聲濾波器的分解立體圖。該濾波器由以下部分構(gòu)成由高導磁率磁性體薄板構(gòu)成的線圈部101；配置在線圈部101的上下的由低導磁率磁性體薄板構(gòu)成的引出部102、103構(gòu)成。第一線圈是導體108a和導體109a通過通路孔(through hole)106a電連接后而形成。第二線圈是導體108b和導體109b通過通路孔106c電連接后而形成。這種噪聲濾波器在引出部產(chǎn)生的常態(tài)成分的阻抗小，不會太影響信號波形，能除去共態(tài)噪聲。
另一以往的噪聲濾波器為了除去共態(tài)噪聲，通過使線圈全體的標準成分的阻抗減小，也能除去共態(tài)噪聲。該濾波器通過增大由高導磁率磁性體薄板構(gòu)成的線圈部101的共態(tài)成分的阻抗，能除去共態(tài)噪聲。因此，在以往的噪聲濾波器中，為了增大共態(tài)成分的阻抗，必須層疊數(shù)十片不滿一匝的線圈。因此，通路孔的形成和圖形印刷步驟多，層疊的組合復雜。該構(gòu)造在最終的產(chǎn)品的濾波器中，成為開路或短路等特性不良的原因，使制造上的成品率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種共態(tài)阻抗更高、共態(tài)噪聲的除去特性好的噪聲濾波器。該噪聲濾波器包括具有第一和第二磁性體薄板的磁性體；形成在磁性體的兩個端面上的多個外部電極；設(shè)置在第一磁性體薄板上的1匝以上的漩渦狀的第一和第二內(nèi)部導體；設(shè)置在第二磁性體薄板上的1匝以上的漩渦狀的第三和第四內(nèi)部導體；設(shè)置在第一磁性體薄板的端部并連接外部電極和第一內(nèi)部導體的第一端的引出電極；設(shè)置在第二磁性體薄板的端部上并連接外部電極和第二內(nèi)部導體的第一端的引出電極。第一、第二內(nèi)部導體彼此不短路，第三、第四內(nèi)部導體彼此不短路，第一內(nèi)部導體的第二端設(shè)置在第二內(nèi)部導體的第二端附近，第三內(nèi)部導體的第二端設(shè)置在第四內(nèi)部導體的第二端附近，第一內(nèi)部導體的第二端與第三內(nèi)部導體的第二端連接，第二內(nèi)部導體的第二端與第四內(nèi)部導體的第二端連接。


圖1A和圖1B是本發(fā)明的實施例1的噪聲濾波器的俯視圖。
圖2是實施例1的噪聲濾波器的立體圖。
圖3A～3C是表示實施例1的噪聲濾波器的制造方法的立體圖。
圖4A～4D是表示實施例1的噪聲濾波器的制造方法的立體圖。
圖5A～5C是本發(fā)明的實施例2的噪聲濾波器的俯視圖。
圖6A是表示實施例1和2的噪聲濾波器的使用形態(tài)的圖。
圖6B是表示移動電話的一對信號線的載波波形的圖。
圖6C表示實施例1和2中的噪聲濾波器在移動電話的一對信號線中使用時的頻率和衰減量的關(guān)系。
圖7是本發(fā)明的實施例3的噪聲濾波器的分解立體圖。
圖8是實施例3的噪聲濾波器的立體圖。
圖9是本發(fā)明的實施例4的噪聲濾波器的分解立體圖。
圖10是實施例4的第一絕緣體層的俯視圖。
圖11是本發(fā)明的實施例5的噪聲濾波器的分解立體圖。
圖12是本發(fā)明的實施例6的噪聲濾波器的分解立體圖。
圖13A～13G是以往的噪聲濾波器的俯視圖。
圖14是另一以往的噪聲濾波器的分解立體圖。
具體實施例方式
(實施例1)圖1A和圖1B是本發(fā)明的實施例1的噪聲濾波器的俯視圖，圖2是噪聲濾波器的立體圖。第一磁性體薄板11a、11b在上表面分別具有一個第一內(nèi)部導體12、一個第二內(nèi)部導體13。磁性體薄板11a、11b在端面具有引出電極14a～14d，在中央附近具有轉(zhuǎn)接電極15a～15d。磁性體薄板11a、11b由鐵氧體等磁性材料構(gòu)成。
第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13形成由銀等導體構(gòu)成的1匝以上的漩渦狀，設(shè)置為彼此不短路。漩渦的方向在俯視圖中，第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13都相同。
第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13的一端分別連接了引出電極14a～14d，另一端即漩渦的中心分別連接了轉(zhuǎn)接電極15a～15d。
在形成在第一磁性體薄板11a上的第一內(nèi)部導體12上連接了引出電極14a，在第二內(nèi)部導體13上連接了引出電極14c。在形成在另一第一磁性體薄板11b上的第一內(nèi)部導體12上連接了引出電極14b，在第二內(nèi)部導體13上連接了引出電極14d。引出電極14a～14d由銀等導體構(gòu)成。
轉(zhuǎn)接電極15a設(shè)置在第一磁性體薄板11a上，轉(zhuǎn)接電極15b設(shè)置在另一第一磁性體薄板11b上。轉(zhuǎn)接電極15a和15b通過設(shè)置在另一第一磁性體薄板11b上的通路孔16a連接，據(jù)此，第一內(nèi)部導體12彼此電連接，構(gòu)成了第一線圈17。
同樣，轉(zhuǎn)接電極15c設(shè)置在第一磁性體薄板11a上，轉(zhuǎn)接電極15d設(shè)置在第一磁性體薄板11b上。轉(zhuǎn)接電極15c和15d通過設(shè)置在第一磁性體薄板11b上的通路孔16b連接，據(jù)此，第一內(nèi)部導體13彼此電連接，構(gòu)成了第二線圈18。
轉(zhuǎn)接電極15a隔開彼此不短路的距離配置在轉(zhuǎn)接電極15c的附近，轉(zhuǎn)接電極15b隔開彼此不短路的距離配置在轉(zhuǎn)接電極15d的附近。
在具有第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13的另一第一磁性體薄板11b的上表面，和視需要在第一磁性體薄板11a的下表面設(shè)置規(guī)定個數(shù)的虛設(shè)磁性體薄板19(未圖示)。然后，將這些薄板疊加，形成了磁性體20。
在磁性體20的一個端面上形成了外部電極21a、21c，在外部電極21a上連接了引出電極14a，在外部電極21c上連接了引出電極14c。同樣，在磁性體20的另一個端面形成了外部電極21b、21d，在外部電極21b上連接了引出電極14b，在外部電極21d上連接了引出電極14d。
下面，說明實施例1的噪聲濾波器的制造方法。
圖3A～圖3C、圖4A～圖4D是表示實施例1的噪聲濾波器的制造方法的立體圖。
首先，從由鐵氧體粉末的氧化物和樹脂構(gòu)成的混合物，制作方形的第一磁性體薄板11a、11b。
接著，如圖3A所示，通過激光、沖孔等在磁性體薄板11B上開孔，在成為第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13的另一端的漩渦狀的中心部附近設(shè)置多個第一、第二轉(zhuǎn)接孔16a、16b。第一轉(zhuǎn)接孔16a形成在第二轉(zhuǎn)接孔16b附近。
接著，如圖3B所示，在具有第一、第二轉(zhuǎn)接孔16a、16b的另一磁性體薄板11b上表面，通過印刷、電鍍等，分別形成1匝以上的漩渦狀的第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13。在第一內(nèi)部導體12的內(nèi)側(cè)，彼此不短路地形成第二內(nèi)部導體13。在第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13的另一端分別形成轉(zhuǎn)接電極15b、15d(未圖示)。轉(zhuǎn)接電極15b、15d分別連接了第一、第二轉(zhuǎn)接孔16a、16b，第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13的一端分別連接了引出電極14b～14d(未圖示)。
在第一、第二轉(zhuǎn)接孔16a、16b中填充了銀等導電材料。
同樣，在第一磁性體薄板11a上表面分別形成了1匝以上的漩渦狀第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13。
接著，如圖3C所示，在第一磁性體薄板11a之上層疊另一第一磁性體薄板11b。即從下按順序?qū)盈B虛設(shè)磁性體薄板19、形成了第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13的第一磁性體薄板11a、形成了第一內(nèi)部導體、第二內(nèi)部導體13的另一第一磁性體薄板11b、虛設(shè)磁性體薄板19。虛設(shè)磁性體薄板19在形成在另一第一磁性體薄板11b上的第一內(nèi)部導體12、第二內(nèi)部導體13的上表面上，以及視需要在第一磁性體薄板11a的下表面上以規(guī)定個數(shù)的進行配置。
通過第一、第二轉(zhuǎn)接孔16a、16b，第一內(nèi)部導體12彼此、第二內(nèi)部導體彼此分別電連接。須指出的是，由印刷、電鍍、蒸鍍、濺射等方法形成內(nèi)部導體12、13、引出電極14a～14d(未圖示)。
接著，如圖4A所示，用劃線等切斷，使在一個噪聲濾波器中分別設(shè)置有一個第一內(nèi)部導體、一個第二內(nèi)部導體，取得圖4B所示的層疊物22。從層疊物22的兩端面分別露出了引出電極14a和14c，在另一端面分別露出了引出電極14b和14d。
接著，把該層疊物22在規(guī)定溫度下，燒結(jié)規(guī)定時間，形成磁性體20。
接著，如圖4C所示，通過拋光滾筒等對磁性體20倒角。
最后，如圖4D所示，在磁性體20的兩端面形成了與露出的引出電極14a～14d連接的由銀等導體構(gòu)成的外部電極21a～21d，制造出噪聲濾波器。
對于外部電極21a～21d，也可以在銀等導體的上表面，鍍鎳，在鍍鎳層的表面鍍錫或焊錫等低熔點金屬。
另外，在用銀等形成了導體后，也可以在形成鍍鎳層前，在真空中，把磁性體20浸漬在氟類的有機硅烷偶合劑中。據(jù)此，能在磁性體20內(nèi)存在的微細細孔中填充具有防水性的氟類的有機硅烷偶合劑，所以能提高噪聲濾波器自身的耐濕性。
實施例1的噪聲濾波器因為能使第一磁性體薄板11a、11b上分別形成的彼此影響的第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13變長。并且包含多個具有第一、第二內(nèi)部導體12、13的第一磁性體薄板11a、11b，所以在濾波器中，彼此影響的第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13進一步變長。據(jù)此，濾波器對于共態(tài)噪聲的阻抗進一步提高。結(jié)果，取得了共態(tài)噪聲的除去特性高的噪聲濾波器。
即在第一線圈17和第二線圈18中，同方向即磁性體20的俯視圖中同方向的電流流過，在第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13中分別產(chǎn)生的磁通量彼此增強。因此，實施例1的濾波器中，共態(tài)阻抗值比圖7所示的以往的噪聲濾波器高。當在第一線圈17和第二線圈18中流過同方向的電流時，第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13的阻抗提高，這些內(nèi)部導體減小共態(tài)噪聲。
因為第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13形成了1匝以上的漩渦形狀，所以比螺旋狀、蛇行狀等其他形狀，能使相鄰的第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13更長，即，能提高共態(tài)阻抗。
并且，若使第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13在彼此不短路的前提下，使其間的距離最短，則用內(nèi)部導體12和13產(chǎn)生的磁場彼此增強，據(jù)此，能進一步提高共態(tài)阻抗。
設(shè)置第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13的第一磁性體薄板可以不是磁性體薄板11a、11b等兩個，而是三個以上。據(jù)此，在內(nèi)部導體12和13產(chǎn)生的磁場彼此增強，據(jù)此，能進一步提高共態(tài)阻抗。
可是，當使第二內(nèi)部導體13不位于漩渦狀的第一內(nèi)部導體12的內(nèi)側(cè)或外側(cè)，即不是重疊配置內(nèi)部導體12和13，而是個別配置時，即使是漩渦狀，內(nèi)部導體12和13之間的距離也變長。結(jié)果，分別產(chǎn)生的磁場不彼此增強，無法提高共態(tài)阻抗。
(實施例2)圖5A～圖5C是本發(fā)明實施例2的噪聲濾波器的俯視圖。對于與實施例1具有同樣結(jié)構(gòu)的部分，采用了相同符號，省略了說明。
在圖5A～圖5C中，在形成了第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13的第一磁性體薄板11b、11a的上表面上設(shè)置了只具有與第一內(nèi)部導體12連接的第三內(nèi)部導體24的第二磁性體薄板25，在下表面上設(shè)置了只具有與第二內(nèi)部導體13連接的第四內(nèi)部導體26的第三磁性體薄板27。第四內(nèi)部導體26可以不設(shè)置在第三磁性體薄板27上，而直接設(shè)置在虛設(shè)磁性體薄板19上。
這樣，形成在第二磁性體薄板25上的第三內(nèi)部導體24和形成在第三磁性體薄板27上的第四內(nèi)部導體26通過形成了第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13雙方的第一磁性體薄板11b，隔開距離。因此，即使在第一線圈17和第二線圈18中流過反向電流時，各自產(chǎn)生的磁通量也不彼此削弱。據(jù)此，能提高常態(tài)的阻抗。
當在第一線圈17和第二線圈18中流過同向電流時，如實施例1所述，通過設(shè)置在第一磁性體薄板11b上的內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13，能提高共態(tài)阻抗。
即在上述的圖5的濾波器中，能提高共態(tài)、常態(tài)雙方的阻抗。
這時，第一內(nèi)部導體12和第三內(nèi)部導體24形成第一線圈17，第二內(nèi)部導體13和第四內(nèi)部導體26形成第一線圈18。第三內(nèi)部導體24和第四內(nèi)部導體26具有螺旋狀、漩渦狀等形狀。據(jù)此，與直線狀相比，產(chǎn)生的磁通量增強，所以能提高常態(tài)阻抗。
如果適當調(diào)整第二磁性體薄板25上形成的第三內(nèi)部導體24、第四磁性體薄板27上形成的第四內(nèi)部導體26的長度，就能使第一線圈17、第二線圈18各自的全長即引出電極間的長度分別相同。據(jù)此，能使第一線圈17、第二線圈18的電阻值、阻抗值相同。
另外，當如上所述地設(shè)置使第一線圈17、第二線圈18的電阻值、阻抗值同一的第三內(nèi)部導體24、第四內(nèi)部導體26時，在第三內(nèi)部導體24的上表面和第四內(nèi)部導體26的下表面的至少一方上設(shè)置非磁性物。據(jù)此，能減小在第三內(nèi)部導體24及/或第四內(nèi)部導體26分別產(chǎn)生的磁通量，所以能降低第三內(nèi)部導體24及/或第四內(nèi)部導體26的常態(tài)、共態(tài)阻抗。據(jù)此，能使設(shè)置在第一磁性體薄板11b上的第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13中產(chǎn)生的常態(tài)、共態(tài)阻抗穩(wěn)定。
作為非磁性物，可以在第三內(nèi)部導體24上表面及/或第四內(nèi)部導體26下表面上什么也不設(shè)置。如果設(shè)置玻璃、樹脂等作為非磁性物，就能提高第三內(nèi)部導體24、第四內(nèi)部導體26的絕緣性、耐濕性。
此外，也可以在形成在第一磁性體薄板11b上的第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13的下表面設(shè)置只具有第三內(nèi)部導體24的第二磁性體薄板25，在上表面設(shè)置只具有第四內(nèi)部導體26的第三磁性體薄板27。
圖13所示的以往的噪聲濾波器在第二線圈圖形3的外側(cè)形成了第一線圈圖形2，所以第一線圈4、第二線圈5的電阻值、阻抗無法相同。
設(shè)置第一內(nèi)部導體12和第二內(nèi)部導體13雙方的第一磁性體薄板可以不只磁性體薄板11b一個，可以設(shè)置兩個以上。
在實施例2中，與實施例1同樣，如果把磁性體薄板浸漬在有機硅烷偶合劑，就取得了耐濕性高的濾波器。
下面，把本發(fā)明實施例1和2中的噪聲濾波器作為電子機器的一個例子，說明移動電話等無線通信機器中的一對信號線中使用的方法。
移動電話的耳機等通信線的信號線通常由一對電纜及一對信號線構(gòu)成，移動電話的載波等高頻信號作為輻射噪聲，對于電纜容易同時以同相位重疊。因此，在該信號線中輸入了共態(tài)的高頻噪聲。而移動電話的聲音信號和控制信號為常態(tài)的信號。
常態(tài)的信號之所以由于共態(tài)的高頻噪聲而受到干擾，是因為電路中的非線性元件和靜電電容，信號中的低頻率成分重疊在通常的常態(tài)的信號中。
圖6A表示了使用實施例1和2的噪聲濾波器的形態(tài)。在連接著耳機35的耳機組件的兩條信號線34上，通過圖1所示的兩端部的外部電極21a～21d連接了本發(fā)明的噪聲濾波器33。即在第一線圈17、第二線圈18上分別連接了信號線34。
這時，如圖6B所示，當用217Hz的脈沖頻率32收發(fā)TDMA方式的移動電話的收發(fā)電路的900MHz的載波(TDMA載波)31時，217Hz被檢波，重疊在常態(tài)的聲音信號上，能聽見噪聲。因此，如果能抑制常態(tài)、感應(yīng)的共態(tài)電流，就能減少聲音輸出等的噪聲。
圖6C表示實施例1和2中的噪聲濾波器的衰減特性即頻率和衰減量的關(guān)系。在移動電話的載波900MHz，共態(tài)、常態(tài)噪聲也受到衰減。因此，能減少與載波900MHz一起檢波的脈沖32的頻率217Hz的信號，可做到聽不到噪聲。
如果在移動電話等無線通信機器的一對信號線上，分別在第一線圈17、第二線圈18連接實施例1和2中的噪聲濾波器，則在外加了共態(tài)噪聲的一對信號線中，能提高共態(tài)、常態(tài)雙方的阻抗，能減小信號。因此，例如在作為一對信號線的音頻線中，能減小可聞噪聲。
(實施例3)圖7是本發(fā)明實施例3的噪聲濾波器的分解立體圖。該濾波器具有第一絕緣體層121、設(shè)置在第一絕緣體層121的上表面上的漩渦狀的第一導體127、設(shè)置為與設(shè)置在第一絕緣體層121的上表面上的第一導體127幾乎并行的漩渦狀的第二導體128。第二導體128和第一導體127形成兩條漩渦。
該濾波器還具有設(shè)置在第一絕緣體層121的上部并夾著第一導體127和第二導體128的第二絕緣體層122；設(shè)置在第二絕緣體層122上，在內(nèi)部填充了導電材料的通路孔131a和131b；在第二絕緣體層122的上表面上設(shè)置的漩渦狀的導體即第三導體129；設(shè)置為與在第二二絕緣體層122的上表面上設(shè)置的第三導體129幾乎并行的漩渦狀的導體即第四導體130。第四導體130與第三導體形成兩條漩渦。第三導體129通過通路孔131a與第一導體127連接，第四導體130與通過通路孔131b與第二導體128電連接?？梢酝ㄟ^印刷法形成第一、第二、第三、第四導體127～130，但是如果通過電鍍方法形成，則能以高的尺寸精度形成細密的漩渦形狀。
第二絕緣體層122具有比第一絕緣體層121及第三絕緣體層123還低的導磁率。
圖8是實施例3的噪聲濾波器的立體圖。噪聲濾波器133具有4個外部電極，這些電極分別電連接了第一、第二、第三、第四導體127～130的一個。
根據(jù)本實施例，第一導體127～第四導體130形成漩渦狀，第一導體127和第二導體128配置為幾乎平行，第三導體129和第四導體130配置為幾乎平行。據(jù)此，能縮短設(shè)置在一個絕緣體層上的漩渦狀的各導體間的距離，通過使一層的磁路為漩渦狀，能使導體變長。因此，由各導體產(chǎn)生并且彼此影響的磁場增強，能增大共態(tài)成分的阻抗。并且，具有通路孔131的第二絕緣體層122的導磁率是其他絕緣體層的導磁率以下。即第一導體127和第二導體128的導體間、第三導體129和第四導體130的導體間夾著低導磁率的第二絕緣體層122。因此，能進一步加強這些導體中產(chǎn)生的磁場，能有效地抑制共態(tài)噪聲。
通過降低隔著第一導體127～第四導體130配置的第一絕緣體層121和第三絕緣體層123的導磁率，可以取得進一步的噪聲抑制效果。
如圖8所示，各絕緣體層和低導磁率的絕緣體層可以一體燒結(jié)取得。低導磁率的絕緣體層的第二絕緣體層可以使用Ni-Zn-Cu-Co類鐵氧體。如果對絕緣體層122使用非磁性體，就能取得進一步的噪聲抑制效果，作為這種材料，適合為鎂橄欖石類玻璃、氧化鋁玻璃類絕緣材料、Zn-Cu類鐵氧體。
(實施例4)圖9是實施例4的噪聲濾波器的分解立體圖，圖10是濾波器的第一絕緣體層的俯視圖。第二絕緣體層122的導磁率具有與第一絕緣體層121、第三絕緣體層123相同的導磁率。例如，在由蒸鍍法形成的第一、第二導體127、128之間、同樣形成的第三、第四導體129、130件的至少一方上設(shè)置了低導磁率的絕緣體124。絕緣體124的導磁率比該導體的上下表面的絕緣體層121～123的導磁率低。對于與實施例3中說明的部分相同的部分采用同一符號，省略了對它的說明。
第一導體127～第四導體130形成漩渦狀，第一導體127和第二導體128配置為幾乎平行，第三導體129和第四導體130配置為幾乎平行。據(jù)此，能縮短設(shè)置在一個絕緣體層上的漩渦狀的各導體間的距離。通過采用漩渦狀，能使一層的磁路變長，據(jù)此，由各導體產(chǎn)生并且彼此影響的磁場增強，能增大共態(tài)成分的阻抗。并且，通過第一導體127和第二導體128的導體間、第三導體129和第四導體130的導體間夾著的低導磁率的絕緣體124，能進一步加強這些導體中產(chǎn)生的磁場，能有效地抑制共態(tài)噪聲。
通過降低隔著第一導體127～第四導體130配置的第一絕緣體層121和第三絕緣體層123的導磁率，取得了進一步的噪聲抑制效果。
作為低導磁率的絕緣體124的材料，通過使用與實施例3同樣的材料，取得了同樣的效果。
(實施例5)圖11是實施例5的噪聲濾波器的分解立體圖。第二絕緣體層122的導磁率與第一絕緣體層121、第三絕緣體層12的導磁率相同。覆蓋例如通過印刷法形成的第一、第二導體127、128、與所述同樣形成的第三、第四導體129、130中的至少一方，設(shè)置了低導磁率的絕緣體125。絕緣體125的導磁率比其他絕緣體層121～123的導磁率低。對于與實施例3中說明的部分相同的部分采用同一符號，省略了對它的說明。
第一導體127～第四導體130形成漩渦狀，第一導體127和第二導體128配置為幾乎平行，第三導體129和第四導體130配置為幾乎平行。據(jù)此，能縮短設(shè)置在一個絕緣體層上的漩渦狀的各導體間的距離。通過采用漩渦狀，能使一層的磁路變長，據(jù)此，由各導體產(chǎn)生并且彼此影響的磁場增強，能增大共態(tài)成分的阻抗。并且，低導磁率的絕緣體125比其他絕緣體層的導磁率低。通過第一導體127和第二導體128的導體間、第三導體129和第四導體130的導體間夾著的低導磁率的絕緣體125，能進一步加強這些導體中產(chǎn)生的磁場，能有效地抑制共態(tài)噪聲。
通過降低隔著第一導體127～第四導體130配置的第一絕緣體層121和第三絕緣體層123的導磁率，取得了進一步的噪聲抑制效果。
作為低導磁率的絕緣體125的材料，通過使用與實施例3同樣的材料，取得了同樣的效果。
(實施例6)圖12是實施例6的噪聲濾波器的分解立體圖。第二絕緣體層122的導磁率與第一絕緣體層121、第三絕緣體層123相同。在通過例如電鍍法形成的第二導體128和第三導體129之間設(shè)置了低導磁率的絕緣體126，絕緣體126具有比其他絕緣體層121～123低的導磁率。對于與實施例3中說明的部分相同的部分采用同一符號，省略了對它的說明。
至少第二導體128和第三導體129形成漩渦狀，能增長一層的磁路。據(jù)此，能增大第二導體128和第三導體129產(chǎn)生的磁場，能增大共態(tài)成分的阻抗。并且，低導磁率的絕緣體126比其他絕緣體層的導磁率低，所以通過用第二導體128和第三導體129夾著低導磁率的絕緣體126，能在增強磁場的方向相對配置。據(jù)此，能進一步增強磁場，能有效抑制共態(tài)噪聲。
通過降低隔著第一導體127～第四導體130配置的第一絕緣體層121和第三絕緣體層123的導磁率，取得了進一步的噪聲抑制效果。作為低導磁率的絕緣體126的材料，通過使用與實施例3同樣的材料，取得了同樣的效果。
在本發(fā)明的噪聲濾波器中，能使配置在同一磁性體薄板上的彼此影響的第一內(nèi)部導體和第二內(nèi)部導體變長。通過包含多個具有這樣的內(nèi)部導體的磁性體薄板，使彼此影響的第一內(nèi)部導體和第二內(nèi)部導體進一步變長。據(jù)此，取得了能進一步提高對共態(tài)噪聲的阻抗的濾波器。
權(quán)利要求
1.一種噪聲濾波器，包括具有第一和第二磁性體薄板的磁性體；形成在所述磁性體的兩個端面上的多個外部電極；設(shè)置在所述第一磁性體薄板上的1匝以上的漩渦狀的第一和第二內(nèi)部導體；設(shè)置在所述第二磁性體薄板上的1匝以上的漩渦狀的第三和第四內(nèi)部導體；設(shè)置在所述第一磁性體薄板的端部并分別連接所述外部電極和所述第一、第二內(nèi)部導體的第一端的引出電極；以及設(shè)置在所述第二磁性體薄板的端部并分別連接所述外部電極和所述第三、第四內(nèi)部導體的第一端的引出電極，所述第一、第二內(nèi)部導體彼此不短路，所述第三、第四內(nèi)部導體彼此不短路，所述第一內(nèi)部導體的第二端設(shè)置在所述第二內(nèi)部導體的第二端附近，所述第三內(nèi)部導體的所述第二端設(shè)置在第四內(nèi)部導體的第二端附近，所述第一內(nèi)部導體的所述第二端與所述第三內(nèi)部導體的所述第二端連接；所述第二內(nèi)部導體的所述第二端與所述第四內(nèi)部導體的所述第二端連接。
2.一種噪聲濾波器，包括具有第一和第二磁性體薄板，并且所述第一磁性體薄板的第一面與所述第二磁性體薄板的第二面相對的磁性體；形成在所述磁性體的兩個端面上的多個外部電極；設(shè)置在所述第一磁性體薄板的所述第一面上的1匝以上的漩渦狀的第一和第二內(nèi)部導體；設(shè)置在所述第一磁性體薄板的端部、并分別連接所述外部電極與所述第一、第二內(nèi)部導體的各第一端的引出電極；設(shè)置在所述第二磁性體薄板的所述第一面上、并與所述第一內(nèi)部導體連接的漩渦狀第三內(nèi)部導體；以及設(shè)置在所述第一磁性體薄板的所述第二面上、并與所述第二內(nèi)部導體連接的漩渦狀第四內(nèi)部導體，所述第一、第二內(nèi)部導體彼此不短路，第一內(nèi)部導體的第二端設(shè)置在第二內(nèi)部導體的第二端附近。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噪聲濾波器，其特征在于所述第一內(nèi)部導體和所述第二內(nèi)部導體形成第一線圈，所述第二內(nèi)部導體和所述第四內(nèi)部導體形成具有與所述第一線圈大致相同長度的第二線圈。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噪聲濾波器，其特征在于還具有設(shè)置在所述第三內(nèi)部導體的不挨著所述第二磁性體薄板的面、和所述第四內(nèi)部導體的不挨著所述第一磁性體薄板的面中的至少一方上的非磁性物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噪聲濾波器，其特征在于所述磁性體薄板在氟類的有機硅烷偶合劑中浸泡過。
6.一種電子機器，包括噪聲濾波器和連接了所述外部導體的信號線，該噪聲濾波器包括具有第一和第二磁性體薄板的磁性體；形成在所述磁性體的兩個端面上的多個外部電極；設(shè)置在所述第一磁性體薄板上的1匝以上的漩渦狀的第一和第二內(nèi)部導體；設(shè)置在所述第二磁性體薄板上的1匝以上的漩渦狀的第三和第四內(nèi)部導體；設(shè)置在所述第一磁性體薄板的端部、并分別連接所述外部電極和所述第一、第二內(nèi)部導體的第一端的引出電極；以及設(shè)置在所述第二磁性體薄板的端部、并分別連接所述外部電極和第三、第四內(nèi)部導體的第一端的引出電極，所述第一、第二內(nèi)部導體彼此不短路，所述第三、第四內(nèi)部導體彼此不短路；所述第一內(nèi)部導體的第二端設(shè)置在所述第二內(nèi)部導體的第二端附近，所述第三內(nèi)部導體的所述第二端設(shè)置在第四內(nèi)部導體的第二端附近；所述第一內(nèi)部導體的所述第二端與所述第三內(nèi)部導體的所述第二端連接；所述第二內(nèi)部導體的所述第二端與所述第四內(nèi)部導體的所述第二端連接。
7.一種噪聲濾波器，包括第一絕緣體層；設(shè)置在所述第一絕緣體層上的第一面上的漩渦狀第一和第二導體；設(shè)置在所述第一絕緣體層的所述第一面的上方的、第二面與所述第一絕緣體層相對的、具有通路孔的第二絕緣體層；設(shè)置在所述第二絕緣體層的所述第一面上，通過所述通路孔分別電連接了所述第一、第二導體的漩渦狀的第三和第四導體；設(shè)置在所述第三和第四導體的上面的第三絕緣體層；以及分別連接了所述第一～第四導體的端部的外部電極，所述第一和第二導體大致配置為平行，第三和第四導體大致配置為平行，所述第二絕緣體層的導磁率在所述第一和第三絕緣體層的導磁率以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的噪聲濾波器，其特征在于所述第二絕緣體層由Ni-Zn-Cu-Co類鐵氧體構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的噪聲濾波器，其特征在于所述第二絕緣體層由低導磁率材料構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的噪聲濾波器，其特征在于所述低導磁率材料是鎂橄欖石類玻璃、氧化鋁玻璃類絕緣材料、Zn-Cu類鐵氧體中的一種。
11.一種噪聲濾波器，包括第一絕緣體層；設(shè)置在所述第一絕緣體層上的第一面上的漩渦狀第一和第二導體；設(shè)置在所述第一絕緣體層的所述第一面的上方的、第二面與所述第一絕緣體層相對的、具有通路孔的第二絕緣體層；設(shè)置在所述第二絕緣體層的所述第一面上，通過所述通路孔分別電連接了所述第一、第二導體的漩渦狀的第三和第四導體；設(shè)置在所述第三和第四導體的上面的第三絕緣體層；分別電連接了所述第一～第四導體的端部的外部電極；以及配置在所述第一和第二導體間、所述第三和第四導體間的至少一方上的、具有所述第一～第三絕緣體層的至少一個導磁率以下的導磁率的絕緣體，所述第一和第三導體大致配置為平行，第二和第四導體大致配置為平行。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噪聲濾波器，其特征在于所述絕緣體由Ni-Zn-Cu-Co類鐵氧體構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噪聲濾波器，其特征在于所述絕緣體由低導磁率材料構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的噪聲濾波器，其特征在于所述低導磁率材料是鎂橄欖石類玻璃、氧化鋁玻璃類絕緣材料、Zn-Cu類鐵氧體中的一種。
15.一種噪聲濾波器，包括第一絕緣體層；設(shè)置在所述第一絕緣體層上的第一面上的漩渦狀第一和第二導體；設(shè)置在所述第一絕緣體層的所述第一面的上方的、第二面與所述第一絕緣體層相對的、具有通路孔的第二絕緣體層；設(shè)置在所述第二絕緣體層的所述第一面上，通過所述通路孔分別電連接了所述第一、第二導體的漩渦狀的第三和第四導體；設(shè)置在所述第二絕緣體層的所述第一面的上方的第三絕緣體層；分別連接了所述第一～第四導體的端部的外部電極；以及設(shè)置在所述第一和第二絕緣體層間、和所述第二和第三絕緣體層間中的至少一方的、具有所述第一、第二、第三絕緣層以下的導磁率的第四絕緣層，所述第一和第三導體大致配置為平行，第二和第四導體大致配置為平行。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的噪聲濾波器，其特征在于所述第四絕緣體層由Ni-Zn-Cu-Co類鐵氧體構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的噪聲濾波器，其特征在于所述第四絕緣體層由低導磁率材料構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的噪聲濾波器，其特征在于所述低導磁率材料是鎂橄欖石類玻璃、氧化鋁玻璃類絕緣材料、Zn-Cu類鐵氧體中的一種。
19.一種噪聲濾波器，包括第一絕緣體層；設(shè)置在所述第一絕緣體層上的第一面上的漩渦狀第一導體；設(shè)置在所述第一絕緣體層的所述第一面的上方的、第二面與所述第一絕緣體層相對的、具有第一通路孔的第二絕緣體層；設(shè)置在所述第二絕緣體層的所述第一面上，通過所述第一通路孔連接了所述第一導體的漩渦狀的第二導體；設(shè)置在所述第二絕緣體層的所述第一面的上方的、第二面與所述第二絕緣體層相對的第三絕緣體層；設(shè)置在所述第三絕緣體層的第一面上的漩渦狀的第三導體；設(shè)置在所述第三絕緣體層的所述第一面的上方的、第二面與所述第二絕緣體層相對的、具有第二通路孔的第四絕緣體層；設(shè)置在所述第四絕緣體層的第一面上的、通過所述第二通路孔與所述第三導體連接的漩渦狀第四導體；設(shè)置在所述第四絕緣體層的所述第一面的上方的第五絕緣體層；以及分別連接了所述第一～第四導體的端部的外部電極，所述第二和第三導體都比第一和第四導體的匝數(shù)多，所述第二～第四絕緣體層中的至少一個絕緣體層的導磁率是所述第一～第四絕緣體層的其他絕緣體層的導磁率以下。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噪聲濾波器，其特征在于所述一個絕緣體層由Ni-Zn-Cu-Co類鐵氧體構(gòu)成。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噪聲濾波器，其特征在于所述至少一個絕緣體層由低導磁率材料構(gòu)成。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的噪聲濾波器，其特征在于所述低導磁率材料是鎂橄欖石類玻璃、氧化鋁玻璃類絕緣材料、Zn-Cu類鐵氧體中的一種。
全文摘要
一種噪聲濾波器，設(shè)置在第一磁性體薄板(11a、11b)上的第一、第二內(nèi)部導體(12、13)分別為1匝以上的漩渦狀，在第一內(nèi)部導體(12)的內(nèi)側(cè)，彼此不短路地設(shè)置了第二內(nèi)部導體(13)。第一內(nèi)部導體(12)的另一端設(shè)置在第二內(nèi)部導體(13)的另一端附近，第一、第二內(nèi)部導體(12、13)的各另一端與設(shè)置在另一磁性體薄板上的第一、第二內(nèi)部導體(12、13)的各另一端連接?？梢詫崿F(xiàn)具有共態(tài)的高阻抗值的噪聲濾波器。
文檔編號H01F17/00GK1528003SQ0280341
公開日2004年9月8日 申請日期2002年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月15日
發(fā)明者千葉博伸, 大石一夫, 瓜生英一, 織田武司, 中山祥吾, 松村和俊, 元滿弘法, 新海淳, 鷲崎智幸, 一, 俊, 司, 吾, 夫, 幸, 法 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社