專利名稱：固體攝像器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有多個(gè)根據(jù)入射光生成信號(hào)電荷的單位象素的固體攝像器件。
背景技術(shù)：
以前，已知有在半導(dǎo)體晶片的背面形成吸氣(gettering)層、并將晶片內(nèi)的金屬污染集中在背面?zhèn)炔蹲降奈鼩饧夹g(shù)。關(guān)于這樣的吸氣技術(shù)的背景技術(shù)，在日本電子通信學(xué)會(huì)編制的《LSIハンドブツク(手冊(cè))》(第一版第一次印刷，358頁(yè)～364頁(yè)，オ-ム社發(fā)行)中有所記載。
此外，在日本特開(kāi)2002-43557號(hào)公報(bào)中記載了在固體攝像器件中適用了吸氣技術(shù)的例子。在該現(xiàn)有公報(bào)中，在包圍象素區(qū)域的阱的外側(cè)(主要在阱的下方)形成了吸氣層。
一般地，若固體攝像器件被金屬等污染，則從該污染處產(chǎn)生暗輸出，使圖像信號(hào)的信噪比降低。
特別是在外延層形成了象素區(qū)域的情況下，金屬污染顯著發(fā)生。作為這樣的金屬雜質(zhì)的污染源，例舉有外延生長(zhǎng)的材料氣體中的金屬和使用于工藝設(shè)備(氣體配管等)的金屬等。由于由該金屬雜質(zhì)產(chǎn)生的暗輸出直接作用于外延層的象素區(qū)域，故圖像信號(hào)的信噪比降低很大。
因此，本發(fā)明者對(duì)于在工藝設(shè)備中使用很多的、成為暗輸出的主要原因的“鐵”進(jìn)行了假想工藝過(guò)程的污染實(shí)驗(yàn)。在該實(shí)驗(yàn)中，在將硅基片加熱到900℃的狀態(tài)下，使鐵固溶在硅基片中。這時(shí)，暗輸出等使元件特性惡化的鐵污染就一直發(fā)生到從基片表面5μm的深度。
從該實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以想象，在固體攝像器件的工藝過(guò)程中產(chǎn)生的金屬污染直接污染了表面附近的象素區(qū)域。
但是，在上述現(xiàn)有的吸氣技術(shù)中，將吸氣層形成在“基片背面”或“阱的下方”。因此，吸氣層與象素區(qū)域(基片表面)的間隔實(shí)際較遠(yuǎn)，存在對(duì)于金屬污染集中的象素區(qū)域吸氣能力容易不足的問(wèn)題。
特別是，若固體攝像器件的元件微細(xì)化發(fā)展而使工藝低溫化，則吸氣能力就全面降低，因此，對(duì)于象素區(qū)域的污染去除的效果就容易不充分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種對(duì)固體攝像器件(象素區(qū)域)的污染去除有效的吸氣技術(shù)。以下關(guān)于本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。
(1)本發(fā)明的固體攝像器件是具有多個(gè)根據(jù)入射光生成信號(hào)電荷的單位象素的固體攝像器件。在這些多個(gè)單位象素的至少一部分區(qū)域中設(shè)置吸氣區(qū)域。
(2)再有，最好在設(shè)置于半導(dǎo)體基片上的阱中形成多個(gè)單位象素。在該阱的內(nèi)部設(shè)置吸氣區(qū)域。
(3)此外，最好每個(gè)單位象素獨(dú)立地設(shè)置吸氣區(qū)域。
(4)再有，最好將吸氣區(qū)域形成在與單位象素的進(jìn)行光電變換的層大致相等的深度。
(5)此外，最好將吸氣區(qū)域設(shè)置在單位象素的區(qū)域內(nèi)的被遮光的地方上。
(6)再有，最好將吸氣區(qū)域設(shè)定為平均雜質(zhì)濃度在1E20cm-3以上的區(qū)域。
(7)此外，最好將吸氣區(qū)域內(nèi)的鐵的平均面積濃度設(shè)定在1E10cm-2以上。
(8)再有，最好將吸氣區(qū)域設(shè)定在存在晶格缺陷的區(qū)域上。
(9)此外，最好將吸氣區(qū)域設(shè)定在包含硼、磷、砷和銻中的至少一種作為雜質(zhì)的區(qū)域上。
(10)再有，最好在施加恒電壓的地方上設(shè)置吸氣區(qū)域。
(11)此外，最好至少在一部分的單位象素的區(qū)域內(nèi)設(shè)置上述吸氣區(qū)域和與金屬布線接觸的接觸區(qū)域。


可以利用以下的說(shuō)明和附圖，容易地確認(rèn)本發(fā)明中的上述目的和除此之外的目的。
圖1是示出固體攝像器件10的感光面的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是示出單位象素11的等效電路的圖。
圖3是沿圖1中的A-A’線的剖面圖。
圖4是沿圖1中的B-B’線的剖面圖。
圖5是示出固體攝像器件30的感光面的結(jié)構(gòu)的圖。
圖6是示出單位象素41的等效電路的圖。
圖7是沿圖5中的C-C’線的剖面圖。
圖8是沿圖5中的D-D’線的剖面圖。
圖9是示出吸氣區(qū)域的平均雜質(zhì)濃度與固體攝像器件的暗輸出之間關(guān)系的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
具體實(shí)施例方式
以下，基于

本發(fā)明涉及的實(shí)施方式。
第一實(shí)施方式圖1是示出固體攝像器件10的感光面的結(jié)構(gòu)的圖。
如圖1所示，固體攝像器件10大致由排列成陣列狀的單位象素11和包含垂直掃描電路等的外圍電路12構(gòu)成。這些多個(gè)單位象素11形成在阱13的內(nèi)側(cè)。
圖2是示出該單位象素11的等效電路的圖。
在單位象素11中構(gòu)圖形成下面的元件。
(1)將入射光光電變換成信號(hào)電荷的光電二極管PD、(2)復(fù)位用的MOS開(kāi)關(guān)Qr、(3)用于從光電二極管PD讀取信號(hào)電荷的MOS開(kāi)關(guān)Qt、(4)將讀取的信號(hào)電荷變換成電壓信號(hào)的放大元件Qa、
(5)用于選擇輸出行的MOS開(kāi)關(guān)Qs。
圖3是圖1中示出的A-A’線的剖面圖。
如圖3所示，除了光電二極管PD的開(kāi)口部分以外，單位象素11的表面被遮光膜15覆蓋。
在單位象素11的除了電路元件以外的區(qū)域中，適當(dāng)?shù)匦纬蓤?chǎng)氧化膜17，使相鄰的單位象素11相互分離并絕緣。在該場(chǎng)氧化膜17的下面形成吸氣區(qū)域20。該吸氣區(qū)域20是硼等平均雜質(zhì)濃度滿足下式的高濃度雜質(zhì)區(qū)域。
1E20cm-3≤平均雜質(zhì)濃度≤1E23cm-3關(guān)于該上限值1E23cm-3，是與金屬硼的濃度大致相等的值。另一方面，關(guān)于下限值1E20cm-3的根據(jù)，在后述的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的說(shuō)明中詳細(xì)解釋。
此外，在該吸氣區(qū)域20的內(nèi)部存在位錯(cuò)環(huán)或堆垛層錯(cuò)或空位等晶格缺陷。該晶格缺陷由于存在于吸氣區(qū)域20內(nèi)，故不達(dá)到光電二極管的耗盡區(qū)域，而在光電二極管PD中引起漏電流的可能性小。
這樣的吸氣區(qū)域20通過(guò)捕捉鐵污染，結(jié)果鐵的平均面積濃度示出1E10cm-2以上。
例如，作為這樣的吸氣區(qū)域20的形成方法，可以在形成場(chǎng)氧化膜17之前離子注入硼，在氮?dú)鈿夥罩袑?shí)施950℃、30分鐘的退火處理。這樣的處理后，在1000℃左右的高溫下進(jìn)行氧化，在吸氣區(qū)域20的上面形成厚的場(chǎng)氧化膜17。
此外，作為另外的吸氣區(qū)域20形成方法，也可以通過(guò)場(chǎng)氧化膜17，利用高能量離子注入法向場(chǎng)氧化膜17的下面導(dǎo)入硼。
(第一實(shí)施方式的效果等)上述的吸氣區(qū)域20具有如下特征。
(A)吸氣區(qū)域20設(shè)置在電路形成單位象素11的區(qū)域內(nèi)(或者電路形成單位象素11的多個(gè)層中)。從而，根據(jù)上述的現(xiàn)有技術(shù)，實(shí)際縮短了吸氣區(qū)域20與單位象素11的間隔，能夠得到對(duì)單位象素11的高吸氣效果。其結(jié)果，吸氣區(qū)域20對(duì)于容易受金屬污染影響的單位象素11發(fā)揮強(qiáng)有力的吸氣效果，容易提高固體攝像器件10的信噪比。
(B)吸氣區(qū)域20存在于包圍單位象素11的阱13的內(nèi)部。從而，吸氣區(qū)域20從阱13內(nèi)側(cè)直接作用于單位象素11，能夠得到更高的吸氣效果。
(C)吸氣區(qū)域20形成在與光電二極管PD的耗盡區(qū)域大致相等的深度。從而，能夠?qū)怆姸O管PD的耗盡區(qū)域得到高的吸氣效果。其結(jié)果，就能顯著拉出存在于光電二極管PD的耗盡區(qū)域中的污染金屬，能顯著降低在該耗盡區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的暗輸出。其結(jié)果，能確實(shí)提高固體攝像器件10的信噪比。
(D)吸氣區(qū)域20設(shè)置在被遮光膜15遮光的地方。因此，即使固體攝像器件10處于光照射下，吸氣區(qū)域20也保持為暗狀態(tài)。通常，通過(guò)白光的照射，吸氣區(qū)域20內(nèi)的、與硼成對(duì)構(gòu)成的重金屬的施主一部分背離。但是，在本實(shí)施方式中，由于吸氣區(qū)域20被置于暗狀態(tài)，因此，捕捉的金屬的背離少，能持續(xù)地得到更穩(wěn)定的吸氣效果。
(E)在吸氣區(qū)域20中存在晶格缺陷。晶格缺陷由于其不規(guī)則結(jié)構(gòu)而對(duì)周圍的晶體產(chǎn)生晶格變形。該晶格變形作為重金屬類的吸氣中心而工作。從而，吸氣區(qū)域20利用該晶格變形的吸氣作用，就能進(jìn)一步有效地捕捉金屬污染。
(F)特別是，在此的吸氣區(qū)域20能夠設(shè)為不與金屬布線接觸的區(qū)域。由于這樣的吸氣區(qū)域20能夠配置成與金屬布線的圖形無(wú)關(guān)，因此，位置的自由度高。因此，能夠?qū)⒃撐鼩鈪^(qū)域20適當(dāng)?shù)嘏渲迷诠怆姸O管PD的耗盡區(qū)域的附近。該情況下，能夠?qū)υ摵谋M區(qū)域提高重點(diǎn)且有效的吸氣效果。其結(jié)果，就能有效地降低在該耗盡區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的暗輸出，能有效地提高固體攝像器件10的信噪比。
下面，關(guān)于另外的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
第二實(shí)施方式由于第二實(shí)施方式中的單位象素的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式(圖1、圖2)相同，故省略在此的說(shuō)明。
圖4是沿圖1中的B-B’線的剖面圖。
如圖4所示，在第二實(shí)施方式中，在MOS開(kāi)關(guān)Qr的區(qū)域(施加復(fù)位電壓的區(qū)域)、放大元件Qa的漏極區(qū)域和MOS開(kāi)關(guān)Qs的區(qū)域(與垂直讀出線連接的區(qū)域)中設(shè)置吸氣區(qū)域20a。再有，在這些區(qū)域內(nèi)，由于與金屬布線歐姆接觸的區(qū)域區(qū)別于不與金屬布線歐姆接觸的吸氣區(qū)域，因此有時(shí)也特殊地稱作接觸區(qū)域。
在這些吸氣區(qū)域20a中，例如按1E20cm-3以上的平均雜質(zhì)濃度導(dǎo)入磷作為雜質(zhì)。
此外，在該吸氣區(qū)域20a的內(nèi)部也存在位錯(cuò)環(huán)或堆垛層錯(cuò)或空位等晶格缺陷。
作為這些吸氣區(qū)域20a的形成方法，可以利用例如離子注入法從半導(dǎo)體基片的表面導(dǎo)入磷，之后，在例如氮?dú)鈿夥罩性?50℃以下的溫度中退火30分鐘來(lái)激活磷即可。
這樣的吸氣區(qū)域20a通過(guò)捕捉鐵污染，結(jié)果鐵的平均面積濃度為1E10cm-2以上。
(第二實(shí)施方式的效果等)這樣地，在第二實(shí)施方式中追加吸氣區(qū)域20a。因此，就能進(jìn)一步提高第一實(shí)施方式中說(shuō)明過(guò)的吸氣效果。
下面，關(guān)于另外的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
第三實(shí)施方式圖5是示出固體攝像器件30的感光面的結(jié)構(gòu)的圖。
如圖5所示，固體攝像器件30大致由排列成陣列狀的單位象素41和包含垂直掃描電路等的外圍電路42構(gòu)成。
圖6是示出該單位象素41的等效電路的圖。
單位象素41由以下構(gòu)圖構(gòu)成將入射光光電變換成信號(hào)電荷的光電二極管PD，用于從光電二極管PD讀取信號(hào)電荷的MOS開(kāi)關(guān)Qt，復(fù)位用的MOS開(kāi)關(guān)Qr，以及將讀取的信號(hào)電荷變換成電壓信號(hào)的結(jié)型FET的放大元件Qa。
圖7是沿圖5中的C-C’線的剖面圖。
圖8是沿圖5中的D-D’線的剖面圖。
如圖7和圖8所示，在第三實(shí)施方式中，在MOS開(kāi)關(guān)Qr的主電極32(施加復(fù)位電壓的一側(cè))和放大元件Qa的漏極33上分別設(shè)有吸氣區(qū)域32a、33a。再有，在這些區(qū)域內(nèi)，由于與金屬布線歐姆接觸的區(qū)域區(qū)別于不與金屬布線歐姆接觸的吸氣區(qū)域，因此有時(shí)也特殊地稱作接觸區(qū)域。
在這些吸氣區(qū)域32a中例如按1E20cm-3以上的平均雜質(zhì)濃度導(dǎo)入硼。此外，在這些吸氣區(qū)域33a中，例如按1E20cm-3以上的平均雜質(zhì)濃度導(dǎo)入磷。
另外，在這些吸氣區(qū)域32a、33a的內(nèi)部也存在位錯(cuò)環(huán)或堆垛層錯(cuò)或空位等晶格缺陷。
作為這些吸氣區(qū)域32a、33a的形成方法，可以利用例如離子注入法導(dǎo)入氟化硼或磷，之后，在例如氮?dú)鈿夥罩?、?50℃以下的溫度中退火30分鐘。
這樣的吸氣區(qū)域32a、33a通過(guò)捕捉鐵污染，結(jié)果鐵的平均面積濃度為1E10cm-2以上。
再有，在第三實(shí)施方式中，對(duì)半導(dǎo)體基片實(shí)施現(xiàn)有技術(shù)的本征吸氣(IG)處理，形成了微小缺陷區(qū)域(體微小缺陷BMD)31b和基片表面的無(wú)缺陷區(qū)域(DZ區(qū)域)31a。
利用該微小缺陷區(qū)域31b，也能夠從單位象素41的區(qū)域下方捕捉金屬污染，能得到更可靠的吸氣效果。
(第三實(shí)施方式的效果等)在第三實(shí)施方式中，利用吸氣區(qū)域32a、33a，能得到與第一實(shí)施方式同樣的效果。
另外，在第三實(shí)施方式中，也能得到如下三點(diǎn)的效果。
(1)一般地，在現(xiàn)有的吸氣技術(shù)中，由于將吸氣層設(shè)置在基片單位和阱單位上，因此，吸氣層的尺寸大。由于這樣的吸氣層不但尺寸大而且高濃度地包含雜質(zhì)和缺陷，因此，很難不對(duì)單位象素的元件結(jié)構(gòu)和功能及工作產(chǎn)生壞影響。因此，以前需要充分地分離吸氣層和單位象素進(jìn)行設(shè)計(jì)。
但是，在本實(shí)施方式中，對(duì)每個(gè)單位象素41將吸氣區(qū)域32a、33a設(shè)計(jì)成獨(dú)立的形狀。從而，就能選擇對(duì)單位象素41的元件結(jié)構(gòu)和功能及工作無(wú)障礙的位置局部地配置吸氣區(qū)域。其結(jié)果，既對(duì)單位象素41產(chǎn)生更強(qiáng)力的吸氣作用，又能夠確實(shí)減少對(duì)單位象素41的元件結(jié)構(gòu)和功能及工作的壞影響。
(2)在第三實(shí)施方式中，在構(gòu)成單位象素41的電路元件的一部分區(qū)域形成吸氣區(qū)域32a、33a。因此，即使原來(lái)存在的一部分區(qū)域的尺寸擴(kuò)大一些，也不需要確保專用于吸氣區(qū)域的新地方。因此，盡管在有限的單位象素41的區(qū)域內(nèi)追加了吸氣區(qū)域32a、33a，單位象素41的無(wú)用的尺寸擴(kuò)大、芯片尺寸的擴(kuò)大和有效感光面積的縮小這樣的弊端也極少。
(3)在第三實(shí)施方式中，特別選擇施加恒電壓的地方設(shè)置了吸氣區(qū)域32a、33a。具體地說(shuō)，利用聚硅和硅化物等也能施加恒電壓。
利用恒電壓電路和接地線，將這樣的地方電氣性地維持為低阻抗。因此，即使捕捉后的污染物質(zhì)在吸氣區(qū)域32a、33a內(nèi)產(chǎn)生暗電流，也能夠快速地吸收該暗電流。其結(jié)果，能可靠地封閉捕捉后的污染物質(zhì)所產(chǎn)生的暗電流，能進(jìn)一步提高圖像信號(hào)的信噪比。
再有，在第三實(shí)施方式中，選擇原本施加了恒電壓的地方配置吸氣區(qū)域，但作為發(fā)明不限定于此。在新配置了吸氣區(qū)域的情況下，也可以在該吸氣區(qū)域新布線連接恒電壓線路。
(實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù))在此，用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證本發(fā)明中的吸氣區(qū)域的平均雜質(zhì)濃度與固體攝像器件的暗輸出的關(guān)系。
以下對(duì)該實(shí)驗(yàn)的順序進(jìn)行說(shuō)明。首先，如第一～第三實(shí)施方式中說(shuō)明的那樣，準(zhǔn)備多個(gè)在單位象素的區(qū)域內(nèi)設(shè)置了吸氣區(qū)域的固體攝像器件。在這些試樣中，導(dǎo)入到吸氣區(qū)域中的硼濃度各種各樣地變化。
對(duì)于這些試樣，使鐵在900℃中含有到最大固溶度4.2E13cm-3。在這樣的鐵污染后，對(duì)各試樣測(cè)量暗輸出。
圖9繪制了這樣測(cè)量得到的暗輸出與吸氣區(qū)域中的硼的平均雜質(zhì)濃度的關(guān)系。
從該圖9的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，若將吸氣區(qū)域的平均雜質(zhì)濃度上升到1E20cm-3，則暗輸出急劇地減半。在該平均雜質(zhì)濃度1E20cm-3的附近，出現(xiàn)暗輸出的減少曲線的拐折點(diǎn)，到此為止的急劇的暗輸出的減少趨勢(shì)變得緩慢一些。再有，即使超過(guò)該平均雜質(zhì)濃度1E20cm-3，暗輸出的減少趨勢(shì)也進(jìn)一步繼續(xù)，接著在平均雜質(zhì)濃度2E20cm-3中，暗輸出幾乎變?yōu)榱?即，測(cè)量極限以下)。
從該實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，關(guān)于在單位象素區(qū)域內(nèi)形成的吸氣區(qū)域，最好將平均雜質(zhì)濃度設(shè)定在1E20cm-3以上(更好的是2E20cm-3以上)。利用這樣的平均雜質(zhì)濃度的設(shè)定，就能使固體攝像器件的暗輸出減少到一半左右(或者大致為零)。
再有，若根據(jù)暗輸出的減半而推斷為吸氣區(qū)域捕捉了一半左右的單位象素內(nèi)的鐵污染，則這時(shí)的吸氣區(qū)域內(nèi)的鐵的平均面積濃度根據(jù)下式成為1E10cm-2左右。
(4.2E13cm-3)×(污染深度5μm)/2≈1E10cm-2從而，在本來(lái)不存在鐵的單位象素內(nèi)的高濃度雜質(zhì)區(qū)域中鐵的平均面積濃度示出高濃度(作為一例，在1E10cm-2以上)的情況下，能夠斷定為該高濃度雜質(zhì)區(qū)域是本發(fā)明的吸氣區(qū)域。
但是，吸氣區(qū)域內(nèi)的鐵的平均面積濃度隨著鐵的污染量而變化。因此，盡管鐵的平均面積濃度是低濃度(作為一例，不足1E10cm-2)，也不能一概地?cái)喽榫筒皇潜景l(fā)明的吸氣區(qū)域。
(實(shí)施方式的補(bǔ)充事項(xiàng))再有，在上述實(shí)施方式中，利用雜質(zhì)導(dǎo)入形成了吸氣區(qū)域。該雜質(zhì)導(dǎo)入作為如上述實(shí)施方式所述地局部形成吸氣區(qū)域的方法特別好。但是，本發(fā)明不限定于這樣的吸氣區(qū)域的形成方法。例如，也可以利用加工變形來(lái)形成吸氣區(qū)域。此外，也可以利用膜形成來(lái)形成吸氣區(qū)域?；蛘?，通過(guò)控制熱處理氣氛來(lái)形成吸氣區(qū)域。
此外，在上述實(shí)施方式中，導(dǎo)入硼或磷來(lái)形成吸氣區(qū)域。特別是硼，在吸氣象素區(qū)域的主要污染物質(zhì)即鐵的方面發(fā)揮了很高的效果。但是，本發(fā)明不限定于這樣的雜質(zhì)。例如，作為用于形成吸氣區(qū)域的雜質(zhì)，最好是硼、磷、砷和銻中的至少一種。
再有，本發(fā)明可以在不脫離其主旨和主要特征的前提下，用其他的各種各樣的形式來(lái)實(shí)施。因此，上述實(shí)施例只不過(guò)是其中的一個(gè)例示，不能限定地解釋。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍來(lái)示出，不局限于說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容。另外，屬于權(quán)利要求的范圍的均等范圍的變形和變更，全部在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
工業(yè)上的可利用性如以上說(shuō)明，在本發(fā)明中，在單位象素的區(qū)域內(nèi)形成吸氣區(qū)域。從而，吸氣區(qū)域與單位象素的間隔比現(xiàn)有技術(shù)的近，能提高對(duì)單位象素的吸氣效果。其結(jié)果，就容易實(shí)現(xiàn)暗輸出少的固體攝像器件。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像器件，具有多個(gè)根據(jù)入射光生成信號(hào)電荷的單位象素，其特征在于，至少在一部分的上述單位象素的區(qū)域內(nèi)設(shè)置了吸氣區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于，多個(gè)上述單位象素形成在設(shè)置于半導(dǎo)體基片上的阱中，上述吸氣區(qū)域存在于上述阱的內(nèi)部。
3.如權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，每個(gè)上述單位象素獨(dú)立地設(shè)置了上述吸氣區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，上述吸氣區(qū)域形成在與上述單位象素的進(jìn)行光電變換的層大致相等的深度。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，上述吸氣區(qū)域被設(shè)置在上述單位象素的區(qū)域內(nèi)的被遮光的位置。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，上述吸氣區(qū)域是平均雜質(zhì)濃度為1E20cm-3以上的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，上述吸氣區(qū)域內(nèi)的鐵的平均面積濃度為1E10cm-2以上。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，上述吸氣區(qū)域是存在晶格缺陷的區(qū)域。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，上述吸氣區(qū)域是包含硼、磷、砷和銻中的至少一種作為雜質(zhì)的區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，在施加恒電壓的地方設(shè)置了上述吸氣區(qū)域。
11.如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其特征在于，至少在一部分的單位象素的區(qū)域內(nèi)，設(shè)置了上述吸氣區(qū)域和與金屬布線接觸的接觸區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明的固體攝像器件是具有多個(gè)根據(jù)入射光生成信號(hào)電荷的單位象素的固體攝像器件，在單位象素的區(qū)域內(nèi)設(shè)置了吸氣區(qū)域。該吸氣區(qū)域由于與單位象素距離近，故對(duì)固體攝像器件的象素區(qū)域發(fā)揮直接且高效的吸氣能力。其結(jié)果，能高效地去除包含在象素區(qū)域中的金屬污染，能顯著降低由金屬污染所產(chǎn)生的暗輸出。
文檔編號(hào)H01L27/148GK1666345SQ0381521
公開(kāi)日2005年9月7日 申請(qǐng)日期2003年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月26日
發(fā)明者石田知久, 釜下敦, 鈴木智 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康