專(zhuān)利名稱(chēng)：具有改進(jìn)的白平衡的平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種全色平板顯示器，并尤其涉及一種能夠通過(guò)改變漏極區(qū)中的摻雜濃度或偏置的形狀和尺寸以及因此改變每個(gè)單元像素中漏極區(qū)的電阻值而實(shí)施白平衡的平板顯示器。
背景技術(shù)：
一般地，如圖1所示，作為平板顯示器的有機(jī)發(fā)光二極管(organic lightemitting diode，OLED)包括以矩陣形式分布的大量像素100，每個(gè)像素100包括三個(gè)單位像素，即，用于顯現(xiàn)紅色(R)的單位像素110R、用于顯現(xiàn)綠色(G)的單位像素120和用于顯現(xiàn)藍(lán)色(B)的單位像素130B。
R單位像素110R包括一個(gè)紅色電致發(fā)光(electroluminescence，“EL”)器件115，該器件包括一個(gè)紅色(R)發(fā)光層；一個(gè)用于向紅色EL器件115提供電流的驅(qū)動(dòng)晶體管113；和一個(gè)用于切換從驅(qū)動(dòng)晶體管113向紅色EL器件115供給的電流的開(kāi)關(guān)晶體管111。
G單位像素120G包括一個(gè)綠色電致發(fā)光(“EL”)器件125，該器件包括一個(gè)綠色(G)發(fā)光層；一個(gè)用于向綠色EL器件125提供電流的驅(qū)動(dòng)晶體管123；和一個(gè)用于切換從驅(qū)動(dòng)晶體管123向綠色EL器件125供給的電流的開(kāi)關(guān)晶體管121。
B單位像素130B包括一個(gè)藍(lán)色電致發(fā)光(“EL”)器件135，該器件包括一個(gè)藍(lán)色(B)發(fā)光層；一個(gè)用于向藍(lán)色EL器件135提供電流的驅(qū)動(dòng)晶體管133；和一個(gè)用于切換從驅(qū)動(dòng)晶體管133向藍(lán)色EL器件135供給的電流的開(kāi)關(guān)晶體管131。
常規(guī)地，OLED的R、G和B單位像素110R、120G和130B的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133尺寸相同，即，溝道層的寬度W與長(zhǎng)度1之比W/L相同，并且按照它們的發(fā)光效率順序排列，EL器件的順序是B、R和G單位像素，其中B單位像素具有最低的發(fā)光效率。因?yàn)镽、G和B單位像素110R、120G和130B的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133的尺寸相同，而每個(gè)R、G和B的EL層115、125和135的發(fā)光效率彼此不同，所以很難實(shí)現(xiàn)白平衡。
為了實(shí)現(xiàn)白平衡，應(yīng)該對(duì)具有高發(fā)光效率的EL器件如綠色EL器件供給較小量的電流，并且應(yīng)該對(duì)具有較低發(fā)光效率的紅色和藍(lán)色EL器件供給較大量的電流。
此處，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)，因?yàn)榻?jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管流向EL器件的電流Id開(kāi)始流動(dòng)，所以電流表達(dá)如下(1)Id＝CoxμW{(Vg-Vth)}2/2L因此，控制流向EL器件的電流以實(shí)現(xiàn)白平衡的一種方法是使R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸不同，即溝道層的寬度W與長(zhǎng)度L之比W/L不同，于是控制流向R、G和B單位像素的電流量。在日本特開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)JP2001-109399中公開(kāi)了一種根據(jù)晶體管的尺寸控制流向EL器件的電流量的方法。在該日本專(zhuān)利中，R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸根據(jù)每個(gè)R、G和B單位像素中EL器件的發(fā)光效率而不同地形成。即，通過(guò)使具有高發(fā)光效率的綠色單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸小于具有較低發(fā)光效率的紅色或藍(lán)色單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸來(lái)控制流向R、G和B單位像素的EL器件的電流量。
實(shí)現(xiàn)白平衡的另一種方法是使R、G和B單位像素的發(fā)光層的大小不同，這一方法已被日本特開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)JP2001-290441公開(kāi)。在此日本專(zhuān)利中，通過(guò)根據(jù)R、G和B單位像素的EL器件的發(fā)光效率使發(fā)光面積不同，因此從R、G和B單位像素產(chǎn)生相同的發(fā)光。即，通過(guò)使具有較低發(fā)光效率的R單位像素或B單位像素的發(fā)光面積相對(duì)大于具有較高發(fā)光效率的G單位像素的發(fā)光面積，因此從R、G和B單位像素產(chǎn)生相同的發(fā)光。
但是，在實(shí)現(xiàn)上述白平衡的常規(guī)方法中，因?yàn)镽、G和B單位像素中具有較低發(fā)光效率的單位像素的發(fā)光面積擴(kuò)大，或者R、G和B單位像素中具有較低發(fā)光效率的單位像素的晶體管的尺寸變大，所以每個(gè)像素占據(jù)的面積增大，并且因而不易于將所述方法應(yīng)用于高清晰度平板顯示器(flat paneldisplay，F(xiàn)PD)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面在于提供一種平板顯示器，其中可以實(shí)現(xiàn)白平衡而不會(huì)增大像素面積。
本發(fā)明的另一方面在于提供一種平板顯示器，其中可以通過(guò)使每個(gè)R、G和B單位像素中驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極區(qū)的電阻值不同而實(shí)現(xiàn)白平衡。
本發(fā)明的再一方面在于提供一種平板顯示器，其中可以通過(guò)使R、G和B單位像素中驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極偏置區(qū)的摻雜濃度不同而實(shí)現(xiàn)白平衡。
本發(fā)明的再一方面在于提供一種平板顯示器，其中可以通過(guò)使每個(gè)R、G和B單位像素中驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極區(qū)的幾何結(jié)構(gòu)不同并改變漏極區(qū)的電阻值而實(shí)現(xiàn)白平衡。
本發(fā)明的再一方面在于提供一種平板顯示器，其中可以通過(guò)使每個(gè)R、G和B單位像素中驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極偏置區(qū)的形狀和尺寸不同而實(shí)現(xiàn)白平衡。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例，提供了一種平板顯示器，其包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括R、G和B單位像素以分別顯現(xiàn)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色。每個(gè)單位像素包括一個(gè)具有源極/漏極區(qū)的晶體管，其中R、G和B單位像素的至少兩個(gè)單位像素的晶體管具有不同幾何結(jié)構(gòu)的漏極區(qū)。
單位像素具有不同的幾何結(jié)構(gòu)，其還分別包括發(fā)光器件，并且用于控制提供給單位像素的發(fā)光器件的電流的晶體管的溝道層具有相同的尺寸。單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有發(fā)光器件的最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極區(qū)的電阻值高于用于驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極區(qū)的電阻值。
R、G和B單位像素的晶體管漏極區(qū)是一種彼此具有相同長(zhǎng)度和不同寬度的結(jié)構(gòu)，或是一種彼此具有相同寬度和不同長(zhǎng)度的結(jié)構(gòu)。漏極區(qū)可以呈Z字形形狀。
R、G和B單位像素還包括由晶體管驅(qū)動(dòng)的各個(gè)發(fā)光器件。與用于驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管漏極區(qū)的長(zhǎng)度和寬度相比較，單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有發(fā)光器件的最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管漏極區(qū)具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度或較窄的寬度。
R、G和B單位像素的晶體管的漏極區(qū)包括具有彼此不同的幾何結(jié)構(gòu)的偏置區(qū)。該單位像素還包括由晶體管驅(qū)動(dòng)的各個(gè)發(fā)光器件，并且與驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)的長(zhǎng)度和寬度相比，單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度或較窄的寬度。
R、G和B單位像素的晶體管的漏極偏置區(qū)為一種彼此具有相同長(zhǎng)度和不同寬度的結(jié)構(gòu)，或是彼此具有相同寬度和不同長(zhǎng)度的結(jié)構(gòu)。漏極偏置區(qū)可以呈Z字形形狀。
本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供了一種平板顯示器，其包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括R、G和B單位像素以分別顯現(xiàn)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色，并且每個(gè)單位像素包括一個(gè)具有漏極/源極區(qū)的晶體管，其中R、G和B單位像素的至少兩個(gè)單位像素的晶體管具有不同電阻值的漏極區(qū)。
具有不同電阻值的單位像素還分別包括發(fā)光器件，并且用于控制提供給每個(gè)單位像素的發(fā)光器件的電流的晶體管溝道層具有相同的尺寸。單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極區(qū)電阻值高于用于驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極區(qū)電阻值。
R、G和B單位像素的漏極區(qū)包括具有不同摻雜濃度的偏置區(qū)。單位像素還包括分別由晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，與用于驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)的摻雜濃度相比較，單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)具有更低的摻雜濃度。
R、G和B單位像素還包括分別由晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，并且晶體管的源極/漏極區(qū)包括各個(gè)偏置區(qū)。R、G和B單位像素的晶體管的源極偏置區(qū)包括非摻雜區(qū)，并且晶體管的漏極偏置區(qū)根據(jù)發(fā)光器件的發(fā)光效率具有不同的雜質(zhì)摻雜濃度。
R、G和B單位像素還包括分別由晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，其中晶體管的源極/漏極區(qū)包括各個(gè)偏置區(qū)。R、G和B單位像素的晶體管的源極偏置區(qū)包括摻有相同雜質(zhì)濃度的區(qū)域，并且根據(jù)發(fā)光器件的發(fā)光效率，晶體管的漏極偏置區(qū)具有不同的摻質(zhì)濃度。
R、G和B單位像素還包括分別由晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，其中晶體管的源極/漏極區(qū)包括各個(gè)偏置區(qū)，并且R、G和B單位像素的晶體管的源極/漏極偏置區(qū)根據(jù)發(fā)光器件的發(fā)光效率而具有不同的雜質(zhì)濃度。
R、G和B單位像素還包括由晶體管驅(qū)動(dòng)的各個(gè)發(fā)光器件，并且R、G和B單位像素的晶體管中至少兩個(gè)晶體管包括摻有不同摻雜濃度的雜質(zhì)的偏置區(qū)。在至少兩個(gè)晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有較高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)具有低于其它晶體管的漏極偏置區(qū)的摻雜濃度。


通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述及其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加清晰。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的平板顯示器中R、G和B單位像素的分布示圖；圖2A、2B和2C是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的平板顯示器中R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面圖；圖3A、3B和3C是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的平板顯示器中R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面圖；圖4A、4B和4C是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的平板顯示器中R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面圖；圖5A、5B和5C是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的平板顯示器中R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中展示了本發(fā)明的實(shí)施例。但本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)施，并應(yīng)理解為不限于在此給出的實(shí)施例。相反，這些實(shí)施例的提供只出于透徹和全面地揭示本發(fā)明，并將本發(fā)明的范圍更全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)放大了層和區(qū)域的厚度。在全文中相同的標(biāo)號(hào)表示同樣的組件。
圖2A、2B和2C表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的平面結(jié)構(gòu)，其中每一幅圖表示R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管。
參見(jiàn)圖2A、2B和2C，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133均包括半導(dǎo)體層210、柵極230和源電極/漏電極251和255。半導(dǎo)體層210包括形成在對(duì)應(yīng)于柵極230的部分上的溝道層224和形成在溝道層224兩側(cè)的高濃度源極/漏極區(qū)221和225。此處，源極/漏極區(qū)221和225分別經(jīng)接觸孔241和245電連接到源電極/漏電極251和255。
至于R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133，每個(gè)的半導(dǎo)體層210還包括分別形成在溝道層224和漏極區(qū)225之間的偏置區(qū)227R、227G和227B。即使偏置區(qū)227R、227G和227B具有相同的長(zhǎng)度L2，但區(qū)域的寬度依據(jù)發(fā)光效率而不同。即，R單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113的寬度WR2大于具有最高發(fā)光效率的G單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管123的寬度WG2，并且寬度WR2小于具有最低發(fā)光效率的B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管133的寬度WB2。
圖3A、3B和3C表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的平面結(jié)構(gòu)，其中每一幅圖分別表示R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管。
參見(jiàn)圖3A、3B和3C，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133均包括半導(dǎo)體層310、柵極330和源電極/漏電極351和355。半導(dǎo)體層310包括形成在對(duì)應(yīng)于柵極330的部分上的溝道層324和形成在溝道層324兩側(cè)的高濃度區(qū)321和325。源極/漏極區(qū)321和325分別經(jīng)接觸孔341和345電連接到源電極/漏電極351和355。
至于每個(gè)R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133，每個(gè)的半導(dǎo)體層310還包括形成在溝道層324和漏極區(qū)325之間的偏置區(qū)327R、327G和327B。即使偏置區(qū)327R、327G和327B的寬度W3相同，它們的長(zhǎng)度也依據(jù)發(fā)光效率而不同。
即，R單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113的長(zhǎng)度LR3短于具有最高發(fā)光效率的G單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管123的長(zhǎng)度LG3，并且長(zhǎng)度LR3長(zhǎng)于具有最低發(fā)光效率的B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管133的長(zhǎng)度LB3。
如上所述，本發(fā)明可以通過(guò)使R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極偏置區(qū)的尺寸不同并改變電阻而實(shí)現(xiàn)白平衡。
圖4A、4B和4C表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的平面結(jié)構(gòu)，其中每一幅圖分別表示R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管。
參見(jiàn)圖4A、4B和4C，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133均包括半導(dǎo)體層410、柵極430和源電極/漏電極451和455。半導(dǎo)體層410包括形成在對(duì)應(yīng)于柵極430的部分上的溝道層424和形成在溝道層424兩側(cè)的高濃度源極/漏極區(qū)421和425。源極/漏極區(qū)421和425分別經(jīng)接觸孔441和445電連接到源電極/漏電極451和455。
至于每個(gè)R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133，每個(gè)的半導(dǎo)體層410還包括形成在溝道層424和漏極區(qū)425之間的偏置區(qū)427R、427G和427B。偏置區(qū)427R、427G和427B被形成為具有不同的幾何形狀并位于漏極區(qū)425和溝道層424之間的預(yù)定空間L4中。偏置區(qū)427R、427G和427B被形成為具有依據(jù)發(fā)光效率而有不同長(zhǎng)度的Z字形幾何結(jié)構(gòu)。即，驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133的偏置區(qū)427R、427G和427B具有Z字形形狀，使得R單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113的長(zhǎng)度短于具有最高發(fā)光效率的G單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管123的長(zhǎng)度，并且R單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113的長(zhǎng)度長(zhǎng)于具有最低發(fā)光效率的B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管133的長(zhǎng)度。雖然顯示出的偏置區(qū)為Z字形形狀，但應(yīng)該理解，也可以采用其它幾何形狀。
在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，可以通過(guò)使R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極偏置區(qū)的形狀不同并改變電阻而實(shí)現(xiàn)白平衡。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，在R、G和B單元像素的所有驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極區(qū)中形成偏置區(qū)。但也可以不在具有最低發(fā)光效率的B單位像素中形成漏極偏置區(qū)，并只在R和G單位像素中形成具有不同電阻值的幾何形狀的漏極偏置區(qū)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，漏極的偏置區(qū)具有Z字形形狀。但也可以采用具有電阻值差的R、G和B單位像素的偏置區(qū)的所有幾何形狀以便實(shí)現(xiàn)白平衡。
即使在本發(fā)明實(shí)施例中的漏極區(qū)中形成偏置區(qū)，也可以在源極區(qū)中形成偏置區(qū)。
圖5A、5B和5C表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的平面結(jié)構(gòu)，其中每一幅圖分別表示R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管。
參見(jiàn)圖5A、5B和5C，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133均包括半導(dǎo)體層510、柵極530和源電極/漏電極551和555。每個(gè)半導(dǎo)體層510包括形成在對(duì)應(yīng)于柵極530的部分上的溝道層524和形成在溝道層524兩側(cè)的高濃度源極/漏極區(qū)521和525。源極/漏極區(qū)521和525分別經(jīng)接觸孔541和545電連接到源電極/漏電極551和555。
在R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133中，每個(gè)的半導(dǎo)體層510還包括形成在溝道層524和源極區(qū)521之間的偏置區(qū)523R、523G和523B，以及形成在溝道層524和漏極區(qū)525之間的偏置區(qū)527R、527G和527B。
在R單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管113中，偏置區(qū)523R和527R中的源極偏置區(qū)523R是一個(gè)本征區(qū)，沒(méi)有摻入雜質(zhì)，漏極偏置區(qū)527R是一個(gè)摻入較低濃度的雜質(zhì)的區(qū)域，具有與源極/漏極區(qū)521和525相同的導(dǎo)電類(lèi)型。
在G單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管123中，偏置區(qū)523G和527G是兩個(gè)沒(méi)有摻入雜質(zhì)的本征區(qū)。另外，在B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管133中，偏置區(qū)523B和527B中的源極偏置區(qū)523B是一個(gè)沒(méi)有摻入雜質(zhì)的本征區(qū)，漏極偏置區(qū)527B是一個(gè)具有與源極/漏極區(qū)521和525相同導(dǎo)電類(lèi)型的區(qū)域，并且摻有高于R單位像素的漏極偏置區(qū)527R的濃度的雜質(zhì)。
在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，通過(guò)按照如下方式形成R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管而實(shí)現(xiàn)白平衡，即使得尺寸相同而發(fā)光效率不同，使漏極偏置區(qū)Lroff、Lgoff和Lboff的長(zhǎng)度相同，并使漏極偏置區(qū)具有取決于摻雜濃度的不同電阻值。
即，因?yàn)镽和B單位像素具有低于G單位像素的發(fā)光效率，所以具有較高發(fā)光效率的G單位像素的漏極偏置區(qū)527G不摻雜，使得形成的漏極偏置區(qū)527G具有較高的電阻值。具有最低發(fā)光效率的B單位像素的漏極偏置區(qū)527B摻有較高濃度的雜質(zhì)，以致于形成較低的電阻值。發(fā)光效率介于G單位像素和B單位像素之間的R單位像素的漏極偏置區(qū)527R摻雜有雜質(zhì)濃度低于B單位像素的偏置區(qū)527B的摻雜濃度，以致于形成的漏極偏置區(qū)527R具有介于G單位像素和B單位像素之間的電阻值。
在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，即使在源極中形成未摻有雜質(zhì)的偏置區(qū)，也可以以較低的濃度摻雜R單位像素的源極偏置區(qū)，并且以與漏極偏置區(qū)中一樣高的濃度摻雜B單位像素的源極偏置區(qū)。另外，可以在部分漏極中形成偏置區(qū)。
即使在G單位像素中不摻雜漏極偏置區(qū)并分別以低和高的濃度摻雜R和G單位像素的漏極區(qū)，但也可以彼此不同地?fù)诫sR、G和B單位像素的漏極偏置區(qū)，以便產(chǎn)生能實(shí)現(xiàn)白平衡的漏極區(qū)的電阻值差異。
在本發(fā)明的第一至第四實(shí)施例中，可以通過(guò)改變漏極區(qū)的摻雜濃度或形狀和尺寸而不改變R、G和B單位像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道層的尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)白平衡。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)白平衡，即可以通過(guò)改變R、G和B單位像素的漏極偏置區(qū)的摻雜濃度并因此改變漏極區(qū)的電阻值而不會(huì)增大每個(gè)單位像素占據(jù)的像素面積來(lái)實(shí)現(xiàn)改善的白平衡。
另外，可以通過(guò)使R、G和B單位像素的漏極偏置區(qū)具有不同形狀和尺寸(W/L)的幾何結(jié)構(gòu)并因而具有漏極區(qū)的不同電阻值但不增大像素面積來(lái)實(shí)現(xiàn)白平衡。
雖然以上出于舉例說(shuō)明的目的描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)知道，在不脫離本發(fā)明由所附權(quán)利要求限定的范圍和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)本發(fā)明做各種改型、增加和替換。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括多個(gè)像素，每個(gè)所述多個(gè)像素包括R、G和B單位像素以分別呈現(xiàn)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色，每個(gè)單位像素包括一具有源極/漏極區(qū)的晶體管，其中R、G和B單位像素的至少兩個(gè)單位像素的晶體管具有不同幾何結(jié)構(gòu)的漏極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中每個(gè)單位像素還包括由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，并且所述單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有發(fā)光器件的最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的所述晶體管的漏極區(qū)的電阻值高于用于驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的所述晶體管的漏極區(qū)的電阻值。
3.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素的晶體管的漏極區(qū)具有長(zhǎng)度相同和寬度彼此不同的結(jié)構(gòu)，或是具有寬度相同和長(zhǎng)度彼此不同的結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素的晶體管漏極區(qū)為Z字形形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中每個(gè)單位像素還包括由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，且與驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的所述晶體管漏極區(qū)的長(zhǎng)度和寬度相比，所述單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有發(fā)光器件的最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的所述晶體管漏極區(qū)具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度或較窄的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素的晶體管漏極區(qū)分別包括具有彼此不同的幾何結(jié)構(gòu)的偏置區(qū)。
7.如權(quán)利要求6所述的平板顯示器，其中每個(gè)單位像素還包括由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，并且與驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)的長(zhǎng)度和寬度相比，所述單位像素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)具有較長(zhǎng)的長(zhǎng)度或較窄的寬度。
8.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素的晶體管的漏極偏置區(qū)具有長(zhǎng)度相同和寬度彼此不同的結(jié)構(gòu)，或是具有寬度相同和長(zhǎng)度彼此不同的結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素的晶體管的漏極偏置區(qū)呈Z字形形狀。
10.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述單位像素還分別包括發(fā)光器件，并且控制提供給所述單位像素的發(fā)光器件的電流的所述晶體管的溝道層具有相同的尺寸。
11.一種平板顯示器，包括多個(gè)像素，每個(gè)所述多個(gè)像素包括R、G和B單位像素以分別體現(xiàn)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色，并且每個(gè)單位像素包括一具有漏極/源極區(qū)的晶體管，其中所述R、G和B單位像素的至少兩個(gè)單位像素具有電阻值不相同的漏極區(qū)。
12.如權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中所述單位像素還分別包括發(fā)光器件，并且控制提供給每個(gè)單位像素的發(fā)光器件的電流的所述晶體管的溝道層具有相同的尺寸。
13.如權(quán)利要求12所述的平板顯示器，其中所述單位像素的晶體管中用來(lái)驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的所述晶體管的漏極區(qū)的電阻值高于用來(lái)驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管漏極區(qū)的電阻值。
14.如權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素的所述漏極區(qū)包括具有不同摻雜濃度的偏置區(qū)。
15.如權(quán)利要求14所述的平板顯示器，其中所述單位像素還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，并且所述單位像素的晶體管中用來(lái)驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的所述晶體管的漏極偏置區(qū)具有低于驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)的摻雜濃度。
16.如權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，并且所述晶體管的源極/漏極區(qū)包括各個(gè)偏置區(qū)，其中R、G和B單位像素的所述晶體管的所述源極偏置區(qū)包括非摻雜區(qū)，所述晶體管的所述漏極偏置區(qū)具有根據(jù)所述發(fā)光器件的發(fā)光效率而不同的摻雜濃度。
17.如權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，并且所述晶體管的源極/漏極區(qū)包括各個(gè)偏置區(qū)，其中所述R、G和B單位像素的所述晶體管的所述源極偏置區(qū)包括摻有相同雜質(zhì)濃度的區(qū)域，并且所述晶體管的所述漏極偏置區(qū)具有根據(jù)所述發(fā)光器件的發(fā)光效率而不同的摻雜濃度。
18.如權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，所述晶體管的源極/漏極區(qū)包括各個(gè)偏置區(qū)，并且所述R、G和B單位像素的所述晶體管的所述源極/漏極偏置區(qū)具有根據(jù)所述發(fā)光器件的發(fā)光效率而不同的雜質(zhì)濃度。
19.如權(quán)利要求11所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素晶體管中的至少兩個(gè)晶體管包括摻有不同摻雜濃度的雜質(zhì)的漏極偏置區(qū)。
20.如權(quán)利要求19所述的平板顯示器，其中所述R、G和B單位像素還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件，并且在至少兩個(gè)晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有較高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極偏置區(qū)具有低于其它晶體管的漏極偏置區(qū)的摻雜濃度。
全文摘要
公開(kāi)了一種具有改進(jìn)的白平衡的平板顯示器，通過(guò)使每個(gè)像素的R、G和B單位像素中驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極偏置區(qū)的摻雜濃度或偏置區(qū)的形狀和尺寸有差異而能夠增強(qiáng)白平衡。一種平板顯示器包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括R、G和B單位像素以分別體現(xiàn)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色。每個(gè)單位像素包括一個(gè)具有源極/漏極區(qū)的晶體管。R、G和B單位像素的至少兩個(gè)單位像素的晶體管具有不同幾何結(jié)構(gòu)的漏極區(qū)。在每個(gè)單位像素中，晶體管中用來(lái)驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極區(qū)的電阻值高于用來(lái)驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光器件的晶體管的漏極區(qū)的電阻值。
文檔編號(hào)H01L21/77GK1538361SQ200410032888
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2004年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月17日
發(fā)明者具在本, 樸商一, 李乙浩, 金鎮(zhèn)洙, 鄭鎮(zhèn)雄, 李昌圭 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社