專利名稱：具有集成無源電子組件的電子組件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與具有一集成電子組件的一電子組件以及用以制造這個電子組件的一方法有關(guān)。
背景技術(shù)：
多數(shù)的數(shù)字/模擬合成電路的模擬電路部分都需要用到被動組件，例如具有一高電阻值、高線性度與高品質(zhì)的電容器。為了最小化制造所述組件的成本，讓所述的這些組件，尤其是電容或電感結(jié)構(gòu)的組件盡可能以最少的制程步驟來制造是需要的。除此之外，這些組件以及集成電路最小化的發(fā)展常常伴隨著使所述的集成被動組件具有最小可能的需求面積的要求。
在專利說明書US 5,583,359中已揭露用于一集成電路上的一電容結(jié)構(gòu)。在那個例子中，多個用以形成一疊層電容的電極的金屬薄板以堆棧的方式一層層的排列，并藉由介電層而加以分隔。設(shè)置于每一金屬薄板上的是絕緣各別的薄板的一金屬線。所述的金屬現(xiàn)在每一個情況中藉由連接點接觸連接兩側(cè)，由于這樣，在其中一側(cè)的所有置放于疊層上的奇數(shù)型式以及在另一側(cè)的所有置放疊層中的偶數(shù)型式的薄板彼此之間是相互電連接的。藉由連接所述的置放在偶數(shù)型式中的薄板到一第一連接線以及連接所述的置放在奇數(shù)型式中的薄片到一第二連接線，相鄰的薄板處于不同的電位下并且在每一情形中形成一對一對型式的一薄板電容的電極。所述的電容表面的面積因此由薄板的表面所構(gòu)成。這樣的電極的一個可替代的具體實施例可藉由形成一長條狀且彼此平行排列的線路所構(gòu)成的薄板來形成。
所述的電容結(jié)構(gòu)的另一個可能的配置方法已揭露于Aparicio，R.and Hajimiri，A.于IEEE Journal of Solid-State Circuits，Vol.37，No.3，2002，pp.384-393所發(fā)表的文章“Capacity Limits andMatching Properties of Integrated Capacitors”中，其中于該文獻的圖5-圖10中已表示出一透視的說明。
除此之外，在具有以具有低接口常數(shù)的材料，例如SiLK(具有介電常數(shù)值2.65的有機材料)、黑鉆石、珊瑚(具有一介電常數(shù)小于3的摻雜碳的兩個氧化物)、或其多孔隙的形成物，所形成的介電區(qū)域的新穎式芯片上，通常需要進行機械應(yīng)力的強化，以為了避免這些接口材料在考量到該組件受到機械利的作用下的低硬度可能受到的損壞。
因此，所述的被動組件以及機械裝設(shè)結(jié)構(gòu)所組成的組件都需要一相對大數(shù)量級的空間?？臻g越大所述的機械裝設(shè)結(jié)構(gòu)在所述的組件完成之后便不再需要，尤其是在接合或者是該組件在封裝的裝設(shè)上。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一具有集成無源電子組件一電子組件以及用以制造所述的電子組件的方法，而且本發(fā)明可以以一相對較低花費與節(jié)省空間的方法來進行制造，而且對于任何機械力的作用可以是更堅固耐用的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之目的可藉由具有如權(quán)利要求1特征的電子組件以及具有如權(quán)利要求18所述步驟的方法來達成。
根據(jù)本發(fā)明的一電子組件具有一第一絕緣層，一上金屬層形成于所述的絕緣層上。所述的上金屬層形成一電傳導(dǎo)接合襯墊層，尤其是所接合的可以是，鋁、金接線，用以電連接所述的電子組件或芯片的接觸區(qū)域到一封裝結(jié)構(gòu)的接觸軌道，該封裝結(jié)構(gòu)用以裝設(shè)所述的電子組件。一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)整合于所述的第一絕緣層而且于機械力作用的情況下機械性地穩(wěn)定所述的第一絕緣層，尤其是在所述的上金屬層的接合期間及/或所述的電子組件(EB)的裝設(shè)期間。所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)額外地形成一無源電子組件。
因此，制造只要一相對較低的空間需求而且可以以一相對較低的成本制造的電子組件是可能的。所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)在電子組件中一方面作為當(dāng)機械力作用于該組件上的裝設(shè)結(jié)構(gòu)，尤其是用于所述的第一絕緣層的一機械裝設(shè)結(jié)構(gòu)，而另一方面也作為所述的電子組件的一被動組件。這個具有雙重功能的個別結(jié)構(gòu)減少了制造期間的制程步驟，因此制造的成本因為機械支持或穩(wěn)定結(jié)構(gòu)與被動組件結(jié)構(gòu)不需要各別制造而得以降低。
在一較佳的具體實施例中，所述的第一絕緣層形成一由介電常數(shù)數(shù)值小于4的材料所組成的介電層。舉例來說，一種有機材料，SiLK的介電常數(shù)具有2.65的數(shù)值。其它材料可以是，例如碳摻雜氧化物以及具有一介電常數(shù)小于3的珊瑚或黑鉆石。這些材料的較小模數(shù)以及低硬度意味著即使相對較低的機械力可能造成損壞，由于這樣，因此在集成的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)作為提供機械穩(wěn)定性的情況中證明是特別的具有優(yōu)勢。所述的第一絕緣層也可能形成一多層結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，其中各別的結(jié)構(gòu)層在某些情況下也具有高于4的介電常數(shù)。在這個情況中的基本論點在于所述的多結(jié)構(gòu)層系統(tǒng)具有小于4的介電常數(shù)，特別是小于3的介電常數(shù)。
在一較佳的具體實施例中，所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)基本上鉛直地排列于所述的上金屬層的一接合區(qū)域下方。所述的接合區(qū)域基本上表示所述的上金屬層上方的區(qū)域，而且可以許多不同的方式來實現(xiàn)，其中于所述的上金屬層上，一電連接結(jié)構(gòu)，特別是接觸接線，用以產(chǎn)生與所設(shè)置的封裝結(jié)構(gòu)的接觸軌道產(chǎn)生電接觸。將所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)直接排列于所述的接合區(qū)域下方造就了一最佳化的機械穩(wěn)定性。假如所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的尺寸在平行于所述的上金屬層的平面上具有至少所述的接合區(qū)域的尺寸是特別較佳的。無關(guān)于一接合區(qū)域的位置或是機械力作用于所述的接合區(qū)域上的作用，所述的第一絕緣層或整個電子組件因此可以免于機械損壞或毀滅。
將所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)排列于所述的第一絕緣層以使得所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)基本上充滿所述的第一絕緣層的水平平面上。結(jié)果，所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)形成于所述的第一絕緣層上以使得所述的第一絕緣層的水平表面的部分區(qū)域由所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的表面區(qū)域所形成。在這個情況下，所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)以最大的數(shù)量級形成于在鉛直方向上的第一絕緣層上(第一絕緣層與電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)基本上在鉛直方向上具有相等的尺寸)。所述的機械穩(wěn)定性由于這樣可以再次改善，因為于所述的接合區(qū)域下方不在具有所述的第一絕緣區(qū)域的不被該電傳導(dǎo)區(qū)域所裝設(shè)的較低機械穩(wěn)定性或「軟」區(qū)域。
另一個較佳的具體實施例的特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)藉由一金屬長條，特別是形成于另一金屬化平面上的接觸金屬長條的連接結(jié)構(gòu)而連接到一供應(yīng)電壓電位，而且也藉由形成于一金屬化平面上的另一金屬長條所形成的連接結(jié)構(gòu)而連接到接地端的電位。所述的結(jié)構(gòu)也許提供成兩個接觸長條皆形成于相較于所述的第一絕緣層具有一較佳的機械穩(wěn)定性的材料所制造的一第二絕緣層上。所述的第二絕緣層的材料的彈性模數(shù)較佳者具有一大于15Gpa(gigapascals)，特別是20Gpa的數(shù)值，而且其硬度大于4。然而，所述的結(jié)構(gòu)也可能供應(yīng)成只有一個或者沒有何接觸長條形成于所述的第二絕緣層上。這與所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的幾何性質(zhì)以及接觸金屬長條的相關(guān)排列有關(guān)。于由具有高機械穩(wěn)定性的材料所組成的一第二絕緣層上形成只少一個能夠使電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)電接觸式地連接到電壓電位的金屬長條達成了所述的電子組件于機械力的作用下的一額外的穩(wěn)定性，特別是于所述的上金屬層的接合區(qū)域上。一氧化層或者由FSG(fluorosilicate glass)所形成的一介電層可能用來構(gòu)成所述的第二絕緣層。
另一個特別具有優(yōu)勢的是假如一電傳導(dǎo)遮蔽層形成于介于所述的上金屬層以及所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)之間。所述的電傳導(dǎo)遮蔽層分別與所述的上金屬層以及所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)相互絕緣。所述的遮蔽層可以特別有利的形成一金屬層，該金屬層較佳者連接到接地端的電位上。由于這樣可以達成的是供應(yīng)到所述的上金屬層的信號無法耦接于在下方的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)層而供應(yīng)到所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)層或供應(yīng)到所述的被動組件的信號也無法耦接到上方的上金屬層。
較佳者，形成所述的遮蔽層于一第三絕緣層上，所述的第三絕緣層排列于所述的上金屬層與所述的第一絕緣層之間。較佳者將所述的第三絕緣層作為一氧化層使得所述的第一絕緣層獲得另一個機械性質(zhì)的改良變得可能。所述的遮蔽層可以形成一連續(xù)平板或者是一網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
當(dāng)所述的遮蔽層較佳者形成使該面對電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的遮蔽層面積于數(shù)量級上至少相當(dāng)于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)層面對該遮蔽層的面積時，可以獲得特別有效的一電子遮蔽。所述的遮蔽層較佳者形成與所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上以使得，所述的遮蔽層的一平面圖的情況中，該遮蔽層的面積輪廓覆蓋所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的面積輪廓。
另一個較佳的具體實施例在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)形成一電容結(jié)構(gòu)及/或一電感結(jié)構(gòu)。在這個情況中，該結(jié)構(gòu)可能提供成所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)完全制造成一電容或完全制造成一電容。然而，在多個部分結(jié)構(gòu)中，在所述的第一絕緣層上，一部份結(jié)構(gòu)可排列成一電容結(jié)構(gòu)而且另一部分結(jié)構(gòu)排列成一電感。
所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的一較佳具體實施例的特征在于至少一部份結(jié)構(gòu)形成一電容結(jié)構(gòu)，其延伸超過至少兩個金屬化平面，而且排列成彼此平行而且以電絕緣的方式彼此絕緣的金屬長條形成于每一金屬化平面上。所述的第一金屬化平面的金屬長條基本上一致地排列于相對所述的第一金屬化平面上的金屬長條，而且透過連接結(jié)構(gòu)以鉛直的方向彼此相互電連接。
另一個較佳的具體實施例中，所述的結(jié)構(gòu)提供成至少所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的一部份形成一電感結(jié)構(gòu)而且具有金屬化平面，并于該平面上形成一螺旋金屬軌道。
所述的上金屬層可能藉由在第二絕緣層的一接觸孔動而接觸連接到形成于下方的電傳導(dǎo)區(qū)域，特別是在所述的第三絕緣層中。所述的接觸孔動角加者排列在所述的上金屬層的接合區(qū)域以外的區(qū)域，而且如同所述的電傳導(dǎo)區(qū)域的方式一樣，可能排列成相對于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)具有一水平偏移。
在一較佳的具體實施例中，根據(jù)本發(fā)明所述的電子組件排列于一集成電路的一基板上。
在根據(jù)本發(fā)明的一種用以制造一電子組件的方法中，于一第一絕緣層上，形成一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)以作為至少一被動組件以及作為用以裝設(shè)在機械力作用下的第一絕緣層的一機械穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)。于所述的第一絕緣層上制造一上金屬層，其形成一電傳導(dǎo)接合襯墊層，特別是機械力將作用于該襯墊層上，特別是在所述的電子組件的接合或是裝設(shè)期間。
一種具有雙重功能的電子組件結(jié)構(gòu)因此可以以一簡單的方式來制造，而且只呈現(xiàn)出較低的花費。因此，所述的電子組件可以以一節(jié)省空間的方式以及有效花費的方式來實現(xiàn)。
在一較佳的具體實施例中，所述的第一絕緣層從具有一介電常數(shù)小于4的材料中形成，更甚者則是介電常數(shù)少于3的材料。該絕緣層的機械穩(wěn)定性的一可察覺的大幅度改善因此可以達成，特別是對于機械力作用時具有這樣的機械不穩(wěn)定性以及相對低敏感的材料。
在一較佳的具體實施例中，將所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)形成于所述的上金屬層的一接合區(qū)域是特別具有優(yōu)勢的，由于所述的電子組件，特別是在接合區(qū)域下方的電子區(qū)域的接合或裝設(shè)，較大的機械力作用可能會造成損壞以及毀損。
本發(fā)明的其它較佳的具體實施例將藉由其它附屬的權(quán)利要求中詳細說明。


本發(fā)明的較佳具體實施例將藉由下列所附加的圖式加以詳細說明，這些圖式的簡單說明如下圖1表示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)想的一電子組件的一截面圖說明；圖2表示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)想所述的電子組件的一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的一第一較佳具體實施例的透視圖；圖3表示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)想所述的電子組件的一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的一第二較佳具體實施例的平面圖；圖4表示對照圖3所示的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的一詳細說明的透視圖。
具體實施例方式
一電子組件EB(圖1)具有一第一絕緣層1，在一較佳的具體實施例中，所述的第一絕緣層由具有低介電常數(shù)的一材料中所形成。一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)2整合于所述的這個第一絕緣層1中。這個電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)2形成一電容結(jié)構(gòu)并且由金屬長條M11到M33所構(gòu)成。所述的這些金屬長條M11到M33沿著z軸方向延伸并彼此相互平行，而金屬長條M11到M13、金屬長條M21到M23，以及金屬長條M31到M33在每一情況下形成于一金屬化平面上。其中，金屬長條M11、M21與M31相互對齊一致的排列成一直線并且透過一連接結(jié)構(gòu)v彼此相互電連接。這樣的排列方式同時對應(yīng)到另兩組金屬長條M12、M22與M32，以及M13、M23與M 33。所述的金屬長條M11、M21與M31以及M13、M23與M33連接到一供應(yīng)電壓電位-DC或AC電壓。另一組金屬長條M12、M22與M32則是連接到接地端的電位。所述的電容結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述的第一絕緣層1以使得所述的金屬長條M11、M12與M13終止于所述的第一絕緣層的一平面型式的較低水平表面上。同樣的，所述的金屬薄片M31、M32與M33則是嵌于所述的第一絕緣層1的表面以使得它們共同形成所述的第一絕緣層1的一較高水平表面且在x-z平面具有相同的水平高度。另一個絕緣層4b則是設(shè)置成緊連接所述的第一絕緣層1的方式，并且由一相對于所述的第一絕緣層具有更高的機械穩(wěn)定性的材料所組成。其中，電子組件，例如晶體管等，形成于這個絕緣層4b中。所述的絕緣層設(shè)置于一基板(沒有表示于圖中)上。
所述的形成一電容結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)2除了在較佳具體實施例中所述的形成方法外，也可以以其它各種不同的方式來形成。另一個可能結(jié)構(gòu)，已表示于Aparicio，R.and Hajimiri，A.于IEEE Journal ofSolid-State Circuits，Vol.37，No.3，2002，pp.384-393所發(fā)表的文章“Capacity Limits and Matching Properties ofIntegrated Capacitors”中的圖5-圖10中所表示的一透視圖說明。所述的晶體管結(jié)構(gòu)2也可以形成如一網(wǎng)格(grid)結(jié)構(gòu)或者是一半導(dǎo)體組件中的一MOS結(jié)構(gòu)。
在所述的這個結(jié)構(gòu)2上，一電傳導(dǎo)遮蔽層3作成的金屬層設(shè)置于一第三絕緣層4a內(nèi)。所述的遮蔽層3形成一個平板，設(shè)置于所述的第三絕緣層4a內(nèi)，以使得所述的結(jié)構(gòu)2完全排列在所述的遮蔽層3之下。所述的第三絕緣層4a在一較佳的具體實施例中，可以具體表示維一氧化層。較上方的一金屬層5在所述的第三絕緣層4a上方形成一接合襯墊層5。所述的接合襯墊層5藉由形成于所述的第三絕緣層4a內(nèi)的一接觸孔6而連接到一電傳導(dǎo)區(qū)域7。所述的接觸孔與所述的電傳導(dǎo)區(qū)域7都位在所述的接合襯墊層5的一接合區(qū)域BB之外。為了使所述的第一絕緣層1獲得一最佳的機械強化或機械穩(wěn)定性，尤其是發(fā)生于接合及/或在電子組件封裝的裝設(shè)期間所發(fā)生的機械力作用的情況下，所述的結(jié)構(gòu)2基本上設(shè)置在所述的接合區(qū)域BB的正下方。所述的接合區(qū)域BB藉由移除(例如以曝光或是蝕刻的方式)形成于所述的接合襯墊層5上的結(jié)構(gòu)層10，及/或氧化層8與氮化層9而產(chǎn)生。所述的結(jié)構(gòu)層10在一較佳的具體實施例中為一PSPI層(photo-sensitive polyamidelayer)。
所述的遮蔽層3連接到接地端的電位，因此能夠避免出現(xiàn)于碩的接合襯墊層5的一信號耦接到所述的結(jié)構(gòu)2或者是出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)2的一信號耦街道所述的接合襯墊層5。
假如在所說明的具體實施例(圖1)中，沒有遮蔽層3存在的話，也許需要事先準(zhǔn)備以在設(shè)置金屬長條M31到M33的金屬化平面內(nèi)形成所述的電傳導(dǎo)區(qū)域7。
圖2表示一所述的電容結(jié)構(gòu)2的一透視說明圖，其中所包含的金屬長條M11、M21與M31、金屬長條M12、M22與M32以及金屬長條M13、M23與M33在每一例子中藉由連接結(jié)構(gòu)V而從y方向來看接觸連接成一單一結(jié)構(gòu)。其中，所述的金屬長條M12、M22與M32到接地端電位的電連接，以及另兩組金屬長條M11、M21與M31與M13、M23與M33到供應(yīng)電壓電位的電連接藉由連接結(jié)構(gòu)(沒有表示于圖中)與金屬長條KM(沒有表示于圖中)所影響。至少所述的金屬長條KM都形成于一第二絕緣層(沒有表示于圖中)內(nèi)，所述的第二絕緣層相較于所述的第一絕緣層(如圖1所示)具有一較高的機械穩(wěn)定度。所述的第二絕緣層可以相當(dāng)于如圖1所示的第三絕緣層4。所述的第二絕緣層的材料相較于所述的第一絕緣層的材料具有一較高的機械穩(wěn)定性。所述的第二絕緣層可以由例如，一氧化層或者是一FSG介電材料所形成的結(jié)構(gòu)層所組成。然而，其中一種情況中也可能只有所述的接觸長條KM形成于所述的第二絕緣層中。此外，在所述的第一絕緣層中形成接觸金屬長條也是可能的。
圖3圖標(biāo)說明根據(jù)本發(fā)明的一電子組件的一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)2的另一較佳具體實施例的平面圖(沿著負y軸的方向看)。所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)2形成在這個具體實施例中形成一電感結(jié)構(gòu)。具有一矩形型式的一螺旋狀的金屬軌道MB4形成于一單一金屬化平面上。所述的金屬軌道MB4整合于所述的第一絕緣層1(沒有表示于圖3中)中。所述的以螺旋金屬軌道型式所形成的電感結(jié)構(gòu)也可能形成于多個金屬化平面上，而在這種例子，如銅對照圖1與圖2所示的電容結(jié)構(gòu)的具體實施例，可以看出本發(fā)明的一個基本論點，這里尤其指整個金屬軌道MB4延伸于所述的第一絕緣層中的事實。在所述的螺旋狀的內(nèi)部端點上，所述的金屬軌道MB4藉由連接結(jié)構(gòu)V而接觸連接到一接觸金屬長條KM，而所述的接觸金屬長條KM則是連接到一供應(yīng)電壓電位。所述的接觸金屬長條KM產(chǎn)生于一比所述的金屬軌道MB4所形成的金屬化平面更高的一金屬化平面(對應(yīng)圖1、圖2與圖4，從y方向觀察的平面)。在這個例子中，設(shè)置于更高位置的一金屬化平面可以理解成，從一相同的方向來看，相較于具有那個電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)以電容結(jié)構(gòu)及/或電感結(jié)構(gòu)形成的那個金屬化平面更遠離那個設(shè)置根據(jù)本發(fā)明的電子組件EB的一集成電路的基板的一金屬化平面。同時，在這個具體實施例中，所述的第二絕緣層可以相等于如圖1所示的第三絕緣層4a。
而在所述的螺旋狀金屬軌道MB4的外部第二端點可能藉由連接結(jié)構(gòu)(沒有表示于圖中)而電連接到接地端的電位以及另一個接觸金屬長條KM(沒有表示于圖中)。所述的這個另一個接觸金屬長條KM可能排列在所述的第一絕緣層1(圖1)或第二絕緣層或一可能出現(xiàn)的更高(從正y的方向觀察)的絕緣層。
所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)2在平面圖(圖3)上的幾何區(qū)域配置則是本發(fā)明的第二重點。因此，根據(jù)本發(fā)明的圖3所示的螺旋金屬軌道也可以設(shè)計成，例如正方形。在一較佳的特別方式中，所述的幾何區(qū)域配置，特別是輪廓外形以及其所形成的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的尺寸特別選擇成使得所述的第一金屬層5的接合區(qū)域BB的范圍，于投射到所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的輪廓范圍上時，完全包含于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的輪廓區(qū)域。
圖4表示在圖3中所描述的區(qū)域I的一透視截面表示。在圖4中，形成一電感結(jié)構(gòu)的一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)整合于所述的第一絕緣層1并且形成于四個金屬化平面上。MB1到MB4的其中一個金屬軌道在每一情況中形成一金屬化平面上，其中在每一情況中的金屬軌道透過連接結(jié)構(gòu)V而使彼此之間相互電接觸連接。所述的連接結(jié)構(gòu)可以形成是鉛直的柱狀結(jié)構(gòu)或者是沿著平行于所述的金屬軌道MB1到MB4延伸的裝設(shè)架結(jié)構(gòu)。在考慮所謂的階級制度相互連接的科技方面，所述的金屬軌道MB1到MB4隨著與基板S的距離增加(沿著正y的方向)可能形成一越來越大的截面區(qū)域，以及彼此之間越來越長的間隔距離(沿著正y的方向)。而設(shè)置有所述的接觸金屬長條KM的第二絕緣層(沒有表示于圖中)可以以直接貼合的方式形成于所述的絕緣層1上。而如圖1所示3-10的結(jié)構(gòu)層，也許排列于所述的第二絕緣層上。如同從圖4中可以看出，所述的具有金屬線圈MB1到MB4形式的電感結(jié)構(gòu)2也形成使所述的金屬軌道MB4的表面區(qū)域以及金屬軌道MB1的表面區(qū)域以形成一表面的型態(tài)(從x-z平面來觀察)存在于所述的第一絕緣層1中。所述的金屬軌道MB4在所述的第1絕緣層中的規(guī)劃以如圖中的需線所示，相同的規(guī)劃也應(yīng)用于金屬軌道MB1到MB3中。所述的第一絕緣層1直接貼合所述的絕緣層4b，所述的絕緣層4b則形成于所述的基板S上。
形成所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)2也可能準(zhǔn)備成使其具有如參照圖1或圖2的具體實施例所示的電容結(jié)構(gòu)的一第一部份結(jié)構(gòu)以及參照圖3或圖4的具體實施例所示的電感結(jié)構(gòu)的一第二部份結(jié)構(gòu)。在這個實施例中，一具機械穩(wěn)定性的結(jié)構(gòu)以及兩個無源電子組件可以實現(xiàn)于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)中。所述的部分結(jié)構(gòu)可以設(shè)置于相鄰的兩側(cè)或者是相互堆棧的兩層。
所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)可以以各種不同的方式來實現(xiàn)，而并不限定于本發(fā)明的具體實施例中所列舉的方式。因此，所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)也可以形成于兩個或超過似的的金屬化平面。同樣的，所述的絕緣層在每一情況中可以從多層結(jié)構(gòu)中建構(gòu)出來。本發(fā)明的構(gòu)想也可能只形成如根據(jù)圖1與圖2所示的電容結(jié)構(gòu)于一金屬化平面以及，例如以只制造金屬長條M11、M12與M13。
藉由根據(jù)本發(fā)明的電子組件以及用以制造該電子組件的方法，藉由適當(dāng)?shù)某尚渭夹g(shù)以及形成于一絕緣層中的一單一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，特別是由具有一低介電常數(shù)的材料所形成的一介電層的排列，以產(chǎn)生被動組件以及所述的電子組件EB的機械裝設(shè)或穩(wěn)定結(jié)構(gòu)是可能的，特別是，針對所述的其中有形成電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的絕緣層，使其能夠防止在座用力施加的情況下，例如在組件封裝的裝設(shè)或者是接合期間產(chǎn)生損壞。因此，最佳化的利用在所述的接合襯墊層底下的區(qū)域中進行，該區(qū)域基本上為電子組件所不需要利用的區(qū)域，因此造成最小尺寸與最佳功能利用的拓樸結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的基礎(chǔ)在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)具有雙重功能，其一方面具有至少一被動組件的形式，而另一方面則是作為所述的電子組件EB，特別是用于所述的第一絕緣層的一機械穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種電子組件，其具有一第一絕緣層(1)；一上金屬層(5)，特別是電傳導(dǎo)接合襯墊層，其形成于所述的第一絕緣層(1)之上；以及一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)，其整合于所述的第一絕緣層(1)，以機械性地穩(wěn)定在機械力作用下的絕緣層(1)，特別是在所述的上金屬層(5)的接合期間及/或所述的電子組件(EB)的裝設(shè)期間，所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)形成一無源電子組件。
2.如權(quán)利要求1所述的電子組件，其特征在于所述的第一絕緣層(1)由具有一介電常數(shù)小于4，特別是小于3的材料所形成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子組件，其特征在于所述的上金屬層(5)具有一接合區(qū)域(BB)而所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)基本上排列在這個接合區(qū)域(BB)鉛直下方。
4.如權(quán)利要求3所述的電子組件，其特征在于在一平面上平行于上金屬層(5)的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的尺寸至少在數(shù)量級上相等于所述的接合區(qū)域(BB)。
5.如前面任一項權(quán)利要求所述的電子組件，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)分別藉由連接結(jié)構(gòu)(V)與電接觸長條(KM)，特別是接觸金屬長條，電連接到供應(yīng)電壓電位與接地端電位。
6.如前面任一項權(quán)利要求所述的電子組件，其特征在于至少一電傳導(dǎo)遮蔽層(3)形成于介于且以電絕緣的方式絕緣于所述的上金屬層(5)與所述電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)。
7.如權(quán)利要求6所述的電子組件，其特征在于所述的遮蔽層(3)為一第二金屬層并且電連接到接地端的電位。
8.如權(quán)利要求6或7所述的電子組件，其特征在于所述的遮蔽層(3)形成于一第三絕緣層(4a)，所述的第三絕緣層(4a)設(shè)置于所述的第一絕緣層(1)與所述的上金屬層(5)之間。
9.如權(quán)利要求6-8任一項所述的電子組件，其特征在于所述的遮蔽層(3)形成一連續(xù)平板或一網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求6-9任一項所述的電子組件，其特征在于面對電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的遮蔽層(3)的面積至少在數(shù)量級上相同于面對遮蔽層(3)的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的面積，而且排列成使得當(dāng)這些面積投射到彼此時，所述的遮蔽層(3)的該面積完全覆蓋所述的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的該面積。
11.如前面任一項權(quán)利要求所述的電子組件，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)形成一電容結(jié)構(gòu)及/或一電感結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的電子組件，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的至少一部份區(qū)域形成一電容結(jié)構(gòu)而且具有至少二金屬化平面，排列成相互平行且彼此相互絕緣的長條(M11、M12、M13)形成于第一金屬化平面上，該長條一致地排列成相對于第二金屬化平面上相互平行排列且彼此相互絕緣的長條(M21、M22、M23)，而且在這兩個金屬化平面上，鉛直方向上排列成一個疊一個的這些長條(M11、M21；M12、M22；M13、M23)藉由連接結(jié)構(gòu)(V)而電連接。
13.如權(quán)利要求11或12所述的電子組件，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的至少一部份區(qū)域形成一電感結(jié)構(gòu)，且具有至少一金屬化平面，且在該平面上形成一螺旋金屬軌道。
14.如權(quán)利要求8所述的電子組件，其特征在于所述的上金屬層(5)藉由在所述的第三絕緣層(4a)中的一接觸區(qū)域(6)電連接到一電傳導(dǎo)區(qū)域(7)，所述的電傳導(dǎo)區(qū)域排列于，特別是所述的第二或第三絕緣層。
15.如權(quán)利要求14所述的電子組件，其特征在于所述的接觸區(qū)域(6)與所述的第二電傳導(dǎo)區(qū)域(7)排列成相對于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)以及所述的上金屬層(5)的接合區(qū)域(BB)具有一水平偏移。
16.如前面任一項權(quán)利要求所述的電子組件，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)形成具有所述第一絕緣層(1)的水平表面的一平面形式，而所述的第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的表面區(qū)域形成該第一絕緣層(1)的水平表面的部分區(qū)域。
17.一種具有一基板與根據(jù)權(quán)利要求1到16任一項的電子組件的電子組件(EB)，所述的電子組件形成于所述的基板上。
18.一種用以制造電子組件的方法，其中產(chǎn)生一第一絕緣層(1)；于所述的第一絕緣層(1)上，產(chǎn)生一上金屬層(5)，特別是一電傳導(dǎo)接合襯墊層；以及于所述的第一絕緣層中，形成一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)以作為一被動組件以及作為與所述的上絕緣層(5)具有電絕緣形式的一機械穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于所述第一絕緣層(1)從具有介電常數(shù)小于4，特別是小于3的材料所形成。
20.如權(quán)利要求18或19所述的方法，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)基本上形成于所述的上金屬層(5)的一接合區(qū)域下方，而且所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)于平行所述的金屬層(5)的一平面上的尺寸被制造成在數(shù)量級上至少與所述的接合區(qū)域(BB)相等。
21.如權(quán)利要求18到20任一項所述的方法，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)藉由連接結(jié)構(gòu)(V)以及接觸長條(KM)，特別是接觸金屬長條而分別電接觸連接到供應(yīng)電壓電位以及接地端的電位。
22.如權(quán)利要求18到21任一項的方法，其特征在于介于所述的上金屬層(5)以及所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)之間，以一電絕緣于所述的上金屬層(5)與所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的形式形成一電傳導(dǎo)遮蔽層(3)，特別是于產(chǎn)生于所述的第一絕緣層(1)上方的一第三絕緣層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于所述的電傳導(dǎo)遮蔽層(3)形成一平板或者一網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，并且連接到接地端的電位。
24.如權(quán)利要求22或23所述的方法，其特征在于所述的電傳導(dǎo)遮蔽層(3)系形成使其水平的面積范圍在數(shù)量級上至少與所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的面積范圍相等，而且所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的水平面積范圍完全被所述的電傳導(dǎo)遮蔽層(3)的面積范圍所覆蓋。
25.如權(quán)利要求18到24任一項所述的方法，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)形成一電容結(jié)構(gòu)及/或一電感結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的至少一部份區(qū)域形成一電容結(jié)構(gòu)，在每一情況下形成彼此相互平行而且彼此之間相互絕緣的電傳導(dǎo)長條(M11、M12、M13；M21、M22、M23)產(chǎn)生于一第一與一第二金屬化平面上，于所述的第一與第二金屬化平面上的長條(M11、M12、M13；M21、M22、M23)基本上排列成一致并且藉由連接結(jié)構(gòu)(V)而電連接，而在水平方向相鄰的長條(M11、M12、M13；M21、M22、M23)分別交互地連接到一第一與一第二電位。
27.如權(quán)利要求25或26所述的方法，其特征在于所述的電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)(2)的至少一部份形成一電感結(jié)構(gòu)，一螺旋金屬軌道產(chǎn)生于至少一金屬化平面上。
28.一種用以制造集成電路的方法，其中提供一基板，而根據(jù)權(quán)利要求18到27任一項的電子組件(EB)形成于所述的基板上。
全文摘要
一電子組件(EB)具有一第一絕緣層，于其上設(shè)置一第一金屬層(5)。一電傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)整合于所述的第一絕緣層(1)，并于所述的電子組件(EB)的接合及/或裝設(shè)期間機械化地穩(wěn)定所述的第一絕緣層(1)，并且形成一無源電子組件。
文檔編號H01L23/485GK1689156SQ03824542
公開日2005年10月26日 申請日期2003年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月22日
發(fā)明者H·-J·巴思 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司