專利名稱：基板處理裝置以及處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及例如對半導體片、LCD基板或其它基板實施規(guī)定處理的基板處理裝置及其處理方法。
背景技術：
在液晶顯示裝置(LCD)之類的制造工序之中，在由玻璃構成的LCD基板上形成規(guī)定的膜之后，涂布形成感光性有機膜(以下稱之為“保護膜”)，通過曝光成電路圖形，以及稱之為顯影處理的所謂光刻技術形成電路圖形，通過對此實施蝕刻處理形成與保護膜的顯影圖形對應的配線電路等。在此之后進而通過剝離處理去除保護膜。
多年來，為了進行上述一般性光刻工序、蝕刻工序、剝離處理工序，需配置有機膜(主要是保護膜)涂布處理系統(tǒng)、曝光處理系統(tǒng)、有機膜(主要是保護膜)顯影處理系統(tǒng)、蝕刻處理系統(tǒng)、灰化處理系統(tǒng)以及有機膜(主要是保護膜)剝離處理系統(tǒng)。
此外，在上述一系列處理工序之中，作為用來進行有機膜光刻工序的系統(tǒng)，就有將有機膜涂布處理裝置和曝光處理裝置以及顯影處理裝置一體化了的有機膜(主要是保護膜)涂布曝光顯影處理系統(tǒng)，或將有機膜涂布處理裝置與顯影裝置一體化了的有機膜(主要是保護膜)涂布顯影處理系統(tǒng)。
此外，從蝕刻工序到剝離處理工序之中，可提供綜合了蝕刻處理與灰化處理的，配置了灰化腔室的單片(每次只處理一片)式蝕刻處理系統(tǒng)、批次(多片處理或分批處理)式的灰化處理系統(tǒng)以及剝離處理系統(tǒng)。
這樣即可把用于分別實施現(xiàn)有標準的處理工序的構成配置為串接狀態(tài)實現(xiàn)高效化，但是近年來，為了實現(xiàn)降低成本、節(jié)省能源、節(jié)約資源的目的，出現(xiàn)實現(xiàn)與創(chuàng)造新工藝，以及改進各種工藝的要求，此外為了實現(xiàn)上述目的要求效率更高的基板處理裝置與處理方法。
作為最近使用的可降低成本的新工藝，有(1)使感光性有機膜(下面以保護膜為例)圖形具有復數(shù)種膜厚差(例如使用對保護膜連續(xù)兩次曝光，或在一次曝光中使用使透過量階梯性改變的曝光掩膜進行曝光)，若利用該復數(shù)種(例如兩種)膜厚的保護掩膜的采用灰化處理等手段去除薄膜部分前后的圖形變化(尤其是作為蝕刻掩膜的變化)即可用一次光刻工序獲得與實施兩次光刻工序相同的效果，通過在其間進行兩次蝕刻即可在下層膜上形成兩種圖形。此種方法通常稱之為形成TFT元件的5PR工藝的4PR化(下面稱之為“半曝光工藝”)。
此外，作為用于降低成本的另一種新工藝，有(2)通過使用有機溶劑等使有機膜(主要是保護膜)掩膜溶解，使之在良好控制下均勻變形的方法(下面將該方法稱之為藥液溶解回流變形處理)，利用其變形前后的掩膜圖形，即可用一次光刻工序獲得與上述實施兩次光刻工序相同的效果，通過在其間進行兩次光刻，即可在下層膜上形成兩種圖形。該方法在下文中稱之為“使用藥液溶解回流變形處理形成TFT元件的PR縮短工藝?！北M管很需要以最佳方式實現(xiàn)以上述降低成本、節(jié)省能源、節(jié)約資源為目的的新工藝、創(chuàng)造新的工藝以及改進各種現(xiàn)有工藝，然而目前并不存在實現(xiàn)上述目的的高效的基板處理裝置與處理方法。

發(fā)明內容
本發(fā)明正是為了解決上述問題而提出來的，其目的在于提供一種這些新工藝(1)半曝光工藝、(2)藥液溶解回流工藝的控制性好，并且可以高效實現(xiàn)均勻加工的基板處理裝置以及基板處理方法。
此外，本發(fā)明的目的還在于提供可根據(jù)需要進行(3)干法剝離處理(采用灰化處理的剝離處理)，進而(4)采用有機膜的二次曝光顯影的變形處理，(5)通過在剝離處理前實施，使剝離處理更簡單、更高效的蝕刻后的有機膜圖形的薄膜變形化處理，以及(6)采用全面曝光與顯影的剝離處理等新的處理工藝和代替工藝成為可能，可用小型的最小限度的單元有效降低成本、節(jié)省能源、節(jié)約資源，實施新的或改進型處理工藝等多種處理的基板處理裝置及基板處理方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明的基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元。
還有，本發(fā)明的基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元。
還有，本發(fā)明的基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元。
藥液處理單元，優(yōu)選是作為藥液使用顯影液，作為藥液處理進行顯影處理的顯影處理單元。
此外，本發(fā)明的基板處理裝置最好還整體性配置對基板實施顯影處理的顯影處理單元。
當基板處理裝置配置顯影處理單元的情況下，最好整體性配置用于對基板上形成的有機膜圖形中，基板的理想范圍內包含的有機膜圖形實施曝光處理的曝光處理單元。
此外，在本發(fā)明的基板處理裝置之中，還最好整體性配置用于對基板實施灰化處理的灰化處理單元。
此外，在本發(fā)明之中，也可在有機膜圖形的加工處理開始時追加實施加熱處理。該加熱處理的目的在于去除例如在有機膜圖形加工處理以前的工序中滲入有機膜圖形內或其下部的水分、酸、堿溶液，或在有機膜圖形與底膜及基板的附著力低下時恢復該附著力。作為此種加熱處理的例示，可用50℃～150℃的溫度，進行60～300秒的處理。因而在其處理方法之中，開始時使用溫度調整單元(或加熱處理單元)的加熱處理，例如用50℃～150℃的溫度追加進行60～300秒的加熱處理也包含在本發(fā)明的基板處理方法之中。
若采用本發(fā)明，即可很好進行新工藝((1)半曝光工藝，(2)藥液溶解回流工藝)。
此外，還可根據(jù)需要進行(3)采用灰化處理的剝離處理。
此外，(4)采用有機膜的二次曝光顯影的變形處理，(5)通過在剝離處理前實施，使剝離處理更簡單、更高效的蝕刻后的有機膜圖形的薄膜變形化處理，以及(6)采用全面曝光與顯影的剝離處理等新的處理工藝和代替工藝成為可能，可以實現(xiàn)降低成本、節(jié)省能源、節(jié)約資源的效果，用小型的最小限度的單元實現(xiàn)新工藝或改進處理工藝等多種處理。


圖1是表示本發(fā)明的第1實施方式涉及的基板處理方法的圖。
圖2是表示本發(fā)明的第2實施方式涉及的基板處理方法的圖。
圖3(a)是表示本發(fā)明的第3實施方式涉及的基板處理方法的圖，(b)、(c)、(d)是表示本發(fā)明的第4實施方式涉及的基板處理方法的圖。
圖4是表示本發(fā)明的第5實施方式涉及的基板處理方法的圖。
圖5是示意性表示基板處理裝置的一例的俯視圖。
圖6是示意性表示基板處理裝置的另一例的俯視圖。
圖7是表示可選擇性配置在基板處理裝置中的處理單元的圖。
圖8是表示藥液處理單元(或顯影處理單元)的一例的剖視圖。
圖9是表示氣體氣氛處理單元的一例的剖視圖。
圖10是表示氣體氣氛處理單元的另一例的剖視圖。
圖11表示與應通過去除處理去除的變質層的生成原因相對應的變質程度的圖。
圖12是表示對變質層僅實施了灰化處理時的變質層的變化的圖。
圖13是表示對變質層僅實施了藥液處理時的變質層的變化的圖。
圖14是表示對變質層依次實施了灰化處理與藥液處理時的變質層的變化的圖。
圖15是表示本發(fā)明與現(xiàn)用技術采用溶解變形處理時的有機膜圖形的變形區(qū)別的圖。
圖16是表示藥液處理中使用的藥液中的胺類含有濃度與有無有機膜變質相對應的去除比例的關系的圖。
具體實施例方式
下面參照

本發(fā)明涉及的實施方式。
在本實施方式中，就本發(fā)明涉及的基板處理裝置以及采用了該基板處理裝置的基板處理方法加以說明。
可配置在本實施方式涉及的基板處理裝置中的后補處理單元有圖7中所示的簡易曝光處理單元(曝光處理單元)17、加熱處理單元(基板加熱處理單元)18、溫度調整處理單元(基板溫度調整處理單元)19、顯影處理單元20、藥液處理單元21、氣體氣氛處理單元22以及灰化處理單元23等7種。
本實施方式涉及的基板處理裝置，為了對基板實施所希望的處理，除基板傳送機構和盒子設置部之外，通常采用整體性配置從上述7種處理單元之中適當選擇出的處理單元的構成。
在圖7所示的處理單元之中，簡易曝光處理裝置17是用于對基板上形成的有機膜圖形實施曝光處理的單元，采用可對基板的理想范圍(整個基板或局部，例如基板面積1/10以上的范圍)內包含的有機膜圖形進行曝光的構成。采用簡易曝光處理單元17的曝光也可以是針對基板的理想范圍的統(tǒng)一曝光，還可以通過使曝光光點在基板的理想范圍內掃描，使該范圍全部曝光。簡易曝光處理裝置17用于曝光的光是紫外線光(UV光)、熒光、自然光或其它光。
加熱處理單元18是用于對基板實施加熱處理(低溫干燥處理)的裝置，其加熱溫度可在例如80℃～180℃或100℃～150℃的范圍內調整。加熱處理單元18例如包括可使基板大體保持水平狀態(tài)的載物臺以及可將該載物臺配置在內部的腔室。
溫度調整處理單元19是用于控制基板溫度的裝置，其溫度調整范圍為10℃～50℃、或10℃～80℃。該溫度調整單元19例如包括可使基板大體保持水平狀態(tài)的載物臺以及可將該載物臺配置在內部的腔室。
藥液處理單元21是用于對基板進行藥液處理的裝置。
正如圖8所示，該藥液處理單元21包括儲存藥液的藥液罐301、可將基板500配置到內部的腔室302。腔室302包括用來將從藥液罐301壓送來的藥液提供給基板500的可動噴嘴303、將基板500大體保持在水平狀態(tài)的載物臺304、用來將廢液及廢氣從該腔室302內排出的排出口305。
在此種藥液處理單元21之中，可通過將氮氣壓送到藥液罐301內，將該藥液罐301內的藥液經(jīng)由可動噴嘴303提供給基板500。而可動噴嘴303可在水平方向上移動。此外，載物臺304采用靠從其板狀的主體朝外突出的銷釘從下側支持基板500的構成。
此外，藥液處理單元21也可以是通過將藥液氣化提供給基板的干式裝置。
藥液處理單元21中使用的藥液(藥液罐301內儲存的藥液)至少含有酸、有機溶劑、堿中的某一種。
顯影處理裝置20是用于對基板進行顯影處理的裝置，例如可將儲存在藥液處理單元21的藥液罐301中的藥液作為顯影液，其余的構成，也可與藥液處理單元21相同。
氣體氣氛處理單元22是通過進行使基板暴露在各種氣體中的氣體氣氛處理，進行使基板上的有機膜圖形溶解變形處理的單元。
氣體氣氛處理單元22正如圖9及圖10所示，包括用于通過發(fā)泡生成氣體(處理氣體)的發(fā)泡容器401、可在內部配置基板500的腔室402。腔室402包括用來將發(fā)泡容器401生成的處理氣體導入該腔室的氣體導入口403、用來將氣體從該腔室402排出的排氣孔404、可將基板500大體保持水平狀態(tài)的載物臺405、以及用于把腔室402以及發(fā)泡容器401控制在理想溫度的溫度控制機構(圖示省略)。更具體而言，既可以是包括彼此平面位置不同的復數(shù)氣體導入口403、以及用來使從氣體導入口403導入的氣體擴散后提供給載物臺405上的基板500一側的許多孔全面分散配置的氣體噴出板406的類型(圖9)，也可以是配置利用旋轉攪拌氣體導入口403導入的氣體的攪拌件407的類型(圖10)。
在此種氣體氣氛處理單元22之中，通過將氮氣導入儲存液體原料(例如有機溶劑)的發(fā)泡容器401內進行發(fā)泡，將通過發(fā)泡生成的氣體(處理氣體)從氣體導入口403導入腔室402，即可提供給基板500(使基板暴露在氣體中)。
此處的溫度調整處理單元19的主要用途是在氣體氣氛處理之前預先進行溫度調整，最好具有可在10℃～50℃或10℃～40℃范圍內調整基板溫度的控制手段。
此外，氣體氣氛處理單元22最好也具有可在10℃～50℃或10℃～40℃范圍內調整基板溫度的控制手段。
還有，溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22的溫度控制手段最好進行將各自的基板溫度保持在10℃～50℃或10℃～40℃的范圍內任意設定的目標溫度±2℃以內的控制。
此外，溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22的溫度控制手段在把各基板溫度調整到10℃～50℃或10℃～40℃范圍內的同時，最好進行把基板溫度調整到彼此相同或±5℃以內的近似目標溫度的控制。
此外，溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22的溫度控制手段在把各基板溫度調整到10℃～50℃或10℃～40℃范圍內的彼此相同或±5℃以內的近似目標溫度的同時，如能進行把該目標溫度保持在±2℃以內的控制則更好。
此外，溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22的溫度控制手段如能把基板溫度調整到15℃～35℃的范圍內則更好。
灰化處理單元23是通過等離子體放電處理(可在氧氣或氧氣及氟氣氣氛中進行)、使用紫外線等短波長的光能的處理以及使用了該光能或熱能的臭氧處理中的某一種或其它處理，在基板上進行各種膜(例如有機膜圖形)的蝕刻的裝置。
圖5及圖6是分別示意性表示本實施方式涉及的基板處理裝置的最佳實例的俯視圖。
其中圖5所示的基板處理裝置100采用可根據(jù)用途變更該基板處理裝置100配置的各種處理單元的處理順序的構成。
另外，圖6所示的基板處理裝置200則是該基板處理裝置200配置的各處理單元的處理順序固定的例示。
正如圖5所示，基板處理裝置100包括可承載用于收容基板(例如LCD基板或半導體片)的盒子L1的盒子工位1、以及可承載與盒子L1相同的盒子L2的盒子工位2、配置各種處理單元U1、U2、U3、U4、U5、U6、U7、U8以及U9的處理單元配置區(qū)域3、4、5、6、7、8、9、10、11、與在各盒子工位1、2以及各處理單元U1～U9之間進行基板傳送的基板傳送機器人(基板傳送機構)12、根據(jù)各種基板處理方法適當控制該基板傳送機器人12的基板傳送與用各種處理單元U1～U9實施的處理的控制機構(控制手段)24。
在盒子L1、L2之中，例如盒子L1可用于收容基板處理裝置100處理前的LCD基板，盒子L2可用于收容基板處理裝置100處理完畢的基板。
此外，作為設置在各種處理單元配置區(qū)域3～11的各種處理單元U1～U9，可根據(jù)用途工藝(基板處理方法)從圖7所示的7種處理單元中任選一種。
還可根據(jù)用途工藝所需的處理種類或處理能力，適當調整所選處理單元的數(shù)量。因此，在處理單元配置區(qū)域3～11之中，也可包括未選擇·設置處理單元17～23中的任何一種的區(qū)域。
這里的控制機構24例如由CPU及存儲器構成，在其中的存儲器中存儲了用來控制各處理單元U1～U9以及基板傳送機器人12的動作的控制程序，CPU根據(jù)該程序控制各處理單元U1～U9以及基板傳送機器人12的動作。
該控制機構24通過選擇性實施與各種基板處理方法相對應的程序，控制基板傳送機器人12及各種處理單元U1～U9的動作。
也就是說，控制機構24根據(jù)與各種基板處理方法相對應的處理順序的數(shù)據(jù)，控制基板傳送機器人12的基板傳送順序，使之按照規(guī)定的順序從各盒子工位1、2以及各處理單元U1～U9取出基板及將基板收容承載到其上。
此外，控制機構24根據(jù)與各種基板處理方法相對應的處理條件數(shù)據(jù)，按照該基板處理方法中的處理順序控制各處理單元U1～U9的處理。
也就是說，在圖1所示的基板處理方法(后述)之中，控制機構24對基板傳送機器人12、藥液處理單元21、溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22實施控制，以便依次進行使用藥液處理單元21的藥液處理、使用溫度調整處理裝置19的溫度調整處理，以及使用氣體氣氛處理裝置22的氣體氣氛處理。
此外，正如圖6所示，基板處理裝置200包括承載盒子L1的盒子工位13、承載盒子L2的盒子工位16、配置各種處理單元U1、U2、U3、U4、U5、U6及U7的各種處理單元配置區(qū)域3、4、5、6、7、8及9，將基板從盒子工位13的盒子L1傳送到處理單元配置區(qū)域3的處理單元U1的基板傳送機器人14、將基板從處理單元配置區(qū)域9的處理單元7傳送到盒子工位16的盒子L2的基板傳送機器人15、以及根據(jù)各種基板處理方法適當控制上述基板傳送機器人14、15的基板傳送與各處理單元U1～U9間的基板傳送以及在各處理單元U1～U9實施的處理的控制機構24。
在基板處理裝置200之中，各種處理單元的處理順序固定，采用從上游一側的處理單元依次(圖6中的箭頭A的方向)進行連續(xù)處理的構成。
作為設置在各種處理單元配置區(qū)域3～9中的各種處理單元U1～U7，基板處理裝置200也可根據(jù)用途工藝選擇圖7所示的7種處理單元中的任意一種。此外還可根據(jù)用途工藝所需的處理種類或處理能力適當調整所選處理單元的數(shù)量，在處理單元配置區(qū)域3～9之中，也可包含未選擇·設置處理單元17～23中的任何一種的區(qū)域。
基板處理裝置200的控制機構24，根據(jù)按照各種基板處理方法固定設定的處理順序的數(shù)據(jù)，控制基板傳送機器人12的基板傳送順序，并使之按照規(guī)定的順序從各盒子工位1、2以及各處理單元U1～U9取出基板，并將基板收容承載到其上。
此外，控制機構24根據(jù)按照各種基板處理方法固定設定的處理條件數(shù)據(jù)，按照該基板處理方法中的處理順序，控制各處理單元U1～U9的處理。
也就是說，在圖1所示的基板處理方法(后述)之中，控制機構24控制基板傳送機器人12、藥液處理單元21、溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22，以便依次進行使用藥液處理單元21的藥液處理，使用溫度調整處理單元20的溫度調整處理，以及使用氣體氣氛處理單元22的加熱處理。
關于基板處理裝置100、200中可設置的處理單元的數(shù)量，圖5、圖6中分別例示出9個與7個，但也可根據(jù)用途工藝的種類及處理能力、根據(jù)生產(chǎn)成本適當增減。
此外，舉例中使用了盒子L1以及L2兩個盒子，但也可以根據(jù)所需的處理能力，根據(jù)生產(chǎn)成本適當增減。
此外，作為可在基板處理裝置100、200中配置的處理單元，除上述7種之外，例如還可增加伴隨微細圖形曝光的曝光處理單元、蝕刻(干法或濕法)處理單元、保護膜涂布單元，以及附著性強化處理(附著強化劑處理等)、表面清洗(干法清洗使用UV光、等離子體等，濕法清洗使用清洗液等)處理單元等，還可更高效地進行整體性處理。
當配置蝕刻處理單元的情況下，例如可將有機膜圖形作為掩膜進行底膜(例如基板表面)的圖形加工(底膜加工處理)。
此處的蝕刻處理單元，可通過作為藥液處理單元21使用的藥液，使用可進行底膜圖形加工的藥液(即含酸的蝕刻液或含堿的蝕刻液)，用藥液處理單元21代替。
此外，為了實現(xiàn)處理均勻化的目的，基板處理裝置最好設定為配置復數(shù)個相同的處理單元，通過配置復數(shù)個相同的處理單元，對各基板實施相同的處理，即通過流水線作業(yè)復數(shù)次重復相同的處理。
此外，最好使各基板的朝向在其板面內彼此各不相同(例如反向設置)進行配置復數(shù)個相同處理單元的處理。這種情況下，基板處理裝置最好具有使各基板的朝向在其板面內彼此不同進行配置復數(shù)個相同處理單元的處理的功能，通過采用此種構成，即可不依賴操作者的手，自動進行基板朝向的變更。
此外，同樣的處理單元只配置一個情況下，最好使基板的朝向在其板面內彼此不同分復數(shù)次進行使用該一個處理單元的處理。這種情況下，若能在彼此相反的復數(shù)個方向上分別進行基板處理則更好。上述情況下，基板處理裝置最好具有使基板的朝向在其板面內彼此不同，分復數(shù)次進行至少使用某一種處理單元的處理功能。
此外，在使用一個處理單元的處理之中，最好包含在基板的板面內一個方向上的處理以及與此不同的方向(例如相反方向)上的處理。在此情況下，基板處理裝置作為至少使用某一種處理單元的處理，最好具有基板的板面內一個方向上的處理以及與此不同方向上的處理的功能(通過對上述各方向的掃描進行處理的功能)。此處的此種功能最好至少具有氣體氣氛處理單元22。即，采用氣體氣氛處理單元22的氣體氣氛處理最好包括其板面內一個方向上的處理以及與此不同方向上的處理。
還有，基板處理裝置最好具有防爆功能或防火功能。這種情況下，至少氣體氣氛處理單元22最好具備防爆功能或防火功能。
下面說明最佳實施方式的例示(具體的基板處理方法的例示以及按照基板處理方法，通過選擇性設置各處理單元17～23而得到的基板處理裝置)。
(第1實施方式)第1實施方式涉及的基板處理方法用于下述目的(1)當把有機膜(主要是保護膜)圖形作為掩膜進行底膜(即例如基板本身)蝕刻的情況下，使底膜的形狀錐形化(例如參照特開2002-334830號公報)或使蝕刻尺寸精細化(作為有機膜圖形的面積擴大或檢驗孔的精細化的結果的蝕刻尺寸精細化)，(2)當把有機膜(主要是保護膜)圖形作為掩膜進行蝕刻的情況下，通過在溶解變形處理前后進行底膜蝕刻(將溶解變形處理前、溶解變形處理后的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜)，使底膜的蝕刻形狀2階梯化，形成形狀具有很大差異的兩種圖形、或形成分離圖形與結合圖形(例如，參照特開2002-334830號公報的圖2及圖3，包括使相鄰的有機膜圖形彼此溶合為一體的處理)，(3)當有機膜圖形為絕緣膜的情況下，使該有機膜圖形變形為電路圖形的絕緣膜(使有機膜圖形變形為覆蓋基板上形成的電路圖形的絕緣膜)。
也就是說，第1實施方式涉及的基板處理方法，在上述(1)～(3)的目的方面與加工有機膜圖形的工序有關。
圖1是表示第1實施方式涉及的基板處理方法的流程圖。
正如圖1所示，在第1實施方式涉及的基板處理方法之中，依次進行藥液處理(步驟S1)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
其中，藥液處理(步驟S1)構成去除處理，氣體氣氛處理(步驟S3)構成溶解變形處理。
步驟S1是以去除有機膜圖形表面(表層部)的變質層，或去除有機膜圖形表面上的堆積層為目的的藥液(酸性溶液、堿性溶液、有機溶液等)處理，可使用藥液處理單元21進行。
而在通過步驟S1的藥液處理，去除變質層或堆積層的同時，還可改善未被有機膜圖形覆蓋的基板表面的潤濕性。
此外，在藥液處理中，為了能夠選擇性去除有機膜圖形表層的變質層或有機膜表面的堆積層，最好設定其處理時間及選擇使用的藥液。
而作為上述去除變質層或堆積層的結果是使未變質的有機膜圖形外露及保留下來，以及使被堆積層覆蓋的有機膜圖形外露及保留下來。
此時，應通過去除處理(本實施方式情況下僅為藥液處理)去除的變質層是指有機膜圖形的表層部因長期放置產(chǎn)生的老化、熱氧化、熱硬化、沉積層(堆積層)的附著，酸性蝕刻液的使用(液態(tài)蝕刻液處理)、灰化處理(O2灰化等)、使用其它干性蝕刻氣體(干法蝕刻處理)等因素而產(chǎn)生變質后生成的。也就是說，由于上述各種因素，有機膜圖形因受到物理性或化學性的損傷而發(fā)生了變質，但由于其變質的程度及特性因濕法蝕刻處理中使用的藥液種類，干法蝕刻處理之一的等離子體處理中的各向同性與各向異性的差別，在有機膜圖形上有無堆積物，干法蝕刻處理中使用的氣體種類等各種生成因素不同而有很大差異，因而在去除變質層的難易程度方面也出現(xiàn)差異。
此外，作為應通過去除處理去除的堆積層，應是伴隨干法蝕刻而堆積的堆積層。該堆積層的特性也因干法蝕刻處理之一的等離子體處理中的各向同性與各向異性的差別，以及干法蝕刻中使用的氣體種類等因素不同而有很大差別，因而在去除堆積層的難易程度方面也出現(xiàn)差異。
正因如此，所以需要根據(jù)變質層或堆積層的去除難易程度適當設定或選擇藥液處理的時間長度及藥液處理中使用的藥液種類。
作為可在藥液處理中使用的藥液可使用含有堿性藥品的藥液，含有酸性藥品的藥液，含有有機溶劑的藥品，含有有機溶劑與胺類材料的藥液，含有堿性藥品與胺類材料的藥液中的任意一種。
這里所說的堿性藥品包括含有胺類材料與水的藥品，有機溶劑包括含有胺類材料的藥品。
此外，藥液處理中使用的藥液最好含有防腐劑。
作為胺類材料的具體例，包括一乙胺、二乙胺、三乙胺、一異丙胺、二異丙胺、一丁胺、二丁胺、三丁胺、羥胺、二乙基羥胺、無水二乙基羥胺、吡啶、甲基吡啶等。即，當藥液含有胺類材料的情況下，既可以含有上述材料中的任意一種，也可以含有某幾種。當藥液含有胺類材料的情況下，可使用含有0.01到10wt％(0.01重量％以上，10重量％以下)范圍內的胺類材料的水溶液。
步驟S2的溫度調整處理是為了在氣體氣氛處理(步驟3)之前預先使溫度穩(wěn)定化(事先溫度穩(wěn)定化)而進行的。通過該溫度調整處理的穩(wěn)定化溫度為10℃～50℃。該溫度調整處理通過將基板承載在可保持在氣體氣氛處理的處理溫度上的溫度調整單元19的載物臺上，進行至基板溫度達到該處理溫度(例如3～5分鐘)。
而上述藥液處理及溫度調整處理可分別在以后的氣體氣氛處理(步驟S3)中使氣氛容易滲透到有機膜圖形中，從而獲得提高該氣體氣氛處理的效率及質量的效果。
在步驟S3的氣體氣氛處理之中，通過使用氣體氣氛處理單元22使基板暴露在各種氣體(例如有機溶劑為原料生成的氣體)之中，使基板上的有機膜圖形溶解變形(溶解變形處理)。也就是說，氣體氣氛處理在有機溶劑的氣體氣氛中進行。
在這里，將適合使用于氣體氣氛的有機溶劑分為上位概念的有機溶劑和將其具體化的下位概念的有機溶劑列于下面。R為烷基或置換烷基、Ar為苯基或苯基以外的芳香環(huán)。
作為上位概念的有機溶劑醇類(R-OH)、烷氧基醇類、醚類(R-O-R、Ar-O-R、Ar-O-Ar)、酯類、酮類、乙二醇類、烷撐二醇類、乙二醇醚類。
下位概念的有機溶劑CH3OH、C2H5OH、CH3(CH2)XOH、異丙醇(IPA)、乙氧基乙醇、甲氧基乙醇、長鏈烷基酯、一乙醇胺(MEA)、一乙胺、二乙胺、三乙胺、
一異丙胺、二異丙胺、三異丙胺、一丁胺、二丁胺、三丁胺、羥胺、二乙基羥胺、無水二乙基羥胺、吡啶、甲基吡啶、丙酮、乙酰丙酮、二惡烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、甲苯、甲乙酮(MEK)、二乙酮、二甲基亞砜(DMSO)、甲基異丁基酮(MIBK)、丁基卡必醇、醋酸正丁酯(nBA)γ-丁內酯、乙基溶纖劑醋酸酯(ECA)、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、2-庚酮(MAK)、3-甲氧基丁基醋酸酯、乙二醇、
丙二醇、丁二醇、乙二醇一乙醚、二乙二醇一乙醚、乙二醇一乙醚醋酸酯、乙二醇一甲醚、乙二醇一甲醚醋酸酯、乙二醇一正丁醚、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚乙二醇一乙醚、聚二乙二醇一乙醚、聚乙二醇一乙醚醋酸酯、聚乙二醇一甲醚、聚乙二醇一甲醚醋酸酯、聚乙二醇一正丁醚、甲基-3-甲氧基丙酸酯(MMP)、丙二醇一甲醚(PGME)、丙二醇一甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇一丙醚(PGP)、丙二醇一乙醚(PGEE)、乙基-3-乙氧基丙酸酯(FEP)、二丙二醇一乙醚、三丙二醇一乙醚、聚丙二醇一乙醚、丙二醇一甲醚丙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。
而用以有機溶劑為原料生成的氣體進行氣體氣氛處理是在有機膜圖形靠有機溶劑的滲透進行溶解的情況下進行的。有時候，例如有機膜圖形具有水溶性、酸溶解性、堿溶解性的情況下，可用以水溶液、酸溶液或堿溶液為原料生成的氣體進行氣體氣氛處理。
在此處的溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22之中，最好通過各自配置的溫度控制手段實施把基板溫度調整到10℃～50℃范圍內的處理。
此外，在溫度調整處理單元19以及氣體氣氛處理單元22之中，如能把基板溫度保持在10℃～50℃范圍內任意設定的目標溫度的±2℃以內則更好。
還有，如能使使用溫度調整處理單元19的處理的目標溫度與使用氣體氣氛處理單元22的處理的目標溫度設定為彼此相同，或在±5℃以內就更加好了。
除此之外，在使用氣體氣氛處理單元22的氣體氣氛處理中使用的氣體以及作為氣源的有機溶劑的溶液應預先調整到10℃～50℃的范圍內，并且最好配置用于調溫的溫度控制手段。
此外，此種可將調整氣體氣氛處理單元22的氣體及作為氣源的有機溶劑等的溶液溫度的溫度控制手段，最好將其溫度保持在10℃～50℃范圍內任意設定的目標溫度的±2℃以內。
此外，氣體氣氛處理單元22使用的氣體及作為氣源的有機溶劑的溫度最好調整為與氣體氣氛處理單元22的處理溫度相同，或在±5℃以內。
還有，調整氣體氣氛處理單元22使用的氣體溫度與作為氣源的有機溶劑溫度的溫度控制手段，最好將上述溫度保持在10℃～50℃的范圍內任意設定的目標溫度的±2℃以內，并且，最好將氣體氣氛處理單元22使用的氣體及作為供氣源的有機溶劑的溶液溫度、調整為與氣體氣氛處理單元的處理溫度相同或在±5℃的范圍內。
此外，也可在氣體氣氛處理單元22使用的氣體及作為氣源的有機溶劑的溶液溫度與氣體氣氛處理單元22的處理溫度之間設定溫差進行處理。在此情況下，當氣體氣氛處理單元22的處理溫度較高時，基板上的有機膜圖形的藥液溶解回流變形中的進展速度會隨溫差的減少而變緩，當氣體氣氛處理單元22的處理溫度較低時，基板上的有機膜圖形的藥液溶解回流變形中的進展速度會隨其溫差的減少而加快。
作為調整氣體氣氛處理單元22使用的氣體溫度及作為氣源的有機溶劑的溶液溫度的溫度控制手段，可根據(jù)用途選擇進行上述某種調溫動作的裝置。
此外，所選裝置最好具有連鎖控制氣體氣氛處理單元22使用的氣體及作為氣源的有機溶劑的溶液的溫度與氣體氣氛處理單元22的處理溫度的功能。
還有，溫度調整處理單元19、氣體氣氛處理單元22的最佳溫度調整范圍為15℃～35℃。
而氣體氣氛處理單元22的溫度控制手段最好通過調整該氣體氣氛處理單元22配置的基板載物臺(例如載物臺405)的溫度來調整溫度。
在步驟S4的加熱處理之中，把基板承載到保持在規(guī)定的加熱溫度(80℃～180℃)的加熱處理單元18的載物臺上并保持規(guī)定時間(例如3～5分鐘)。通過實施該加熱處理，可通過氣體氣氛處理，使暴露的氣體深入滲透到有機膜圖形內的同時，還可使溶解變形加速進行。
而此種第1實施方式中使用的基板處理裝置，作為各種處理單元U1～U9或U1～U7是至少配置藥液處理單元21、溫度調整處理單元19、氣體氣氛處理單元22以及加熱處理單元18的基板處理裝置100或200。
基板處理裝置100的情況下，可任意配置藥液處理單元21、溫度調整處理單元19、氣體氣氛處理單元22以及加熱處理單元18。
另外，基板處理裝置200的情況下，需要在圖6的箭頭A所示的方向上依次配置藥液處理單元21、溫度調整處理單元19、氣體氣氛處理單元22以及加熱處理單元18。在基板處理裝置200的情況下，需要按照處理順序配置各處理單元這一點，在下面說明的各基板處理方法之中也相同。
此外，圖1的處理最好利用基板處理裝置(例如基板處理裝置100或200)自動進行。也就是說，基板處理裝置的控制機構24通過適當控制基板傳送機器人12以及各處理單元的動作，自動進行圖1的處理。而在基板處理裝置自動進行上述一系列的處理這一點，在以下說明的各種實施方式的各種基板處理方法之中也相同。
此外，基板處理裝置配置蝕刻處理單元的情況下，最好還可自動進行將有機膜圖形作為掩膜的底膜(基板表面)的圖形加工(底膜加工處理)。而作為有機膜圖形作為掩膜的底膜加工處理，可根據(jù)需要進行將有機膜圖形加工處理前的有機膜圖形作為掩膜進行的處理，以及將有機膜圖形加工處理后的有機膜圖形作為掩膜圖形的底膜加工處理中的一種或兩種，此種根據(jù)需要將有機膜圖形作為掩膜的底膜加工處理，在以下說明的各實施方式的各基板處理方法中也相同。
若采用上述第1實施方式，由于是在通過藥液處理(步驟S1)使有機膜圖形表面改性、去除有機膜圖形的部分表面、或改善基板表面的潤濕性后進行溶解變形處理(步驟S3)，因而可用很好的控制性均勻而又高效地進行該溶解變形處理，可很好地實現(xiàn)上述(1)～(3)的目的(例如采用藥液溶解回流變形處理的形成TFT元件的PR縮短工藝)。
作為干法處理方法的灰化處理可大致分為兩類。
A1)第1種為等離子體處理之外(利用紫外線光等短波長光能或熱的臭氧處理等)的處理。等離子體以外的灰化處理對處理對象(此處為有機膜及底膜等)的損傷小，但其處理速度慢。因此，等離子體處理以外的灰化處理只能用于有機膜及底膜的表面狀態(tài)變化(提高潤濕性)，當去除有機膜表面部分的部分變質層及需要干法剝離那樣的高速度的情況下幾乎不能使用。不過即使在等離子體處理以外的灰化處理之中，也有唯一一種可在極高溫度下實現(xiàn)高速處理的臭氧處理法。但在那種條件下，由于存在有機膜熱硬化、產(chǎn)生無法用濕法剝離的重大變質，留有損傷等問題因而并未普及。
A2)第2種即是等離子體處理。等離子體處理之中還可分為兩種方式。A2-1)第1種是高壓、低功率、各向同性的等離子體處理。A2-2)第2種是低壓大功率、各向異性的等離子體處理。這二者的處理速度均比上述A1)的“等離子體處理以外的灰化處理”快。此外與A2-1)的處理速度相比，A2-2)的處理速度更快。如上所述，由于兩種等離子體處理的處理速度均快，因而可用很短時間進行有機膜圖形及底膜的表面狀態(tài)變化(提高潤濕性)的處理的同時，還可用于去除有機膜表面的一部分變質層以及干法剝離之類的高速處理。然而兩種等離子體處理對處理對象的損傷均大于上述A1)。
尤其是作為以去除有機膜表面的一部分變質層為目的的現(xiàn)用的干法處理，A1)的處理(等離子體處理之外的處理)不夠充分。此外，在A2-2)的各向異性的等離子體處理雖可充分去除最初的一部分變質層，但由于會留下很大的損傷，形成大片的有機膜的新的變質層，因而用于該目的時無實際意義。正固如此，在此目的的情況下通常都使用A2-1)的各向同性等離子體處理。
然而在進行特開2002-334830號公報所述的有機膜圖形的加工處理的基板處理方法中，出于使藥液(主要是有機溶劑)滲透到有機膜圖形之中，使之變形處理(溶解變形處理)均勻的目的而在其溶解變形處理前去除有機膜圖形上的一部分變質層的情況下，A2-2)的各向異性等離子體自不待言，即使使用A2-1)的各向同性的等離子體處理，也很難完全防止因去除最初的有機膜的一部分變質層以及等離子體處理引起的新的損傷而在有機膜上形成與殘留微小的變質層。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)即使是此種等離子體處理新生成及殘留的有機膜的微小變質層也存在妨礙溶解變形處理的均勻性的問題。
即，在特開2002-334830號公報的技術之中，在有機膜圖形中，作為殘留等離子體處理引起的損傷及變質層的結果，由于溶解變形處理不夠均勻，因而在該溶解變形處理后進行的底膜加工中有可能出現(xiàn)次品。
這樣一來，在以往(特開2002-334830號公報)的情況下，由于將通過灰化處理進行的有機膜圖形表面的變質層或堆積層的去除，通過藥液處理即濕法處理進行，因而可最大限度地抑制對有機膜圖形或基板的損傷。正因如此，可減少在其后的溶解變形處理及底膜的蝕刻中出現(xiàn)次品。
而且還可省略步驟S4的加熱處理，省略該加熱處理的情況下，自然不再需要加熱處理單元18，此外，步驟S4的加熱溫度只要在能夠用溫度調整處理單元19調整的范圍內，該步驟S4的處理還可用溫度調整處理單元19進行。在下面的圖2至圖4的各圖中，與步驟S4相同，凡是在括號內的步驟即意味著同樣可以省略。因此，與括號內的步驟相對應的處理單元也可省略這一點，在以下介紹的各種基板處理方法中也一樣。
此外，在步驟S4之后，最好通過溫度調整處理(冷卻)，降到常溫附近。
采用基板處理裝置100的情況下，即使在復數(shù)次進行同一處理(例如兩次進行加熱處理(步驟S4)的基板處理方法)的情況下，其處理用的處理單元也可只用一個，但在采用基板處理裝置200的情況下，要想復數(shù)次進行同一處理，必須有與其處理次數(shù)相同的處理單元。也就是說，在基板處理裝置200的情況下，例如要想進行兩次加熱處理(步驟S4)時需要配置兩臺加熱處理單元22。這在以下介紹的各基板處理方法之中也一樣。
(第2實施方式)第2實施方式涉及的基板處理方法用于與第1實施方式涉及的基板處理方法相同的目的(上述(1)～(3)的目的)。即、第2實施方式涉及的基板處理方法在上述(1)～(3)的各個目的方面與加工有機膜圖形的工序有關。
圖2是表示第2實施方式涉及的基板處理方法的流程圖。
正如圖2所示，在第2實施方式涉及的基板處理方法之中，依次進行灰化處理(步驟S7)、藥液處理(步驟S1)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，上述一系列處理均作為有機膜圖形加工處理。
在第2實施方式之中，由灰化處理及藥液處理構成去除處理。
在第2實施方式之中，在第1實施方式涉及的基板處理方法的藥液處理(步驟S1)之前又增加了灰化處理(步驟S7)。該步驟S7的灰化處理用灰化處理單元23進行。
也就是說，灰化處理是通過等離子體放電處理(在氧氣、或氧氣及氟氣的氣氛中進行)，采用紫外線光等短波長光能的處理、以及采用其光能或熱的臭氧處理的某一種或其它處理，蝕刻基板上的有機膜圖形的處理。
在第2實施方式中，作為氣體氣氛處理(溶解變形處理)的前處理，并非像第1實施方式那樣全部用濕法的藥液處理去除有機膜圖形表面的變質層或堆積層，而是在前處理之中也使用灰化處理，通過該灰化處理僅去除變質層的表層部分。
在步驟S7的灰化處理之后的步驟S1之中，通過濕法處理的藥液處理去除灰化處理后仍殘留的變質層。即，設定為通過依次結合進行步驟S7和步驟S1，去除有機膜圖形表面的全部變質層。
關于其后的步驟S2、步驟S3、步驟S4，與第1實施方式相同，增加了為使各處理穩(wěn)定進行，事先將基板溫度調整為適當?shù)奶幚頊囟鹊臏囟日{整處理(主要是冷卻)、以及為了烘干溶解變形處理后的有機膜圖形的加熱處理。
若采用上述第2實施方式，在去除有機膜圖形表面的變質層或堆積層的去除處理中依次進行對有機膜圖形的灰化處理與藥液處理，但由于灰化處理僅局限于用來去除有機膜圖形表面的變質層或堆積層中的表層部分，因而與現(xiàn)用的灰化處理相比，可縮短其處理時間，大幅度減少該灰化處理造成的損傷。
還有，即使存在僅用藥液處理無法去除的堅硬的變質層或堆積層的情況下，通過藥液處理前的灰化處理，很容易就可去除該變質層或堆積層。
此外，作為第2實施方式的步驟S1中使用的藥液，與第1實施方式的步驟S1中使用的藥液相比，既適合使用對有機膜圖形腐蝕性小的藥液，與第1實施方式的步驟S1相比還可縮短第2實施方式的步驟S1的處理時間。
(第3實施方式)第3實施方式涉及的基板處理方法是在基板上的有機膜主要是感光性有機膜的情況下適用的方法，作為藥液處理中使用的藥液，除使用至少具有有機膜圖形的顯影功能的藥液(顯影功能液)這點之外，即除藥液處理中使用的藥液的種類不同之外，其余均與第1、第2實施方式相同。
作為此處的顯影功能液，例如為含有0.1～10wt％范圍的主要成分為TMAH(氫氧化四甲銨)的堿性水溶液，或NaOH(氫氧化鈉)、Ca(OH)2(氫氧化鈣)等無機堿性水溶液。
而在第3實施方式之中，在形成最初的有機膜圖形時的初期曝光后，到進行顯影處理期間，最好使基板保持在不曝光(不感光)狀態(tài)，通過保持在該不曝光狀態(tài)可使顯影處理的效果穩(wěn)定化。
要想將基板保持在不曝光狀態(tài)，可通過管理工序或采用具有可使基板保持不曝光狀態(tài)構成的基板處理裝置。
圖3(a)是表示第3實施方式涉及的基板處理方法的流程圖。
正如圖3(a)所示，在第3實施方式涉及的基板處理方法之中，依次進行顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
由其中的顯影處理構成去除處理。
步驟S5的顯影處理是使用顯影處理單元20，用顯影功能液顯影有機膜圖形的處理，具有與圖1中的步驟S1相同的效果。
因此，若采用第3實施方式，可獲得與第1實施方式相同的效果。
而第3實施方式時使用的基板處理裝置，作為各種處理單元U1～U9或U1～U7，是至少配置顯影處理單元20、溫度調整處理單元19、氣體氣氛處理單元22以及加熱處理單元18的基板處理裝置100或200(與括號內的步驟對應的處理單元不省略的情況下)。
此外，在上述第3實施方式之中，也可在顯影處理之前增加灰化處理，通過上述灰化處理及顯影處理進行去除處理。
(第4實施方式)第4實施方式涉及的基板處理方法，是在上述第至第3實施方式涉及的基板處理方法中的顯影處理之前，增加了使有機膜圖形感光的曝光處理的基板處理方法。
此處的在顯影處理前進行的曝光處理是對基板的理想范圍(有時為整個表面)內包含的有機膜圖形實施曝光處理(即與細微圖形曝光等不同的曝光處理)的處理，以下稱之為“簡易曝光處理”。該簡易曝光處理使用簡易曝光單元17進行。曝光使用的光是紫外線光(UV光)、熒光、自然光或其它光。在該簡易曝光處理之中，對基板的理想范圍(整個基板或其中一部分，例如基板面積1/10以上的范圍)內包含的有機膜圖形進行曝光。該簡易曝光既可以是對基板的理想范圍進行的統(tǒng)一曝光，也可以是通過曝光光點在基板的理想范圍內掃描，使該范圍內全部曝光的曝光。
而在第4實施方式之中，從最初形成有機膜圖形時的初期曝光之后到進行曝光處理期間，最好使基板一直保持不曝光(不感光)狀態(tài)，通過保持此種不曝光狀態(tài)，既可使顯影處理效果穩(wěn)定，又可使簡易曝光處理中的曝光量均勻化。要想將基板保持不曝光狀態(tài)，可通過管理工序或采用可使基板保持不曝光狀態(tài)的基板處理裝置。
這里的簡易曝光處理可定位于下面列舉的某種方法進行。
第1種為對簡易曝光處理之前保持不感光狀態(tài)的基板上的有機膜圖形進行曝光。
第2種為即使在簡易曝光處理之前受到一定程度的曝光(被紫外線光、UV光、熒光、自然光曝光或長期放置于上述光線之中)，或曝光量不明(曝光不均勻或無管理狀態(tài))的情況下，仍可為了使曝光量在整個基板上實現(xiàn)實質性的均勻而對整個基板充分曝光或為了安全起見，增加對整個基板的曝光。
<第4實施方式的具體實例1>
圖3(b)是表示第4實施方式涉及的基板處理方法的具體實例1的流程圖。
正如圖3(b)在第4實施方式涉及的基板處理方法的具體實例1之中，依次進行簡易曝光處理(步驟S6)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
其中由簡易曝光處理以及顯影處理構成去除處理。
圖3(b)的基板處理方法是在圖3(a)的基板處理方法之前增加了簡易曝光處理(步驟S6)的基板處理方法，是在有機膜圖形具有感光性的情況下為使步驟S5的顯影處理更加有效的基板處理方法。
步驟S6的簡易曝光處理是對基板的理想范圍內(有全面的情況)包含的有機膜圖形實施曝光處理(即與細微圖形曝光不同的曝光處理)，采用簡易曝光處理單元17進行。曝光使用的光為紫外線光(UV光)、熒光、自然光或其它光。
而在具體實例1的情況下使用的基板處理裝置為作為各種處理單元U1～U9或U1～U7，至少配置簡易曝光處理單元17、藥液處理單元21、顯影處理單元20、溫度調整處理單元19、氣體氣氛處理單元22以及加熱處理單元18的基板處理裝置100或200(不省略與括號內的步驟對應的處理單元時)。
<第4實施方式的具體實例2>
圖3(c)是表示第4實施方式涉及的基板處理方法的具體實例2的流程圖。
正如圖3(c)所示，在第4實施方式涉及的基板處理方法的具體實例2之中，依次進行灰化處理(步驟S7)、簡易曝光處理(步驟S6)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
其中由灰化處理、簡易曝光處理及顯影處理構成去除處理。
圖3(c)的基板處理方法是在圖3(b)的基板處理方法之前，增加使用灰化處理單元23的灰化處理(步驟S7)的基板處理方法。
在第4實施方式的具體實例2之中，作為氣體氣氛處理(溶解變形處理)的前處理，并不像具體實例1那樣全部用濕法處理的顯影處理進行，而是將有機膜圖形表面的變質層或堆積層的去除處理設定為在前處理之中使用灰化處理，通過該灰化處理(步驟S7)，僅去除變質層中的表層部分。
在步驟S7的灰化處理后進行的步驟S5之中，通過濕法處理的顯影處理去除灰化處理后仍殘留的變質層。
第4實施方式的具體實例2的其它各點與具體實例1相同。
若采用具體實例2，由于在顯影處理(步驟S5)之前進行步驟S7的灰化處理，因而當感光性有機膜圖形表面因圖3(c)的基板處理方法之前的蝕刻處理硬化、變質的情況下，可更有效地去除該變質層。即，該灰化處理最好在因蝕刻處理，有機膜圖形硬化變質嚴重的情況下使用。
而在具體實例2的情況下，雖進行灰化處理，但該灰化處理的時間長度可比以往(特開2002-334830公報)短。這是因為要進行步驟S5的顯影處理。
而具體實例2的情況下使用的基板處理裝置是作為各種處理單元U1～U9或U1～U7，至少配置灰化處理單元23、簡易曝光處理單元17、顯影處理單元20、溫度調整處理單元19、氣體氣氛算是單元22以及加熱處理單元18的基板處理裝置100或200(不省略與括號內的步驟對應的處理單元時)。
<第4實施方式的具體實例3>
圖3(d)是表示第4實施方式涉及的基板處理方法的具體實例3的流程圖。
正如圖3(d)所示，在第4實施方式涉及的基板處理方法的具體實例3之中，依次進行簡易曝光處理(步驟S6)、灰化處理(步驟S7)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
也就是說，具體實例3的基板處理方法是把具體實例2(圖3(c))的基板處理方法的灰化處理(步驟S7)和簡易曝光處理(步驟S6)的順序更替了的基板處理方法。在此情況下也可獲得與具體實例2相同的效果。
圖3(d)的基板處理方法與具體實例5相比，更加適用于在步驟S6的曝光處理時感光性有機膜圖形的變質、硬化嚴重的情況。
具體實例3使用的基板處理裝置與具體實例2相同。
在以上的第4實施方式中，將曝光處理設定為簡易曝光，這是出于生產(chǎn)成本、加工能力、裝置的單元配置的考慮設定的標準處理方式，但并不局限于該例，也可設定為進行平常的細微圖形曝光的曝光處理。
此外，上述第1～第4各實施方式的處理、即圖1～圖3所示的各種具體實例的處理并不局限于(1)、(2)、(3)的目的，在(4)有機膜圖形的平坦化(參照特開2003-21827號公報)之中同樣可以使用。而在此情況下，可在基板的理想范圍內形成的有機膜上捕捉“有機膜圖形”。
此外，當把圖1～圖3所示的各個具體實例的處理用于上述(1)、(2)的目的時，可在各種處理之后或處理前與處理后實施底膜加工(蝕刻)。也就是說，可實施將使用溶解變形處理的變形前的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜(即，例如基板)的底模加工處理，以及將使用溶解變形處理的變形后的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜(即，例如基板)的底膜加工處理。
(第5實施方式)第5實施方式涉及的基板處理方法，是在第3、第4實施方式涉及的基板處理方法中的顯影處理之前，增加了藥液處理。
在這里的顯影處理前的藥液處理之中，使用顯影處理中使用的顯影功能液之外的藥液。
<第5實施方式的具體實例1>
圖4(a)是表示第5實施方式涉及的基板處理方法的具體實例1的流程圖。
正如圖4(a)所示，在第5實施方式涉及的基板處理方法的具體實例1之中，依次進行藥液處理(步驟S1)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)、以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
由其中的藥液處理及顯影處理構成去除處理。
而藥液處理(步驟S1)是使用顯影功能液之外的藥液進行的處理(顯影處理之外的藥液處理)。
上述圖4(a)的基板處理方法是在圖3(a)的基板處理方法之前增加了藥液處理(步驟S1)的基板處理方法。
即，圖4(a)的基板處理方法是圖3(a)的基板處理方法的改進型，步驟S1的藥液處理的目的在于去除有機膜圖形表面的變質層或堆積層中無法用顯影處理去除的堅硬部分(表層)。而該藥液處理與第1實施方式中的藥液處理(使用酸性溶液、堿性溶液、有機溶劑溶液等的處理)相同，使用藥液處理單元21進行。
其后的步驟與第3實施方式(圖3(a))相同。
<第5實施方式的具體實例2>
圖4(b)是表示第5實施方式涉及的基板處理方法的具體實例2的流程圖。
正如圖4(b)所示，在第5實施方式涉及的基板處理方法的具體實例2之中，依次進行藥液處理(步驟S1)、簡易曝光處理(步驟S6)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
由其中的藥液處理，簡易曝光處理及顯影處理構成去除處理。
而藥液處理(步驟S1)是使用顯影功能液之外的藥液進行的處理(顯影處理之外的藥液處理)。
上述圖4(b)的基板處理方法是在圖3(b)的基板處理方法之前增加了藥液處理(步驟S1)的基板處理方法。
也就是說，圖4(b)的基板處理方法是圖3(b)的基板處理方法的改進型。步驟S1的藥液處理的目的在于去除有機膜圖形表面的變質層或堆積層中無法用顯影處理去除的堅硬部分(表層部)。而該藥液處理與第1實施方式中的藥液處理(使用酸性溶液、堿性溶液、有機溶劑溶液等的處理)相同，使用藥液處理單元21進行。
后面的步驟與第4實施方式的具體實例1(圖3(b))相同。
<第5實施方式的具體實例3>
圖4(c)是表示第5實施方式涉及的基板處理方法的具體實例3的流程圖。
正如圖4(c)所示，在第5實施方式涉及的基板處理方法的具體實例3之中，依次進行藥液處理(步驟S1)、灰化處理(步驟S7)、簡易曝光處理(步驟S6)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
由其中的藥液處理、灰化處理、簡易曝光處理以及顯影處理構成去除處理。
而藥液處理(步驟1)是使用顯影功能液之外的藥液進行的處理(顯影處理之外的藥液處理)。
上述圖4(c)的基板處理方法是在圖3(c)的基板處理方法之前增加了藥液處理(步驟S1)的基板處理方法。
也就是說，圖4(c)的基板處理方法是圖3(c)的基板處理方法的改進型，步驟S1的藥液處理的目的在于去除有機膜圖形表面的變質層或堆積層中無法用顯影處理去除的堅硬部分(表層部)。而該藥液處理與第1實施方式中的藥液處理(使用酸性溶液、堿性溶液、有機溶劑溶液的處理)相同，使用藥液處理單元21進行。
后面的步驟與第4實施方式的具體實例2(圖3(c))相同。
而以上的第5實施方式中的藥液處理(步驟S1)的順序并不局限于圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)所示的順序，只要在顯影處理(步驟S5)之前，任何順序都行。此外，在圖4(c)之中示出在簡易曝光處理(步驟S6)之前進行灰化處理(步驟S7)的例子，但也可把簡易曝光處理和灰化處理的順序互換，在簡易曝光之后進行灰化處理。
也就是說，也可以依次進行簡易曝光處理(步驟S6)、藥液處理(步驟S1)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
或者也可依次進行灰化處理(步驟S7)、簡易曝光處理(步驟S6)、藥液處理(步驟S1)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
或者也可依次進行簡易曝光處理(步驟S6)、灰化處理(步驟S7)、藥液處理(步驟S1)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
或者也可依次進行灰化處理(步驟S7)、藥液處理(步驟1)、簡易曝光處理(步驟S6)、顯影處理(步驟S5)、溫度調整處理(步驟S2)、氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱處理(步驟S4)，將上述一系列處理作為有機膜圖形加工處理。
若采用上述第5實施方式，由于在顯影處理前進行藥液處理，有機膜圖形因蝕刻處理發(fā)生硬化、變質的情況下，與第3實施方式相比，可更有效地去除該有機膜圖形的表層部分。即最好在有機膜圖形的硬化與變質比第4實施方式更為嚴重的情況下使用。
而在上述第4及第5實施方式之中，有時也可省略簡易曝光處理(步驟S6)。也就是說在去除處理中也可依次進行顯影處理以外的藥液處理(步驟S1)、顯影處理(步驟S5)、或者在去除處理中也可依次進行灰化處理(步驟S7)、顯影處理之外的藥液處理(步驟S1)、顯影處理(步驟S5)。
此種簡易曝光處理(步驟6)的省略，例如可在下面所述的兩種情況下進行。
第1種情況為在基板上形成最初的有機膜圖形之后到有機膜圖形加工處理期間，通過工序內的其它曝光或根據(jù)室內、裝置內的狀況進行了適量的感光。在此情況下即使省略簡易曝光處理(步驟S6)也可獲得與第4、第5實施方式基本相同的效果。
第2種情況為在基板上形成最初的有機膜圖形之后，到有機膜圖形加工處理期間，保持了使有機膜不感光狀態(tài)之后，通過進行顯影處理或使用具有顯影功能的藥液處理，去除變質層或堆積層的同時，僅希望去除形成最初的有機膜圖形時的有機膜圖形的外圈的感光區(qū)的殘留表面部分，而保留有機膜圖形中心部分未感光也未發(fā)生變質的部分。在此情況下，在基板上形成最初的有機膜圖形之后到有機膜圖形加工處理期間，通過使有機膜圖形保持不感光狀態(tài)，利用其后的顯影處理或藥液處理去除變質層或堆積層的同時，通過二次顯影即可同時去除形成最初的有機膜圖形時的有機膜圖形的外圈部分的殘留表面部分。這樣即可很好地保留有機膜圖形的中心部分未感光也未產(chǎn)生變質的部分。
而在以上介紹的各實施方式之中，是以在同一個有機膜圖形中，其整體膜厚均勻為前提的，但是有機膜圖形，即基板上形成的最初的有機膜圖形也可以是至少具有兩種以上膜厚的有機膜圖形。
如上所述，當有機膜圖形具有兩種以上膜厚的情況下，通過實施上述顯影處理(步驟S5)可選擇性地使有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)變得更薄，或選擇性地去除有機膜圖形中膜厚薄的薄膜區(qū)。
在此處，要想形成具有兩種以上膜厚的有機膜圖形，可將用來形成該有機膜圖形的初期曝光時的曝光量在有機膜圖形內控制為兩種以上。具體而言，在初期曝光時，可使用具有兩種以上透光量的十字線掩膜。
如上所述，將曝光量控制在兩種以上之后，通過進行顯影處理(是用來形成最初的有機膜圖形的顯影處理，與步驟S5的顯影處理不一樣)，由于只有曝光量多或少的部分的有機膜首先變薄，因而可形成具有兩種以上膜厚的有機膜圖形。
由于此處的初期曝光經(jīng)歷在其后仍然保留，因而通過進行上述顯影處理(步驟S5)，可選擇性地使有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)進一步變薄，或者可選擇性地去除有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)。
作為步驟S5的顯影處理中使用的顯影功能液，如果用來形成最初的有機膜圖形的顯影處理用的顯影功能液是正片用，則使用同樣的正片用的顯影功能液，如果用于形成最初的有機膜圖形的顯影處理中使用的顯影功能液是底片用，則可使用同樣的底片用的顯影功能液。
如上所述，當基板上形成的最初的有機膜圖形是具有兩種以上膜厚的有機膜圖形的情況下，通過進行上述顯影處理(步驟S5)，選擇性地使有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)變得更薄，或選擇性地去除有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)的情況下，尤其是在選擇性地使形成最初的有機膜圖形時的初期曝光后到進行顯影處理期間使基板一直保持在不曝光狀態(tài)的一方(即在基板上形成最初的有機膜圖形之后到有機膜圖形加工處理期間一直使有機膜圖形保持在不曝光狀態(tài)下的一方)，在具有兩種以內的有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)變得更薄，或選擇性地去除有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)的情況下，能更高地保持其選擇性。
這是因為當選擇性地使現(xiàn)用的具有此種兩種以上膜厚的感光性圖形之中，膜厚較薄的薄膜區(qū)變得更薄或選擇性地去除有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)的情況下，與主要用氧氣進行的干法蝕刻或通過灰化(主要是各向異性)進行的方法相比，具有(1)由于主要靠藥液(或顯影)處理的濕法處理進行，因而具有可減少對有機膜圖形、底膜的損傷的效果，此外，具有可實現(xiàn)利用了(2)有機膜圖形有無感光性引起的顯影速度的差別，高效而又高選擇性的處理(使薄膜部分更薄或去除)效果。
下面說明與上述各實施方式中的去除處理的種類選擇有關的方針。
圖11是表示與應通過前處理去除的變質層的生成原因相對應的變質程度的圖。在圖11之中，將變質程度以濕法剝離的難易為標準進行了等級劃分。
正如圖11所示，有機膜表面的變質層的變質程度因有機膜的濕法蝕刻處理、干法蝕刻處理、以及干法蝕刻處理中的等離子體處理時的各向同性、各向異性的差別、有機膜上有無堆積物，干法蝕刻處理中的使用氣體的種類不同而有很大差異。也就是說，根據(jù)上述各種參數(shù)，去除有機膜表面的變質層的難易程度有很大差別。
作為藥液處理中使用的藥液，使用酸堿性水溶液及有機溶劑中的某一種或上述各種的混合液。
作為更具體的實例，使用堿性水溶液或混合了胺類有機溶劑的水溶液，至少使用一種含有0.05～10wt％(0.05重量％以上、10重量％以下)胺類的藥液。
胺類的典型例有一乙胺、二乙胺、三乙胺、一異丙胺、二異丙胺、一丁胺、二丁胺、三丁胺、羥胺、二乙基羥胺、無水二乙基羥胺、吡啶、甲基吡啶等。
但在變質層的變質程度較輕的情況下，即由長期放置老化(放置氧化)、酸性蝕刻液、各向同性O2灰化等因素形成的變質層的情況下，胺濃度為例如0.05～3wt％(0.05重量％以上，3重量％以下)即可。
圖16是表示使用的藥液中的含胺濃度與有機膜變質的有無相對應的去除比例的關系的圖。
正如圖16所示，要想選擇性去除變質層，保留未變質的有機膜，可使用含有0.05～1.5wt％(0.05重量％以上，1.5重量％以下)的上述胺類的有機溶劑水溶液。而在上述胺類之中，尤其以羥胺、二乙基羥胺、無水二乙基羥胺、吡啶、甲基吡啶更為合適。此外，作為典型的添加的防腐劑，有D-葡萄糖(C6H12O6)、螯合劑、抗氧化劑等，有時也添加上述防腐劑。
此外，在藥液處理之中，除適當選擇上述藥液種類之外，還可通過將其處理時間的長度設定為適當?shù)闹担x擇性去除變質層或堆積層，暴露及保留未變質的有機膜圖形，或暴露或保留被堆積層覆蓋的有機膜圖形。
通過實施上述藥液處理，即可在其后的溶解變形處理(例如，氣體氣氛處理)中獲得用于該溶解變形處理的有機溶劑容易滲透到有機膜圖形內的效果。
實際上，通過用上述藥液處理有機膜圖形表面的變質層，即可使變質層產(chǎn)生裂紋或去除變質層的一部分或全部。這樣即可在溶解變形處理中避免變質層妨礙有機溶劑液往有機膜圖形中的滲透。
此處的要點是使有機膜圖形中未變質的部分不被去除或剝離地保留下來，以及通過選擇性去除變質層或使該變質層產(chǎn)生裂紋，使有機溶劑更容易滲透到有機膜圖形中未變質的部分，需使用能對變質層起到此種作用的藥液。
此外，圖2、圖3(c)、圖3(d)、圖4(c)所示的灰化處理可在有機膜表面的變質層或堆積層堅硬的情況下，很厚的情況下，以及與氟化合的變質層等更難去除的變質層的情況下，與藥液處理結合進行或單獨進行。通過灰化處理與藥液處理結合進行或灰化處理單獨進行，即可解決單用藥液處理很難去除變質層或去除需要大量時間的問題。
在此處，圖12示出對變質層僅實施了O2灰化(各向同性等離子體)處理時的變質層的變化，圖13示出對變質層僅實施了藥液處理(使用了含2％羥胺的水溶液的藥液處理)時的變質層的變化，圖14示出對變質層依次實施了O2灰化(各向同性等離子體)處理與藥液處理(使用了含2％羥胺的水溶液的藥液處理)時的變質層的變化。在圖12～圖14之中，與圖11相同，將變質程度以濕法剝離的難易為標準進行了分級。
正如圖12～圖14所示，盡管在每種情況下均可去除變質層，但圖12所示的僅用O2灰化(各向同性等離子體)處理的情況下，與圖13所示的僅用藥液處理(使用了含2％羥胺的水溶液的藥液處理)的情況下，根據(jù)處理前的變質層的厚度與性質，變質層的去除程度不同。
也就是說，O2灰化(各向同性等離子體)處理，正如圖12所示，在有堆積物的變質層的去除方面較為有效，但由于具有使損傷保留的特征，因而在對沒有堆積物的變質層進行處理的情況下，與僅用藥液處理時(圖13)相比，其變質層的保留程度還要大。
與之相比，藥液處理(使用了含2％的羥胺的水溶液的藥液處理)正如圖13所示，對有堆積物的變質層的去除效果不大，但由于具有不留損傷的特征，因而在對沒有堆積物的變質層進行處理的情況下，與僅用O2灰化(各向同性等離子體)處理時(圖12)相比，變質層的保留程度還要小。
因此，圖14示出依次實施了O2灰化(各向同性等離子體)處理和藥液處理(使用了含有2％羥胺的水溶液的藥液處理)的情況。從圖14的情況可知，這是吸取了圖12與圖13二者的優(yōu)點的方法。也就是說，從圖14可知，無論有沒有堆積物均可發(fā)揮其效果的同時，還能以抑制了損傷保留的理想方式去除變質層。
要想進一步提高溶解變形處理(例如氣體氣氛處理)的均勻性，最好也表面處理有機膜圖形的底膜區(qū)域，提高其潤濕性。提高底膜潤濕性的表面處理，可通過上述各實施方式中介紹的灰化處理，即氧氣等離子體(O2等離子體)或UV臭氧處理進行。
氧氣等離子體處理可在O2流量300sccm、處理壓力100Pa、RF功率1000W的等離子體中進行120秒鐘。
另外，UV臭氧處理可通過在100℃～200℃的基板溫度范圍內在臭氧氣氛中照射UV光來進行。
作為提高底膜潤濕性的另一種表面處理，可使用各種等離子體處理中的各種典型的等離子體一氟氣類等離子體(SF6氣體等離子體、CF4氣體等離子體、CHF3氣體等離子體等)或氟類氣體與氧氣的混合等離子體(包括SF6/O2等離子體、CF4/O2等離子體、CHF3/O2等離子體等)。
上述處理可改善未被有機膜圖形覆蓋的底膜表面的潤濕性。因此通過進行上述處理，可使因溶解變形處理(氣體氣氛處理)而變形的有機膜圖形容易在底膜表面上回流。
然而正如上述，各種等離子體處理、氧氣等離子體處理或UV臭氧處理等前處理與藥液處理相比容易導致留有損傷。因此，由于通過在各種等離子體處理、氧氣等離子體處理、或UV臭氧等離子體處理前處理后再使用藥液處理去除有機膜表面的變質層，即可在提高底膜潤濕性的同時，不對有機膜圖形造成損傷地去除有機膜圖形表面的變質層，因而可進行均勻的溶解變形處理。
圖15是分別示意性表示采用本發(fā)明的去除處理以及采用現(xiàn)有技術的去除處理的情況下，作為溶解變形處理(例如氣體氣氛處理)的前處理的去除處理的效果的圖。
圖15(a)表示在基板31上形成了有機膜圖形32的狀態(tài)。
圖15(b)表示將有機膜圖形32作為掩膜，通過蝕刻圖形加工底膜(例如，基板31的上層部分31a)的狀態(tài)。
圖15(c)是圖15(b)中的有機膜圖形32的放大圖。正如圖15(c)所示，在有機膜圖形32的表層部例如因前面的蝕刻形成了變質層32a。因此在有機膜圖形32之上未變質的正常部分32b處于被變質層32a覆蓋狀態(tài)。
圖15(d)表示實施了本發(fā)明的去除處理(例如僅用藥液處理)后的狀態(tài)。正如圖15(d)所示，通過實施去除處理，有機膜圖形32的表層部分的變質層32被去除。而且并沒有在有機膜圖形上留下?lián)p傷。
圖15(e)表示在圖15(d)的去除處理之后進行了溶解變形處理的狀態(tài)。正如圖15(e)所示，通過實施溶解變形處理，可使有機膜圖形32均勻變形，可進行良好的溶解變形處理。
與此相對應，圖15(f)表示實施了現(xiàn)有技術的去除處理(僅進行灰化處理)的狀態(tài)。正如圖15(f)所示，當采用現(xiàn)有技術進行去除處理的情況下，原先存在的有機膜圖形32的表層部分的變質層32雖被去除但在有機膜圖形上產(chǎn)生了殘留的損傷。
圖15(g)表示在進行了圖15(f)的現(xiàn)有的去除處理之后接著進行了溶解變形處理的狀態(tài)，正如圖15(g)所示，根據(jù)前面的去除處理的損傷殘留程度，采用溶解變形處理的有機膜圖形32的變形較均勻，而在損傷殘留大的情況下，有機膜圖形32的變形不均勻或由于有機膜圖形未溶解，因而很難進行良好的溶解變形處理。
此外，在本發(fā)明之中，也可在有機膜圖形加工處理的開始時增加加熱處理。該加熱處理的目的在于去除在有機膜圖形加工處理前的處理工序中滲入有機膜圖形內，或其下部的水分、酸、堿溶液，或在有機膜圖形與底膜的附著力低下時用于恢復該附著力。作為此種加熱處理的例子，可用50℃～150℃的溫度，進行60～300秒的處理。因此，在其處理方法之中，增加開始時使用溫度調整處理單元19(或加熱處理單元18)的加熱處理，例如以50～150℃的溫度進行60～300秒的條件的加熱處理也可歸結到本實施方式的基板處理方法之中。
權利要求
1.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元。
2.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元。
3.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元。
4.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述氣體氣氛處理單元具有可在15℃～40℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
5.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述氣體氣氛處理單元具有可在15℃～40℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
6.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述氣體氣氛處理單元具有可在15℃～40℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
7.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述氣體氣氛處理單元具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
8.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述氣體氣氛處理單元具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
9.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述氣體氣氛處理單元具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內任意目標溫度的±2℃內的溫度控制手段。
10.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述氣體氣氛處理單元具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內任意目標溫度的±2℃內的溫度控制手段。
11.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
12.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元具有可在15℃～40℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
13.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
14.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
15.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內任意目標溫度的±2℃以內的溫度控制手段。
16.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內任意目標溫度的±2℃以內的溫度控制手段。
17.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
18.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段。
19.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內各自的任意目標溫度的±2℃以內的溫度控制手段。
20.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內各自的任意目標溫度的±2℃以內的溫度控制手段。
21.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段，并且這些溫度控制手段把基板溫度調整到彼此相同或±5℃以內的近似目標溫度上。
22.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可在10℃～50℃的范圍內調整基板溫度的溫度控制手段，并且這些溫度控制手段把基板溫度調整到彼此相同或±5℃以內的近似目標溫度上。
23.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內任意的目標溫度的±2℃以內的溫度控制手段，并且這些溫度控制手段把基板溫度調整到彼此相同或±5℃以內的近似目標溫度上。
24.一種基板處理裝置，在對基板實施處理的基板處理裝置之中，其特征在于整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元、調整基板溫度的溫度調整處理單元、和用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元；所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元分別具有可將基板溫度保持在10℃～50℃的范圍內任意的目標溫度的±2℃以內的溫度控制手段，并且這些溫度控制手段把基板溫度調整到彼此相同或±5℃以內的近似目標溫度上。
25.根據(jù)權利要求4至24中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述控制手段可在15℃～35℃范圍內調整基板溫度。
26.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于還具有控制所述基板傳送機構、所述藥液處理單元、以及所述氣體氣氛處理單元的控制手段，以便依次進行使用所述藥液處理單元的藥液處理、使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理。
27.根據(jù)權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于還具有控制所述基板傳送機構、所述溫度調整處理單元、以及所述氣體氣氛處理單元的控制手段，以便依次進行使用所述溫度調整處理單元的基板溫度調整、使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理。
28.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置調整基板溫度的溫度調整處理單元的同時，具有控制所述基板傳送機構、所述藥液處理單元、所述溫度調整處理單元以及所述氣體氣氛處理單元的控制手段，以便依次進行使用所述藥液處理單元的藥液處理、使用所述溫度調整處理單元的基板溫度調整、以及使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理。
29.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置將基板顯影的顯影處理單元。
30.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置將基板顯影的顯影處理單元，和調整基板溫度的溫度調整處理單元的同時，具有控制所述基板傳送機構、所述藥液處理單元、所述顯影處理單元、所述溫度調整處理單元、以及所述氣體氣氛處理單元的控制手段，以便依次進行使用所述藥液處理單元的藥液處理、使用所述顯影處理單元的顯影處理、使用所述溫度調整處理單元的基板溫度調整處理、使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理。
31.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板實施藥液處理的第2藥液處理單元、和調整基板溫度的溫度調整處理單元的同時，具有控制所述基板傳送機構、所述藥液處理單元、所述第2藥液處理單元、所述溫度調整處理單元、以及所述氣體氣氛處理單元的控制手段，以便依次進行使用所述藥液處理單元的藥液處理、使用所述第2藥液處理單元的藥液處理、使用所述溫度調整處理單元的基板溫度調整、使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理。
32.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述藥液處理單元對基板上形成的有機膜圖形實施藥液處理。
33.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述氣體氣氛處理單元對基板上形成的有機膜圖形實施氣體氣氛處理。
34.根據(jù)權利要求29或30所述的基板處理裝置，其特征在于所述顯影處理單元對基板上形成的有機膜圖形實施顯影處理。
35.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述藥液處理單元中使用的藥液至少含有酸性藥品。
36.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述藥液處理單元中使用的藥液至少含有有機溶劑。
37.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述藥液處理單元中使用的藥液至少含有堿性藥品。
38.根據(jù)權利要求37所述的基板處理裝置，其特征在于所述藥液處理單元是將顯影液作為所述藥液使用，作為所述藥液處理進行顯影處理的顯影處理單元。
39.根據(jù)權利要求29或30所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板上形成的有機膜圖形之中，包含在基板的理想范圍內的有機膜圖形實施曝光處理的曝光處理單元。
40.根據(jù)權利要求38所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板上形成的有機膜圖形之中，包含在基板的理想范圍內的有機膜圖形實施曝光處理的曝光處理單元。
41.根據(jù)權利要求39或40所述的基板處理裝置，其特征在于所述曝光處理是對所述理想范圍進行統(tǒng)一曝光的處理或使曝光光點在所述理想范圍內掃描的處理。
42.根據(jù)權利要求40或41所述的基板處理裝置，其特征在于所述理想范圍至少是占基板面積1/10以上的范圍。
43.根據(jù)權利要求39至42中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述曝光處理是至少使用紫外線、熒光以及自然光中的某一種的曝光處理。
44.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板實施灰化處理的灰化處理單元。
45.根據(jù)權利要求29或30所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板實施灰化處理的灰化處理單元。
46.根據(jù)權利要求38所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板實施灰化處理的灰化處理單元。
47.根據(jù)權利要求39所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板實施灰化處理的灰化處理單元。
48.根據(jù)權利要求40所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板實施灰化處理的灰化處理單元。
49.根據(jù)權利要求44至48中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述灰化處理是至少使用等離子體、臭氧及紫外線中的任一種，蝕刻基板上的各種膜的處理。
50.根據(jù)權利要求1至49中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于采用可根據(jù)用途變更各處理單元的處理順序的構成。
51.根據(jù)權利要求1至49中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于采用根據(jù)用途固定各處理單元的處理順序進行各種處理的構成。
52.根據(jù)權利要求1至51中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于采用可根據(jù)用途變更各處理單元的處理條件的構成。
53.根據(jù)權利要求1至52中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于配置復數(shù)個同一種處理單元。
54.根據(jù)權利要求53所述的基板處理裝置，其特征在于具有使各基板的朝向在其板面內彼此不同，進行復數(shù)配置的同一種處理單元的處理的功能。
55.根據(jù)權利要求53所述的基板處理裝置，其特征在于具有通過使各基板的朝向在其板面內彼此相反，進行復數(shù)配置的同一種處理單元的處理的功能。
56.根據(jù)權利要求1至55中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于具有使各基板的朝向在其板面內彼此不同，分復數(shù)次進行至少使用某一個處理單元的處理。
57.根據(jù)權利要求56所述的基板處理裝置，其特征在于具有通過使各基板的朝向在其板面內彼此相反，分復數(shù)次進行至少使用某一個處理單元的處理。
58.根據(jù)權利要求1至57中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于具有作為至少使用某一種處理單元的處理，進行基板板面內一個方向上的處理以及與此不同方向上的處理的功能。
59.根據(jù)權利要求58所述的基板處理裝置，其特征在于所述不同方向是與所述一個方向相反的方向。
60.根據(jù)權利要求1至59中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于該基板處理裝置具備防爆功能或防火功能。
61.根據(jù)權利要求1至59中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于所述氣體氣氛處理單元具備防爆功能或防火功能。
62.根據(jù)權利要求1至61中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于還整體性配置用于對基板實施蝕刻處理的蝕刻處理單元。
63.根據(jù)權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述藥液處理單元是可通過使用藥液的蝕刻，將基板上形成的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜的蝕刻處理單元。
64.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求1所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；通過使用所述藥液處理單元的對所述有機膜圖形進行的藥液處理，進行所述去除處理的至少一部分。
65.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求44至48中任一項所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、使用所述藥液處理單元對所述有機膜圖形進行的藥液處理。
66.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求39、40、47或48中任一項所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述曝光處理單元對所述有機膜圖形進行的曝光處理、使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
67.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求47或48所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、使用所述曝光處理單元對所述有機膜圖形進行的曝光處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
68.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求47或48所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述曝光處理單元對所述有機膜圖形進行的曝光處理、使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
69.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求39或47所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述曝光處理單元對所述有機膜圖形進行的曝光處理、使用所述藥液處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理以外的藥液處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
70.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求47所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、使用所述曝光處理單元對所述有機膜圖形進行的曝光處理、使用所述藥液處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理以外的藥液處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
71.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求47所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述曝光處理單元對所述有機膜圖形進行的曝光處理、使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、使用所述藥液處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理以外的藥液處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
72.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求47所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、使用所述藥液處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理以外的藥液處理、使用所述曝光處理單元對所述有機膜圖形進行的曝光處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
73.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求29、30、39、45或47中任一項所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述藥液處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理以外的藥液處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
74.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求45至48中任一項所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
75.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求45或47所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；在所述去除處理之中，依次進行使用所述灰化處理單元對所述有機膜圖形進行的灰化處理、使用所述藥液處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理以外的藥液處理、和使用所述顯影處理單元對所述有機膜圖形進行的顯影處理。
76.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求1所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；通過使用所述藥液處理單元對所述有機膜進行的藥液處理，進行所述去除處理的至少一部分，包括將所述有機膜圖形加工處理前的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜的底膜加工處理。
77.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求1所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；通過使用所述藥液處理單元對所述有機膜進行的藥液處理，進行所述去除處理的至少一部分，包括將所述有機膜圖形加工處理后的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜的底膜加工處理。
78.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求1所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，包括加工基板上形成的有機膜圖形的有機膜圖形加工處理，在所述有機膜圖形加工處理之中，依次進行去除在所述有機膜圖形表面形成的變質層和/或堆積層的去除處理、通過使用所述氣體氣氛處理單元的氣體氣氛處理，使所述有機膜圖形溶解變形的溶解變形處理；通過使用所述藥液處理單元對所述有機膜進行的藥液處理，進行所述去除處理的至少一部分，包括將所述有機膜圖形加工處理前的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜的第1底膜加工處理，以及將所述有機膜圖形加工處理后的有機膜圖形作為掩膜，圖形加工該有機膜圖形的底膜的第2底膜加工處理。
79.根據(jù)權利要求64至78中任一項所述的基板處理方法，其特征在于所述溶解變形處理是使所述有機膜圖形的面積擴大的處理。
80.根據(jù)權利要求79所述的基板處理方法，其特征在于所述溶解變形處理是使相鄰的有機膜圖形相互溶為一體的處理。
81.根據(jù)權利要求64～78中任一項所述的基板處理方法，其特征在于所述溶解變形處理是使所述有機膜圖形平坦化的處理。
82.根據(jù)權利要求64至76中任一項所述的基板處理方法，其特征在于所述溶解變形處理是為了形成覆蓋基板上形成的電路圖形的絕緣膜而使所述有機膜圖形變形的處理。
83.根據(jù)權利要求64至82中任一項所述的基板處理方法，其特征在于基板上形成的最初的有機膜圖形是至少有兩種以上膜厚的有機膜圖形。
84.根據(jù)權利要求66至75中任一項所述的基板處理方法，其特征在于基板上形成的最初的有機膜圖形是至少具有兩種以上膜厚的有機膜圖形，通過實施所述顯影處理，選擇性地使所述有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)變得更薄。
85.根據(jù)權利要求66至75中任一項所述的基板處理方法，其特征在于基板上形成的最初的有機膜圖形是至少具有兩種以上膜厚的有機膜圖形，通過實施所述有機膜圖形加工處理中的所述顯影處理，選擇性地去除所述有機膜圖形中膜厚較薄的薄膜區(qū)。
86.根據(jù)權利要求66至85中任一項所述的基板處理方法，其特征在于在基板上形成最初的有機膜圖形之后，到加工所述有機膜圖形期間使所述有機膜圖形保持不感光的狀態(tài)。
87.根據(jù)權利要求64至86中任一項所述的基板處理方法，其特征在于所述氣體氣氛處理在有機溶劑的氣體氣氛中進行。
88.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求53所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，利用復數(shù)配置的同一種處理單元分別對基板實施同樣的處理。
89.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求54所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，利用復數(shù)配置的同一種處理單元對基板分別實施同樣的處理，通過使各基板的朝向在其板面內彼此不同進行使用所述同一種處理單元的處理。
90.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求55所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，利用復數(shù)配置的同一種處理單元對基板分別實施同樣的處理，通過使各基板的朝向在其板面內彼此相反進行使用所述同一種處理單元的處理。
91.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求56所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，通過使各基板的朝向在其板面內彼此不同，分復數(shù)次進行使用一個處理單元的處理。
92.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求57所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，通過使各基板的朝向在其板面內彼此相反，分復數(shù)次進行使用一個處理單元的處理。
93.一種基板處理方法，其特征在于是使用權利要求58所述的基板處理裝置對基板實施處理的基板處理方法，使用一個處理單元進行的處理之中，包括對基板的板面內一個方向上的處理以及與之不同方向上的處理。
94.根據(jù)權利要求93所述的基板處理方法，其特征在于所述不同的方向是指與所述一個方向相反的方向。
95.根據(jù)權利要求93或94所述的基板處理方法，其特征在于在使用所述氣體氣氛處理單元進行的處理之中，包括對基板的板面內一個方向上的處理以及與之不同方向上的處理。
全文摘要
提供一種可適用于半曝光工藝，藥液溶解回流工藝的基板處理裝置以及處理方法。整體性配置進行基板傳送的基板傳送機構(12)、用于對基板實施藥液處理的藥液處理單元(21)、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元(22)?；蛘w性配置進行基板傳送的基板傳送機構(12)、調整基板溫度的溫度調整處理單元(19)、用于對基板實施氣體氣氛處理的氣體氣氛處理單元(22)。
文檔編號H01L21/027GK1599026SQ200410082408
公開日2005年3月23日 申請日期2004年9月17日 優(yōu)先權日2003年9月18日
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