專利名稱：液晶顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與一種液晶顯示器制程技術(shù)有關(guān)，特別是有關(guān)于一種低溫多晶硅液晶顯示器制程技術(shù)，以最精簡(jiǎn)的光罩?jǐn)?shù)去完成包含驅(qū)動(dòng)電路和液晶顯示像素制作的技術(shù)。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是一種平面的顯示器，具有低耗電量特性，同時(shí)由于與同視窗尺寸的陰極射線管(CRT)相比，不論就占用空間或質(zhì)量而言都要小得多，且不會(huì)有一般CRT的曲面。因此已廣泛應(yīng)用于各式產(chǎn)品，包括消費(fèi)性電子產(chǎn)品如掌上型計(jì)算機(jī)，電腦字典，手表，手機(jī)，尺寸較大的手提型電腦，通訊終端機(jī)，顯示板，個(gè)人桌上型電腦，甚至高解析度電視(HDTV)等都不難看到其蹤跡及其受歡迎的程度。特別是主動(dòng)矩陣型薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)，由于其可視角、對(duì)比表現(xiàn)都比被動(dòng)矩陣型的STN-LCD要好得多，且具有更佳的反應(yīng)時(shí)間。
此外就TFT-LCD而言，長(zhǎng)期以來(lái)多以傳統(tǒng)非晶硅做為TFT-LCD的TFT的主要材料，如今已另有一選擇，即使用多晶硅取代非晶硅并且有可能成為主流。這主要著眼于不管是電子或電洞的移動(dòng)速率(mobility)，多晶硅都要比非晶硅提供更佳的移動(dòng)速率。除此之外，多晶硅TFT-LCD還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是形成LCD面板的驅(qū)動(dòng)電路(包含nMOS電晶體或pMOS電晶體甚至于互補(bǔ)式金氧半電晶體)可以和畫素面板的制造同時(shí)進(jìn)行。由于所述因素，多晶硅型TFT-LCD可以提供比非晶硅型TFT-LCD更佳的切換速率，更具吸引力。
當(dāng)然多晶硅型TFT-LCD也并非沒有缺點(diǎn)，例如當(dāng)TFT進(jìn)行開關(guān)切換至關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，往往仍有甚大的汲極漏電流。不過(guò)這通常可以藉助雙閘極(dual gate)，或輕摻雜汲極(LDD)的技術(shù)克服，例如由Ha等人所獲得的美國(guó)專利第5940151號(hào)，即為一例。Ha專利的制造方法簡(jiǎn)述如下首先請(qǐng)參考圖1A所示TFT-LCD的一個(gè)畫素的俯視示意圖。圖1A中掃瞄線50和信號(hào)線40垂直相交，其中掃瞄線50，直接與畫素TFT閘極14連接，信號(hào)線40則是連接至畫素TFT的源極11S，儲(chǔ)存電容極板17和18則和畫素TFT的汲極連接，儲(chǔ)存電容的上極板并連接至畫素之外，即其頂部電容極板18的接觸區(qū)在畫素面板外。畫素電容極板15亦連接于畫素TFT的汲極。
圖1B至圖1E則顯示包含一個(gè)像素(沿圖1A的a-a’線)及其驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。首先在基板1000上依序先沉積一n型重?fù)诫s的硅層再形成金屬層，隨后再以使用微影及蝕刻技術(shù)(使用第一次光罩圖案)，定義了畫素TFT的源極/汲極區(qū)11S及11D，汲極區(qū)11D并包含儲(chǔ)存電容電極板17；而驅(qū)動(dòng)電路則定義了n型TFT的源極21S/汲極區(qū)21D。隨后在全面形成一硅層后，再以微影及蝕刻技術(shù)(使用第二次光罩圖案)，定義硅層，以做為畫素TFT的通道及輕摻雜汲極區(qū)LDD(lightly doped drain)的預(yù)定區(qū)域10’、n型TFT的通道及LDD的預(yù)定區(qū)域20n’，其中被定義的硅層10’、20n’疊加于其對(duì)應(yīng)的源極/汲極區(qū)以形成電性連接。此外，并定義硅層以形成p型TFT的通道及源極/汲極區(qū)的預(yù)定區(qū)域20p’。請(qǐng)參考圖1C，隨后，在依序形成氧化層及閘極金屬，再微影及蝕刻技術(shù)(使用第三次光罩圖案)，定義畫素TFT的閘極14、儲(chǔ)存電容介電層100及頂部電極18，同時(shí)于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)定義n型TFT的閘極24n及p型TFT的閘極24p。接著，全面性進(jìn)行n型一LDD離子布植以形成LDD區(qū)12與22。
請(qǐng)參考圖1D所示的橫截面示意圖。接著，再形成光阻圖案63(使用第四次光罩圖案)以罩幕畫素區(qū)及驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的n型TFT，同時(shí)裸露p型TFT的硅層。隨后，以p型導(dǎo)電性雜質(zhì)進(jìn)行離子植入，用以形成源極23S/汲極23D。
緊接著，在去除光阻圖案63后，請(qǐng)參考圖1E，先形成護(hù)層300于裸露的表面，再以微影及蝕刻技術(shù)(使用第五次光罩圖案)分別于畫素區(qū)及驅(qū)動(dòng)電路區(qū)形成接觸洞。隨后，再全面形成氧化銦(ITO)于接觸洞中及護(hù)層300上。最后再以微影及蝕刻技術(shù)(使用第六次光罩圖案)定義畫素電容的底部電極15并與儲(chǔ)存電容及畫素TFT形成連接，同時(shí)在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)形成p型TFT及n型TFT的ITO 25連接。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，是提供一種低溫多晶硅液晶顯示器的制造方法，在本發(fā)明的方法中，只需用五道光罩即可完成驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的互補(bǔ)式金氧半薄膜電晶體及畫素區(qū)薄膜電晶體的制造。
一種制造液晶顯示器的像素薄膜電晶體(TFT)及于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)同時(shí)形成第一導(dǎo)電型TFT及第二導(dǎo)電型TFT的方法，其中該方法至少包含以下步驟由下而上依序形成一無(wú)摻雜硅層、第一導(dǎo)電型硅層及一金屬層于一基板上；圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層，用以定義該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該像素TFT的源極/汲極及該畫素儲(chǔ)存電容底部電極；全面形成一閘極氧化層及一閘極金屬層于該基板上圖案后的表面上圖案化該閘極氧化層及該閘極金屬層，用以在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)形成該第一導(dǎo)電型TFT的閘極、該第二導(dǎo)電型TFT的閘極，及電源電極，并同時(shí)于該畫素區(qū)形成該畫素TFT的閘極，并形成該畫素儲(chǔ)存電容；形成一第一光阻圖案于該基板圖案后的表面，該第一光阻圖案裸露該第二導(dǎo)電型TFT的預(yù)定區(qū)；植入第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，以該第一光阻圖案及該第二導(dǎo)電型TFT的閘極為罩幕，以使得該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極經(jīng)僅含有第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；移除該第一光阻圖案；全面形成一護(hù)層于該畫素區(qū)及該驅(qū)動(dòng)電路區(qū)表面；圖案化該護(hù)層，用以形成接觸洞，該接觸洞是用以分別裸露該電源電極、該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該畫素TFT的源極/汲極及該畫素電容的頂部電極；形成一透明導(dǎo)體氧化層于所有區(qū)域，除填滿所述接觸洞，并形成于該護(hù)層上；圖案化該護(hù)層上的透明導(dǎo)體氧化層，用以進(jìn)行該第一導(dǎo)電型TFT、第二導(dǎo)電型TFT、該畫素TFT、及該儲(chǔ)存電容的連接。
所述的方法，其中所述的無(wú)摻雜硅層、一第一導(dǎo)電型硅層沉積法是先以不含第一導(dǎo)電型雜質(zhì)沉積，次導(dǎo)入包含該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的氣體以沉積該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)摻雜硅層。
所述的方法，其中所述的圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層是先以微影及蝕刻技術(shù)定義該金屬層，次再以該圖案化的金屬層為罩幕蝕刻該第一導(dǎo)電型硅層。
所述的方法，其中所述的第一導(dǎo)電型TFT的閘極與其源極距離小于閘極與其汲極的距離、該畫素TFT的閘極與其源極距離小于閘極與其汲極的距離，用以抑制漏電流。
所述的方法，其中還包含在圖案化該閘極金屬層后及形成一第一光阻圖案前，先形成一輕滲雜汲極(LDD)罩幕層，以定義進(jìn)行LDD植入的范圍，接著，施以n型雜質(zhì)摻雜，再移除該LDD罩幕層。
所述的方法，其中所述的護(hù)層形成圖案化該護(hù)層步驟是包含先沉積一感光樹脂層，再以光罩對(duì)該感光樹脂照光以形成接觸洞圖案。
所述的方法，其中還包含在該感光樹脂層形成前先進(jìn)行退火，以活化所述的第一及第二導(dǎo)電型雜質(zhì)。
所述的方法，其中所述的護(hù)層形成及圖案化該護(hù)層步驟是包含先沉積一氮化硅層；施以退火，以活化所述的第一及第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；沉積該感光樹脂層；圖案化該感光樹脂層以形成接觸洞上部結(jié)構(gòu)；及以該感光樹脂層為罩幕圖案化該氮化硅層以完成該接觸洞的結(jié)構(gòu)。
一種制造液晶顯示器的像素薄膜電晶體(TFT)及于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)同時(shí)形成第一導(dǎo)電型TFT及第二導(dǎo)電型TFT的方法，其中該方法至少包含以下步驟由下而上依序形成一無(wú)摻雜硅層、第一導(dǎo)電型硅層及一金屬層于一基板上；圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層，用以定義該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該像素TFT的源極/汲極及該畫素儲(chǔ)存電容底部電極；全面形成一閘極氧化層及一閘極金屬層于該基板上圖案后的表面上；圖案化該閘極氧化層及該閘極金屬層，用以在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)形成該第一導(dǎo)電型TFT的閘極、該第二導(dǎo)電型TFT的閘極，及電源電極，并同時(shí)于該畫素區(qū)形成該畫素TFT的閘極，并形成該畫素儲(chǔ)存電容，其中第一導(dǎo)電型TFT的閘極與其源極/汲極距離不對(duì)稱，畫素TFT的閘極與其源極/汲極距離亦不對(duì)稱；形成一第一光阻圖案于該基板圖案后的表面，該第一光阻圖案裸露該第二導(dǎo)電型TFT的預(yù)定區(qū)；植入第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，以該第一光阻圖案及該第二導(dǎo)電型TFT的閘極為罩幕，以使得該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極僅含有第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；移除該第一光阻圖案；施以退火制程，用以活化該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)及該第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；全面形成一感光樹脂做為護(hù)層于該畫素區(qū)及該驅(qū)動(dòng)電路區(qū)表面；圖案化該護(hù)層，用以形成接觸洞，該接觸洞是用以分別裸露該電源電極、該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該畫素TFT的源極/汲極及該畫素電容的頂部電極形成一透明導(dǎo)體氧化層于所有區(qū)域，除填滿所述接觸洞，并形成于該護(hù)層上；圖案化該護(hù)層上的透明導(dǎo)體氧化層，用以進(jìn)行該第一導(dǎo)電型TFT、第二導(dǎo)電型TFT、該畫素TFT、及該儲(chǔ)存電容的連接。
所述的方法，其中所述的無(wú)摻雜硅層、一第一導(dǎo)電型硅層沉積法是先以不含第一導(dǎo)電型雜質(zhì)沉積，次導(dǎo)入包含該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的氣體以沉積該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)摻雜硅層。
所述的方法，其中所述的圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層是先以微影及蝕刻技術(shù)定義該金屬層，次再以該圖案化的金屬層為罩幕蝕刻該第一導(dǎo)電型硅層。
所述的方法，其中所述的不對(duì)稱，是指閘極與其源極距離小于閘極與其汲極的距離，用以抑制漏電流。
所述的方法，其中還包含在圖案化該閘極金屬層后及形成一第一光阻圖案前，先形成一輕滲雜汲極(LDD)罩幕層，以定義進(jìn)行LDD植入的范圍，接著，施以n型雜質(zhì)摻雜，再移除該LDD罩幕層。


圖1A所示為傳統(tǒng)TFT-LCD一基本畫素的俯視示意圖；圖1B至圖1E的橫截面示意圖顯示傳統(tǒng)TFT-LCD的制程步驟，其中畫素部分是沿圖1A的a-a’線；圖2A所示是依據(jù)本技術(shù)方案在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)及畫素區(qū)分別形成源極/汲極的橫截面示意圖，此外畫素區(qū)亦形成儲(chǔ)存電容的底部電極；圖2B所示是依據(jù)本技術(shù)方案在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)及畫素區(qū)分別形成閘極的橫截面示意圖，畫素區(qū)亦形成儲(chǔ)存電容的頂部電極，請(qǐng)注意閘極和源極/汲極距離是不對(duì)稱的；圖2C所示為依據(jù)本發(fā)明方法，施以LDD離子布植的示意圖；圖2D所示為依據(jù)本發(fā)明的方法，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的p型TFT區(qū)施以離子布植的示意圖；圖2E所示為依據(jù)本發(fā)明的方法，在護(hù)層形成后對(duì)護(hù)層形成接觸窗的橫截面示意圖；圖2F所示為依據(jù)本發(fā)明的方法，在接觸窗形成后，再以ITO回填并圖案化，以形成連線，同時(shí)也做為畫素區(qū)液晶儲(chǔ)存電容的示意圖；圖號(hào)說(shuō)明儲(chǔ)存電容介電層100 光阻圖案63、136、150汲極區(qū)11D、21D、23D 源極11S、21S、23SLDD 12、22畫素TFT的閘極14、140I畫素電容電極15儲(chǔ)存電容電極17、18通道及LDD的預(yù)定區(qū)域20n’、10’通道及源極/汲極的預(yù)定區(qū)域20p’源極23S/汲極區(qū)23D 閘極24n、14驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的ITO25 信號(hào)源40、124s掃描線50、140 通道10、20p、20nn型TFT的閘極120g n型TFT的LDD區(qū)120/p型TFT的源極122s p型TFT的汲極區(qū)122d具體實(shí)施方式
請(qǐng)參見圖2A所示的橫截面示意圖。其形成步驟如下首先形成一非晶硅層103于一透明基板100上。接著，以雷射束對(duì)非晶硅層103進(jìn)行結(jié)晶化，隨后再沉積n+導(dǎo)電性雜質(zhì)摻雜的復(fù)晶硅層110(以下簡(jiǎn)稱n+復(fù)晶硅層110)于非晶硅層103上。最后再沉積金屬層115于所述n+復(fù)晶硅層110上。所述步驟中，也可以是所述非晶硅層103沉積至一預(yù)定厚度后，再同步摻雜所述n+雜質(zhì)以形成一表層摻雜的所述非晶硅層110，接著，再以雷射束對(duì)所述非晶硅層103及110進(jìn)行結(jié)晶化而分別形成n+復(fù)晶硅層110及無(wú)摻雜復(fù)晶硅層103，接著再沉積金屬層115。
仍請(qǐng)參考圖2A，接著，再以微影及蝕刻制程，圖案化所述金屬層115，再以所述金屬層115為罩幕蝕刻所述n+復(fù)晶硅層110，以所述無(wú)摻雜復(fù)晶硅層103為蝕刻終止層。以定義驅(qū)動(dòng)電路區(qū)101的n型TFT的源極120s/汲極120d及畫素區(qū)102的畫素TFT的源極124s/汲極124d與儲(chǔ)存電容125的底部電極115。p型TFT至此尚未進(jìn)行。
接著，請(qǐng)參考圖2B，一閘極氧化層130、及閘極金屬層135，接著依序沉積于所有表面上。再以微影及蝕刻制程，圖案化所述閘極金屬層135，再以所述閘極金屬層135為罩幕，蝕刻閘極氧化層130，用以在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)101定義出p-型TFT的閘極122g、所述n型TFT的閘極120g、所述畫素TFT的的閘極124g、及所述儲(chǔ)存電容125的頂部電極135及電容介電層130，與所述驅(qū)動(dòng)電路電源電極VDD(未圖示)及參考電位VSS。請(qǐng)注意，為抑制TFT關(guān)閉狀態(tài)時(shí)仍可能存在的漏電流，可以將所述閘極位置120g與所述源極120s及所述汲極120d間的距離以不對(duì)稱距離來(lái)形成，例如閘極位置120g與所述汲極120d距離大于所述閘極位置120g與所述源極120s的距離來(lái)達(dá)到抑制漏電流的效果。同理，畫素TFT的閘極124g與所述汲極124d相距間隔也要大于其與源極124s的距離。如圖2B所示。另一種抑制所述漏電流的方法是形成光阻136罩幕住儲(chǔ)存電容區(qū)，再全面施以輕摻雜汲極的方式(LDD)，如圖2C形成LDD區(qū)120/及124/于多晶硅層103內(nèi)，當(dāng)然閘極122g的兩側(cè)也有n-雜質(zhì)摻雜區(qū)。由于已形成閘極對(duì)源極/汲極距離不對(duì)稱，因此，這一步驟是選擇性的。
請(qǐng)參考圖2D，一用以定義驅(qū)動(dòng)電路區(qū)101p型TFT的第一光阻圖案150接著覆蓋所有區(qū)域、緊接著以p-型TFT閘極122g的閘極金屬層135，及所述第一光阻圖案150為罩幕，以p型導(dǎo)電性雜質(zhì)做為雜質(zhì)離子，施以離子布植，布植劑量需高于所述LDD的n-劑量，以使得p型TFT的源極/汲極預(yù)定區(qū)122s及122d，經(jīng)電性補(bǔ)償后仍有足夠濃度的p型導(dǎo)電性雜質(zhì)濃度。
請(qǐng)參考圖2E，在去除該第一光阻圖案150后，接著再形成護(hù)層160于所有表面，并平坦化之。護(hù)層160的形成方式，可以有如下選擇，例如(1)全面沉積氮化硅層，以覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電路及畫素區(qū)的所有元件，再繼續(xù)沉積以平坦化、(2)先沉積一氮化硅層，次沉積氧化硅層也可。(3)先沉積部分厚度的氮化硅層，接著，再沉積感光樹脂(photosensitive resin layer)。或(4)全部純以感光樹脂為護(hù)層的材料。在后二者包含感光樹脂的情況，感光樹脂本身即可利用照光的步驟，而形成接觸洞的圖案如圖2E所示。不需額外光阻。不過(guò)，感光樹脂通常需要在形成后照深紫外光(UV)以除去固有的色彩以使其透明化。而在第(1)及第(2)種情況，則需以額外光阻圖案。再利用微影及蝕刻技術(shù)轉(zhuǎn)移光阻圖案至氮化硅層，但若是第(3)及第(4)種包含感光性樹脂時(shí)，則感光性樹脂本身即可以微影制程圖案化，而省去形成光阻步驟。
除此之外，請(qǐng)注意，為活化導(dǎo)電性雜質(zhì)離子，在護(hù)層160形成前或后需進(jìn)行退火程序，以一較佳實(shí)施例而言，如果護(hù)層材質(zhì)是氧化層或氮化硅層。退火時(shí)可以選擇在含氫的氣氛下進(jìn)行，以減少?gòu)?fù)晶硅表面斷鍵所可能產(chǎn)生的問(wèn)題。但若護(hù)層160包含感光性樹脂，先需在感光性樹脂形成前，即需先進(jìn)行退火。
最后，如圖2F所示，再全面沉積透明導(dǎo)電氧化層170，例如ITO以填滿所有接觸洞，并且在護(hù)層160上，形成所述導(dǎo)電氧化層。導(dǎo)電氧化層170需經(jīng)過(guò)微影及蝕刻步驟，以形成如圖示，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)101形成透明電導(dǎo)線，而在畫素區(qū)102，不只做為儲(chǔ)存電容125與畫素TFT的連接線外，同時(shí)也可以做為畫素電容的底部電極。
本發(fā)明以較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，而熟悉此領(lǐng)域技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動(dòng)潤(rùn)飾，其專利保護(hù)范圍更當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍及其等同領(lǐng)域而定。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示器的像素薄膜電晶體(TFT)及于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)同時(shí)形成第一導(dǎo)電型TFT及第二導(dǎo)電型TFT的方法，其特征在于該方法至少包含以下步驟由下而上依序形成一無(wú)摻雜硅層、第一導(dǎo)電型硅層及一金屬層于一基板上；圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層，用以定義該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該像素TFT的源極/汲極及該畫素儲(chǔ)存電容底部電極；全面形成一閘極氧化層及一閘極金屬層于該基板上圖案后的表面上；圖案化該閘極氧化層及該閘極金屬層，用以在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)形成該第一導(dǎo)電型TFT的閘極、該第二導(dǎo)電型TFT的閘極，及電源電極，并同時(shí)于該畫素區(qū)形成該畫素TFT的閘極，并形成該畫素儲(chǔ)存電容；形成一第一光阻圖案于該基板圖案后的表面，該第一光阻圖案裸露該第二導(dǎo)電型TFT的預(yù)定區(qū)；植入第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，以該第一光阻圖案及該第二導(dǎo)電型TFT的閘極為罩幕，以使得該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極經(jīng)僅含有第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；移除該第一光阻圖案；全面形成一護(hù)層于該畫素區(qū)及該驅(qū)動(dòng)電路區(qū)表面；圖案化該護(hù)層，用以形成接觸洞，該接觸洞是用以分別裸露該電源電極、該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該畫素TFT的源極/汲極及該畫素電容的頂部電極；形成一透明導(dǎo)體氧化層于所有區(qū)域，除填滿所述接觸洞，并形成于該護(hù)層上；圖案化該護(hù)層上的透明導(dǎo)體氧化層，用以進(jìn)行該第一導(dǎo)電型TFT、第二導(dǎo)電型TFT、該畫素TFT、及該儲(chǔ)存電容的連接。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的無(wú)摻雜硅層、一第一導(dǎo)電型硅層沉積法是先以不含第一導(dǎo)電型雜質(zhì)沉積，次導(dǎo)入包含該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的氣體以沉積該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)摻雜硅層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層是先以微影及蝕刻技術(shù)定義該金屬層，次再以該圖案化的金屬層為罩幕蝕刻該第一導(dǎo)電型硅層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的第一導(dǎo)電型TFT的閘極與其源極距離小于閘極與其汲極的距離、該畫素TFT的閘極與其源極距離小于閘極與其汲極的距離，用以抑制漏電流。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于還包含在圖案化該閘極金屬層后及形成一第一光阻圖案前，先形成一輕滲雜汲極(LDD)罩幕層，以定義進(jìn)行LDD植入的范圍，接著，施以n型雜質(zhì)摻雜，再移除該LDD罩幕層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的護(hù)層形成及圖案化該護(hù)層步驟是包含先沉積一感光樹脂層，再以光罩對(duì)該感光樹脂照光以形成接觸洞圖案。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于還包含在該感光樹脂層形成前先進(jìn)行退火，以活化所述的第一及第二導(dǎo)電型雜質(zhì)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的護(hù)層形成及圖案化該護(hù)層步驟是包含先沉積一氮化硅層；施以退火，以活化所述的第一及第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；沉積該感光樹脂層；圖案化該感光樹脂層以形成接觸洞上部結(jié)構(gòu)；及以該感光樹脂層為罩幕圖案化該氮化硅層以完成該接觸洞的結(jié)構(gòu)。
9.一種制造液晶顯示器的像素薄膜電晶體(TFT)及于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)同時(shí)形成第一導(dǎo)電型TFT及第二導(dǎo)電型TFT的方法，其特征在于該方法至少包含以下步驟由下而上依序形成一無(wú)摻雜硅層、第一導(dǎo)電型硅層及一金屬層于一基板上；圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層，用以定義該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該像素TFT的源極/汲極及該畫素儲(chǔ)存電容底部電極；全面形成一閘極氧化層及一閘極金屬層于該基板上圖案后的表面上；圖案化該閘極氧化層及該閘極金屬層，用以在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)形成該第一導(dǎo)電型TFT的閘極、該第二導(dǎo)電型TFT的閘極，及電源電極，并同時(shí)于該畫素區(qū)形成該畫素TFT的閘極，并形成該畫素儲(chǔ)存電容，其中第一導(dǎo)電型TFT的閘極與其源極/汲極距離不對(duì)稱，畫素TFT的閘極與其源極/汲極距離亦不對(duì)稱；形成一第一光阻圖案于該基板圖案后的表面，該第一光阻圖案裸露該第二導(dǎo)電型TFT的預(yù)定區(qū)；植入第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，以該第一光阻圖案及該第二導(dǎo)電型TFT的閘極為罩幕，以使得該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極僅含有第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；移除該第一光阻圖案；施以退火制程，用以活化該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)及該第二導(dǎo)電型雜質(zhì)；全面形成一感光樹脂做為護(hù)層于該畫素區(qū)及該驅(qū)動(dòng)電路區(qū)表面；圖案化該護(hù)層，用以形成接觸洞，該接觸洞是用以分別裸露該電源電極、該第一導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該第二導(dǎo)電型TFT的源極/汲極、該畫素TFT的源極/汲極及該畫素電容的頂部電極形成一透明導(dǎo)體氧化層于所有區(qū)域，除填滿所述接觸洞，并形成于該護(hù)層上；圖案化該護(hù)層上的透明導(dǎo)體氧化層，用以進(jìn)行該第一導(dǎo)電型TFT、第二導(dǎo)電型TFT、該畫素TFT、及該儲(chǔ)存電容的連接。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述的無(wú)摻雜硅層、一第一導(dǎo)電型硅層沉積法是先以不含第一導(dǎo)電型雜質(zhì)沉積，次導(dǎo)入包含該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的氣體以沉積該第一導(dǎo)電型雜質(zhì)摻雜硅層。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述的圖案化該金屬層及該第一導(dǎo)電型硅層是先以微影及蝕刻技術(shù)定義該金屬層，次再以該圖案化的金屬層為罩幕蝕刻該第一導(dǎo)電型硅層。
12.如權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述的不對(duì)稱，是指閘極與其源極距離小于閘極與其汲極的距離，用以抑制漏電流。
13.如權(quán)利要求9的方法，其特征在于還包含在圖案化該閘極金屬層后及形成一第一光阻圖案前，先形成一輕滲雜汲極(LDD)罩幕層，以定義進(jìn)行LDD植入的范圍，接著，施以n型雜質(zhì)摻雜，再移除該LDD罩幕層。
全文摘要
一種制造液晶顯示器的方法首先，依序形成一無(wú)摻雜硅層、n型硅層及一金屬層于基板上；圖案化以定義n型TFT及像素TFT的源極/汲極及儲(chǔ)存電容底部電極；全面形成一閘極氧化層及一閘極金屬層；圖案化以形成n型TFT的閘極、p型TFT的閘極、電源電極及畫素TFT的閘極及畫素儲(chǔ)存電容，其中閘極的位置與其已形成的源極/汲極距離不對(duì)稱，以抑制漏電流；再形成裸露該p型TFT的預(yù)定區(qū)的一光阻圖案，再施以p型雜質(zhì)布植以形成p型TFT的源極/汲極。在移除光阻圖案后，先施以退火制程以活化雜質(zhì)，再形成一感光樹脂護(hù)層于所有表面；再經(jīng)圖案化形成接觸洞，再形成ITO層，隨之圖案化以形成連接透明連接導(dǎo)線及畫素電容的頂部電極。
文檔編號(hào)H01L29/66GK1530717SQ0311943
公開日2004年9月22日 申請(qǐng)日期2003年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月12日
發(fā)明者陳信銘 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司