專利名稱：具有粘結反射層的發(fā)光二極管及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法，特別涉及一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術：
發(fā)光二極管的應用頗為廣泛，例如，可應用于光學顯示裝置、交通標志、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置。如何提高發(fā)光二極管的亮度，是發(fā)光二極管的制造上的重要課題。
傳統(tǒng)上，增加發(fā)光亮度的一種方法為利用范德瓦爾斯力將兩半導體材料鍵結在一起，然而其缺點為范德瓦爾斯力太弱，鍵結后，結構的機械強度不夠，容易產(chǎn)生分離的情況。
美國專利第5,376,580號公開一種方法，用以將一發(fā)光二極管疊層與一透明基板鍵結在一起，并產(chǎn)生歐姆介面，其中該透明基板可以是GaP，則光可同時由發(fā)光二極管疊層及透明基板射出。然而這種方法的前工藝須在1000℃左右的高溫下，施加同軸壓力于該發(fā)光二極管疊層與透明基板上，而形成一歐姆介面。其主要缺點為在實際制造程序中，如此高的鍵結溫度將破壞發(fā)光二極管的特性，使發(fā)光效率降低；另外透明基板GaP本身仍帶有顏色，其光射出率僅約60-70％，并非百分之百透光，將造成亮度的降低。
傳統(tǒng)上，另一增加發(fā)光亮度的方法為利用金屬作為鍵結材料，將一發(fā)光二極管疊層與另一基板鍵結在一起，這是利用金屬材料形成的鍵結層，可利用其金屬的特性形成一鏡面效應，將由發(fā)光二極管疊層射向基板的光線反射回發(fā)光二極管疊層，而不會穿透鍵結層射入基板，減少光線被基板的吸收率。在制造程序中，以金屬作為鍵結層的鍵結溫度僅約300-450℃，可以避免發(fā)光二極管特性被破壞。然而在此鍵結技術中，存在幾項缺點，當金屬鍵結的溫度較低時，金屬層與待鍵結的兩半導體層之間并不會受高溫影響產(chǎn)生反應，因此對光線的反射率良好，反射面可以達到90％以上的反射率，發(fā)光二極管的發(fā)光效率將提高，但是由于金屬層與待鍵結的兩半導體層無高溫作用產(chǎn)生鍵結反應，則金屬鍵結的效果降低，金屬層與待鍵結的半導體層將分離無法形成歐姆介面，這是一個主要缺點。當金屬鍵結的溫度提高時，則金屬層與兩待鍵結的半導體層之間鍵結良好，但因金屬層與兩待鍵結的半導體層之間產(chǎn)生反應，則反射面金屬層的反射率將大大降低，無法達到鏡面的功能這是其另一個缺點。
本發(fā)明人在思考如何解決前述的缺點時，獲得一個發(fā)明靈感，認為若通過使用一透明粘結層粘結前述的金屬層與發(fā)光二極管疊層，光在經(jīng)由發(fā)光二極管疊層產(chǎn)生后，穿過透明粘結層，直接由該金屬層產(chǎn)生全反射，由發(fā)光二極管疊層出光；但是若單藉由粘結層粘結發(fā)光二極管疊層及金屬層，則其粘結的作用力僅為范德瓦爾斯力，則粘結面之間易產(chǎn)生剝離。因此，本發(fā)明于該發(fā)光二極管疊層以及金屬層與透明粘結層相接的表面分別形成一反應層，該反應層與該透明粘結層經(jīng)過加壓加溫形成反應，產(chǎn)生氫鍵或離子鍵，以增強粘結面的作用力，提高機械強度，將可避免前述中產(chǎn)生分離的缺點。另外利用透明粘結層粘結，可避免前述的金屬層與發(fā)光二極管疊層鍵結產(chǎn)生的缺點；另外在透明粘結層與發(fā)光二極管疊層間形成一透明導電層，可改善電流分散效率，將進一步可提高發(fā)光二極管的亮度。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供具有粘結反射層的發(fā)光二極管及其制造方法，在其制造過程中，通過使用一透明粘結層，連結一發(fā)光二極管疊層與一具有反射層的基板，使得光穿透該透明粘結層，射向反射層，其中，在該透明粘結層的上下表面分別存在一反應層，該反應層分別與發(fā)光二極管疊層以及反射層相接，該反應層與該透明粘結層經(jīng)過加壓加溫形成反應，以增強粘結面的作用力，提高機械強度。該射向反射層的光線能夠通過反射而被導出，以提高發(fā)光二極管的亮度。另外前述的反射層也可形成于發(fā)光二極管疊層與反應層之間，這樣該粘結層便不須限定為透明粘結層，不透明粘結層也可使用，光直接射向反射層通過反射而被導出。上述的制造方法無前述前工藝的反射率降低及鍵結的效果降低的問題，因而能夠達到光全反射的效果，達到提高發(fā)光二極管亮度的目的。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例具有粘結反射層的發(fā)光二極管及其制造方法，包含一第二基板、形成于該第二基板上的一金屬反射層、形成于該金屬反射層上的一第一反應層、形成于該第一反應層上的一透明粘結層、形成于該透明粘結層上的一第二反應層、形成于該第二反應層上的一透明導電層，其中，該透明導電層的上表面包含一第一表面區(qū)域和一第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層、形成于該第二接觸層上的一第一接線電極、以及形成于該第二表面區(qū)域上的一第二接線電極。
該發(fā)光二極管的制造方法包含下列步驟在一第一基板上依次形成一第二接觸層、一第二束縛層、一發(fā)光層、一第一束縛層、一第一接觸層、一透明導電層、一第二反應層，構成一第一疊層；在一第二基板上形成一金屬反射層、一第一反應層，構成一第二疊層；設置一透明粘結層，利用該透明粘結層將該第一疊層的第二反應層表面以及該第二疊層的一第一反應層表面結合在一起；移除該第一基板，構成一第三疊層；將該第三疊層適當?shù)匚g刻至該透明導電層，形成一透明導電層暴露表面區(qū)域；以及在該第二接觸層與該透明導電層暴露表面區(qū)域上分別形成第一接線電極與第二接線電極。
前述第一基板，包含選自于GaP、GaAs及Ge所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第二基板，包含選自Si、GaAs、SiC、Al2O3、玻璃、石英、GaP、GaAsP及AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述透明粘結層包含選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第一反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第二反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料；前述金屬反射層包含選自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第一接觸層包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP AlGaInP及AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第一束縛層、發(fā)光層與第二束縛層，包含AlGaInP；前述第二接觸層，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP及AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料；前述透明導電層包含選自于氧化銦錫、氧化隔錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成的一組材料中的至少一種材料。


圖1為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例的一種具有反射層的發(fā)光二極管；圖2為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖1所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層前的第一疊層；圖3為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖1所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層前的第二疊層；圖4為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖1所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結第一疊層及第二疊層后，但尚未移除第一基板前的第三疊層構造；圖5為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖1所示發(fā)光二極管的過程中，在移除第一基板后的第四疊層構造；圖6為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的一種具有反射層的發(fā)光二極管；圖7為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明又一優(yōu)選實施例的一種具有反射層的發(fā)光二極管；圖8為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖7所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層前的第五疊層；圖9為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖7所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層前的第六疊層；圖10為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖7所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層后，移除第一基板后的第七疊層構造；圖11為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明再一優(yōu)選實施例的一種具有反射層的發(fā)光二極管；圖12為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖11所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層前的第八疊層；圖13為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖11所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層前的第九疊層；以及圖14為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明制造方法制造圖11所示發(fā)光二極管的過程中，在粘結二疊層后，移除第一基板后的第十疊層構造。
附圖標記說明1發(fā)光二極管10第二基板11金屬反射層12透明粘結層13第一接觸層14第一束縛層15發(fā)光層16第二束縛層17第二接觸層18第一基板19第一接線電極20第二接線電極21透明導電層22第一反應層23第二反應層6發(fā)光二極管611氧化物反射層7發(fā)光二極管710金屬反射基板712透明粘結層713第一接觸層714第一束縛層715發(fā)光層716第二束縛層717第二接觸層718第一基板
719第一接線電極720第二接線電極721透明導電層722第一反應層723第二反應層110發(fā)光二極管1110第二基板1111金屬反射層1112透明粘結層1113第一接觸層1114第一束縛層1115發(fā)光層1116第二束縛層1117第二接觸層1118第一基板1119第一接線電極1120第二接線電極1121透明導電層1122第一反應層1123第二反應層具體實施方式
請參閱圖1，根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例具有粘結反射層的發(fā)光二極管1，包含一第二基板10、形成于該基板上的一金屬反射層11、形成于該金屬反射層上的一第一反應層22、形成于該第一反應層上的一透明粘結層12、形成于該透明粘結層上的一第二反應層23、形成于該第二反應層上的一透明導電層21，其中，該透明導電層的上表面包含一第一表面區(qū)域和一第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層13、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層14、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層15、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層16、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層17、形成于該第二接觸層上的一第一接線電極19、以及形成于該第二表面區(qū)域上的一第二接線電極20。
請參閱圖1與圖2，發(fā)光二極管1的制造方法包含下列步驟在一第一基板18上依次形成一第二接觸層17、一第二束縛層16、一發(fā)光層15、一第一束縛層14、一第一接觸層13、一透明導電層21、一第二反應層23，構成一第一疊層2；在一第二基板10上形成一金屬反射層11，在該金屬反射層上形成一第一反應層22，構成一第二疊層3，如圖3所示；設置一透明粘結層12，利用該透明粘結層將該第一疊層的第二反應層表面以及該第二疊層的第一反應層表面結合在一起，構成一第三疊層4，如圖4所示；移除該第一基板18，構成一第四疊層5，如圖5所示；將該第四疊層5適當?shù)匚g刻至該透明導電層21，形成一透明導電層暴露表面區(qū)域；以及在該第二接觸層17與該透明導電層暴露表面區(qū)域上分別形成第一接線電極19與第二接線電極20。
請參閱圖6，根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例具有粘結反射層的發(fā)光二極管6，其結構與制造方法與前一優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管1相似，其不同處在于將前一優(yōu)選實施例的金屬反射層11用一氧化物反射層611替代，通過該氧化物反射層將射向反射層的光線利用反射將光線導出。
請參閱圖7，根據(jù)本發(fā)明又一優(yōu)選實施例具有粘結反射層的發(fā)光二極管7，包含一金屬反射基板710、形成于該金屬反射基板上的一第一反應層722、形成于該第一反應層上的一透明粘結層712、形成于該透明粘結層上的一第二反應層723、形成于該第二反應層上的一透明導電層721，其中，該透明導電層的上表面包含一第一表面區(qū)域和一第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層713、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層714、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層715、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層716、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層717、形成于該第二接觸層上的一第一接線電極719、以及形成于該第二表面區(qū)域上的一第二接線電極720。
請參閱圖7與圖8，發(fā)光二極管7的制造方法包含下列步驟在一第一基板718上依次形成一第二接觸層717、一第二束縛層716、一發(fā)光層715、一第一束縛層714、一第一接觸層713、一透明導電層721、一第二反應層723，構成一第五疊層8；設置一金屬反射基板710，形成于該金屬反射基板上的一第一反應層722，構成一第六疊層9，如圖9所示；設置一透明粘結層712，利用該透明粘結層將該第一疊層的第二反應層表面以及該第六疊層的第一反應層表面結合在一起；移除該第一基板718，構成一第七疊層100，如圖10所示；將該第七疊層100適當?shù)匚g刻至該透明導電層721，形成一透明導電層暴露表面區(qū)域；以及在該第二接觸層717與該透明導電層暴露表面區(qū)域上分別形成第一接線電極719與第二接線電極720。
請參閱圖11，根據(jù)本發(fā)明再一優(yōu)選實施例具有粘結反射層的發(fā)光二極管110，包含一第二基板1110、形成于該基板上的一第一反應層1122、形成于該第一反應層上的一粘結層1112、形成于該粘結層上的一第二反應層1123、形成于該第二反應層上的一金屬反射層1111、形成于該金屬反射層上的一透明導電層1121，其中，該透明導電層的上表面包含一第一表面區(qū)域和一第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層1113、形成于該第一接觸層上的一第一束縛層1114、形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層1115、形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層1116、形成于該第二束縛層上的一第二接觸層1117、形成于該第二接觸層上的一第一接線電極1119、以及形成于該第二表面區(qū)域上的一第二接線電極1120。
請參閱圖11與圖12，發(fā)光二極管110的制造方法包含下列步驟在一第一基板1118上依次形成一第二接觸層1117、一第二束縛層1116、一發(fā)光層1115、一第一束縛層1114、一第一接觸層1113、一透明導電層1121、一金屬反射層1111、一第二反應層1123，構成一第八疊層120；設置一第二基板1110，形成于該第二基板上的一第一反應層1122，構成一第九疊層130，如圖13所示；設置一粘結層1112，利用該粘結層將該第八疊層的第二反應層表面以及該第九疊層的第一反應層結合在一起；移除該第一基板1118，構成一第十疊層140，如圖14所示；將該第十疊層適當?shù)匚g刻至該透明導電層1121，形成一第一接觸層暴露表面區(qū)域；以及在該第二接觸層1117與該第一接觸層暴露表面區(qū)域上分別形成第一接線電極1119與第二接線電極1120。
前述第一基板，包含選自于GaP、GaAs或Ge所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第二基板，包含選自Si、GaAs、SiC、Al2O3、玻璃、GaP、GaAsP或AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述透明粘結層包含選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第一反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第二反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料；前述金屬反射基板，包含選自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述第一接觸層包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP或AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料；前述氧化物反射層，包含選自于SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2或MgO所構成的一組材料中的至少一種材料；前述金屬反射層，包含選自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料；前述第一束縛層、發(fā)光層與第二束縛層，包含AlGaInP；前述第二接觸層，包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP或AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料；前述透明導電層包含選自于氧化銦錫、氧化隔錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成的一組材料中的至少一種材料。
雖然本發(fā)明的發(fā)光二極管已通過優(yōu)選實施例公開于上，然而本發(fā)明的范圍并不限于上述優(yōu)選實施例，應以權利要求所界定的范圍為準。因此本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的權利要求書范圍及精神下，因該能夠對本發(fā)明做任何改進與調整。
權利要求
1.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，至少包含下列步驟設置一第一基板；形成一LED疊層于該第一基板上；形成一第一反應層于該LED疊層上；設置一第二基板；形成一反射層于該第二基板上；形成一第二反應層于該反射層上；利用一透明粘結層將該第一反應層與該第二反應層結合在一起。
2.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，至少包含下列步驟設置一第一基板；形成一LED疊層于該第一基板上；形成一第一反應層于該LED疊層上；設置一金屬反射基板；形成一第二反應層于該金屬反射基板上；利用一透明粘結層將該第一反應層與該第二反應層結合在一起。
3.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，至少包含下列步驟設置一第一基板；在該第一基板上形成一LED疊層；形成一反射層于該LED疊層上；形成一第一反應層于該反射層上；設置一第二基板；形成一第二反應層于該第二基板上；利用一粘結層將該第一反應層與該第二反應層結合在一起。
4.如權利要求1、2或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一基板包含選自GaP、GaAs或Ge所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
5.如權利要求1或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第二基板包含選自Si、GaAs、SiC、Al2O3、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs或金屬所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
6.如權利要求1或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該反射層為一金屬反射層。
7.如權利要求1或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該反射層為一氧化物反射層。
8.如權利要求6所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該反射層包含選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
9.如權利要求7所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該反射層包含選自SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2或MgO所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
10.如權利要求2所述的具有粘結反射層的發(fā)光二設管的制造方法，其中，該金屬反射基板的金屬包含選自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
11.如權利要求1或2所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該透明粘結層包含選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
12.如權利要求1、2或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
13.如權利要求1、2或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第二反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
14.如權利要求3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該粘結層具有透明或不透明的特征。
15.如權利要求1所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，更包含在該第二基板上形成反射層前，形成一半導體疊層。
16.如權利要求2所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，更包含在該金屬反射基板上，形成一反射層。
17.如權利要求1、2或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，更包含形成LED疊層之后，在LED疊層上形成一透明導電層。
18.如權利要求1、2或3所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，更包含移除該第一基板。
19.如權利要求17所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該透明導電層包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅或氧化鋅錫所構成的一組材料中的至少一種材料。
20.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管，至少包含一基板；一反射層，形成于該基板之上；一第一反射層，形成于該反射層之上；一透明粘結層，形成于該第一反應層之上；一第二反應層，形成于該透明粘結層之上；一LED疊層，形成于該第二反應層之上；以及電極。
21.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管，至少包含一金屬反射基板；一第一反應層，形成于該金屬反射基板之上；一透明粘結層，形成于該第一反應層之上；一第二反應層，形成于該透明粘結層之上；一LED疊層，形成于該第二反應層之上；以及電極。
22.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管，至少包含一基板；一第一反應層，形成于該基板之上；一粘結層，形成于該第一反射層之上；一第二反應層，形成于該粘結層之上；一反射層，形成于該第二反應層之上；一LED疊層，形成于該反射層之上；以及電極。
23.如權利要求20或21所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，更包含在第二反應層及LED疊層之間形成一透明導電層。
24.如權利要求22所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，更包含在反射層及LED疊層之間形成一透明導電層。
25.如權利要求23或24所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該透明導電層包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成的一組材料中的至少一種材料。
26.如權利要求20或22所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該基板包含選自Si、GaAs、SiC、Al2O3、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs或金屬所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
27.如權利要求20或22所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層為一金屬反射層。
28.如權利要求20或22所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層為一氧化物反射層。
29.如權利要求27所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層包含選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
30.如權利要求28所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層包含選自SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2或MgO所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
31.如權利要求21所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該金屬反射基板的金屬包含選自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
32.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管，至少包含一基板；形成于該基板上的一反射層；形成于該反射層上的一第一反應層；形成于該第一反應層上的一透明粘結層；形成于該透明粘結層上的一第二反應層；形成于該第二反應層上的一透明導電層，其中，該透明導電層的上表面包含一第一表面區(qū)域和一第二表面區(qū)域；形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；形成于該第二接觸層上的一第一接線電極；以及形成于該第二表面區(qū)域上的一第二接線電極。
33.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管，至少包含一金屬反射基板；形成于該金屬反射基板上的一第一反應層；形成于該第一反應層上的一透明粘結層；形成于該透明粘結層上的一第二反應層；形成于該第二反應層上的一透明導電層，其中，該透明導電層的上表面包含一第一表面區(qū)域和一第二表面區(qū)域；形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；形成于該第二接觸層上的一第一接線電極；以及形成于該第二表面區(qū)域上的一第二接線電極。
34.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管，至少包含一基板；形成于該基板上的一第一反應層；形成于該第一反應層上的一粘結層；形成于該粘結層上的一第二反應層；形成于該第二反應層上的一反射層；形成于該反射層上的一透明導電層，其中，該透明導電層的上表面包含一第一表面區(qū)域和一第二表面區(qū)域；形成于該第一表面區(qū)域上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；形成于該第二接觸層上的一第一接線電極；以及形成于該第二表面區(qū)域上的一第二接線電極。
35.一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管，至少包含一基板，其中，該基板具有上下表面；形成于該基板下表面的一第一接線電極；形成于該基板上表面上的一反射層；形成于該反射層上的一第一反應層；形成于該第一反應層上的一透明導電粘結層；形成于該透明導電粘結層上的一第二反應層；形成于該第二反應層上的一透明導電層；形成于該透明導電層上的一第一接觸層；形成于該第一接觸層上的一第一束縛層；形成于該第一束縛層上的一發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的一第二束縛層；形成于該第二束縛層上的一第二接觸層；以及形成于該第二接觸層上的一第二接線電極。
36.如權利要求32或34所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該基板包含選自Si、GaAs、SiC、Al2O3、玻璃、GaP、GaAsP、AlGaAs或金屬所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
37.如權利要求33所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該金屬反射基板包含選自于Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料。
38.如權利要求35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該基板包含選自Si、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、AlGaAs或金屬所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
39.如權利要求32、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層為一金屬反射層。
40.如權利要求32或34所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層為一氧化物反射層。
41.如權利要求39所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層包含選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
42.如權利要求40所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該反射層包含選自SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2或MgO所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
43.如權利要求20、21、32或33所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該透明粘結層包含選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
44.如權利要求20、21、22、32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第一反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
45.如權利要求20、21、22、32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管的制造方法，其中，該第二反應層包含選自于SiNx、Ti或Cr所構成的一組材料中的至少一種材料或其它可代替的材料。
46.如權利要求22或34所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該粘結層具有透明或不透明的特征。
47.如權利要求35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該透明導電粘結層包含選自于本征導電聚合物或聚合物中摻雜導電材質所構成的一組材料中的至少一種材料。
48.如權利要求45所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該導電材質包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Au及Ni/Au所構成的一組材料中的至少一種材料。
49.如權利要求32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該第一接觸層包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP及AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料。
50.如權利要求32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該第一束縛層包含AlGaInP。
51.如權利要求32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該發(fā)光層包含AlGaInP。
52.如權利要求32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該第二束縛層包含AlGaInP。
53.如權利要求32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該第二接觸層包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP及AlGaAs所構成的一組材料中的至少一種材料。
54.如權利要求32、33、34或35所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中可包含，在該第二接觸層之上，第二接線電極之下，形成一透明導電層。
55.如權利要求52所述的具有粘結反射層的發(fā)光二極管，其中，該透明導電層包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構成的一組材料中的至少一種材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有粘結反射層的發(fā)光二極管及其制造方法，其利用一透明粘結層將一發(fā)光二極管疊層及一具有金屬反射層的基板粘結在一起，使得射向金屬反射層的光線能夠通過反射而被導出，以提高發(fā)光二極管的亮度。
文檔編號H01L33/00GK1516296SQ0310150
公開日2004年7月28日 申請日期2003年1月10日 優(yōu)先權日2003年1月10日
發(fā)明者劉文煌, 曾子峰, 謝明勛, 葉丁瑋, 王仁水 申請人:晶元光電股份有限公司