專利名稱：測(cè)試襯底的回收方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備設(shè)備的測(cè)試襯底的回收。
背景技術(shù)：
在制備半導(dǎo)體器件的過程中，各種不同材料可能被沉積在半導(dǎo)體晶片或其他襯底(substrate)上。這些材料可包括例如銅、鋁、鎢、鉭的金屬以及各種其他金屬和化合物。其他沉積在晶片上的材料包括硅和各種氧化物及其他非金屬材料?？衫酶鞣N技術(shù)，包括濺射(也稱之為物理氣相沉積或PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和熱生長(zhǎng)，來沉積這些材料。除了材料沉積，還可進(jìn)行其他制備工藝，包括用雜質(zhì)摻雜半導(dǎo)體層、擴(kuò)散、離子注入、蝕刻、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、清洗和熱處理。
為了檢測(cè)這些制備工藝，經(jīng)常使用測(cè)試晶片來確保這些工藝是按照合適的規(guī)范進(jìn)行的。因而，例如，為檢測(cè)銅濺射工藝，可將測(cè)試晶片置入銅濺射工具內(nèi)，且銅被濺射沉積到測(cè)試晶片上。然后可檢查測(cè)試晶片來核實(shí)所得的沉積銅層是符合規(guī)范。如果否，則可調(diào)整對(duì)銅濺射工具的控制，并用同一測(cè)試晶片或另一個(gè)測(cè)試晶片再次檢測(cè)工具，直至所期望的銅沉積層可以可靠地獲得。
在用過的測(cè)試晶片不能再用于后續(xù)檢測(cè)之后，與其丟棄它們，不如回收這些用過的測(cè)試晶片。回收工藝一般包括除去所有沉積的層和材料，并除去一些下層的硅材料，使得測(cè)試晶片余下的硅材料是干凈的，基本不含附加的材料或其他雜質(zhì)。所以，回收工藝意在恢復(fù)測(cè)試晶片以滿足與新的測(cè)試晶片相同的規(guī)范，除了其厚度之外。
為避免污染，優(yōu)選的做法是將其上已沉積銅的測(cè)試晶片與其他沒有銅沉積的測(cè)試晶片分開回收。類似地，將有金屬沉積的測(cè)試晶片與僅有非金屬沉積的測(cè)試晶片分開回收一般是優(yōu)選的。
為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，經(jīng)常把要回收的用過的測(cè)試晶片劃分到其中一個(gè)回收類別，然后將其存放在盒中?？蓪⒂浱?hào)記在各個(gè)盒標(biāo)簽上，表示盒中的測(cè)試晶片所屬的具體類別(例如“銅”、“金屬”或“非金屬”)。然后可將測(cè)試晶片轉(zhuǎn)給內(nèi)部回收服務(wù)操作員或運(yùn)送給外面的服務(wù)提供商。測(cè)試晶片經(jīng)常是大批地被運(yùn)送或轉(zhuǎn)送，也就是說，一次成百或成千個(gè)。
一旦接收到測(cè)試晶片，回收服務(wù)操作員注意任意寫在盒標(biāo)簽上的告示，從盒中取出測(cè)試晶片，目測(cè)測(cè)試晶片，并再次根據(jù)回收類別將其分類，一般是“銅”、“金屬”或“非金屬”類。然后利用適于該特定類別的回收工藝來處理各類別的測(cè)試晶片。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的某些方面，可通過從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取在各個(gè)測(cè)試襯底上進(jìn)行的工藝步驟，并為回收各個(gè)測(cè)試襯底，從多個(gè)回收工藝中選擇一個(gè)回收工藝來回收用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底。例如，如果在測(cè)試襯底上進(jìn)行的工藝步驟包括材料沉積，則從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取的數(shù)據(jù)可包括表示在工藝步驟中所沉積的材料類型及沉積材料的厚度的數(shù)據(jù)。然后依據(jù)在測(cè)試襯底上所沉積的材料類型及每次沉積的厚度來為各個(gè)測(cè)試襯底選擇適于它的回收工藝?？梢岳斫猓谠跍y(cè)試襯底上進(jìn)行的其他工藝，包括離子注入、CMP、清洗、熱處理和蝕刻及關(guān)于這些工藝的細(xì)節(jié)來選擇回收工藝。標(biāo)識(shí)各個(gè)測(cè)試襯底、在該測(cè)試襯底上進(jìn)行的工藝及為該測(cè)試襯底所選擇的回收工藝的信息可被存儲(chǔ)在測(cè)試襯底歷史數(shù)據(jù)庫(kù)中。
根據(jù)另一方面，可將已為其選擇了回收工藝的各個(gè)測(cè)試襯底分類，并置入一測(cè)試襯底組內(nèi)，這個(gè)組具有被分配給該組的測(cè)試襯底的共同的回收工藝。例如，可在自動(dòng)化系統(tǒng)中將測(cè)試襯底分類，其中通過掃描儀或其他合適的讀取器從各個(gè)測(cè)試襯底讀取標(biāo)識(shí)代碼，從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取分配給該測(cè)試襯底的回收工藝，并通過機(jī)器手或其他自動(dòng)襯底處理機(jī)將測(cè)試晶片放入含有被分配了相同的或類似的回收工藝的另外的測(cè)試襯底的盒中或其他箱中。
根據(jù)另一方面，每個(gè)存放已分類的測(cè)試襯底的箱可標(biāo)記有標(biāo)識(shí)信息，包括為存放在該箱中的測(cè)試襯底所選擇的回收工藝的基本信息或詳細(xì)信息。該信息還可包括存放在各個(gè)箱中的測(cè)試襯底的列表。標(biāo)識(shí)各個(gè)箱、存放在該箱中的測(cè)試襯底和為這些測(cè)試襯底所選擇的回收工藝的信息也可存儲(chǔ)在這些箱的數(shù)據(jù)庫(kù)中。
根據(jù)另一方面，自動(dòng)化系統(tǒng)中的回收操作員可從箱中取出已分類的測(cè)試襯底，其中合適的讀取器從各個(gè)測(cè)試襯底讀取標(biāo)識(shí)代碼。從提供給操作員的數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取分配給該測(cè)試襯底的回收工藝，以在回收各個(gè)測(cè)試襯底之前核實(shí)哪個(gè)回收工藝已分配給該測(cè)試襯底。
本發(fā)明還有另外的方面。因此應(yīng)該理解，前述內(nèi)容僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例和方面的簡(jiǎn)短概述。以下提及本發(fā)明的另外的實(shí)施例和方面。還應(yīng)理解，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對(duì)已公開的實(shí)施例進(jìn)行許多變化。因此前面的概述并非意在限制本發(fā)明的范圍。相反，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求和它們的等同物來決定。


圖1是整個(gè)系統(tǒng)的示意圖。
圖2是表示整個(gè)回收準(zhǔn)備工藝的流程圖。
圖3是回收(recycle)盒數(shù)據(jù)庫(kù)的示意圖。
圖4是測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)的示意圖。
圖5是測(cè)試晶片分類裝置的示意圖。
圖6是示出了貼有打印的標(biāo)簽的回收盒的實(shí)例。
圖7是表示映射(map)測(cè)試晶片和盒的步驟的流程圖。
圖8是測(cè)試晶片和盒的報(bào)告的實(shí)例。
圖9是表示創(chuàng)建測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)的步驟的流程圖。
圖10是表示回收算法引擎的步驟的流程圖。
圖11是表示通過回收類別劃分測(cè)試晶片的工藝步驟的流程圖。
圖12是回收盒標(biāo)簽的實(shí)例。
圖13是表示整個(gè)回收工藝的流程圖。
圖14是最佳已知方案(BKM)數(shù)據(jù)庫(kù)的示意圖。
圖15是表示回收供應(yīng)商核實(shí)測(cè)試晶片的ID、盒的ID及回收類別的步驟的流程圖。
圖16描繪了置于測(cè)試晶片上的標(biāo)識(shí)代碼。
圖17示出了反映測(cè)試晶片的處理歷史的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼的實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了一個(gè)計(jì)算機(jī)化系統(tǒng)100的實(shí)例，其被認(rèn)為能夠顯著提高用過的測(cè)試晶片和其他半導(dǎo)體器件制備中所用的測(cè)試襯底的回收。系統(tǒng)100用在回收準(zhǔn)備工藝中，圖2中概述了其實(shí)例。在回收準(zhǔn)備工藝110中，系統(tǒng)100標(biāo)識(shí)(方框112)要被回收的測(cè)試晶片并將其存放在盒118內(nèi)，優(yōu)選地，每個(gè)測(cè)試晶片分配有唯一的標(biāo)識(shí)代碼，其可包括文字?jǐn)?shù)字符號(hào)或其他符號(hào)。雖然這里是結(jié)合硅測(cè)試晶片和盒來描述示意性系統(tǒng)的，但可以理解，某些實(shí)施例可涉及其他類型的測(cè)試半導(dǎo)體和非半導(dǎo)體襯底，包括絕緣體上的硅(SOI)、砷化鎵、鍺、硅鍺、玻璃和其他測(cè)試襯底。而且，可以理解，除了盒之外，還可使用其它存放容器或箱。一個(gè)實(shí)例是用來傳遞300mm晶片的FOUP。
圖3是一個(gè)計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)庫(kù)120的實(shí)例的示意圖，其中系統(tǒng)100存儲(chǔ)每個(gè)要被回收的測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)代碼和其中存放有各個(gè)這樣的測(cè)試晶片的特定的盒118的標(biāo)識(shí)代碼。系統(tǒng)100包括合適的計(jì)算機(jī)或計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)124(圖1)，其維護(hù)著盒數(shù)據(jù)庫(kù)120。讀取器126讀取要被回收的各個(gè)測(cè)試晶片130的標(biāo)識(shí)代碼，將其存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)120中。
根據(jù)示意性回收工藝110的另一方面，系統(tǒng)100還提取(圖2，方框132)各個(gè)要被回收的測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)。這種處理歷史數(shù)據(jù)可包括描述沉積在測(cè)試晶片上的各層(如果存在的話)以及在測(cè)試晶片上進(jìn)行的包括蝕刻、清洗、拋光等的其他工藝的數(shù)據(jù)。在許多半導(dǎo)體制備設(shè)施中，頻繁地維護(hù)那些追蹤在通過制備系統(tǒng)的各個(gè)晶片上進(jìn)行的工藝的數(shù)據(jù)庫(kù)。因此，系統(tǒng)100可從已有(preexisting)數(shù)據(jù)庫(kù)中提取這種處理歷史數(shù)據(jù)，并將其存儲(chǔ)(方框132)在由系統(tǒng)100為各個(gè)被標(biāo)識(shí)為準(zhǔn)備回收的測(cè)試晶片創(chuàng)建(圖2，方框140)的測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)中。圖4示出了這種測(cè)試歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150的實(shí)例，其中在測(cè)試晶片上進(jìn)行的各個(gè)處理步驟都結(jié)合特定的測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)代碼而被存儲(chǔ)。
使用測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150，系統(tǒng)100能檢測(cè)(圖2，方框154)在特定測(cè)試晶片上進(jìn)行的各個(gè)處理步驟，并確定用哪種方法回收該特定測(cè)試晶片是合適的。例如，如果測(cè)試晶片其上沉積有500埃的氧化物層，則相對(duì)于另一個(gè)其上沉積有1000埃的氧化物層的測(cè)試晶片，該測(cè)試晶片需要的化學(xué)洗脫(stripping)可能更少。應(yīng)該理解通過利用例如測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150的數(shù)據(jù)庫(kù)來選擇特別適用于該特定的測(cè)試晶片的回收方法，可更有效地回收測(cè)試晶片。在說明性實(shí)施例中，系統(tǒng)100包括回收算法引擎，其基于該測(cè)試晶片的具體處理歷史數(shù)據(jù)來標(biāo)識(shí)回收各個(gè)測(cè)試晶片的方法，并將標(biāo)識(shí)所選定方法的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在系統(tǒng)100的一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)120和150中。
一旦已為一個(gè)或多個(gè)測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)了合適的回收方法，系統(tǒng)100就可使用該信息并基于為各個(gè)測(cè)試晶片所選擇的方法來將測(cè)試晶片分類到(圖2，方框160)各種類別中。圖5示出了系統(tǒng)100的機(jī)器人系統(tǒng)170的實(shí)例，其包括能夠從多個(gè)存放盒或其他存放箱118a，118b，118c……118n的其中任一個(gè)移走測(cè)試晶片130，并能夠?qū)⒃摐y(cè)試晶片存放在任一個(gè)其他的存放盒118a，118b，118c……118n內(nèi)的機(jī)器手172。在說明性實(shí)施例中，所定位的一個(gè)或多個(gè)箱是光學(xué)掃描儀或其他類型的讀取器126，當(dāng)測(cè)試晶片被從相關(guān)盒中取出或被插入相關(guān)盒內(nèi)時(shí)，其允許掃描測(cè)試晶片以核實(shí)正被機(jī)器手172處理的測(cè)試晶片的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼。
在一個(gè)實(shí)例中，所有已被分配有一種特定回收方法或類別的測(cè)試晶片可被存放在一個(gè)盒內(nèi)，直至達(dá)到該盒的容量。系統(tǒng)100包括用來為各個(gè)盒118a……118n分別打印標(biāo)簽182a……182n(圖6)的打印機(jī)180(圖1)。各個(gè)標(biāo)簽可貼在(圖2，方框184)相關(guān)的盒上，并可通過標(biāo)識(shí)代碼識(shí)別由機(jī)器人分類系統(tǒng)170存放在盒中的各個(gè)測(cè)試晶片、由回收算法引擎為盒中的各個(gè)測(cè)試晶片所選擇的特定回收方法、以及如下所述的其他信息。然后利用由貼在存放測(cè)試晶片的盒上的標(biāo)簽所識(shí)別的回收工藝來準(zhǔn)備對(duì)各個(gè)盒的測(cè)試晶片進(jìn)行回收(圖2，方框190)。
圖7更詳細(xì)地示出了操作198，其可被執(zhí)行以標(biāo)識(shí)(圖2，方框112)要被回收的測(cè)試晶片以及所述測(cè)試晶片存放在其中的盒。如果(方框200)要標(biāo)識(shí)測(cè)試晶片的新盒，則該盒被分配(方框202)唯一的盒標(biāo)識(shí)代碼，并在盒數(shù)據(jù)庫(kù)120中創(chuàng)建(方框204)新的記錄。如圖3中所示的，盒數(shù)據(jù)庫(kù)120具有各個(gè)盒118a……118n的相應(yīng)記錄210a……210n。各個(gè)記錄具有其中存儲(chǔ)有(圖7，方框220)盒標(biāo)識(shí)代碼的域212。在說明性實(shí)施例中，盒標(biāo)識(shí)代碼可以是一系列符號(hào)，包括文字?jǐn)?shù)字字符和其他任意唯一地標(biāo)識(shí)特定的盒的符號(hào)。
一旦在盒數(shù)據(jù)庫(kù)120中已為正被處理的盒創(chuàng)建了記錄，并且盒的標(biāo)識(shí)代碼已被存儲(chǔ)在合適的域212中，或者如果(方框200)盒在盒數(shù)據(jù)庫(kù)120中已有相關(guān)記錄，則機(jī)器手172從盒中移出(方框230)測(cè)試晶片，掃描儀126掃描(方框232)該測(cè)試晶片以讀取測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼。類似于盒標(biāo)識(shí)代碼，晶片標(biāo)識(shí)代碼可以是一系列符號(hào)，包括文字?jǐn)?shù)字字符和其他唯一地標(biāo)識(shí)特定測(cè)試晶片的符號(hào)。經(jīng)常利用激光，經(jīng)常將這些測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼直接刻在測(cè)試晶片的前表面或后表面上。
圖16示出了測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼240的實(shí)例，其被激光刻在測(cè)試晶片130的邊緣242附近。測(cè)試晶片經(jīng)常有切口244、或平坦化的邊緣(未示出)或其他便于機(jī)器人處理的方位特征。測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼240優(yōu)選為光學(xué)掃描儀或其他讀取設(shè)備容易辨別的類型以方便晶片的自動(dòng)處理。
一旦已讀取晶片的標(biāo)識(shí)代碼，就可將測(cè)試晶片再放回(圖7，方框250)同一盒中或不同的盒中。另外，從測(cè)試晶片讀取的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼被存儲(chǔ)到(方框260)盒數(shù)據(jù)庫(kù)120內(nèi)的與測(cè)試晶片所置于其內(nèi)的特定的盒相關(guān)的記錄的域262中(圖3)。許多盒或其他存放箱經(jīng)常具有支撐各個(gè)獨(dú)立晶片的槽。經(jīng)常用獨(dú)立的槽序號(hào)來唯一地標(biāo)識(shí)這些槽。在這個(gè)實(shí)例中，每個(gè)盒具有多個(gè)槽，編號(hào)為槽1、槽2……槽n。因此，可將其中存放有測(cè)試晶片的槽的槽1、槽2……槽n的槽編號(hào)記錄進(jìn)(方框260)與存放在那個(gè)槽中的測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)代碼相關(guān)的域264內(nèi)。
一旦已掃描了正被處理的盒的所有測(cè)試晶片(方框270)，系統(tǒng)100的打印機(jī)180可打印出(方框272)初始的盒標(biāo)簽并將其貼在盒上。這個(gè)初始標(biāo)簽可包括例如盒標(biāo)識(shí)代碼的信息，還可包括一列存放在盒中用于回收的測(cè)試晶片的晶片標(biāo)識(shí)代碼。對(duì)于所有將要被回收的測(cè)試晶片的盒可重復(fù)圖7的盒和測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)工藝過程。
所有這些盒和測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)信息還可打印在報(bào)告中，圖8中示出了其實(shí)例。這個(gè)報(bào)告280可包括含有要被回收的測(cè)試晶片的盒的列表和存放在每個(gè)盒中的測(cè)試晶片的列表，在盒的列表中每個(gè)盒由其唯一的盒標(biāo)識(shí)代碼來標(biāo)識(shí)。每個(gè)測(cè)試晶片的信息可包括測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)代碼和測(cè)試晶片存放在其中的盒的槽編號(hào)。
圖9更詳細(xì)地示出了操作290的實(shí)例，可執(zhí)行該操作來創(chuàng)建(圖2，方框140)測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)，例如圖4中所示的數(shù)據(jù)庫(kù)150。圖9的操作優(yōu)選在以類似于以上結(jié)合圖7所描述的方式已標(biāo)識(shí)了一個(gè)或多個(gè)測(cè)試晶片之后執(zhí)行。因而，可在讀取器標(biāo)識(shí)了每個(gè)測(cè)試晶片之后，將測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150中，或者可在例如由圖7的操作已標(biāo)識(shí)了一批測(cè)試晶片之后，將這批測(cè)試晶片的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)中。
為將測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)加入測(cè)試晶片數(shù)據(jù)庫(kù)150中，為單個(gè)測(cè)試晶片創(chuàng)建(圖9，方框302)例如記錄300a(圖4)的記錄，并且將該特定的測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)代碼存儲(chǔ)(方框304)在域306中。如果歷史數(shù)據(jù)對(duì)于該測(cè)試晶片是可用的(方框310)，則將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)(方框312)在描述一個(gè)或多個(gè)在所述測(cè)試晶片上進(jìn)行的工藝過程的記錄300中。在圖4和圖9的實(shí)例中，較好的選擇是為測(cè)試晶片上進(jìn)行的每個(gè)制備處理步驟存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可包括每個(gè)處理步驟的步驟編號(hào)，其被存儲(chǔ)在域314中來表示在測(cè)試晶片上進(jìn)行的各種處理步驟的時(shí)間順序。另外，可將標(biāo)識(shí)在每個(gè)步驟中進(jìn)行的工藝類型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在例如域316中。為特定的處理步驟所標(biāo)識(shí)的各種工藝可包括例如CVD、PVD、熱生長(zhǎng)、摻雜、擴(kuò)散、離子注入、蝕刻、CMP、清洗、熱處理、缺陷檢查等。另外，對(duì)于每種處理類型，可將附加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在各種域中。例如，對(duì)于膜沉積，可將沉積的材料(例如銅、鋁、氮化物、氧化物等)類型存儲(chǔ)在域320中，可將膜的厚度(例如0(如果沒有膜的話)、或500埃，1000埃等)存儲(chǔ)在另一個(gè)域322中。對(duì)于離子注入，可將離子類型存儲(chǔ)在域320中或另一個(gè)域中，可將注入深度(例如0(如果沒有注入的話)、或250埃，1500埃等)存儲(chǔ)在域324中。對(duì)于擴(kuò)散工藝過程，可將擴(kuò)散深度存儲(chǔ)在域326中。我們相信，系統(tǒng)100可使用這些工藝的這種類型的信息以方便為數(shù)據(jù)庫(kù)150中的每個(gè)測(cè)試晶片選擇合適的回收方法，其作為在該特定測(cè)試晶片上進(jìn)行的工藝細(xì)節(jié)的函數(shù)。當(dāng)然，存在另外的用于選擇合適的回收工藝的這些類型和其他類型的工藝的信息，可將其存儲(chǔ)在另外的域中，例如域327。
如前面提到的，在圖4和9的實(shí)例中，優(yōu)選存儲(chǔ)在測(cè)試晶片上進(jìn)行的每個(gè)制備處理步驟的數(shù)據(jù)。因而，歷史數(shù)據(jù)存儲(chǔ)(方框312)可持續(xù)到已將所有歷史步驟都存儲(chǔ)(方框330)在數(shù)據(jù)庫(kù)150中。通過把(方框332)處理歷史數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)進(jìn)數(shù)據(jù)庫(kù)150的日期存儲(chǔ)進(jìn)域334中，處理歷史數(shù)據(jù)可以是“日期戳記”(“date stamped”)的。應(yīng)該理解處理歷史數(shù)據(jù)可能并不是對(duì)于每個(gè)要被回收的測(cè)試晶片都可用。如果處理歷史數(shù)據(jù)是不可用的(方框310)，則系統(tǒng)100繼續(xù)將例如“UNAVAILABLE”(“不可用”)的合適標(biāo)志存儲(chǔ)進(jìn)(方框333)測(cè)試晶片的記錄的適當(dāng)域中，并繼續(xù)時(shí)間戳記操作(方框332)。
如果所有標(biāo)識(shí)為將要回收的測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)已被存儲(chǔ)進(jìn)數(shù)據(jù)庫(kù)150(方框334)中，則系統(tǒng)100可終止(方框336)測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)操作，并如下所述的開始為數(shù)據(jù)庫(kù)150的每個(gè)測(cè)試晶片確定適當(dāng)?shù)幕厥辗椒?。如果沒有，則可重復(fù)圖9的操作，如上所述的為每個(gè)余下的測(cè)試晶片創(chuàng)建記錄(方框302)，并存儲(chǔ)每個(gè)余下的測(cè)試晶片的測(cè)試晶片處理歷史數(shù)據(jù)。
圖10更詳細(xì)地示出了操作350的實(shí)例，可進(jìn)行該操作來處理(圖2，方框154)測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)，例如圖4中所示的數(shù)據(jù)庫(kù)150，利用回收算法引擎為數(shù)據(jù)庫(kù)150的每個(gè)測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)適當(dāng)?shù)幕厥辗椒?。圖10的操作優(yōu)選在以類似于以上結(jié)合圖7所描述的方式已標(biāo)識(shí)一個(gè)或多個(gè)測(cè)試晶片，并已將這些測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到數(shù)據(jù)庫(kù)150中之后執(zhí)行。因而，可在讀取器標(biāo)識(shí)了測(cè)試晶片之后，選擇回收方法并將其存儲(chǔ)進(jìn)測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150中，或者可在通過例如圖7的操作已標(biāo)識(shí)了一批測(cè)試晶片，并且通過例如圖9的操作已存儲(chǔ)了這批測(cè)試晶片的每個(gè)測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)之后，為這批測(cè)試晶片的每個(gè)測(cè)試晶片選擇回收方法，并將其存儲(chǔ)在測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)中。
為了給測(cè)試晶片選擇回收工藝，為特定的測(cè)試晶片讀取測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150中的記錄300a，300b……300n?？砂错樞蛱幚碛涗?00a，300b……300n，或?yàn)樘囟ǖ臏y(cè)試晶片選擇特定的記錄300a，300b……300n。檢查(方框362)讀取的記錄300a，300b……300n來確定與該處理歷史數(shù)據(jù)庫(kù)記錄相關(guān)的測(cè)試晶片是否曾經(jīng)暴露于銅。如果曾暴露過，則在該測(cè)試晶片的記錄的域370中設(shè)定(方框364)銅標(biāo)記。還可為測(cè)試晶片的歷史數(shù)據(jù)中的其他類型的材料和工藝提供標(biāo)記。但是，為選擇回收工藝，在圖10的這個(gè)實(shí)例中，選定為銅提供專用標(biāo)記，這是因?yàn)槿绻试S銅污染并非為銅沉積而設(shè)計(jì)的處理工具，銅對(duì)該工具尤其有害。
在這個(gè)實(shí)例中，優(yōu)選的是將已在如測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150中所述的任意處理步驟過程中曾暴露于銅的任意測(cè)試晶片與未曾暴露于銅的測(cè)試晶片隔離，并且測(cè)試晶片由于曾暴露于銅而使其接受專門處理。另外，檢查(方框372)如測(cè)試晶片的處理歷史所示的測(cè)試晶片已經(jīng)歷的其他相關(guān)處理步驟，并為所述曾暴露于銅的測(cè)試晶片選擇適當(dāng)?shù)幕厥展に?，其作為在銅中的暴露與測(cè)試晶片歷史的其他處理步驟的函數(shù)。
系統(tǒng)100優(yōu)選包括例如圖14的數(shù)據(jù)庫(kù)380的數(shù)據(jù)庫(kù)，其中可以存儲(chǔ)許多不同回收工藝的具體指令。因而，數(shù)據(jù)庫(kù)380可包括例如每種回收工藝的記錄382a……382n，其中每個(gè)記錄包括域384中的回收工藝的標(biāo)題或其他簡(jiǎn)短說明、域386中的標(biāo)識(shí)代碼和詳述回收工藝的各種步驟的多個(gè)域390。在這個(gè)實(shí)例中，回收工藝可包括用于回收特定類型的測(cè)試晶片的最佳已知方案(BKM)的集合。還應(yīng)該理解，為每個(gè)將要回收的測(cè)試晶片所存儲(chǔ)的詳細(xì)處理歷史數(shù)據(jù)較容易允許改進(jìn)BKM回收方法以提高回收工藝的效率。
例如，一種用于沒有金屬涂層的測(cè)試晶片的BKM回收工藝可指定去除每個(gè)測(cè)試晶片的固定厚度，以確保去除了所有測(cè)試晶片的所有涂層。但是，如以上提到的，由于測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)可存儲(chǔ)沉積在每個(gè)測(cè)試晶片上的層的實(shí)際厚度，所以有涂層的測(cè)試晶片的回收工藝可改進(jìn)為幾個(gè)更專用的回收工藝，其中一種用于涂層去除的回收工藝去除沉積層小于500埃的測(cè)試晶片的僅500埃的厚度，而另一種專用方法去除沉積層大于500埃而小于1000埃的晶片的1000埃的厚度。結(jié)果回收變得更有效。另外，可減少測(cè)試晶片材料的不必要的去除。
而且，不僅可注意每個(gè)測(cè)試晶片的測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)中的沉積層的厚度，而且可注意每個(gè)沉積層的沉積類型。取決于所沉積的材料類型，可調(diào)整去除方法使得既適于沉積厚度又適于沉積材料。例如，利用例如氫氟酸洗脫的簡(jiǎn)易化學(xué)洗脫工藝可去除氧化物層。但是，光刻膠層可能要求不同類型的化學(xué)洗脫工藝，例如熱硫酸浴法。
一旦基于存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)150中的特定的測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)，從回收工藝數(shù)據(jù)庫(kù)380為該測(cè)試晶片已選擇了優(yōu)選的回收工藝，則所選定的回收工藝的標(biāo)識(shí)代碼被存儲(chǔ)(方框372)在與該特定測(cè)試晶片相關(guān)的數(shù)據(jù)庫(kù)150的記錄300a……300n的域392中。
如果測(cè)試晶片未曾暴露于銅(方框362)，則檢查(方框400)讀取的記錄300a、300b……300n來確定是否有任意金屬層(除了銅之外)沉積在與所述處理歷史數(shù)據(jù)庫(kù)記錄相關(guān)聯(lián)的測(cè)試晶片上。在這個(gè)實(shí)例中，優(yōu)選的是把在如測(cè)試晶片的測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150中所描述的任意處理步驟過程中已接受金屬沉積的任意測(cè)試晶片與將要回收的非金屬測(cè)試晶片相隔離。例如，如果將具有金屬層的測(cè)試晶片引入意在僅去除非金屬層的化學(xué)洗脫工藝中，則非金屬洗脫裝置可能被金屬污染，接著金屬的金屬顆?？赡苡治廴痉墙饘贉y(cè)試晶片。由于隨后的非金屬層沉積可能覆蓋了沉積的金屬層，所以目測(cè)可能不容易識(shí)別具有金屬沉積埋層的測(cè)試晶片。但是，由于如測(cè)試晶片的處理歷史所示的測(cè)試晶片已經(jīng)歷過的所有相關(guān)處理步驟都能被檢查出(方框400)，所以即使非金屬沉積覆蓋了金屬沉積，仍可基于所有相關(guān)的沉積步驟來較容易地確定金屬沉積埋層，并為所述測(cè)試晶片選擇適當(dāng)?shù)幕厥展に?方框402)。
一旦基于存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)150中測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)，已從回收工藝數(shù)據(jù)庫(kù)380中為具有沉積金屬的測(cè)試晶片選擇了優(yōu)選的回收工藝，則將所選定的回收工藝的標(biāo)識(shí)代碼存儲(chǔ)進(jìn)(方框402)與所述特定測(cè)試晶片相關(guān)的數(shù)據(jù)庫(kù)150的記錄300a……300n的域392中。
如果測(cè)試晶片未曾暴露于銅(方框362)，且沒有金屬沉積(方框400)，則基于如所述測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)庫(kù)記錄所示的所有在所述測(cè)試晶片上進(jìn)行的相關(guān)處理步驟，檢查(方框410)讀取的記錄300a，300b……300n來為所述測(cè)試晶片確定適當(dāng)?shù)幕厥展に?。例如，特定的非金屬沉積的測(cè)試晶片的測(cè)試晶片處理歷史數(shù)據(jù)庫(kù)可能表明了該測(cè)試晶片在晶片上具有例如氧化物的簡(jiǎn)單的膜，僅利用氫氟酸的化學(xué)洗脫就可將其去除。這種化學(xué)洗脫之后，可進(jìn)行利用已建立的SC-1和SC-2化學(xué)清洗工藝和缺陷檢查工藝。作為比較，另一個(gè)測(cè)試晶片可具有更復(fù)雜的非金屬沉積，另外的回收步驟可能適合這種沉積。另一個(gè)非金屬測(cè)試晶片還可能已經(jīng)歷了重復(fù)的化學(xué)洗脫和清洗工藝，但不能通過缺陷檢查工藝。對(duì)于這種測(cè)試晶片，回收工藝可包括短拋光工藝，然后是清洗和檢查工藝。因而，可為每個(gè)非金屬測(cè)試晶片設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)幕厥展に?，如適當(dāng)?shù)脑?，可增加、減少和替換回收工藝步驟以提高所有測(cè)試晶片的回收工藝的總效率。
一旦基于存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)150中測(cè)試晶片的處理歷史數(shù)據(jù)，已從回收工藝數(shù)據(jù)庫(kù)380中為沒有金屬沉積的測(cè)試晶片選擇了優(yōu)選的回收工藝，則將所選定的回收工藝的標(biāo)識(shí)代碼存儲(chǔ)進(jìn)(方框410)與所述特定測(cè)試晶片相關(guān)的數(shù)據(jù)庫(kù)150的記錄300a……300n的域392中。圖10的回收算法引擎繼續(xù)檢查標(biāo)識(shí)為要回收的測(cè)試晶片的每條記錄，并為每個(gè)這樣的測(cè)試晶片選擇適當(dāng)?shù)幕厥展に?，將回收工藝?biāo)識(shí)代碼存儲(chǔ)進(jìn)所述測(cè)試晶片的相關(guān)記錄中，直至(方框420，422)所有測(cè)試晶片歷史記錄都已被處理過。
圖11更詳細(xì)地示出了操作430的實(shí)例，可進(jìn)行所述操作以利用被標(biāo)識(shí)的并被存儲(chǔ)進(jìn)圖4中所示的測(cè)試歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150中的回收方法，來將測(cè)試晶片物理地分類并分進(jìn)各類別中。優(yōu)選在以類似于以上結(jié)合圖7所描述的方式已標(biāo)識(shí)一個(gè)或多個(gè)測(cè)試晶片，已檢查過測(cè)試晶片處理歷史數(shù)據(jù)庫(kù)，并以類似于以上結(jié)合圖10所描述的方式已將適當(dāng)?shù)幕厥展に嚧鎯?chǔ)進(jìn)那些測(cè)試晶片的數(shù)據(jù)庫(kù)150中之后，執(zhí)行圖11的操作。在處理下一個(gè)測(cè)試晶片之前，可標(biāo)識(shí)測(cè)試晶片，并為所述測(cè)試晶片選擇回收工藝，將所述測(cè)試晶片分類并隔離?；蛘?，可一次一批地標(biāo)識(shí)各個(gè)測(cè)試晶片，一次一批地為這批的每個(gè)測(cè)試晶片選擇回收工藝，隨后一次一批地將這些測(cè)試晶片分類并隔離。
為將要回收的測(cè)試晶片分類，可通過適當(dāng)?shù)臋C(jī)器手172(圖5)從盒或其他存放箱118a，118b……118n中取出測(cè)試晶片，并可由合適的讀取器126讀取(圖11，方框450)所述測(cè)試晶片上的標(biāo)識(shí)代碼。使用該讀取的標(biāo)識(shí)代碼，來讀取(方框452)測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150的記錄300a，300b……300n(圖4)，并檢查(方框454)該記錄的銅標(biāo)記域370。
如果銅標(biāo)記被設(shè)定，表明該測(cè)試晶片曾暴露于銅，則將該測(cè)試晶片與其他的非銅測(cè)試晶片分開(方框456)，對(duì)其優(yōu)選采用專門的銅處理工序。例如，在某些應(yīng)用中可能適于使用單獨(dú)的機(jī)器人處理系統(tǒng)，使得不必用同一機(jī)器人系統(tǒng)來處理曾暴露于銅的測(cè)試晶片和未曾暴露于銅的測(cè)試晶片。萬一疏忽地用處理未曾暴露于銅的測(cè)試晶片專用的機(jī)器人系統(tǒng)來處理曾暴露于銅的測(cè)試晶片，系統(tǒng)100可使用為該曾暴露于銅的測(cè)試晶片設(shè)定的銅標(biāo)記來向系統(tǒng)操作員產(chǎn)生警告指示，使得能夠采用適當(dāng)?shù)墓ば?。例如，可關(guān)閉處理系統(tǒng)，以允許移走曾暴露于銅的晶片，并用曾暴露于銅的晶片專用的處理系統(tǒng)來處理這種晶片。另外，在其他的測(cè)試晶片被銅污染之前，可清除非銅處理系統(tǒng)的任意銅污染物。而且，可為任意與曾暴露于銅的測(cè)試晶片接觸的測(cè)試晶片更新測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)，以表明這些測(cè)試晶片也是曾暴露于銅的，并應(yīng)用處理曾暴露于銅的晶片所專用的系統(tǒng)來處理。
如果記錄的銅標(biāo)記沒有被設(shè)定(方框454)(或者如果設(shè)定有銅標(biāo)記，但晶片處理系統(tǒng)是處理曾暴露于銅的測(cè)試晶片專用的)，則機(jī)器手172將測(cè)試晶片放入(方框458)適當(dāng)?shù)幕厥蘸?18a……118n或其他存放箱內(nèi)，從而將測(cè)試晶片分類。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)盒118a……118n可與一種特定類型的回收工藝相關(guān)。因而，例如，一個(gè)盒可用來存放將要經(jīng)歷500?；瘜W(xué)洗脫的氧化物測(cè)試晶片，而另一個(gè)盒可用來存放將要經(jīng)歷不同的化學(xué)洗脫的光刻膠測(cè)試晶片。另一個(gè)盒可包含需要拋光工藝等的測(cè)試晶片。在說明性實(shí)施例中，將每個(gè)盒的回收工藝的標(biāo)識(shí)代碼存儲(chǔ)進(jìn)與所述特定盒相關(guān)聯(lián)的盒數(shù)據(jù)庫(kù)記錄210a……210n的域464中(圖3)。另外，如果盒是處理曾暴露于銅的測(cè)試晶片的，則也可將銅標(biāo)記468設(shè)定在盒數(shù)據(jù)庫(kù)記錄中。
為給機(jī)器手172正處理的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)適當(dāng)?shù)哪繕?biāo)盒118a……118n，從所述測(cè)試晶片的測(cè)試歷史數(shù)據(jù)庫(kù)記錄的域392中讀取為所述測(cè)試晶片選擇的回收工藝的標(biāo)識(shí)代碼，并從盒數(shù)據(jù)庫(kù)120讀取已為所述回收工藝選擇的盒標(biāo)識(shí)代碼。機(jī)器手172將測(cè)試晶片放入為所述回收工藝標(biāo)識(shí)的盒的開槽內(nèi)。也可將所述測(cè)試晶片置于其內(nèi)的目標(biāo)盒的標(biāo)識(shí)代碼存儲(chǔ)進(jìn)(方框470)該特定測(cè)試晶片的測(cè)試歷史數(shù)據(jù)庫(kù)記錄300a……300n的域472中。類似地，可將標(biāo)識(shí)所述測(cè)試晶片置于其中的哪個(gè)盒及該盒的哪個(gè)槽編號(hào)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)盒數(shù)據(jù)庫(kù)120中。例如，可將所述測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)代碼存儲(chǔ)在目標(biāo)盒的盒數(shù)據(jù)庫(kù)120的適當(dāng)記錄的適當(dāng)測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼域262中，將所述測(cè)試晶片存放在其中的目標(biāo)盒的槽編號(hào)存儲(chǔ)在槽編號(hào)域264中。
將測(cè)試晶片放入目標(biāo)盒118a……118n內(nèi)之后，可進(jìn)行詢問(方框476)來確定是否所有的將要回收的測(cè)試晶片都已分類。如果否，則詢問(方框478)是否上一個(gè)目標(biāo)盒已裝滿了經(jīng)分類的測(cè)試晶片。如果是，則通過將測(cè)試晶片和回收數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)進(jìn)所述盒的數(shù)據(jù)庫(kù)120內(nèi)的日期存儲(chǔ)進(jìn)域479中，所述盒的數(shù)據(jù)庫(kù)120中的數(shù)據(jù)可以被“日期戳記”。
另外，可打印出標(biāo)簽(方框480)，并將其貼在盒上。圖12示出了這種盒標(biāo)簽500的實(shí)例。盒標(biāo)簽500優(yōu)選為計(jì)算機(jī)生成的，但是可以是以任意合適的方式生成的。系統(tǒng)100能打印標(biāo)簽500，以使標(biāo)簽500能包括各種有用的信息。例如，圖12的標(biāo)簽500在部分502中標(biāo)識(shí)盒標(biāo)識(shí)代碼，并在部分504中標(biāo)識(shí)為存放在盒中的每個(gè)測(cè)試晶片所選擇的回收工藝?？赏ㄟ^說明標(biāo)題、或標(biāo)識(shí)代碼、或說明標(biāo)題和標(biāo)識(shí)代碼兩者來標(biāo)識(shí)回收工藝，其中還可包括回收工藝的步驟的說明。一般可打印在標(biāo)簽500的部分506中的其他信息包括測(cè)試晶片放入盒內(nèi)的日期、測(cè)試晶片所有者的標(biāo)識(shí)或其他顧客信息、將測(cè)試晶片分類的公司標(biāo)識(shí)以及在盒中的測(cè)試晶片上進(jìn)行回收工藝的供應(yīng)商的標(biāo)識(shí)。而且，可在標(biāo)簽500的另一部分508中列出所有存放在盒中的測(cè)試晶片的列表。該列表可包括每個(gè)測(cè)試晶片的標(biāo)識(shí)代碼和所述測(cè)試晶片存放在其中的槽的編號(hào)。
如果并非所有測(cè)試晶片都已被分類，則機(jī)器人處理系統(tǒng)將標(biāo)識(shí)(方框450)另一個(gè)測(cè)試晶片，通過回收工藝將其分類，并將其放入(方框452-470)適合其回收工藝的盒內(nèi)。一旦所有測(cè)試晶片都已分類(方框476)，則可為所有還未以類似于如上面圖12中所述的方式而被貼上標(biāo)簽的余下的盒打印(方框510)盒標(biāo)簽。含有經(jīng)分類的測(cè)試晶片并具有盒標(biāo)簽的盒就準(zhǔn)備好(方框512)根據(jù)每個(gè)盒標(biāo)簽上所標(biāo)識(shí)的回收工藝而被處理。
圖13一般地示出了回收操作員可進(jìn)行的操作590。根據(jù)另一方面，在測(cè)試晶片上實(shí)際進(jìn)行回收工藝之前，如圖13中所示的，回收操作員可在測(cè)試晶片上進(jìn)行核對(duì)過程(方框600)。這種核對(duì)可包括核對(duì)測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼、盒標(biāo)識(shí)代碼和回收工藝標(biāo)識(shí)代碼，如以下將在圖15中更詳細(xì)地解釋。
核對(duì)之后，利用測(cè)試歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150的一些或所有內(nèi)容，可將另外的標(biāo)識(shí)代碼任選地刻在(方框602)每個(gè)測(cè)試晶片上。數(shù)據(jù)庫(kù)150的信息可通過網(wǎng)絡(luò)連接、例如軟盤或光介質(zhì)的手持或可移動(dòng)介質(zhì)、或互聯(lián)網(wǎng)等傳輸給回收操作員。圖16示出了具有第一標(biāo)識(shí)代碼240的測(cè)試晶片130的實(shí)例，所述標(biāo)識(shí)代碼通常是由晶片生產(chǎn)商刻的。利用測(cè)試晶片歷史數(shù)據(jù)庫(kù)，回收操作員可將第二標(biāo)識(shí)代碼610刻在測(cè)試晶片上。其實(shí)例在圖17中示出的第二標(biāo)識(shí)代碼可包括各種文字?jǐn)?shù)字字符和其他人眼可見或機(jī)器影像可讀的符號(hào)。例如，另外的標(biāo)識(shí)代碼可包括測(cè)試晶片將要經(jīng)歷的回收工藝或概括性的回收類別的標(biāo)識(shí)符號(hào)612，例如銅標(biāo)記為“Cu”，非金屬為“NM”或非銅的金屬為“MNC”。
第二標(biāo)識(shí)代碼610也可包括標(biāo)識(shí)回收處理者的符號(hào)域614，標(biāo)識(shí)加入第二標(biāo)識(shí)代碼610的日期或執(zhí)行回收工藝的日期的符號(hào)域616，以及唯一地標(biāo)識(shí)測(cè)試晶片的符號(hào)域618。域618可與晶片生產(chǎn)商所刻的代碼240相同或是回收處理者生成的新的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼。
核對(duì)(方框600)晶片身份和回收工藝，并刻下(方框602)第二標(biāo)識(shí)代碼之后，則可根據(jù)為該特定的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)的回收工藝來回收測(cè)試晶片(方框630)。如前面提到的，基于所記錄的特定測(cè)試晶片的處理歷史，可以一種既能提高回收工藝的效率又能減少回收測(cè)試晶片不必要地變薄的方式來選擇回收工藝。
圖15示出了操作640的實(shí)例，回收操作員在回收測(cè)試晶片之前可進(jìn)行該操作來核對(duì)每個(gè)測(cè)試晶片的身份。如前面提到的，可將測(cè)試晶片存放在例如盒118a……118n的盒中，其中已按回收工藝類型將測(cè)試晶片分類?；厥詹僮鲉T可具有類似于圖1中所述的系統(tǒng)100的計(jì)算機(jī)化系統(tǒng)。為核對(duì)測(cè)試晶片已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤诸?，并已被分配了合適的回收工藝，機(jī)器手172從盒118a……118n中移出(方框650)測(cè)試晶片，掃描儀126掃描(方框652)測(cè)試晶片以讀取刻在或置于測(cè)試晶片上的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼。利用測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼，可為該測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼(圖4，域306)查到被傳送給回收操作員的測(cè)試歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150的相關(guān)部分，以獲得分配給該測(cè)試晶片的回收工藝(域392)和盒(域472)。將測(cè)試晶片的測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)代碼、回收工藝和盒標(biāo)識(shí)代碼與打印在貼于從其中取出測(cè)試晶片的盒上的標(biāo)簽182a……182n上的相應(yīng)信息進(jìn)行比較(方框654)，來確定該測(cè)試晶片是在合適的盒中被送給回收操作員的，該盒具有為該盒和測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)的合適的回收工藝。另外，可將這種信息與任意打印報(bào)告中包含的信息相比較，例如晶片ID報(bào)告(圖8)，這種打印報(bào)告可能已附在給回收操作員的測(cè)試晶片的盒上。
在某些實(shí)施例中，可能希望在例如測(cè)試歷史數(shù)據(jù)庫(kù)150或圖3中被傳送給回收操作員的盒數(shù)據(jù)庫(kù)120的數(shù)據(jù)庫(kù)中記錄(方框656)確認(rèn)信息，以確定該測(cè)試晶片是在合適的盒中被送給回收操作員的，該盒具有為該盒和測(cè)試晶片標(biāo)識(shí)的合適的回收工藝。重新放置該測(cè)試晶片后(方框660)，如上所討論的可將另一個(gè)測(cè)試晶片從盒中移出，并進(jìn)行核對(duì)。一旦已核對(duì)了盒中的所有測(cè)試晶片(方框662)，就可打印(方框664)另一個(gè)標(biāo)簽，并將其貼在盒上，表示已為盒中的每個(gè)測(cè)試晶片確認(rèn)了測(cè)試晶片的身份和將要進(jìn)行的回收工藝類型。或者，可以在例如貼在傳送給回收操作員的盒上的標(biāo)簽500這樣的標(biāo)簽上做標(biāo)記，以表示經(jīng)核對(duì)確認(rèn)。如以上結(jié)合圖15所描述的來核對(duì)余下的盒。
確認(rèn)之后，如上所述的，可將另外的標(biāo)識(shí)代碼刻在盒上。然后以盒的標(biāo)簽500或測(cè)試晶片報(bào)告所指明的方式來回收每個(gè)已確認(rèn)的盒的測(cè)試晶片。各種回收步驟對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員都是公知的。另外，執(zhí)行回收步驟的工具對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員也是公知的。例如，Applied MaterialsReflexion tool可進(jìn)行拋光步驟，Applied Materials Oasis tool可進(jìn)行清洗步驟。應(yīng)用材料公司的其他工具和其他回收工藝的其他生產(chǎn)商對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員也是公知的。
附加的實(shí)施例細(xì)節(jié)利用標(biāo)準(zhǔn)的生成軟件、固件、硬件或其任意組合的編程技術(shù)和/或工程技術(shù)，可以實(shí)施這里所描述的回收測(cè)試晶片及準(zhǔn)備要回收的測(cè)試晶片的技術(shù)，并以方法、裝置或制品的形式來實(shí)施。這里所用的術(shù)語(yǔ)“制品”指在硬件邏輯或計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中實(shí)現(xiàn)的代碼或邏輯，硬件邏輯例如有集成電路芯片，可編程門陣列(PGA)、專用集成電路(ASIC)等，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)例如有磁存儲(chǔ)介質(zhì)(例如硬盤驅(qū)動(dòng)器、軟盤、磁帶等)、光存儲(chǔ)介質(zhì)(CD-ROMs、光盤等)、易失和非易失存儲(chǔ)設(shè)備(例如EEPROMs、ROMs、PROMs、RAMs、DRAMs、SRAMs、固件、可編程邏輯等)。處理器訪問并執(zhí)行計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的代碼。優(yōu)選實(shí)施例中實(shí)施的代碼還可通過傳輸介質(zhì)或從網(wǎng)絡(luò)上的文件服務(wù)器訪問。在這種情況下，在其中實(shí)施代碼的“制品”可包括傳輸介質(zhì)，例如網(wǎng)絡(luò)傳輸線、無線傳輸介質(zhì)、通過空間傳播的信號(hào)、無線電波、紅外信號(hào)等。因而，“制品”可包括其中嵌入代碼的介質(zhì)。另外，“制品”可包括代碼被嵌入其中并被處理、執(zhí)行的硬件和軟件組件的組合。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到在不偏離本發(fā)明的范圍下可對(duì)這種配置進(jìn)行許多改進(jìn)，且所述制品可包括本領(lǐng)域已知的任意信息攜帶介質(zhì)。
在所述的實(shí)施中，回收準(zhǔn)備和處理的某些方面包括在計(jì)算機(jī)中來處理測(cè)試晶片。在另一些實(shí)施中，可利用任意類型的與其他設(shè)備(例如手持計(jì)算機(jī)、掌上電腦、便攜式電腦、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)或路由器、電話設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、無線設(shè)備等)連接的電子設(shè)備來實(shí)施回收準(zhǔn)備和處理。
圖3、4、8和14示出了存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)庫(kù)中維護(hù)的某些信息。在另一些實(shí)施中，可維護(hù)另外類型或不同類型的信息。圖2、7、9、10、11、13和15的說明性操作示出了按某種順序發(fā)生的某些事件。在另一些實(shí)施例中，可按不同的順序執(zhí)行某些操作，并可進(jìn)行改進(jìn)或刪除。而且，可將某些步驟加入上述邏輯中，且仍符合所述實(shí)施例。另外，這里所述的操作可依次發(fā)生，或可并行地處理某些操作。另外，可通過單個(gè)處理單元或通過分布式處理單元來執(zhí)行操作。
為說明和描述的目的，前面已介紹了本發(fā)明的各種實(shí)施例的描述。但這并非意在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明恰好限制在所公開的形式中。根據(jù)以上教導(dǎo)，可進(jìn)行許多改進(jìn)和變化。本發(fā)明的范圍并未被該詳細(xì)的說明書所限。
權(quán)利要求
1.一種回收用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底的方法，包括從多個(gè)測(cè)試襯底讀取多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)；以及為每個(gè)讀取的測(cè)試襯底，從數(shù)據(jù)庫(kù)中獲得已存儲(chǔ)的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)，所述已存儲(chǔ)的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)了為回收每個(gè)讀取的測(cè)試襯底而選擇的回收工藝。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述讀取的多個(gè)測(cè)試襯底分類成多個(gè)組，每個(gè)測(cè)試襯底組具有與其相關(guān)聯(lián)的共同的回收工藝，所述工藝是為回收所述組的每個(gè)讀取的測(cè)試襯底而選擇的。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括將每組讀取的測(cè)試襯底存放在盒中，并用表示與所述組相關(guān)聯(lián)的所述共同的回收工藝的標(biāo)記來標(biāo)明所述每組的盒。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括用表示存放在所述組的盒中的每個(gè)測(cè)試襯底的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)的標(biāo)記來標(biāo)明每組的盒。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述測(cè)試襯底是由選自硅、砷化鎵、鍺和玻璃的材料制得的。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述分類的所述多個(gè)組包括第一組，所述第一組包括具有非金屬沉積的測(cè)試襯底，而不包括具有金屬沉積的測(cè)試襯底。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述分類的所述多個(gè)組包括第二組，所述第二組由曾暴露于銅的測(cè)試襯底組成。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述分類的所述多個(gè)組包括第三組，所述第三組包括具有金屬沉積的測(cè)試襯底，而不包括曾暴露于銅的測(cè)試襯底。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括利用如所述存儲(chǔ)的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的、為回收所讀取的測(cè)試襯底而選擇的回收工藝來回收每個(gè)讀取的測(cè)試襯底。
10.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括利用為回收所述組的每個(gè)讀取的測(cè)試襯底而選擇的所述共同的回收工藝來回收每組的每個(gè)讀取的測(cè)試襯底。
11.一種回收用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底的方法，包括將多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)數(shù)據(jù)庫(kù)，每個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)多個(gè)測(cè)試襯底中的一特定的測(cè)試襯底；為回收由所述多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述多個(gè)測(cè)試襯底的其中每一個(gè)襯底，從多個(gè)回收工藝中選擇一回收工藝；以及將多個(gè)測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述數(shù)據(jù)庫(kù)中，每個(gè)存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)，其中每個(gè)存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述回收工藝，所述回收工藝是為回收由與所述存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述存儲(chǔ)的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述測(cè)試襯底而選擇的。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括從所述多個(gè)測(cè)試襯底中的一測(cè)試襯底讀取測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)；以及從所述數(shù)據(jù)庫(kù)中獲得已存儲(chǔ)的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)，所述已存儲(chǔ)的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)了為回收所述讀取的測(cè)試襯底而選擇的回收工藝。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括將所述讀取的測(cè)試襯底存放在盒中，并用表示所述獲得的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)的標(biāo)記來標(biāo)明所述盒。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括將所述數(shù)據(jù)庫(kù)用電子方法傳送給回收操作員。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述用電子方法傳送包括通過互聯(lián)網(wǎng)傳送所述數(shù)據(jù)庫(kù)。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括將所述數(shù)據(jù)庫(kù)用電子方法存儲(chǔ)在可移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)上，并將所述可移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)發(fā)送給回收操作員。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括從所述多個(gè)測(cè)試襯底讀取多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)；從所述數(shù)據(jù)庫(kù)中為每個(gè)讀取的測(cè)試襯底獲得已存儲(chǔ)的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)，所述已存儲(chǔ)的回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)了為回收每個(gè)讀取的測(cè)試襯底而選擇的回收工藝；以及將所述讀取的多個(gè)測(cè)試襯底分類成組，每個(gè)測(cè)試襯底組具有與其相關(guān)聯(lián)的共同的回收工藝，所述工藝是為回收所述組的每個(gè)讀取的測(cè)試襯底而選擇的。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括將每組讀取的測(cè)試襯底存放在盒中，并用表示與所述組相關(guān)聯(lián)的所述共同的回收工藝的標(biāo)記來標(biāo)明每組的盒。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括用表示存放在所述組的盒中的每個(gè)測(cè)試襯底的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)的標(biāo)記來標(biāo)明每組的盒。
20.一種回收用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底的方法，包括從第一數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)，每個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)多個(gè)測(cè)試襯底中的一特定的測(cè)試襯底；從所述數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取在由所述多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述多個(gè)測(cè)試襯底的其中每個(gè)襯底上進(jìn)行的工藝步驟；為回收所述多個(gè)測(cè)試襯底的其中每個(gè)襯底，從多個(gè)回收工藝中選擇一回收工藝，其中為特定的測(cè)試襯底而選擇的所述回收工藝是在所述特定的測(cè)試襯底上進(jìn)行的所述工藝步驟的函數(shù)；將多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)第二數(shù)據(jù)庫(kù)，每個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述多個(gè)測(cè)試襯底中的一特定的測(cè)試襯底；以及將多個(gè)測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述第二數(shù)據(jù)庫(kù)中，在所述第二數(shù)據(jù)庫(kù)中的每個(gè)存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)與在所述第二數(shù)據(jù)庫(kù)中的存儲(chǔ)的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)，其中在所述第二數(shù)據(jù)庫(kù)中的每個(gè)存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述回收工藝，所述回收工藝是為了回收由與所述存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述存儲(chǔ)的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述測(cè)試襯底而選擇的。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括將表示所述工藝步驟的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述第二數(shù)據(jù)庫(kù)中，所述工藝步驟在由所述多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述多個(gè)測(cè)試襯底的其中每個(gè)襯底上進(jìn)行。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括其中所述工藝步驟包括材料沉積，且表示所述工藝步驟的所述數(shù)據(jù)包括表示在工藝步驟中沉積材料的類型及沉積材料的厚度的數(shù)據(jù)。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括其中所述工藝步驟包括離子注入，且表示所述工藝步驟的所述數(shù)據(jù)包括表示在工藝步驟中注入的離子的類型及注入離子的厚度的數(shù)據(jù)。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括其中所述工藝步驟包括蝕刻、化學(xué)機(jī)械拋光和熱處理。
25.一種回收用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底的方法，包括將第一多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)數(shù)據(jù)庫(kù)，每個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)存放在第一襯底存放容器的槽中的第一多個(gè)測(cè)試襯底中的一特定的測(cè)試襯底；將與所述第一多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第一襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述數(shù)據(jù)庫(kù)，其中所述第一襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述第一多個(gè)測(cè)試襯底存放在其中的所述襯底存放容器；為回收由所述第一多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述第一多個(gè)測(cè)試襯底的其中每個(gè)襯底，從多個(gè)回收工藝中選擇第一回收工藝；以及將與所述第一多個(gè)測(cè)試襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第一測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述數(shù)據(jù)庫(kù)中，其中所述存儲(chǔ)的第一測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述第一回收工藝，所述第一回收工藝是為回收存放在所述第一襯底存放容器中的所述第一多個(gè)測(cè)試襯底而選擇的，所述第一襯底存放容器由與所述存儲(chǔ)的第一測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述存儲(chǔ)的第一襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括將第二多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述數(shù)據(jù)庫(kù)，每個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)存放在第二襯底存放容器的槽中的第二多個(gè)測(cè)試襯底中的一特定的測(cè)試襯底；將與所述第二多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第二襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述數(shù)據(jù)庫(kù)，其中所述第二襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述第二多個(gè)測(cè)試襯底存放在其中的所述第二襯底存放容器；為回收由所述第二多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述第二多個(gè)測(cè)試襯底的其中每個(gè)襯底，從多個(gè)回收工藝中選擇第二回收工藝；以及將與所述第二多個(gè)測(cè)試襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的第二測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述數(shù)據(jù)庫(kù)中，其中所述存儲(chǔ)的第二測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述第二回收工藝，所述第二回收工藝是為回收存放在所述第二襯底存放容器中的所述第二多個(gè)測(cè)試襯底而選擇的，所述第二襯底存放容器由與所述存儲(chǔ)的第二測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述存儲(chǔ)的第二襯底存放容器標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括存儲(chǔ)表示槽編號(hào)的多個(gè)數(shù)據(jù)，其中每個(gè)槽編號(hào)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述第一多個(gè)測(cè)試襯底存放在其中的所述第一存放容器的槽。
28.一種系統(tǒng)，其適于與多個(gè)用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底一起使用，其中每個(gè)測(cè)試襯底具有標(biāo)識(shí)代碼，所述系統(tǒng)包括多個(gè)測(cè)試襯底存放容器，每個(gè)測(cè)試存放容器與多個(gè)預(yù)定的回收工藝的其中一個(gè)工藝相關(guān)聯(lián)；機(jī)器手，其適于將測(cè)試襯底傳送給存放容器；讀取器，其適于讀取測(cè)試襯底的標(biāo)識(shí)代碼；和具有存儲(chǔ)器的控制器，所述存儲(chǔ)器適于存儲(chǔ)表示所述多個(gè)所述襯底中的每個(gè)測(cè)試襯底的標(biāo)識(shí)代碼的數(shù)據(jù)，以及表示與每個(gè)襯底的每個(gè)存儲(chǔ)的標(biāo)識(shí)代碼數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的預(yù)定的回收工藝的數(shù)據(jù)，所述控制器響應(yīng)所述讀取器，且適于控制所述機(jī)器手將測(cè)試襯底傳送給具有相關(guān)聯(lián)的預(yù)定回收工藝的襯底存放容器，所述相關(guān)聯(lián)的預(yù)定回收工藝跟與存儲(chǔ)在所述控制器的存儲(chǔ)器中的、正被所述機(jī)器手傳送的所述測(cè)試襯底的所述標(biāo)識(shí)代碼數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的預(yù)定回收工藝相匹配。
29.一種用于回收用來檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底的制品，其中所述制品包括在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中實(shí)現(xiàn)的代碼，所述代碼能夠使處理器執(zhí)行如下步驟將多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)數(shù)據(jù)庫(kù)，每個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)多個(gè)測(cè)試襯底中的一特定的測(cè)試襯底；為回收由所述多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述多個(gè)測(cè)試襯底的其中每個(gè)襯底，從多個(gè)回收工藝中選擇回收工藝；以及將多個(gè)測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)所述數(shù)據(jù)庫(kù)中，每個(gè)存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)，其中每個(gè)存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)所述回收工藝，所述回收工藝是為回收由與所述存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述存儲(chǔ)的測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述測(cè)試襯底而選擇的。
30.一種包括計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)庫(kù)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其用于回收用于檢測(cè)半導(dǎo)體制備工具的測(cè)試襯底，所述介質(zhì)包括多個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)，每個(gè)測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)多個(gè)測(cè)試襯底中的一特定的測(cè)試襯底；多個(gè)測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)，每個(gè)測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)與測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)，其中每個(gè)存儲(chǔ)的測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)標(biāo)識(shí)回收工藝，所述回收工藝是為回收由與所述測(cè)試襯底回收工藝標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的所述測(cè)試襯底標(biāo)識(shí)數(shù)據(jù)所標(biāo)識(shí)的所述測(cè)試襯底而選擇的。
31.一種用于檢測(cè)由半導(dǎo)體制備工具所執(zhí)行的處理步驟的測(cè)試設(shè)備，包括具有第一標(biāo)識(shí)標(biāo)記和第二標(biāo)識(shí)標(biāo)記的測(cè)試襯底，所述第一標(biāo)識(shí)標(biāo)記表示第一標(biāo)識(shí)代碼，所述第二標(biāo)識(shí)標(biāo)記表示在所述測(cè)試襯底上執(zhí)行的處理步驟。
32.如權(quán)利要求31所述的測(cè)試設(shè)備，其中所述第二標(biāo)識(shí)標(biāo)記是激光所刻的。
33.如權(quán)利要求31所述的測(cè)試設(shè)備，其中所述第二標(biāo)識(shí)標(biāo)記表示銅處理步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了通過從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取在各個(gè)測(cè)試襯底上進(jìn)行的工藝步驟，并從多個(gè)為回收各個(gè)測(cè)試襯底的回收工藝中選擇一個(gè)回收工藝來回收測(cè)試襯底。標(biāo)識(shí)在每個(gè)測(cè)試襯底上進(jìn)行的工藝及為每個(gè)測(cè)試襯底所選擇的回收工藝的信息可被存儲(chǔ)在測(cè)試襯底歷史數(shù)據(jù)庫(kù)中。將各個(gè)測(cè)試襯底分類，并置入具有分配給其內(nèi)的測(cè)試襯底的共同回收工藝的組內(nèi)。每個(gè)存放經(jīng)分類的測(cè)試襯底的箱標(biāo)記有標(biāo)識(shí)信息。標(biāo)識(shí)存放在各個(gè)箱中的測(cè)試襯底和為這些測(cè)試襯底所選擇的回收工藝的信息可存儲(chǔ)在這些箱的數(shù)據(jù)庫(kù)中?；厥詹僮鲉T可從箱中取出經(jīng)分類的測(cè)試襯底，從提供給操作員的數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取分配給每個(gè)測(cè)試襯底的回收工藝，以在回收各個(gè)測(cè)試襯底之前核對(duì)哪個(gè)回收工藝已分配給該測(cè)試襯底。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1574198SQ20041003832
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月19日
發(fā)明者伊斯雷爾·拜恩格拉斯, 保羅·V·米勒 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司