專(zhuān)利名稱(chēng)：Mems開(kāi)關(guān)中的電極排列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，具體地涉及具有改進(jìn)了的電極排列的MEMS開(kāi)關(guān)。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是一種微型裝置，其利用微型制造技術(shù)將機(jī)械和電元件(electrical element)集成在公用襯底上。利用公知的集成電路制造技術(shù)形成電元件，利用選擇性地微型機(jī)械加工部分襯底的光刻技術(shù)制造機(jī)械元件。經(jīng)常將附加層附加到襯底上，然后對(duì)其進(jìn)行微型機(jī)械加工，直到MEMS裝置達(dá)到所希望的結(jié)構(gòu)為止。MEMS裝置包括致動(dòng)器、傳感器、開(kāi)關(guān)、加速度計(jì)和調(diào)制器。
MEMS開(kāi)關(guān)相對(duì)于傳統(tǒng)的固態(tài)開(kāi)關(guān)如場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)具有固有優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括低插入損耗和極好的隔離性。但是，MEMS開(kāi)關(guān)通常比固態(tài)開(kāi)關(guān)要慢得多。該速度限制妨礙了MEMS開(kāi)關(guān)在需要亞微秒級(jí)開(kāi)關(guān)的特定技術(shù)如無(wú)線通信技術(shù)中的應(yīng)用。
一種MEMS開(kāi)關(guān)包括懸掛的連接部件，或者梁，通過(guò)激勵(lì)激勵(lì)電極而使其發(fā)生靜電偏斜。偏斜后的梁接合一個(gè)或多個(gè)電觸點(diǎn)，以建立絕緣觸點(diǎn)之間的電連接。在一端錨固而在另一端懸在觸點(diǎn)上方的梁被稱(chēng)為懸臂梁。在相對(duì)的兩端都錨固并且懸在一個(gè)或多個(gè)電觸點(diǎn)上方的梁被稱(chēng)為橋形梁。
圖1-3說(shuō)明了一種現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS開(kāi)關(guān)10，其包括橋形梁12。梁12由結(jié)構(gòu)部分14和撓曲部分16構(gòu)成。MEMS開(kāi)關(guān)10進(jìn)一步包括一對(duì)激勵(lì)電極18A、18B和一對(duì)信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B，它們都安裝到底座22上。
梁12安裝到底座22，以使得梁12的撓曲部分16懸在激勵(lì)電極18A、18B和信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B的上方。只有將電壓提供給激勵(lì)電極18A、18B時(shí)信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B才進(jìn)行電接觸。如圖2中所示，提供電壓給激勵(lì)電極18A、18B使得梁12的撓曲部分16向下移動(dòng)，直到撓曲部分16上的隆起21接合信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B以便電連接信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B。在其它類(lèi)型的MEMS開(kāi)關(guān)中，信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B始終進(jìn)行電連接，使得當(dāng)梁12接合信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B時(shí)梁12起旁路的作用。
與MEMS開(kāi)關(guān)10有關(guān)的一個(gè)缺點(diǎn)是，在梁12上的隆起21和形成信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B的焊盤(pán)之間存在非常大的電阻。隆起21和信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B之間這個(gè)相當(dāng)大的電阻導(dǎo)致在MEMS開(kāi)關(guān)10中產(chǎn)生過(guò)多的插入損耗。
圖4和5說(shuō)明了另一種現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS開(kāi)關(guān)30，其包括橋形梁32。MEMS開(kāi)關(guān)30與圖1中的MEMS開(kāi)關(guān)10相似的是，MEMS開(kāi)關(guān)30還包括由結(jié)構(gòu)部分34和撓曲部分36構(gòu)成的梁32。類(lèi)似地，MEMS開(kāi)關(guān)30包括一對(duì)激勵(lì)電極38A、38B和一對(duì)信號(hào)觸點(diǎn)40A、40B，它們都安裝到底座42上。梁32的撓曲部分36懸在激勵(lì)電極38A、38B和信號(hào)觸點(diǎn)40A、40B的上方，使得當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極38A、38B時(shí)，撓曲部分36上的多個(gè)隆起41向下移動(dòng)以接合信號(hào)觸點(diǎn)40A、40B。
MEMS開(kāi)關(guān)30試圖通過(guò)利用梁32上更多的隆起41來(lái)克服與MEMS開(kāi)關(guān)10有關(guān)的電阻問(wèn)題。附加額外的隆起的缺點(diǎn)是，實(shí)際上只有少數(shù)幾個(gè)隆起41與信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B建立了很好的電接觸。剩下的隆起與信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B的電接觸情況很差，或者甚至都不接合信號(hào)觸點(diǎn)20A、20B。因此，MEMS開(kāi)關(guān)30仍具有相當(dāng)大的插入損耗。
圖6和7說(shuō)明了一種更新的現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS開(kāi)關(guān)50，其包括橋形梁52。MEMS開(kāi)關(guān)50與圖1-4中的MEMS開(kāi)關(guān)10、30相似的是，MEMS開(kāi)關(guān)50也包括由結(jié)構(gòu)部分54和撓曲部分56構(gòu)成的梁52。MEMS開(kāi)關(guān)50包括位于底座66的表面61下方的激勵(lì)電極58。激勵(lì)電極58在都安裝到底座66上的一對(duì)信號(hào)觸點(diǎn)60A、60B的下方延伸。信號(hào)觸點(diǎn)60A、60B包括從各自的主體63延伸出來(lái)的突出部分62。梁52的撓曲部分56懸在突出部分62的上方，使得當(dāng)激勵(lì)電極58提供電壓時(shí)，撓曲部分56上的多個(gè)隆起65向下移動(dòng)，以接合突出部分62。
當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極58時(shí)，通過(guò)將激勵(lì)電極58設(shè)置在突出部分62的下面而用拉力包圍住了每個(gè)隆起65。在每個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)60A、60B上的突出部分62之間的空間進(jìn)一步增強(qiáng)了由激勵(lì)電極58產(chǎn)生的力的包圍效果。
在MEMS開(kāi)關(guān)50的工作過(guò)程中，包圍每個(gè)隆起65的拉力有利于每個(gè)隆起65和信號(hào)觸點(diǎn)60A、60B之間的接觸。在隆起65和信號(hào)觸點(diǎn)60A、60B之間的改進(jìn)了的接觸將MEMS開(kāi)關(guān)50中的插入損耗最小化。
與MEMS開(kāi)關(guān)50有關(guān)的一個(gè)缺點(diǎn)是，與其它的MEMS開(kāi)關(guān)相比，在激勵(lì)電極58和梁52之間具有更大的距離。在激勵(lì)電極58和梁52之間的增大了的距離需要提供給激勵(lì)電極58大得多的激勵(lì)電壓，以操作梁52。增大了的激勵(lì)電壓是人們所不希望有的，這是因?yàn)樾枰嗟脑O(shè)備和/或功率來(lái)操作MEMS開(kāi)關(guān)50。當(dāng)將MEMS開(kāi)關(guān)用在由電池進(jìn)行供電的便攜式電子裝置中時(shí)，必須要附加的裝置和功率是特別麻煩的。


圖1說(shuō)明了一種現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS開(kāi)關(guān)。
圖2說(shuō)明了工作中的圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的MEMS開(kāi)關(guān)。
圖3是一些部分被移走并用陰影示出的圖1所示現(xiàn)有技術(shù)的MEMS開(kāi)關(guān)的頂視圖。
圖4說(shuō)明了另一種現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS開(kāi)關(guān)。
圖5是一些部分被移走并用陰影示出的圖4所示現(xiàn)有技術(shù)的MEMS開(kāi)關(guān)的頂視圖。
圖6說(shuō)明了另一種現(xiàn)有技術(shù)中的MEMS開(kāi)關(guān)。
圖7是一些部分被移走并用陰影示出的圖6所示現(xiàn)有技術(shù)的MEMS開(kāi)關(guān)的頂視圖。
圖8說(shuō)明了一種MEMS開(kāi)關(guān)。
圖9是一些部分被移走并用陰影示出的圖8所示MEMS開(kāi)關(guān)的頂視圖。
圖10說(shuō)明了另一種MEMS開(kāi)關(guān)。
圖11是一些部分被移走并用陰影示出的圖10所示MEMS開(kāi)關(guān)的頂視圖。
圖12說(shuō)明了另一種MEMS開(kāi)關(guān)。
圖13是一些部分被移走并用陰影示出的圖12所示MEMS開(kāi)關(guān)的頂視圖。
圖14是包含至少一個(gè)MEMS開(kāi)關(guān)的電子系統(tǒng)的方框圖。
具體實(shí)施例方式
在接下來(lái)的詳細(xì)說(shuō)明中參考了為了說(shuō)明而示出具體實(shí)施例的附圖。對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行了足夠詳細(xì)地描述，以使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明的這些實(shí)施例?？梢詰?yīng)用其他的實(shí)施例，和/或用其他的實(shí)施例對(duì)所說(shuō)明的實(shí)施例做出改變。
圖8和9示出了MEMS開(kāi)關(guān)70。MEMS開(kāi)關(guān)70包括具有上表面74的襯底72。襯底72可以是芯片的一部分，或者是其它任何電子裝置。激勵(lì)電極76和信號(hào)觸點(diǎn)78形成在襯底72的上表面74上。激勵(lì)電極76和信號(hào)觸點(diǎn)78經(jīng)由襯底72中的導(dǎo)電軌跡或者通過(guò)其它傳統(tǒng)裝置與其它電子元件進(jìn)行電連接。
開(kāi)關(guān)70進(jìn)一步包括橋形梁80，橋形梁80具有被結(jié)構(gòu)部分84支撐在兩個(gè)末端的撓曲部分82。應(yīng)注意，在可供選擇的實(shí)施例中，梁80以懸臂方式懸在襯底72上方。梁80懸在激勵(lì)電極76上方，從而在激勵(lì)電極76和梁80之間具有一縫隙77。縫隙77所具有的尺寸使得激勵(lì)電極76與梁80進(jìn)行靜電聯(lián)系。
梁80懸在信號(hào)觸點(diǎn)78的至少一部分的上方，以使得縫隙77也處于梁80和信號(hào)觸點(diǎn)78之間。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙77在任何地方都是從0.5到2微米。
MEMS開(kāi)關(guān)80通過(guò)提供給激勵(lì)電極76的電壓來(lái)進(jìn)行操作。該電壓在激勵(lì)電極76和梁80之間產(chǎn)生吸引靜電力，該力使梁80朝激勵(lì)電極76偏斜。梁80朝襯底72移動(dòng)直到梁80上的隆起81接合信號(hào)觸點(diǎn)78為止，以在梁80和信號(hào)觸點(diǎn)78之間建立電連接。在某些實(shí)施例中，梁80直接接合信號(hào)觸點(diǎn)78。
激勵(lì)電極76位于信號(hào)觸點(diǎn)78的至少兩個(gè)部分之間，以使得通過(guò)激勵(lì)電極76產(chǎn)生的吸引力包圍每個(gè)隆起81周?chē)母嗟拿娣e。在某些實(shí)施例中，激勵(lì)電極76位于信號(hào)觸點(diǎn)78的第一部分和第二部分之間。用通過(guò)激勵(lì)電極76產(chǎn)生的吸引力包圍每個(gè)隆起81周?chē)母嗟拿娣e有利于在開(kāi)關(guān)70工作期間使每個(gè)隆起81都與信號(hào)觸點(diǎn)78接合。此外，激勵(lì)電極76和梁80之間的縫隙77相對(duì)較小，使得只需要相對(duì)較低的激勵(lì)電壓來(lái)操作開(kāi)關(guān)70。
在圖8和9中所說(shuō)明的示例性實(shí)施例中，信號(hào)觸點(diǎn)78包括輸入觸點(diǎn)85A和輸出觸點(diǎn)85B。每個(gè)輸入和輸出觸點(diǎn)85A、85B都包括主體86，主體86具有從各自的主體86延伸出的突出部分87。突出部分87位于梁80下方，與隆起81對(duì)準(zhǔn)。
激勵(lì)電極76包括外焊盤(pán)90，外焊盤(pán)90在信號(hào)觸點(diǎn)78的兩側(cè)、位于梁80的下方。外焊盤(pán)90通過(guò)內(nèi)焊盤(pán)91連接在一起，內(nèi)焊盤(pán)91在輸入和輸出觸點(diǎn)85A、85B上的突出部分87之間延伸。
雖然所示的輸入和輸出觸點(diǎn)85A、85B具有三個(gè)從每個(gè)主體86延伸出的突出部分87，但可以有任意多個(gè)突出部分從主體86延伸出來(lái)。此外，在某些實(shí)施例中，突出部分可以只從一個(gè)主體86延伸出來(lái)。
圖10和11說(shuō)明了另一種MEMS開(kāi)關(guān)100。MEMS開(kāi)關(guān)100包括梁110，其與上述的梁80相似。信號(hào)觸點(diǎn)102安裝到襯底104的上表面103上。該信號(hào)觸點(diǎn)包括輸入觸點(diǎn)106和輸出觸點(diǎn)108。輸入和輸出觸點(diǎn)106、108通過(guò)至少部分位于梁110下方的片段107連接在一起。
梁110通過(guò)激勵(lì)電極112發(fā)生靜電偏斜，以使得梁110上的隆起113接合信號(hào)觸點(diǎn)102上的片段107，以建立梁110和信號(hào)觸點(diǎn)102之間的電連接。當(dāng)梁110與信號(hào)觸點(diǎn)102接合時(shí)，梁110作為經(jīng)過(guò)信號(hào)觸點(diǎn)102的任意電信號(hào)的旁路。激勵(lì)電極112包括內(nèi)焊盤(pán)114B和外焊盤(pán)114A，每個(gè)內(nèi)焊盤(pán)114B都位于信號(hào)觸點(diǎn)102上的一對(duì)片段107之間，外焊盤(pán)114A位于片段107外側(cè)。在其它的示例性實(shí)施例中，信號(hào)觸點(diǎn)102包括兩個(gè)片段，激勵(lì)電極112包括在這兩個(gè)片段之間的信號(hào)焊盤(pán)。
內(nèi)和外焊盤(pán)114A、114B通過(guò)位于襯底104的上表面103下方的連接焊盤(pán)115電耦合在一起。連接焊盤(pán)115在內(nèi)和外焊盤(pán)114A、114B和片段107下方延伸。通孔116將連接焊盤(pán)115電耦合到內(nèi)和外焊盤(pán)114A、114B。由于連接焊盤(pán)115也位于梁110下方，所以連接焊盤(pán)115在MEMS開(kāi)關(guān)100的工作期間補(bǔ)充由內(nèi)和外焊盤(pán)114A、114B所提供的驅(qū)動(dòng)力。
圖12和13說(shuō)明了另一種MEMS開(kāi)關(guān)130。MEMS開(kāi)關(guān)130包括梁140，其與上述梁80、110相似。信號(hào)觸點(diǎn)132安裝到襯底134的上表面133上。信號(hào)觸點(diǎn)132包括輸入觸點(diǎn)136和輸出觸點(diǎn)138。輸入和輸出觸點(diǎn)136、138通過(guò)至少部分位于梁110下方的片段137連接在一起。
梁140通過(guò)激勵(lì)電極142進(jìn)行靜電偏斜，以使得梁140直接接合信號(hào)觸點(diǎn)132，以建立梁140和信號(hào)觸點(diǎn)132之間的電連接。激勵(lì)電極142包括位于片段137外側(cè)的外焊盤(pán)144A，以及每個(gè)都位于信號(hào)觸點(diǎn)132上唯一的一對(duì)片段137之間的內(nèi)焊盤(pán)144B。
內(nèi)和外焊盤(pán)144A、144B通過(guò)連接焊盤(pán)145電耦合在一起，連接焊盤(pán)145位于襯底134的上表面133下方。內(nèi)焊盤(pán)144B只有一部分位于片段137之間，這是因?yàn)槠?37在焊盤(pán)144A、144B平面的上方被稍微地升高了。由于信號(hào)觸點(diǎn)132內(nèi)的片段137稍微高于構(gòu)成激勵(lì)電極142的焊盤(pán)144A、144B，所以不需要在梁140上形成隆起。
可以通過(guò)電介質(zhì)層149覆蓋住輸入和輸出觸點(diǎn)136、138以及內(nèi)和外焊盤(pán)144A、144B。當(dāng)MEMS開(kāi)關(guān)130作為高頻容性旁路開(kāi)關(guān)時(shí)附加電介質(zhì)層149是特別有效的。在其它示例性實(shí)施例中，電介質(zhì)層149可以只覆蓋住信號(hào)觸點(diǎn)132和/或激勵(lì)電極142的一部分。
在任何實(shí)施例中，任何激勵(lì)電極的高度都可以小于任何信號(hào)觸點(diǎn)的高度，以使得當(dāng)梁偏斜時(shí)該梁不會(huì)接合激勵(lì)電極。激勵(lì)電極和信號(hào)觸點(diǎn)可以被設(shè)置成垂直于梁的縱向軸，平行于梁的縱向軸，或者具有便于進(jìn)行有效開(kāi)關(guān)的任何結(jié)構(gòu)。梁也可以具有任何形狀，只要該形狀適合于特定應(yīng)用即可。
MEMS開(kāi)關(guān)提供了高效率、低插入損耗以及極好的隔離性。上述MEMS開(kāi)關(guān)或可替換物中的任意一種都非常理想，這是因?yàn)樗鼈兌既菀准傻揭r底上，該襯底可以是另一種裝置如濾波器或CMOS芯片的一部分。該高度集成的MEMS開(kāi)關(guān)減小了功率損耗、寄生效應(yīng)、尺寸和成本。
圖14是電子系統(tǒng)150的方框圖，該電子系統(tǒng)150包含至少一個(gè)MEMS開(kāi)關(guān)151，如圖7-13中所說(shuō)明的MEMS開(kāi)關(guān)70、100、130。電子系統(tǒng)150可以是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其包括系統(tǒng)總線152，以電連接電子系統(tǒng)150的各種元件。系統(tǒng)總線152可以是單獨(dú)的總線或者任何總線的組合。
MEMS開(kāi)關(guān)151可以是被耦合到系統(tǒng)152的電子組件153的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，電子組件153包括可以是任何類(lèi)型的處理器156。如本文中所用到的，處理器意味著任意一種電路，例如，但并不限于，微處理器、微控制器、圖形處理器或數(shù)字信號(hào)處理器。
可以包括在電子組件153中的其他類(lèi)型的電路是用于無(wú)線電裝置如移動(dòng)電話、尋呼機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、雙向無(wú)線電裝置和類(lèi)似電子系統(tǒng)中的常規(guī)電路或?qū)Ｓ眉呻娐?，如通信電路?br> 電子系統(tǒng)150也可以包括外部存儲(chǔ)器160，外部存儲(chǔ)器160可依次包括一個(gè)或多個(gè)適用于特定應(yīng)用的存儲(chǔ)元件，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)形式的主存儲(chǔ)器162，一個(gè)或多個(gè)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器164，和/或處理可移動(dòng)媒體166，如軟盤(pán)、致密光盤(pán)(CD)和數(shù)字化視頻光盤(pán)(DVD)的一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)器。
電子系統(tǒng)150還可以包括顯示裝置168、揚(yáng)聲器169和控制器170，該控制器例如鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、光標(biāo)運(yùn)動(dòng)球、游戲控制器、麥克風(fēng)、聲音識(shí)別裝置或?qū)⑿畔⑤斎氲诫娮酉到y(tǒng)150內(nèi)的其它任何裝置。
可以用多種不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)MEMS開(kāi)關(guān)151，包括電子儀器組件、電子系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、構(gòu)造電子儀器組件的一種或多種方法以及構(gòu)造包括插件的電子組件的一種或多種方法。
圖7-13僅是代表性的，不必按比例制圖。其中的某些部分可能被放大，而其他部分可能被縮小。
權(quán)利要求
1.一種MEMS開(kāi)關(guān)，包括包括第一部分和第二部分的信號(hào)觸點(diǎn)；位于信號(hào)觸點(diǎn)的第一和第二部分之間的激勵(lì)電極；和當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極時(shí)接合信號(hào)觸點(diǎn)的梁。
2.如權(quán)利要求1的MEMS開(kāi)關(guān)，其中梁是橋形梁。
3.如權(quán)利要求1的MEMS開(kāi)關(guān)，其中梁包括接合信號(hào)觸點(diǎn)的多個(gè)隆起。
4.如權(quán)利要求1的MEMS開(kāi)關(guān)，其中信號(hào)觸點(diǎn)包括輸入觸點(diǎn)和輸出觸點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求4的MEMS開(kāi)關(guān)，其中當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極時(shí)輸入觸點(diǎn)通過(guò)梁連接到輸出觸點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求5的MEMS開(kāi)關(guān)，其中輸入和輸出觸點(diǎn)中的至少一個(gè)包括主體和從主體延伸出的突出部分，該突出部分位于梁的下面，激勵(lì)電極位于突出部分之間。
7.如權(quán)利要求5的MEMS開(kāi)關(guān)，其中輸入和輸出觸點(diǎn)的每一個(gè)都包括主體和從各自的主體延伸出的突出部分，該突出部分位于梁的下面，激勵(lì)電極位于在輸入和輸出觸點(diǎn)上的突出部分之間。
8.如權(quán)利要求4的MEMS開(kāi)關(guān)，其中輸入觸點(diǎn)通過(guò)兩個(gè)片段電連接到輸出觸點(diǎn)，激勵(lì)電極位于這兩個(gè)片段之間。
9.如權(quán)利要求4的MEMS開(kāi)關(guān)，其中輸入觸點(diǎn)通過(guò)多個(gè)片段電連接到輸出觸點(diǎn)，激勵(lì)電極包括多個(gè)電連接焊盤(pán)，激勵(lì)電極上的每個(gè)焊盤(pán)都位于信號(hào)觸點(diǎn)上唯一的一對(duì)片段之間。
10.如權(quán)利要求1的MEMS開(kāi)關(guān)，其中激勵(lì)電極包括位于信號(hào)觸點(diǎn)的第一和第二部分之間的內(nèi)焊盤(pán)，和至少一個(gè)位于信號(hào)觸點(diǎn)的第一和第二部分外側(cè)的外焊盤(pán)。
11.如權(quán)利要求10的MEMS開(kāi)關(guān)，其中激勵(lì)電極的焊盤(pán)在梁的下面。
12.如權(quán)利要求10的MEMS開(kāi)關(guān)，其中內(nèi)焊盤(pán)電連接到每個(gè)外焊盤(pán)。
13.如權(quán)利要求12的MEMS開(kāi)關(guān)，進(jìn)一步包括襯底，其中信號(hào)觸點(diǎn)以及內(nèi)和外焊盤(pán)安裝在襯底的表面上。
14.如權(quán)利要求13的MEMS開(kāi)關(guān)，其中內(nèi)和外焊盤(pán)通過(guò)位于襯底表面下方的連接焊盤(pán)而電連接在一起。
15.如權(quán)利要求14的MEMS開(kāi)關(guān)，其中內(nèi)和外焊盤(pán)通過(guò)通孔電連接到連接焊盤(pán)。
16.如權(quán)利要求1的MEMS開(kāi)關(guān)，其中用電介質(zhì)層覆蓋信號(hào)觸點(diǎn)，當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極時(shí)該電介質(zhì)層接合所述梁。
17.如權(quán)利要求16的MEMS開(kāi)關(guān)，其中用電介質(zhì)層覆蓋激勵(lì)電極。
18.一種MEMS開(kāi)關(guān)，包括包括有表面的襯底；在襯底表面上的信號(hào)觸點(diǎn)，該信號(hào)觸點(diǎn)包括第一部分和第二部分；激勵(lì)電極，該激勵(lì)電極包括位于梁的下面并且在信號(hào)觸點(diǎn)的第一和第二部分之間的內(nèi)焊盤(pán)、位于梁的下面并且在信號(hào)觸點(diǎn)的第一和第二部分外側(cè)的至少一個(gè)外焊盤(pán)、和位于襯底表面的下方用以電連接內(nèi)和外焊盤(pán)的連接焊盤(pán)；和橋形梁，該橋形梁包括多個(gè)隆起，用以當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極時(shí)接合信號(hào)觸點(diǎn)。
19.如權(quán)利要求18的MEMS開(kāi)關(guān)，其中信號(hào)觸點(diǎn)包括輸入觸點(diǎn)和輸出觸點(diǎn)，當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極時(shí)，輸出觸點(diǎn)通過(guò)梁連接到輸入觸點(diǎn)。
20.如權(quán)利要求18的MEMS開(kāi)關(guān)，其中信號(hào)觸點(diǎn)包括輸入觸點(diǎn)和輸出觸點(diǎn)，輸出觸點(diǎn)通過(guò)多個(gè)片段電連接到輸入觸點(diǎn)。
21.一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，包括總線；耦合到總線的存儲(chǔ)器；連接到總線的電子組件，該電子組件包括具有信號(hào)觸點(diǎn)的MEMS開(kāi)關(guān)、激勵(lì)電極和當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極時(shí)接合信號(hào)觸點(diǎn)的梁，該信號(hào)觸點(diǎn)包括第一部分和第二部分，激勵(lì)電極位于信號(hào)觸點(diǎn)的第一和第二部分之間。
22.如權(quán)利要求21的系統(tǒng)，其中用電介質(zhì)層覆蓋激勵(lì)電極和信號(hào)觸點(diǎn)。
23.如權(quán)利要求21的系統(tǒng)，其中梁是橋形梁。
全文摘要
一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開(kāi)關(guān)，包括信號(hào)觸點(diǎn)(78)、激勵(lì)電極(76)和當(dāng)將電壓提供給激勵(lì)電極時(shí)接合信號(hào)觸點(diǎn)的梁(80)。信號(hào)觸點(diǎn)包括第一部分和第二部分。激勵(lì)電極位于信號(hào)觸點(diǎn)的第一和第二部分之間。
文檔編號(hào)H01H59/00GK1842884SQ03819286
公開(kāi)日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2003年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月14日
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