專利名稱：定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路的制造方法，特別是關(guān)于一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程解析度的方法。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有賴于集成電路制程中光學(xué)微影制程的不斷改進(jìn)，隨著光學(xué)微影制程的進(jìn)步，集成電路不斷達(dá)成高密度、小體積的目標(biāo)，因此，集成電路中臨界尺寸(Critical Dimension；CD)，包含最小線寬(minimum line width)與間距，也愈來(lái)愈細(xì)微，亦即需要更高的分辨率。然而，光學(xué)微影制程的分辨率基本上受到所使用的光源波長(zhǎng)限制，因此，在現(xiàn)有技術(shù)中已存在許多方法想要克服此種限制。
在頒給JohnN.Randall的美國(guó)專利第5,618,383號(hào)中，提出利用低溫制程形成窄橫向結(jié)構(gòu)的方法以克服此種限制，該方法是在支撐層(supportinglayer)上沉積未硬化光阻(uncured photoresist layer)并定義圖案(pattern)，然后利用低溫非等向性(anisotropic)制程沉積保角層(conformal layer)在該未硬化光阻的側(cè)壁(sidewall)和表面，該保角層材料需要對(duì)該未硬化光阻有較高的蝕刻選擇比(etching selectivity)，利用低溫非等向性蝕刻法去除該未硬化光阻表面的保角層，保留該未硬化光阻垂直側(cè)壁的保角層，接著選擇性地移除該未硬化光阻并保留各個(gè)獨(dú)立的保角層，將光阻旋轉(zhuǎn)涂布在該獨(dú)立的保角層上，并回蝕(etch back)至該保角層。之后，以選擇性蝕刻法移除該保角層，以形成與該保角層寬度相同的開口區(qū)(openings)，再沉積導(dǎo)電層至該開口區(qū)，移除多余的導(dǎo)電層及光阻以形成窄橫向結(jié)構(gòu)。但此法形成的結(jié)構(gòu)具有附著性(adhesive)較差的缺點(diǎn)。
在頒給TylerA.Lowrey的美國(guó)專利第5,328,810號(hào)中，提出利用系數(shù)2N方式縮小微影節(jié)距的方法，該方法是利用傳統(tǒng)曝光及顯影在硬緩沖層(hardbuffer layer)上以形成在光學(xué)微影制程所能形成的最小線寬F的圖案，以直接或間接的方法縮減該硬緩沖層線寬，使該硬緩沖層線寬由F縮減到F/2，接著沉積與硬緩沖層、底層材料相較具有較高的選擇蝕刻比的第二硬緩沖層，以非等向性蝕刻移除該第一硬緩沖層表面的該第二硬緩沖層，留下該第二硬緩沖層在該第一硬緩沖層的側(cè)壁上。利用留下的側(cè)壁第二硬緩沖層作為蝕刻屏蔽(mask)，此時(shí)側(cè)壁第二硬緩沖層寬度為F/4，如此可將節(jié)距縮減為原來(lái)光罩圖案節(jié)距的1/2。
重復(fù)以上步驟，可縮減該最小節(jié)距至最小微影制程節(jié)距的2-N。換言之，其是利用重復(fù)的隨形(conformal)沉積與非等向性蝕刻縱層以減少節(jié)距。但是，此法的缺點(diǎn)在于硬緩沖層不易沉積。因此，一種改良的方法，以定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率，乃為所冀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在提供一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，以解決光學(xué)微影制程的分辨率受到所使用的光源波長(zhǎng)限制的難題。
在根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法包括在已定義有存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)(memory array area)及周邊線路區(qū)(periphery area)的基底(substrate)上沉積絕緣層及多晶硅，于該多晶硅上形成光阻圖案使該存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)及該周邊線路區(qū)具有不同大小的節(jié)距，在該光阻圖案?jìng)?cè)壁形成聚合物邊襯(polymer spacer)，以該光阻圖案及該聚合物邊襯為屏蔽蝕刻該多晶硅以形成溝渠(trench)，在該溝渠中填入非感光聚合物(photo-insensitive polymer)，移除該存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)上的光阻圖案，形成聚合物屏蔽并蝕刻該存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)上的該多晶硅，移除所有的聚合物，如此，最終的多晶硅節(jié)距便超越了光學(xué)微影制程的分辨率。
在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例中，一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法包括在已定義有存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)及周邊線路區(qū)的基底上沉積絕緣層、多晶硅及緩沖層，于該緩沖層上形成光阻圖案使該存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)及該周邊線路區(qū)具有不同大小的節(jié)距，在該光阻圖案?jìng)?cè)壁形成聚合物邊襯，以該光阻圖案及該聚合物邊襯為屏蔽蝕刻該緩沖層及多晶硅以形成溝渠，在該溝渠中填入非感光聚合物并回蝕至該緩沖層，去除該緩沖層，在該存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)上形成聚合物屏蔽并蝕刻該多晶硅，移除所有的聚合物，如此，最終的多晶硅節(jié)距便超越了光學(xué)微影制程的解析度。
此外，在本發(fā)明的方法中，可以放大光罩上存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)的最小多晶硅節(jié)距及縮小光罩上周邊線路區(qū)最初的最小多晶硅節(jié)距，故可同時(shí)解決現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)與周邊線路區(qū)的多晶硅間距差過大的問題。


圖1A-1I是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的示意圖；以及圖2A-2I是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的示意圖。
符號(hào)說(shuō)明10基底10a存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10b周邊線路區(qū)12氧化物14多晶硅16抗反射層18光阻圖案20聚合物邊襯22、24溝渠26非感光聚合物28光阻30聚合物屏蔽32聚合物屏蔽34、36、38間隙50基底50a存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50b周邊線路區(qū)52氧化物
54多晶硅56緩沖層58抗反射層60光阻圖案62聚合物邊襯64、66溝渠68非感光聚合物70光阻72聚合物74聚合物屏蔽76、78、80間隙具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖1A-1I是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例制程，如圖1A所示，在已定義有存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a和周邊線路區(qū)10b的基底10上沉積氧化物(oxide)12及多晶硅14，該多晶硅14是在接下來(lái)的制程中要形成超越光學(xué)微影制程分辨率的節(jié)距的目標(biāo)層。在多晶硅14上涂布抗反射層(Anti-Reflection Coating；ARC)16及光阻18，并對(duì)光阻18曝光及顯影以定義出光阻圖案18，該光阻圖案18在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a中的最小節(jié)距為A，在周邊線路區(qū)10b中的最小節(jié)距為B，其中，該節(jié)距的定義為線寬及間隙(line space)的和，較佳者，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a中該線寬和該間隙皆為A/2，如圖1B所示。
在光阻圖案18的側(cè)壁形成聚合物邊襯20，如圖1C所示，該聚合物20只沉積于光阻圖案18的側(cè)壁，若該聚合物20沉積在光阻圖案18的上方表面時(shí)，則利用回蝕刻加以移除，較佳者，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a中的聚合物邊襯20彼此的間隙C為A/4，同時(shí)，在周邊線路區(qū)10b中的聚合物邊襯20彼此的間隙則為D。接下來(lái)，利用光阻圖案18與聚合物邊襯20做為屏蔽蝕刻多晶硅14與抗反射層16，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a形成具有寬度C的溝渠22，其中，C＝A/4，在周邊線路區(qū)10b形成具有寬度D的溝渠24，如圖1D所示。然后，在溝渠22與24中填入非感光聚合物26并對(duì)其回蝕刻，如圖1E所示。接著涂布另一層光阻28，并對(duì)存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a進(jìn)行曝光及顯影制程，只留下光阻28在周邊線路區(qū)10b上，如圖1F所示。
然后分別在周邊線路區(qū)10b及存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a上沉積聚合物屏蔽30及32，沉積該聚合物屏蔽30及32的方法可為化學(xué)氣相沉積法(Chemical VaporDeposition；CVD)或其它方法，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a上的聚合物屏蔽32具有間隙E，較佳者，E＝C＝A/4，如圖1G所示。接著以聚合物屏蔽32為遮罩蝕刻存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a上的抗反射層16及多晶硅14，形成寬度為E的溝渠34，如圖1H所示。最后移除聚合物屏蔽30及32、光阻28及18、聚合物邊襯20及非感光聚合物26，如圖1I所示，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)10a中，間隙34及36的寬度分別為E及C且E＝C＝A/4，最終的節(jié)距F＝A/2，亦即該最終節(jié)距F縮小為圖1B中最初光阻圖案18節(jié)距A的一半，而在周邊線路區(qū)10b中最終的節(jié)距G與圖1B中最初光阻圖案18的節(jié)距B相等。
第二實(shí)施例圖2A-2I說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例制程，在已定義有存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a和周邊線路區(qū)50b的基底50上沉積氧化物52及多晶硅54，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a上的多晶硅54是將要超越光學(xué)微影制程分辨率的節(jié)距的目標(biāo)層。沉積對(duì)多晶硅54及聚合物56具有較高的蝕刻選擇比的緩沖層56，例如氧化物或氮化硅(silicon nitride)，接著在緩沖層56上涂布抗反射層58及光阻60，光阻60經(jīng)過曝光及顯影制程后定義出光阻圖案60，該光阻圖案60在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a中的節(jié)距為A，在周邊線路區(qū)50b中的節(jié)距為B，較佳者，該節(jié)距A中的線寬和間隙皆為A/2，如圖2B所示。
在光阻圖案60的側(cè)壁形成聚合物邊襯62，如圖2C所示，較佳者，該聚合物邊襯62的寬度為A/8，使得在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a中的聚合物邊襯62彼此的間隙C為A/4，同時(shí)，在周邊線路區(qū)50b中的聚合物邊襯62彼此的間隙則為D。接著以光阻圖案60與聚合物邊襯62做為屏蔽蝕刻抗反射層58、緩沖層56與多晶硅54，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a形成具有寬度C的溝渠64，其中，C＝A/4，在周邊線路區(qū)10b形成具有寬度D的溝渠66，如圖2D所示。接著選擇性地移除聚合物邊襯62并在溝渠64及66中填入非感光聚合物68，然后回蝕至緩沖層56的表面，在該回蝕制程中可以過度蝕刻該緩沖層56，如圖2E所示。接著將緩沖層56去除后涂布光阻70并對(duì)存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a進(jìn)行曝光及顯影制程，只留下光阻70在周邊線路區(qū)50b上，如圖2F所示。
再分別在周邊線路區(qū)50b及存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a上沉積聚合物屏蔽72及74，沉積該聚合物屏蔽72及74的方法可為化學(xué)氣相沉積法或其它方法，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a上的聚合物遮罩74具有間隙E，較佳者，E＝C＝A/4，如圖2G所示。接著以聚合物屏蔽74為屏蔽蝕刻存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a上的多晶硅54，形成寬度為E的溝渠76，如圖2H所示。最后去除聚合物遮罩72及74、光阻70及非感光聚合物68，如圖2I所示，在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)50a中，間隙76及78的大小E＝C＝A/4，最終的節(jié)距F＝A/2，亦即該最終節(jié)距F縮小為圖2B中最初該光阻圖案60節(jié)距A的一半，另一方面，在周邊線路區(qū)50b中最終的節(jié)距G與圖2B中最初該光阻圖案60的節(jié)距B相等。
前述抗反射層16及58可在光阻涂布前或涂布后旋涂。
若該抗反射層在光阻涂布前旋涂，則使用有機(jī)材料，優(yōu)點(diǎn)為在移除光阻時(shí)可同時(shí)移除該抗反射層。此外，聚合物邊襯20及62的目的在減少光阻圖案18及60的間隙C。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可獲得在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)中最終的多晶硅節(jié)距F為最初的光阻圖案節(jié)距A的一半。在前述兩實(shí)施例中，當(dāng)最初的節(jié)距A小于二倍的光學(xué)微影制程的分辨率尺寸時(shí)，則最終的節(jié)距F＝A/2將會(huì)小于光學(xué)微影制程的解析度尺寸。此外，本發(fā)明在存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)中最初的多晶硅節(jié)距是現(xiàn)有技術(shù)的二倍，將可使存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)與周邊線路區(qū)的多晶硅節(jié)距的差異縮到最小，因此，本發(fā)明提供一種方法以解決現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)與周邊線路區(qū)的多晶硅節(jié)距差異過大的問題。
以上對(duì)于本發(fā)明的較佳實(shí)施例所作的敘述是闡明的目的，而無(wú)意限定本發(fā)明精確地為所揭露的形式，基于以上的教導(dǎo)或從本發(fā)明的實(shí)施例學(xué)習(xí)而作修改或變化是可能的，實(shí)施例是解說(shuō)本發(fā)明的原理以及讓熟習(xí)該項(xiàng)技術(shù)者以各種實(shí)施例利用本發(fā)明在實(shí)際應(yīng)用上而選擇及敘述，本發(fā)明的技術(shù)思想企圖由權(quán)利要求范圍及其均等來(lái)決定。
權(quán)利要求
1.一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，包括下列步驟形成一想要定義該最小節(jié)距的目標(biāo)層；形成具有一節(jié)距的圖案層于該目標(biāo)層上；為該圖案層形成第一邊襯；蝕刻該目標(biāo)層形成第一溝渠；在該第一溝渠中填入絕緣物；移除該圖案層；為該第一邊襯形成第二邊襯；蝕刻該目標(biāo)層形成第二溝渠；以及移除該絕緣物、第一及第二邊襯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成目標(biāo)層的步驟包括下列步驟形成氧化物在一基底上；以及于該氧化物上沉積多晶硅作為該目標(biāo)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括沉積抗反射層于該多晶硅上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成圖案層的步驟包括下列步驟涂布一光阻在該目標(biāo)層上；以及對(duì)該光阻曝光及顯影以形成該圖案層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括沉積抗反射層于該光阻上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該節(jié)距達(dá)到或趨近形成該圖案層的光學(xué)微影制程的最小分辨率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成第一邊襯的步驟包括下列步驟沉積一聚合物于該圖案層的上方及側(cè)壁上；以及回蝕該聚合物至僅留下該圖案層側(cè)壁上的部分以形成該第一邊襯。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一溝渠具有一寬度為該節(jié)距的四分之一。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一邊襯具有一寬度為該節(jié)距的八分之一。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該蝕刻出第一溝渠的步驟包括以該圖案層及該第一邊襯為屏蔽的電漿蝕刻該目標(biāo)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該填入絕緣物的步驟包括下列步驟形成一聚合物填入該第一溝渠；以及回蝕該聚合物至僅留下該第一溝渠中的部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該聚合物包括非感光材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成第二邊襯的步驟包括形成一聚合物于該第一邊襯及該填塞的上方，以及該第一邊襯的側(cè)壁上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該聚合物是作為蝕刻出該第二溝渠的屏蔽。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第二溝渠具有一寬度為該節(jié)距的四分之一。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第二邊襯具有一寬度為該節(jié)距的八分之一。
19.一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，包括下列步驟形成一想要定義該最小節(jié)距的目標(biāo)層；形成一緩沖層于該目標(biāo)層上；形成具有一節(jié)距的圖案層于該緩沖層上；為該圖案層形成第一邊襯；蝕刻該緩沖層及目標(biāo)層形成第一溝渠；在該第一溝渠中填入絕緣物；移除該目標(biāo)層上的所有材料；為該絕緣物形成第二邊襯；蝕刻該目標(biāo)層形成第二溝渠；以及去除該絕緣物及第二邊襯。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成目標(biāo)層的步驟包括下列步驟形成氧化物在一基底上；以及于該氧化物上沉積多晶硅作為該目標(biāo)層。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該緩沖層對(duì)該目標(biāo)層具有較高的蝕刻選擇比。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該緩沖層包括氧化物或氮化硅。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括沉積抗反射層于該緩沖層上。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成圖案層的步驟包括下列步驟涂布一光阻在該緩沖層上；以及對(duì)該光阻曝光及顯影以形成該圖案層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括沉積抗反射層于該光阻上。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該節(jié)距達(dá)到或趨近形成該圖案層的光學(xué)微影制程的最小分辨率。
29.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成第一邊襯的步驟包括下列步驟沉積一聚合物于該圖案層的上方及側(cè)壁上；以及回蝕該聚合物至僅留下在該圖案層側(cè)壁上的部分以形成該第一邊襯。
30.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一溝渠具有一寬度為該節(jié)距的四分之一。
31.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一邊襯具有一寬度為該節(jié)距的八分之一。
32.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該蝕刻出第一溝渠的步驟包括以該圖案層及該第一邊襯為屏蔽的電漿蝕刻該緩沖層及該目標(biāo)層。
33.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該填入絕緣物的步驟包括形成一聚合物填入該第一溝渠。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括在該形成聚合物以前移除該第一邊襯。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該聚合物包括非感光材料。
36.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該移除該目標(biāo)層上的所有材料的步驟包括下列步驟回蝕至該緩沖層剩下一厚度；以及去除該緩沖層。
37.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成第二邊襯的步驟包括形成一聚合物于該填塞的上方及側(cè)壁上。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該聚合物是做為蝕刻出該第二溝渠的屏蔽。
39.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第二溝渠具有一寬度為該節(jié)距的四分之一。
40.根據(jù)權(quán)利要求19所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第二邊襯具有一寬度為該節(jié)距的八分之一。
41.一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，包括下列步驟在一基底上定義第一及第二區(qū)域；形成一絕緣層于該基底上；沉積一導(dǎo)電層于該絕緣層上；涂布第一光阻在該導(dǎo)體層上；曝光及顯影該第一光阻以形成一圖案于其中，該圖案在該第一區(qū)域與該第二區(qū)域分別具有第一節(jié)距與第二節(jié)距，且該第二節(jié)距大于該第一節(jié)距；形成一聚合物邊襯于該第一光阻的側(cè)壁上；以該第一光阻及該聚合物邊襯為屏蔽蝕刻該導(dǎo)電層，分別在該第一及第二區(qū)域形成第一及第二溝渠；形成非感光聚合物填入該第一及第二溝渠中；涂布第二光阻在該第二區(qū)域，并移除該第一區(qū)域的該第一光阻；形成聚合物屏蔽在該第一區(qū)域的該非感光聚合物及該聚合物邊襯上方以及該聚合物邊襯的側(cè)壁上；以該聚合物邊襯為屏蔽蝕刻該導(dǎo)電層形成第三溝渠；以及移除該聚合物屏蔽、該第二光阻、該聚合物邊襯及該非感光聚合物。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一及第二區(qū)域分別包含存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)及周邊線路區(qū)。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該沉積導(dǎo)電層的步驟包括沉積多晶硅。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括在該涂布第一光阻以前沉積抗反射層。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
46.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括在該曝光及顯影該第一光阻以前沉積抗反射層。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
48.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一節(jié)距達(dá)到或趨近形成該圖案的光學(xué)微影制程的最小分辨率。
49.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一溝渠具有一寬度為該第一節(jié)距的四分之一。
50.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該形成非感光聚合物填入該第一及第二溝渠的步驟包括回蝕該非感光聚合物至該第一光阻的上表面。
51.根據(jù)權(quán)利要求41所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第三溝渠具有一寬度為該第一節(jié)距的四分之一。
52.一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，包括下列步驟在一基底上定義第一及第二區(qū)域；形成一絕緣層于該基底上；沉積一導(dǎo)電層于該絕緣層上；形成一緩沖層于該導(dǎo)體層上；涂布第一光阻在該緩沖層上；曝光及顯影該第一光阻以形成一圖案于其中，該圖案在該第一區(qū)域與該第二區(qū)域分別具有第一節(jié)距與第二節(jié)距，且該第二節(jié)距大于該第一節(jié)距；形成一聚合物邊襯于該第一光阻的側(cè)壁上；以該第一光阻及聚合物邊襯為屏蔽蝕刻該緩沖層及導(dǎo)電層，分別在該第一及第二區(qū)域形成第一及第二溝渠；形成非感光聚合物填入該第一及第二溝渠中；回蝕至該緩沖層剩下一厚度；去除該緩沖層；形成一聚合物屏蔽在該第一區(qū)域的該非感光聚合物的上方及側(cè)璧上；以該聚合物邊襯為屏蔽蝕刻該導(dǎo)體層形成第三溝渠；以及移除該聚合物屏蔽及非感光聚合物。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一及第二區(qū)域分別包含存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)及周邊線路區(qū)。
54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該沉積導(dǎo)電層的步驟包括沉積多晶硅。
55.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括在該涂布第一光阻以前沉積抗反射層。
56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
57.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括在該曝光及顯影該第一光阻以前沉積抗反射層。
58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該抗反射層包括有機(jī)材料。
59.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一節(jié)距達(dá)到或趨近形成該圖案的光學(xué)微影制程的最小分辨率。
60.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第一溝渠具有一寬度為該第一節(jié)距的四分之一。
61.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括在該形成非感光聚合物填入該第一及第二溝渠的步驟以前移除該聚合物邊襯。
62.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，更包括在該形成聚合物屏蔽的步驟以前形成一保護(hù)層覆蓋該第二區(qū)域。
63.根據(jù)權(quán)利要求52所述的定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其中該第三溝渠具有一寬度為該第一節(jié)距的四分之一。
全文摘要
一種定義集成電路中最小節(jié)距使超越光學(xué)微影制程分辨率的方法，其是在制程中利用聚合物邊襯、非感光聚合物填塞及聚合物屏蔽控制目標(biāo)層被定義的節(jié)距，使得該目標(biāo)層的最小節(jié)距超越光學(xué)微影制程的分辨率。應(yīng)用在制造存儲(chǔ)器時(shí)，該方法并且可以同時(shí)解決存儲(chǔ)數(shù)組區(qū)與周邊線路區(qū)多晶硅節(jié)距差異過大的制程問題。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1716567SQ20041006240
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2004年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月2日
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