專利名稱：一種化學(xué)儲槽的線上監(jiān)控系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種化學(xué)儲槽的監(jiān)控系統(tǒng)，特別是用在儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽上的監(jiān)測及控制系統(tǒng)，可以線上即時監(jiān)測儲槽的絕緣內(nèi)襯是否已經(jīng)遭到破壞蝕穿，并控制半導(dǎo)體制程單元，進(jìn)而提升半導(dǎo)體制程的品質(zhì)與合格率。
背景技術(shù)：
液體化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)乃半導(dǎo)體制造過程中的相當(dāng)重要的一個環(huán)節(jié)。液體化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)從進(jìn)料作業(yè)區(qū)起，若由槽車送入工廠，即藉由輸送至儲槽經(jīng)由管線送至化學(xué)供應(yīng)房及清凈室等使用端，若是桶裝或瓶裝則藉由貨車在碼頭區(qū)卸貨，再由堆高機(jī)或推車送至化學(xué)儲存房或分送至化學(xué)供應(yīng)房及清凈室使用，使用后的廢棄物轉(zhuǎn)存至廢液收集桶，再輸送至廢液槽或廢液儲存房儲存。
如該行業(yè)者所知，半導(dǎo)體制程所需求的化學(xué)液常需要酸、堿等具有高腐蝕性(corrosive)的液體，并且需要維持相當(dāng)高的純度，以避免污染(特別是金屬)以及確保晶片制造過程中的合格率。雖然這些半導(dǎo)體制程中所使用的腐蝕性化學(xué)液皆是以經(jīng)過特殊防蝕處理過的儲槽來承裝或儲放，然而，廠務(wù)人員或質(zhì)量管理人員仍然必須定期地采集儲槽內(nèi)的化學(xué)液樣本，然后再將收集到的化學(xué)液樣本進(jìn)一步利用精密昂貴的微量分析儀器分析，才能確定該儲槽內(nèi)的化學(xué)液是否遭到金屬污染。通常，這類污染的發(fā)生是由于儲槽內(nèi)部的防蝕內(nèi)襯遭受化學(xué)破壞，產(chǎn)生微小穿孔瑕疵(pitting)，而使得儲槽內(nèi)的酸、堿等具有高腐蝕性的液體接觸到儲槽的金屬殼體所致。
目前，該行業(yè)以及技術(shù)領(lǐng)域中并沒有可以即時線上監(jiān)測儲槽內(nèi)襯破裂的技術(shù)手段，以能及時通知生產(chǎn)線人員廠中儲槽的狀態(tài)以及儲槽內(nèi)化學(xué)液的品質(zhì)。而以公知定期人工采樣的作法，又十分費時、昂貴，且往往當(dāng)分析結(jié)果出來時，經(jīng)污染的化學(xué)液已經(jīng)在線上使用一段時間，而造成大批受污染的晶片必須丟棄，影響生產(chǎn)成本甚巨。再者，廠區(qū)內(nèi)儲槽的腐蝕控制更攸關(guān)到現(xiàn)場作業(yè)人員的生命安全，而不能輕易忽視。
鑒于此，發(fā)明人乃根據(jù)此等缺點及依據(jù)多年從事該相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的經(jīng)驗，悉心觀察且研究，進(jìn)而提出本發(fā)明可線上即時監(jiān)控儲槽腐蝕的監(jiān)測系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種可即時監(jiān)控儲槽腐蝕的監(jiān)測系統(tǒng)，不但可以應(yīng)用在廠區(qū)內(nèi)的固定儲槽，同時更可以廣泛應(yīng)用在輸送過程中所使用的各種儲槽容器，例如載運化學(xué)品的槽車等等。
本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體制程的線上控制系統(tǒng)，可以即時監(jiān)測儲槽的內(nèi)襯是否已經(jīng)遭到破壞蝕穿，并控制半導(dǎo)體制程單元，進(jìn)而提升半導(dǎo)體制程的品質(zhì)與合格率。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，包含有一槽體，其由一導(dǎo)電殼體以及絕緣內(nèi)襯所構(gòu)成，用以承裝腐蝕性化學(xué)液；一偵測電極，浸入該槽體所承裝的該腐蝕性化學(xué)液中；以及一量測裝置，電連接該偵測電極，其中該偵測量測裝置并且電連接該導(dǎo)電殼體。當(dāng)該絕緣內(nèi)襯被蝕穿，造成該槽體所承裝的該腐蝕性化學(xué)液接觸該導(dǎo)電殼體時，該偵測量測裝置即可接收到一相對信號。
本發(fā)明還提出一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，包含有一反應(yīng)容器，可容納至少一待濕處理的半導(dǎo)體晶片；一晶片移動裝置，用來將該半導(dǎo)體晶片移入或移出該反應(yīng)容器；一槽體，其由一導(dǎo)電殼體以及絕緣內(nèi)襯所構(gòu)成，用以承裝化學(xué)液，并經(jīng)由一管線系統(tǒng)輸送該化學(xué)液至該反應(yīng)容器內(nèi)；其中該槽體裝設(shè)有一監(jiān)測系統(tǒng)，包括有一偵測電極，其浸入該槽體所承裝的該化學(xué)液中；以及一量測裝置，電連接該偵測電極，其中該偵測量測裝置并且電連接該導(dǎo)電殼體，而當(dāng)該絕緣內(nèi)襯被蝕穿，造成該槽體所承裝的該化學(xué)液接觸該導(dǎo)電殼體時，該偵測量測裝置即可接收到一相對信號；以及一控制單元，連接至該量測裝置，且在該偵測量測裝置接收到該相對信號時，輸出一控制信號到該晶片移動裝置，停止該晶片移動裝置將該半導(dǎo)體晶片移入該反應(yīng)容器的動作。
本發(fā)明的特點和優(yōu)點是本發(fā)明的化學(xué)儲槽的監(jiān)控系統(tǒng)，包含有一槽體，其由一導(dǎo)電殼體以及絕緣內(nèi)襯所構(gòu)成，用以承裝化學(xué)液；一偵測電極，浸入該槽體所承裝的該化學(xué)液中；以及一量測裝置，電連接該偵測電極，其中該偵測量測裝置并且電連接該導(dǎo)電殼體。當(dāng)該絕緣內(nèi)襯被蝕穿，造成該槽體所承裝的該化學(xué)液接觸該導(dǎo)電殼體時，該偵測量測裝置即可接收到一相對信號。其可即時監(jiān)控儲槽腐蝕的監(jiān)測系統(tǒng)，不但可以應(yīng)用在廠區(qū)內(nèi)的固定儲槽，同時更可以廣泛應(yīng)用在輸送過程中所使用的各種儲槽容器，例如載運化學(xué)品的槽車等等。
本發(fā)明的半導(dǎo)體制程的線上控制系統(tǒng)，可以即時監(jiān)測儲槽的內(nèi)襯是否已經(jīng)遭到破壞蝕穿，并控制半導(dǎo)體制程單元，進(jìn)而提升半導(dǎo)體制程的品質(zhì)與合格率。


圖1繪示的是依據(jù)本發(fā)明較佳實施例一種儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)。
圖2繪示的是依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)所線上量測的監(jiān)測數(shù)據(jù)示意圖表。
圖3繪示的是依據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)。
圖4繪示的是依據(jù)本發(fā)明另一較佳實施例的示意圖。
附圖標(biāo)號說明10腐蝕監(jiān)測系統(tǒng) 12儲槽14槽體16內(nèi)襯18化學(xué)液22排放管 24排氣管 26輸入管線28輸出管線 32偵測電極34導(dǎo)線36量測裝置
38導(dǎo)線42電腦單元 44屏幕52警示裝置60反應(yīng)容器68化學(xué)液 70晶片80晶片移動裝置90管線系統(tǒng)92關(guān)關(guān)閥件 101半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)112車用儲槽 116內(nèi)襯200輸送監(jiān)測系統(tǒng)具體實施方式
為了能更近一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明。然而附圖僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。請參閱圖1，其繪示的是依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的一種儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)10。如圖1所示，腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)10包括有槽體12，其由一導(dǎo)電的堅固殼體14以及絕緣防蝕內(nèi)襯16所構(gòu)成，槽體12用以承裝腐蝕性化學(xué)液18，其中殼體(shell)14通常為金屬材料所制，例如不銹鋼(stainlesssteel)、碳鋼(carbon steel)、鍍鋼(coated steel)或鋁金屬及其合金等等。
殼體14上另設(shè)置有不同用途的管路或閥件，其數(shù)量、尺寸以及安裝位置需視現(xiàn)場狀況以及實際需要而定，在此并不加贅述，但大體上會有排放管(drain)22、排氣管(vent)24、進(jìn)料用的輸入管線26以及輸出管線28的設(shè)計，但不限于此。
槽體12內(nèi)的防蝕內(nèi)襯16可以為氟素聚合物樹脂(fluoropolymer resin)材料所構(gòu)成，可包括有聚四氟乙烯(poly-tetra-fluoroethylene，PTFE)或聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚(per-fluoroalkoxy，PFA)等，但不限于此。一般，聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚(PFA)作為熔接兩片聚四氟乙烯(PTFE)的接面接著材料。而其它鐵氟龍材料，例如乙烯四氟乙烯共聚氟塑料(ethylenetetra-fluoroethylene，ETFE)或者乙烯丙烯氟化物(fluorinated ethylenepropylene，F(xiàn)EP)等等皆可以用作防蝕內(nèi)襯16的成分。
舉例來說，腐蝕性化學(xué)液18可能為硫酸(sulfuri cacid)、硝酸(nitricacid)、鹽酸(hydrochloric acid)、氫氟酸(hydrofluoric acid)等半導(dǎo)體制程上常用的酸液，或者過氧化氫(hydrogen peroxide)、氯化鐵(ferric chloride)、含鹵素有機(jī)物(halogenated organics)，或者其它腐蝕性化學(xué)液，但亦不限于上述這些化學(xué)液種類。
本發(fā)明的特征在于槽體12內(nèi)安置有一偵測電極32，其浸入槽體12所承裝的腐蝕性化學(xué)液18中。偵測電極32由抗蝕材料所構(gòu)成，例如白金(Pt)等，但不限于此。偵測電極32經(jīng)由一導(dǎo)線34連接至一量測儀器36。根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，量測儀器36為一電阻計(ohmmeter)，其量測范圍約在1MΩ至40GΩ之間，輸出電壓約為50伏特至200伏特，但不限于此范圍。量測儀器36并且經(jīng)由導(dǎo)線38電連接導(dǎo)電殼體14。量測儀器36并連接至一電腦單元42，其可用以處理并記錄經(jīng)由量測儀器36傳遞過來的偵測數(shù)據(jù)資料。電腦單元42并可外接屏幕44，可顯示即時的監(jiān)測數(shù)據(jù)，以及外接至一警示裝置(alarm)52。
請參閱圖2，其繪示的是依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)10所線上量測的監(jiān)測數(shù)據(jù)示意圖表。由于槽體12所使用的PTFE內(nèi)襯為絕緣體，對系統(tǒng)內(nèi)外具有高電阻，因此，在正常狀態(tài)下，由量測儀器36所量測到的電阻值為高電阻R1，而當(dāng)絕緣內(nèi)襯16被蝕穿，造成槽體12所承裝的腐蝕性化學(xué)液18接觸到導(dǎo)電殼體14時，量測儀器36即可接收到一低電阻信號R2。一旦量測儀器36量測到低電阻信號R2，立即由電腦單元42傳送信號觸動警示裝置52，以通知線上人員進(jìn)行處置。
請參閱圖3，其繪示的是依據(jù)本發(fā)明第二較佳實施例一種能夠線上即時(in-situ and real-time)監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)100，其中相同或類似的元件仍沿用與前圖中相同的符號來表示。本發(fā)明半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)100包括有一反應(yīng)容器60，可用來容納待濕處理的半導(dǎo)體晶片70。反應(yīng)容器60可以為單晶片(single wafer)或多晶片(multi wafer)反應(yīng)容器，其可以為氣密式或者開放式。前述的半導(dǎo)體晶片70的濕處理方式可以為批次(batch)更換反應(yīng)容器60內(nèi)的化學(xué)液68或者以補(bǔ)充方式維持化學(xué)液68的液量。半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)100另包括有晶片移動裝置80，用來將半導(dǎo)體晶片70移入或移出反應(yīng)容器60。反應(yīng)容器60內(nèi)的化學(xué)液68由管線系統(tǒng)90從槽體12輸送過來。
本發(fā)明半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)100包括有腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)10，其包含槽體12，用以承裝腐蝕性化學(xué)液18。槽體12同樣是由導(dǎo)電殼體14以及絕緣內(nèi)襯16所構(gòu)成。殼體14上視實際需要可另設(shè)置有不同用途的管路或閥件，如排放管22、排氣管線24、輸入管線26以及輸出管線28的設(shè)計，但不限于此。
殼體14通常為金屬材料所制，例如不銹鋼、碳鋼、鍍鋼或鋁金屬及其合金等等。槽體12內(nèi)的防蝕內(nèi)襯16可以為氟素聚合物樹脂材料所構(gòu)成，可包括有聚四氟乙烯(PTFE)、聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚(PFA)、乙烯四氟乙烯共聚氟塑料(ETFE)或者乙烯丙烯氟化物(FEP)等等。
槽體12內(nèi)安置有一偵測電極32，其浸入該槽體所承裝的化學(xué)液18中。化學(xué)液18可能為硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸等半導(dǎo)體制程上常用的酸液，或者過氧化氫、氯化鐵、含鹵素有機(jī)物，或者其它腐蝕性化學(xué)液，但亦不限于上述這些化學(xué)液種類。偵測電極32經(jīng)由一導(dǎo)線34連接至一量測儀器36。根據(jù)本發(fā)明，量測儀器36為一電阻計(Ohmmeter)，其量測范圍約在1MΩ至40GΩ之間，輸出電壓約為50伏特至200伏特，但不限于此范圍。量測儀器36并且經(jīng)由導(dǎo)線38電連接導(dǎo)電殼體14。量測儀器36并連接至一電腦控制單元42，其可用以處理并記錄經(jīng)由量測儀器36傳遞過來得偵測數(shù)據(jù)資料。電腦單元42并可外接屏幕44，可顯示即時的監(jiān)測數(shù)據(jù)，以及外接至一警示裝置52。
本發(fā)明半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)100的電腦控制單元42另外分別連接至槽體12與反應(yīng)容器60之間管線系統(tǒng)90上的自動控制開關(guān)閥件92，以及連接至前述的晶片移動裝置80。當(dāng)槽體12的絕緣內(nèi)襯16被蝕穿，造成槽體12所承裝的腐蝕性化學(xué)液18接觸到導(dǎo)電殼體14時，量測儀器36即可接收到一相對信號。一旦量測儀器36量測到相對信號，立即由電腦控制單元42傳送信號觸動警示裝置52，以通知線上人員進(jìn)行處置。同時，電腦控制單元42輸出一控制信號到晶片移動裝置80，立即停止晶片移動裝置80將半導(dǎo)體晶片70移入該反應(yīng)容器的動作，藉此將損害減到最低。此外，電腦控制單元42輸出一控制信號至管線系統(tǒng)90上的自動控制開關(guān)閥件92，切斷槽體12與反應(yīng)容器60之間的通路，停止將經(jīng)污染的化學(xué)液18輸送至反應(yīng)容器60。
請參閱圖4，其繪示的是依據(jù)本發(fā)明另一較佳實施例的示意圖。除了應(yīng)用在半導(dǎo)體制程單元中以外，本發(fā)明更可以進(jìn)一步應(yīng)用在廠區(qū)外的化學(xué)品輸送范疇，例如載運化學(xué)品的槽車。圖4中，輸送監(jiān)測系統(tǒng)200包括有車用槽體112，其內(nèi)部由絕緣防蝕內(nèi)襯116所保護(hù)，并固定在卡車上。槽體112用以承裝腐蝕性化學(xué)液，如硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸等半導(dǎo)體制程上常用的酸液，或者過氧化氫、氯化鐵、含鹵素有機(jī)物，或者其它腐蝕性化學(xué)液等等。
槽體112內(nèi)安置有一偵測電極32，其浸入該槽體所承裝的化學(xué)液中。偵測電極32經(jīng)由一導(dǎo)線34連接至一量測儀器36。根據(jù)本發(fā)明，量測儀器36為一電阻計，其量測范圍約在1MΩ至40GΩ之間，輸出電壓約為50伏特至200伏特，但不限于此范圍。量測儀器36并且經(jīng)由導(dǎo)線38電連接車用槽體112的導(dǎo)電金屬外殼。量測儀器36可連接至一車上電腦單元，其可用以處理并記錄經(jīng)由量測儀器36傳遞過來得偵測數(shù)據(jù)資料。前述的車上電腦單元并可外接屏幕，可顯示即時的監(jiān)測數(shù)據(jù)，提供車上人員參考。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，包含有一槽體，其由一導(dǎo)電殼體以及絕緣內(nèi)襯所構(gòu)成，用以承裝腐蝕性化學(xué)液；一偵測電極，浸入該槽體所承裝的該腐蝕性化學(xué)液中；以及一量測裝置，電連接該偵測電極，其中該偵測量測裝置并且電連接該導(dǎo)電殼體，而當(dāng)該絕緣內(nèi)襯被蝕穿，造成該槽體所承裝的該腐蝕性化學(xué)液接觸該導(dǎo)電殼體時，該偵測量測裝置即可接收到一相對信號。
2.如權(quán)利要求1所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該導(dǎo)電殼體為不銹鋼或碳鋼所構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該導(dǎo)電殼體為鋁所構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該絕緣內(nèi)襯為氟素聚合物樹脂材料所構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求4所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該氟素聚合物樹脂材料包括有聚四氟乙烯。
6.如權(quán)利要求4所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該氟素聚合物樹脂材料包括有聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚。
7.如權(quán)利要求1所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該偵測電極由抗蝕材料所構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求7所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該抗蝕材料包括白金。
9.如權(quán)利要求1所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該量測裝置為一電阻計。
10.如權(quán)利要求9所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該電阻計的量測范圍約在1MΩ至40GΩ之間。
11.如權(quán)利要求1所述的儲放腐蝕性化學(xué)液儲槽的腐蝕監(jiān)測系統(tǒng)，其特征在于，該量測裝置所接收的該信號為一電阻信號。
12.一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，包含有一反應(yīng)容器，可容納至少一待濕處理的半導(dǎo)體晶片；一晶片移動裝置，用來將該半導(dǎo)體晶片移入或移出該反應(yīng)容器；一槽體，其由一導(dǎo)電殼體以及絕緣內(nèi)襯所構(gòu)成，用以承裝化學(xué)液，并經(jīng)由一管線系統(tǒng)輸送該化學(xué)液至該反應(yīng)容器內(nèi)；其中該槽體裝設(shè)有一監(jiān)測系統(tǒng)，包括有一偵測電極，其浸入該槽體所承裝的該化學(xué)液中；以及一量測裝置，電連接該偵測電極，其中該偵測量測裝置并且電連接該導(dǎo)電殼體，而當(dāng)該絕緣內(nèi)襯被蝕穿，造成該槽體所承裝的該化學(xué)液接觸該導(dǎo)電殼體時，該偵測量測裝置即可接收到一相對信號；以及一控制單元，連接至該量測裝置，且在該偵測量測裝置接收到該相對信號時，輸出一第一控制信號到該晶片移動裝置。
13.如權(quán)利要求12所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該第一控制信號停止該晶片移動裝置將該半導(dǎo)體晶片移入該反應(yīng)容器的動作。
14.如權(quán)利要求12所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該控制單元另連接至一安裝于該管線系統(tǒng)上的開關(guān)閥件，且在該偵測量測裝置接收到該相對信號時，該控制單元輸出一第二控制信號到該開關(guān)閥件。
15.如權(quán)利要求14所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該第二控制信號使該開關(guān)閥件關(guān)閉。
16.如權(quán)利要求12所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該量測裝置為一電阻計。
17.如權(quán)利要求16所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該電阻計的量測范圍約在1MΩ至40GΩ之間。
18.如權(quán)利要求12所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該絕緣內(nèi)襯為氟素聚合物樹脂材料所構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求18所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該氟素聚合物樹脂材料包括有聚四氟乙烯。
20.如權(quán)利要求18所述的一種能夠線上即時監(jiān)測化學(xué)液品質(zhì)的半導(dǎo)體制造控制系統(tǒng)，其特征在于，該氟素聚合物樹脂材料包括有聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚。
全文摘要
一種化學(xué)儲槽的線上監(jiān)控系統(tǒng)，包含有一槽體，其由一導(dǎo)電殼體以及絕緣內(nèi)襯所構(gòu)成，用以承裝化學(xué)液；一偵測電極，浸入該槽體所承裝的該化學(xué)液中；以及一量測裝置，電連接該偵測電極，其中該偵測量測裝置并且電連接該導(dǎo)電殼體。當(dāng)該絕緣內(nèi)襯被蝕穿，造成該槽體所承裝的該化學(xué)液接觸該導(dǎo)電殼體時，該偵測量測裝置即可接收到一相對信號。
文檔編號H01L21/66GK1728333SQ20041007078
公開日2006年2月1日 申請日期2004年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月26日
發(fā)明者林鴻祥, 林昆陽, 洪舜立, 李玉郎, 沈育仁 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司