專利名稱：二極管制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種二極管的制造方法，特別是極力地將二極管生產(chǎn)中必須的熱處理低溫化，力求減少生產(chǎn)中必要的熱量，減少電力消耗量，同時(shí)通過硅外延片的雜質(zhì)濃度分布維持急劇的變化之方法。
背景技術(shù)：
二極管是一種常用的半導(dǎo)體元件。二極管的制造主要是在一塊外延片上制作出PN結(jié)結(jié)構(gòu)，而外延片是一種具有高濃度N+型單晶硅襯底，在其表面上采用外延工藝加上低濃度N型單晶硅外延層的基片?，F(xiàn)有二極管的制造方法是以外延片為對(duì)象，經(jīng)過氧化(熱處理)、光刻、雜質(zhì)摻入、雜質(zhì)擴(kuò)散、光刻、金屬化(AL)、光刻、合金等工序在外延片上形成PN結(jié)構(gòu)和電極，從而制成二極管?，F(xiàn)有二極管制造方法的不足是1、熱處理溫度高，耗能大，一方面不利于節(jié)約能源，另一方面相應(yīng)的成本較大，比如氧化處理時(shí)需要1200℃，3小時(shí)，而且升溫和降溫需要控制速度(升溫從850℃起以10℃/分的速度進(jìn)行，降溫從1200℃以5℃/分的速度降至850℃)，因此能耗較大。2、制成二極管后硅外延片的雜質(zhì)濃度分布變化較緩，見圖3二極管雜質(zhì)的分布狀態(tài)a)曲線，因此二極管在工作時(shí)速度慢，呈現(xiàn)的電阻大，電能損耗高。3、使用外延片的外延層厚度大(厚度為8μ)，基片價(jià)格貴。因?yàn)橥庋悠窃诤蠸b(銻)或As(砷)高濃度的硅襯底上面長(zhǎng)出外延層，那么長(zhǎng)出的層厚越厚，設(shè)備的占有時(shí)間越長(zhǎng)，生產(chǎn)效率就下降，工序合格率也越下降，所以外延片的價(jià)格與生長(zhǎng)的外延層的厚度成正例。
本發(fā)明的目的是極力地將二極管生產(chǎn)中必須的熱處理低溫化，力求減少生產(chǎn)中必要的熱量，減少電力消耗量，同時(shí)通過硅外延片的雜質(zhì)濃度分布維持急劇的變化，減少二極管的電能損失，提高工作速度，最終實(shí)現(xiàn)低成本、高效率的二極管生產(chǎn)來立足于市場(chǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明在結(jié)構(gòu)方面采用的技術(shù)方案是一種二極管制造方法，以半導(dǎo)體硅外延片為對(duì)象，對(duì)其進(jìn)行氧化膜工序、光刻工序、雜質(zhì)摻入工序、雜質(zhì)擴(kuò)散工序、光刻工序、鈍化膜工序、光刻工序、金屬膜工序、光刻工序以及合金工序，其創(chuàng)新在于制膜工序及雜質(zhì)摻入工序采用化學(xué)汽相淀積方法并結(jié)合低溫?zé)崽幚碓诎雽?dǎo)體片表面沉積薄層材料。
上述技術(shù)方案的有關(guān)內(nèi)容和變化解釋如下1、上述方案中，所述“化學(xué)汽相淀積方法”是在一定壓力條件下，用汽相化學(xué)的方法在半導(dǎo)體片表面沉積薄層材料的方法，英文為[CVD(ChemicalVapor Deposition)]。所述“制膜工序”具體指氧化膜工序和鈍化膜工序。
2、上述方案中，所述低溫?zé)崽幚硎窍鄬?duì)現(xiàn)有技術(shù)中的熱處理溫度而言，以往氧化時(shí)熱處理溫度為1200℃，而現(xiàn)在只需要950℃。
3、上述方案中，所述氧化膜工序、鈍化膜工序以及雜質(zhì)摻入工序中至少兩個(gè)工序是采用化學(xué)汽相淀積方法生產(chǎn)的。
4、上述方案中，所述氧化膜工序的具體工藝為先采用化學(xué)汽相淀積方法(CVD)在半導(dǎo)體硅片表面沉積多晶硅薄層材料，淀積溫度650℃，時(shí)間3小時(shí)，氣源為硅烷(SiH4)，氣體流速為150毫升/分(SCCM)，真空度為350(mmHg)，然后在950℃條件下，通濕氧(蒸氣)1小時(shí)進(jìn)行氧化處理。
5、上述方案中，所述雜質(zhì)摻入工序的具體工藝為采用化學(xué)汽相淀積方法(CVD)在半導(dǎo)體硅片表面沉積硼薄層材料，淀積溫度650℃，時(shí)間30分鐘，氣源為硅烷(SiH4)和P型雜質(zhì)硼化氫(H3B6)，氣體流速硅烷為150毫升/分(SCCM)，硼化氫4毫升/分(SCCM)，真空度為350(mmHg)。
6、上述方案中，所述鈍化膜工序的第一種具體工藝為采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面進(jìn)行磷硅玻璃淀積，淀積溫度350℃，磷濃度為4.0mol％，厚度1μm，時(shí)間30分鐘，還可以在磷硅玻璃淀積之后增加非晶氮化硅淀積和光刻，所述非晶氮化硅淀積采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面進(jìn)行，淀積溫度350℃，厚度最小為0.5μm，時(shí)間30分鐘。
7、上述方案中，所述鈍化膜工序的第二種具體工藝為采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面進(jìn)行非晶氮化硅淀積，淀積溫度350℃，厚度最小為0.5μm，時(shí)間30分鐘。
8、上述方案中，在生產(chǎn)工序中采用兩次以上的氧化工藝。第一次是指下表2、表3和表4中的第2項(xiàng)，即氧化(熱處理)工藝，該工藝在硅表面形成了二氧化硅層。第二次是指下表2、表3和表4中的第5項(xiàng)，即雜質(zhì)擴(kuò)散(氧化)工藝，該工藝在硅表面形成了二氧化硅層。第三次是指下表3和表4中的第7項(xiàng)，即PSG淀積(CVD)(氧化)工藝。
下面通過列表形式給出現(xiàn)有技術(shù)以及本發(fā)明主要工藝和條件表1為以往現(xiàn)有技術(shù)

表2為本發(fā)明技術(shù)(一)

表3為本發(fā)明技術(shù)(二)


表4為本發(fā)明技術(shù)(三)

本發(fā)明技術(shù)方案的核心在于低溫下進(jìn)行的工序，其實(shí)現(xiàn)的手段是采用化學(xué)汽相淀積方法(CVD方法)。與現(xiàn)有的二極管及其制造方法相比，可以獲得如下效果1可以使用低價(jià)格的外延片來制造二極管；2二極管的工作電耗減少；3二極管的工作速度快；4器件晶片尺寸小型化5生產(chǎn)工序中的能耗小；6生產(chǎn)成本低。
本發(fā)明二極管制造方法，從總體工序方面看由氧化工序、雜質(zhì)摻入工序、雜質(zhì)擴(kuò)散工序及金屬膜形成工序來形成，與現(xiàn)有二極管、晶體管、IC、VLSI(超大規(guī)模集成電路)等半導(dǎo)體器件的工序基本相同，屬同樣的道理。
本發(fā)明的新異點(diǎn)在于在方法、條件、組合等方面與以往不同，具體不同之處體現(xiàn)在兩個(gè)方面，一是低溫下進(jìn)行的工序，二是對(duì)制膜工序和雜質(zhì)摻入工序采用二次以上化學(xué)汽相淀積方法[CVD(Chemical Vapor Deposition)]和二次以上的氧化工序進(jìn)行。結(jié)果在經(jīng)濟(jì)性、實(shí)用性方面獲得很大利益的同時(shí)，還節(jié)省了生產(chǎn)中的能耗，提高了二極管的性能和品質(zhì)。具體體現(xiàn)在以下幾方面1、眾所周知，外延片的原價(jià)，與生長(zhǎng)的外延層的厚度成正比。外延層厚越厚，設(shè)備的占有時(shí)間越長(zhǎng)，生產(chǎn)效率就下降。時(shí)間越長(zhǎng)，工序合格率越下降。所以外延層做得薄，可獲得生產(chǎn)的效率提高和工序合格率提高的雙重效果，結(jié)果原價(jià)劇減。
2、本發(fā)明對(duì)二極管采用低溫化的生產(chǎn)工序，所以生產(chǎn)工序中由熱處理而產(chǎn)生的硅外延層中的高濃度雜質(zhì)的陡峭分布帶來實(shí)效是外延層厚減小，獲得陡峭分布使外延層的厚度變得薄之效果。這點(diǎn)由圖3很容易理解。
從圖3中還可以知道，低溫處理中，雜質(zhì)變化b)相對(duì)于表面的深度呈急劇變化，這樣電子走行距離短，相應(yīng)地動(dòng)作快，這點(diǎn)說明通過電流的電阻小，所以電壓損失及電力損失也少。因此電力損失的減少帶來自身的發(fā)熱減少，相應(yīng)地散熱面積需要得少，結(jié)果器件面積可以做小。
3、通過上述方法及各因素的多重相互影響的效果，既節(jié)省能源，提高了產(chǎn)品的性能和品質(zhì)，而且產(chǎn)品的生產(chǎn)成本大幅度地下降，因此實(shí)際效果非常顯著。據(jù)計(jì)算，與過去的方法相比，實(shí)施本發(fā)明估計(jì)可減少芯片尺寸約60％、綜合原價(jià)近50％。實(shí)用性之大、獲利性之大可想而知。


附圖1為一般二極管斷面圖。其中1為氧化膜，2為雜質(zhì)的擴(kuò)散層，3為外延成長(zhǎng)層，4為其硅襯底，5為保護(hù)環(huán)擴(kuò)散層。
附圖2為形成二極管的硅襯底的雜質(zhì)的分布狀態(tài)。在這里是硅外延片的狀態(tài)。(n0為外延層原始雜質(zhì)濃度，n+為襯底濃度)。
附圖3為把肖特基二極管(考慮了保護(hù)環(huán)擴(kuò)散)實(shí)際做出來時(shí)的雜質(zhì)的分布狀態(tài)。其中a)是用過去的技術(shù)制成的情況；b)是用本發(fā)明技術(shù)制成的情況。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖、比較例及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述比較例參見表1所述的工序條件下做成二極管。
所使用的外延片的規(guī)格如下硅襯底 電阻率3μΩCM 雜質(zhì)As外延層 電阻率0.8ΩCM 厚度8μ做成二極管后測(cè)定外延層厚度和濃度分布結(jié)果，見圖3，a)，這時(shí)由硅外延層的雜質(zhì)，緩變分布效果所減少的外層厚達(dá)到接近4μ，即實(shí)際外延層厚為4μ。做成二極管的結(jié)果，Vf為0.55V。
具體工藝步驟如下1、清洗半導(dǎo)體硅片。用氫氧化銨(NH4OH)、雙氧水(H2O2)和水(H2O)按1∶4∶20配制的清洗液，在65℃條件下清洗硅片2.5分鐘。
2、旋轉(zhuǎn)甩干。把硅片插在旋轉(zhuǎn)體上，在氮?dú)?N2)保護(hù)中以每分鐘1000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)5分鐘。
3、氧化。對(duì)硅片進(jìn)行加溫，從850℃開始以10℃/分鐘升溫到1200℃，通干氧(O2)10分鐘→濕氧(蒸氣)3小時(shí)→干氧(O2)10分鐘，以5℃/分鐘降溫到850℃。
4、烘烤。在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下，將硅片用200℃烘烤30分鐘。
5、涂膠。以4000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)涂膠30秒。
6、烘烤。用熱板以120℃烘烤硅片30秒。
7、用光刻板曝光。用光刻板以1000000勒克司-秒(Lux-Sec)的光照強(qiáng)度對(duì)硅片進(jìn)行曝光。
8、顯影。以500轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)顯影60秒。
9、烘烤。同步驟6。
10、檢驗(yàn)。用顯微鏡對(duì)光刻的顯影觀察檢驗(yàn)。
11、烘烤。在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下，用150℃烘烤30分鐘堅(jiān)膜。
12、腐蝕。用氫氟酸(HF)、氟化銨(NH4F)按1∶6配制的試劑對(duì)光刻后的硅片進(jìn)行腐蝕，溫度為20℃，時(shí)間為20分鐘。
13、檢驗(yàn)。用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。
14、去膠。用硫酸(H2SO4)、雙氧水(H2O2)按10∶1比例對(duì)硅片去膠，溫度120℃，時(shí)間10分鐘。
15、檢驗(yàn)。同步驟13。
16、清洗硅片。同步驟1。
17、檢驗(yàn)。同步驟13。
18、硼淀積(雜質(zhì)摻入)。將氮化硼(BN)片與外延片緊貼在1000℃條件下預(yù)淀積30分鐘。
19、去除硼硅玻璃。用氫氟酸(HF)、水(H2O)按1∶5比例配制的試劑，在20℃條件下用30秒時(shí)間去除硼硅玻璃。
20、擴(kuò)散氧化(雜質(zhì)擴(kuò)散)。在1200℃條件下，通干氧(O2)10分鐘→濕氧(蒸氣)50分鐘→干氧(O2)10分鐘。
21、烘烤。同步驟4。
22、涂膠。同步驟5。
23、烘烤。同步驟6。
24、用光刻板曝光。同步驟7。
25、顯影。同步驟8。
26、烘烤。同步驟9。
27、檢驗(yàn)。同步驟10。
28、烘烤。同步驟11。
29、腐蝕。同步驟12。
30、檢驗(yàn)。同步驟13。
31、去膠。同步驟14。
32、檢驗(yàn)。同步驟15。
33、清洗硅片。同步驟16。
34、在金屬淀積之前的預(yù)處理。用氫氟酸(HF)、水(H2O)以1∶30比例在20℃條件下預(yù)處理20秒。
35、金屬淀積。以5×10-6(mmHg)的真空度在150℃條件下，用 (埃/秒)淀積金屬鋁(AL)，淀積厚度為5微米。
36、烘烤。同步驟4。
37、涂膠。同步驟5。
38、烘烤。同步驟6。
39、用光刻板曝光。同步驟7。
40、顯影。同步驟8。
4l、烘烤。同步驟9。
42、檢驗(yàn)。同步驟10。
43、烘烤。同步驟1l。
44、腐蝕。用磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、醋酸(CH3COOH)按93∶l∶6的重量比配制的腐蝕液，在65℃條件下，用29KHz500W的超聲波腐蝕3分鐘。
45、檢驗(yàn)。用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。
46、去膠。用502去膠液(Tokyo-Ohka)在60℃條件下處理15分鐘。
47、檢驗(yàn)。用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。
48、合金。在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，用400℃處理30分鐘。
實(shí)施例一參見表232工序條件下做成二極管。
所使用的外延片的規(guī)格如下硅襯底 電阻率3μΩQCM 雜質(zhì)As外延層 比電阻O.8ΩCM 厚度8μ做成二極管后測(cè)定外延層厚和濃度分布結(jié)果，見圖3，b)。這時(shí)由硅外延層的雜質(zhì)層陡峭分布效果所減少的外延層厚為1μ，即實(shí)際外延層厚為7μ。做成二極管的結(jié)果是，二極管的正向壓降，Vf為0.65V。這是因?yàn)閷?shí)際外延層度厚的原因。
具體工藝步驟如下
1、清洗半導(dǎo)體硅片。用氫氧化銨(NH4OH)、雙氧水(H2O2)和水(H2O)按1∶4∶20配制的清洗液，在65℃條件下清洗硅片2.5分鐘。
2、多晶硅淀積。采用化學(xué)汽相淀積方法[CVD(Chemical VaporDeposition)]在半導(dǎo)體硅片表面沉積多晶硅薄層材料，淀積溫度650℃，時(shí)間3小時(shí)，氣源為硅烷(SiH4)，氣體流速為150毫升/分(SCCM)，真空度為350(mmHg)。
3、擦洗(1)。用75公斤/厘米2的高壓去離子水(DI water)擦洗1分鐘。
4、擦洗(2)。再用1公斤/厘米2的去離子水(DI water)擦洗1分鐘。
5、清洗硅片。同步驟1。
6、氧化。在950℃條件下，通濕氧(蒸氣)1小時(shí)(沒有以往氧化過程中的升溫和降溫)。
7、烘烤。在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下，將硅片用200℃烘烤30分鐘。
8、涂膠。以4000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)涂膠30秒。
9、烘烤。用熱板以120℃烘烤硅片30秒。
10、用光刻板曝光。用光刻板以1000000勒克司-秒(Lux-Sec)的光照強(qiáng)度對(duì)硅片進(jìn)行曝光。
11、顯影。以500轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)顯影60秒。
12、烘烤。同步驟9。
13、檢驗(yàn)。用顯微鏡對(duì)光刻的顯影觀察檢驗(yàn)。
14、烘烤。在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下，用150℃烘烤30分鐘堅(jiān)膜。
15、腐蝕。用氫氟酸(HF)、氟化銨(NH4F)按1∶6配制的試劑對(duì)光刻后的硅片進(jìn)行腐蝕，溫度為20℃，時(shí)間為20分鐘。
16、檢驗(yàn)。用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。
17、去膠(剝膠)。用硫酸(H2SO4)、雙氧水(H2O2)按10∶1比例對(duì)硅片去膠，溫度120℃，時(shí)間10分鐘。
18、檢驗(yàn)。用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。
19、清洗硅片。同步驟1。
20、硼淀積(雜質(zhì)摻入)。采用化學(xué)汽相淀積方法[CVD(Chemical VaporDeposition)]在半導(dǎo)體硅片表面沉積硼薄層材料，淀積溫度650℃，時(shí)間30分鐘，氣源為硅烷(SiH4)和P型雜質(zhì)硼化氫(H3B6)，氣體流速硅烷為150毫升/分(SCCM)，硼化氫4毫升/分(SCCM)，真空度為350(mmHg)。
2l、擴(kuò)散氧化(雜質(zhì)擴(kuò)散)。在1200℃條件下，通干氧(O2)10分鐘一濕氧(蒸氣)50分鐘→干氧(O2)10分鐘。
22、烘烤。同步驟7。
23、涂膠。同步驟8。
24、烘烤。同步驟9。
25、用光刻板曝光。同步驟10。
26、顯影。同步驟11。
27、烘烤。同步驟12。
28、檢驗(yàn)。同步驟13。
29、烘烤。同步驟14。
30、檢驗(yàn)。同步驟15。
3l、去膠。同步驟16。
32、檢驗(yàn)。同步驟17。
33、清洗硅片。同步驟1。
34、在金屬淀積之前的預(yù)處理。用氫氟酸(HF)、水(H2O)以1∶30比例，在20℃條件下預(yù)處理20秒。
35、金屬淀積。以5×10-6(mmHg)的真空度在150℃條件下，用 (埃/秒)淀積金屬鋁(AL)，淀積厚度為5微米。
36、烘烤。同步驟7。
37、涂膠。同步驟8。
38、烘烤。同步驟9。
39、用光刻板曝光。同步驟10。
40、顯影。同步驟11。
41、烘烤。同步驟12。
42、檢驗(yàn)。同步驟13。
43、烘烤。同步驟14。
44、腐蝕。用磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、醋酸(CH3COOH)按93∶1∶6的重量比配制的腐蝕液，在65℃條件下，用29KHz500W的超聲波腐蝕3分鐘。
45、檢驗(yàn)。用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。
46、去膠。用502去膠液(Tokyo-Ohka)在60℃條件下處理15分鐘。
47、檢驗(yàn)。用顯微鏡觀察檢驗(yàn)。
48、合金。在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，用400℃處理30分鐘。
實(shí)施例二在實(shí)例一的基礎(chǔ)上，如表2工序條件下做成二極管。
所使用的外延片的規(guī)格如下。
硅襯底 電阻率3μΩCM 雜質(zhì)As外延層 電阻率0.5ΩCM 厚度5μ做成二極管的結(jié)果是，二極管的正向壓降，Vf為0.47V，即得到了改善。
具體工藝步驟同實(shí)施例一。
實(shí)施例三與實(shí)例二相同，但在表2中，用多晶硅作膜時(shí)，熱處理溫度為1000℃、2小時(shí)氧化，其他完全相同。
做出來的二極管的特性，與實(shí)例二基本上相同。
具體工藝步驟同實(shí)施例二。
實(shí)施例四參見表3工序和條件下做成二極管。
所使用的外延片的規(guī)格如下。
硅襯底 電阻率3μΩCM 雜質(zhì)As外延層 電阻率0.5ΩCM 厚度5μ做成二極管的結(jié)果是，二極管的正向壓降，Vf為0.47V，即得到了改善。
表3與表2相比，第1-6項(xiàng)的工藝和條件相同，表3從第7開始增加了磷硅玻璃(PSG)淀積，即用第三次CVD(氧化)工序，鈍化器件，其目的是進(jìn)一步提高器件可靠性。其它工藝與實(shí)施例二相同，這里不重復(fù)描述。本實(shí)施例樣品基本參數(shù)與實(shí)施例二相同。
實(shí)施例五參見表4工序條件下做成二極管。
所使用的外延片的規(guī)格如下。
硅襯底 電阻率3μΩCM 雜質(zhì)As外延層 電阻率0.5ΩCM 厚度5μ做成二極管的結(jié)果是，二極管的正向壓降，Vf為0.47V，即得到了改善。
表4與表3相比，第1-8項(xiàng)的工藝和條件相同，表4從第9開始又增加了非晶氮化硅淀積(CVD)，即采用第四次CVD工序，其目的是解決PSG膜穩(wěn)定性問題，增加淀積非晶氮化硅[ASN(Amorphous Silicon Nitride)]膜，同時(shí)增強(qiáng)鈍化能力。其它工藝與實(shí)施例四相同，這里不重復(fù)描述。本實(shí)施例樣品基本參數(shù)與實(shí)施例二相同。
在實(shí)例中，采用四次CVD工序，不僅二氧化硅(SiO2)和多晶硅薄膜，還有磷硅玻璃(PSG)和非晶氮化硅(ASN)薄膜。
權(quán)利要求
1.一種二極管制造方法，以半導(dǎo)體硅外延片為對(duì)象，對(duì)其進(jìn)行氧化膜工序、光刻工序、雜質(zhì)摻入工序、雜質(zhì)擴(kuò)散工序、光刻工序、鈍化膜工序、光刻工序、金屬膜工序、光刻工序以及合金工序，其特征在于制膜工序及雜質(zhì)摻入工序采用化學(xué)汽相淀積方法并結(jié)合低溫?zé)崽幚碓诎雽?dǎo)體片表面沉積薄層材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管制造方法，其特征在于所述氧化膜工序、鈍化膜工序以及雜質(zhì)摻入工序中至少兩個(gè)工序是采用化學(xué)汽相淀積方法生產(chǎn)的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二極管制造方法，其特征在于在氧化膜工序中先采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面沉積多晶硅薄層材料，淀積溫度650℃，然后在950℃條件下，進(jìn)行氧化處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二極管制造方法，其特征在于在雜質(zhì)摻入工序中采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面沉積硼薄層材料，淀積溫度650℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二極管制造方法，其特征在于在鈍化膜工序中采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面進(jìn)行磷硅玻璃淀積，淀積溫度350℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二極管制造方法，其特征在于在進(jìn)行磷硅玻璃淀積之后增加非晶氮化硅淀積和光刻，所述非晶氮化硅淀積采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面進(jìn)行，淀積溫度350℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二極管制造方法，其特征在于在鈍化膜工序中采用化學(xué)汽相淀積方法在半導(dǎo)體硅片表面進(jìn)行非晶氮化硅淀積，淀積溫度350℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管制造方法，其特征在于在生產(chǎn)工序中采用兩次以上的氧化工藝。
全文摘要
一種二極管制造方法，以半導(dǎo)體硅外延片為對(duì)象，對(duì)其進(jìn)行氧化膜工序、光刻工序、雜質(zhì)摻入工序、雜質(zhì)擴(kuò)散工序、光刻工序、鈍化膜工序、光刻工序、金屬膜工序、光刻工序以及合金工序，其特征在于制膜工序及雜質(zhì)摻入工序采用化學(xué)汽相淀積方法并結(jié)合低溫?zé)崽幚碓诎雽?dǎo)體片表面沉積薄層材料。本發(fā)明核心在于低溫下進(jìn)行的工序，其實(shí)現(xiàn)的手段是對(duì)制膜工序和雜質(zhì)摻入工序采用化學(xué)汽相淀積方法(CVD方法)進(jìn)行。結(jié)果在經(jīng)濟(jì)性、實(shí)用性方面獲得很大利益的同時(shí)，還節(jié)省了生產(chǎn)中的能耗，提高了二極管的性能和品質(zhì)。據(jù)計(jì)算，與過去的方法相比，實(shí)施本發(fā)明估計(jì)可減少芯片尺寸約60％、綜合原價(jià)近50％。實(shí)用性之大、獲利性之大可想而知。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1484284SQ0313221
公開日2004年3月24日 申請(qǐng)日期2003年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月29日
發(fā)明者吳念博 申請(qǐng)人:蘇州固锝電子股份有限公司