專利名稱：磁性材料的干法刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及干法刻蝕方法。進(jìn)一步詳細(xì)地說，涉及在FeNi、CoFe、FeMn、CoPt等的磁性薄膜的微細(xì)加工中有用的干法刻蝕方法。
背景技術(shù)：
作為具有DRAM程度的集成密度和SRAM程度的高速性，并且可無限制地重寫的存儲器，集成化磁存儲器MRAM(magnetic random access memory)受到人們的關(guān)注。再有，構(gòu)成所謂的GMR(巨型磁阻)和TMR(隧道效應(yīng)磁阻)的磁阻元件的薄膜磁頭和磁傳感器等的開發(fā)正在飛速發(fā)展。
迄今為止，在磁性材料的刻蝕加工中經(jīng)常使用離子研磨。但是，由于離子研磨是物理濺射刻蝕，因此，難以獲得對于成為掩膜的各種材料的選擇性，產(chǎn)生出了加工形狀上被刻蝕材料的下部變?yōu)殄F形等的問題。因此，現(xiàn)狀為不能面向特別是謀求微細(xì)加工技術(shù)的大容量的MRAM的制造，難以在300mm的大面積基板上均勻地加工，成品率未提高。
取代這樣的離子研磨，開始引入了在半導(dǎo)體工業(yè)中培養(yǎng)起來的技術(shù)。
其中，期待著能夠在300mm的大面積基板上確保均勻的微細(xì)加工性優(yōu)良的RIE(Reactive Ion Etching、反應(yīng)離子刻蝕)技術(shù)。
但是，在半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛使用的RIE技術(shù)中，關(guān)于FeNi、CoFe、CoPt等磁性材料，一般缺乏反應(yīng)性，難以實(shí)現(xiàn)無刻蝕殘渣和側(cè)壁沉積的加工。
現(xiàn)有技術(shù)中，在這樣的磁性材料的刻蝕加工中使用RIE技術(shù)的情況下，作為刻蝕氣體，使用了氯系氣體(Cl2等)。但是，若使用氯系氣體，就都有后腐蝕的問題，需要去除附著在刻蝕后的基板表面層上的殘留氯成分的處理。此外，RIE裝置自身中也需要對腐蝕性氣體即氯系氣體的抗腐蝕對策。
在對于這樣的磁性材料的RIE技術(shù)的現(xiàn)狀中，也進(jìn)行著用于建立沒有后腐蝕處理的新反應(yīng)系統(tǒng)的努力。
在特開平8-253881中，作為對磁性材料的刻蝕氣體，提出了在氨(NH3)或者胺類氣體等的含氮化合物中添加了一氧化碳(CO)氣體的氣體系(以下稱作NH3+CO系氣體)。
但是，在NH3+CO系氣體中也有如下需要解決的課題。
1.NH3和CO是有毒氣體，需要在RIE裝置中具備排氣處理的設(shè)備。
2.在決定MRAM和磁阻元件的基本性能的TMR的結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成夾Al2O3等的絕緣層的釘扎(ピン)層和自由層的CoFe等的強(qiáng)磁層是僅1～5nm的強(qiáng)磁性薄膜。在刻蝕氣體中使用了NH3+CO系氣體的情況下，恐怕對這些極薄的強(qiáng)磁層給予刻蝕損傷后使其磁特性劣化，對MRAM和磁阻元件的裝置特性也產(chǎn)生影響。特別是伴隨著MRAM和磁阻元件等的微細(xì)化，RIE處理時的被刻蝕材料(FeNi、CoFe等)的側(cè)面(側(cè)壁)對于裝置整體的比例增大，就不能忽視來自側(cè)壁的刻蝕損傷所引起的磁特性的劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種干法刻蝕方法，在將非有機(jī)材料作為掩膜材料刻蝕磁性材料的情況下，不需要后腐蝕處理和對刻蝕裝置的抗腐蝕性對策，減少了使磁特性劣化的刻蝕損傷。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出的干法刻蝕方法的特征在于，作為刻蝕氣體，使用至少具有一個以上羥基的乙醇，形成該刻蝕氣體的等離子體，使用由非有機(jī)系材料構(gòu)成的掩膜材料干法刻蝕磁性材料。
在上述中，羥基的數(shù)量可以是一個。
使用于上述刻蝕氣體的至少具有一個以上羥基的乙醇，在羥基的數(shù)量是一個的情況下，可以設(shè)為是從例如由甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙醇(C3H7OH)構(gòu)成的組中選擇的醇。
此外，由非有機(jī)系材料構(gòu)成的掩膜材料可以設(shè)為是由Ta、Ti、Al、Si中的某一個的單層膜或?qū)盈B膜構(gòu)成的掩膜材料，或者是由Ta、Ti、Al、Si中的某一個的氧化物或氮化物的單層膜或?qū)盈B膜構(gòu)成的掩膜材料。
例如，可以使用是單體元素的Ta、Ti、Al、Si中的某一個的單層膜或?qū)盈B膜作為掩膜材料。此外，可以使用Ta、Ti、Al、Si中的某一個的氧化物或氮化物即Ta氧化物、Ti氧化物、AL2O3等的Al氧化物、SiO2等的Si氧化物、TaN、TiN、AlN、SiN等的單層膜或?qū)盈B膜作為掩膜材料。
再有，在本發(fā)明的干法刻蝕方法中進(jìn)行刻蝕的磁性材料，可以設(shè)為是8族的鐵族元素的單體金屬或?qū)⒃搯误w金屬作為主要構(gòu)成元素的磁性材料。例如，在Fe-Ni系合金、Co-Fe系合金、Fe-Mn系合金、Co-Pt系合金、Ni-Fe-Cr系合金、Co-Cr系合金、Co-Pt系合金、Co-Cr-Pt系合金、Co-Pd系合金、Co-Fe-B系合金的單層膜或?qū)盈B膜的刻蝕中，可以使用本發(fā)明的干法刻蝕方法。
在上述的本發(fā)明的干法刻蝕方法中，期望將進(jìn)行刻蝕的磁性材料的溫度保持在250℃以下的范圍中進(jìn)行。為了對極薄的磁性薄膜不給予不必要的熱損傷，優(yōu)選的溫度范圍是20～100℃。
此外，在上述的本發(fā)明的干法刻蝕方法中，期望在真空度0.1～10Pa的范圍中進(jìn)行刻蝕。若是該壓力范圍，就能夠利用高密度等離子體的形成，使加工的各向異性良好。
另外，在上述的本發(fā)明的干法刻蝕方法中，作為添加氣體，可以在刻蝕氣體中添加氧氣、水、惰性氣體。這些都可以單獨(dú)添加，也可以從這些組中任意地組合添加。期望氧氣和水對于刻蝕氣體，分別按照不超過25％的范圍進(jìn)行添加，惰性氣體對于刻蝕氣體，按照不超過90％的范圍進(jìn)行添加。作為惰性氣體，可以使用Ar、Ne、Xe、Kr等。
若按上述范圍對刻蝕氣體添加這些添加氣體，就由于對掩膜的選擇性增加而有利。但是，若超過上述添加比例，則刻蝕速率就減少，或者對掩膜的選擇比就降低，故不好。
根據(jù)發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)，是使用RIE技術(shù)刻蝕磁性材料的方法，與作為不要后腐蝕處理而提出的采用NH3+CO系氣體的現(xiàn)有技術(shù)相比，利用本發(fā)明的干法刻蝕方法，能夠改善刻蝕速度和選擇比。特別是關(guān)于CoFe的刻蝕，能夠?qū)崿F(xiàn)增加50％以上刻蝕速度。
本發(fā)明的干法刻蝕方法能夠這樣地發(fā)揮優(yōu)良的效果，推斷是因?yàn)樵谑褂米鳛榭涛g氣體使用至少具有一個以上羥基的醇的等離子體中生成的H自由基和H+、OH-離子，例如CH3OH作為刻蝕氣體的情況下，在等離子體中生成的活性的CH3和H自由基或者CH3+、H+、OH-離子與Fe-Ni、Co-Fe、Fe-Mn、Co-Pt、Ni-Fe-Cr、Co-Cr、Co-Pt、Co-Cr-Pt、Co-Pd、Co-Fe-B等磁性材料反應(yīng)后進(jìn)行刻蝕。
此外，根據(jù)發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)，是使用RIE技術(shù)刻蝕磁性材料的方法，與作為不要后腐蝕處理而提出的采用NH3+CO系氣體的現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明的干法刻蝕方法中，能夠使磁特性劣化的刻蝕損傷減半。
本發(fā)明的干法刻蝕方法由于不使用有腐蝕性的NH3等作為刻蝕氣體，因此，刻蝕后不需要后腐蝕處理，不用特殊考慮對刻蝕裝置的耐腐蝕性。此外，由于不使用CO和NH3這樣的有毒性的刻蝕氣體，故不需要排氣處理的設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的干法刻蝕方法，在使用由非有機(jī)材料構(gòu)成的掩膜材料刻蝕磁性材料的情況下，在不需要后腐蝕處理的同時，還不需要特殊考慮對刻蝕裝置的耐腐蝕性，更不需要設(shè)置排氣處理的設(shè)備。
此外，根據(jù)本發(fā)明的干法刻蝕方法，在使用由非有機(jī)材料構(gòu)成的掩膜材料刻蝕磁性材料的情況下，能夠減少磁特性劣化的刻蝕損傷。
因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種在由Fe-Ni系合金、Co-Fe系合金、Fe-Mn系合金、Co-Pt系合金、Ni-Fe-Cr系合金、Co-Cr系合金、Co-Pt系合金、Co-Cr-Pt系合金、Co-Pd系合金、Co-Fe-B系合金的單層膜或?qū)盈B膜構(gòu)成的磁性薄膜的微細(xì)加工中有用的干法刻蝕方法。
附圖的簡單說明

圖1是可使用在本發(fā)明的方法中的刻蝕裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖2是示出使用本發(fā)明的方法刻蝕處理TMR元件的情況下的工藝的一例的圖，(a)是工藝開始前的剖面概略圖，(b)是將PR作為掩膜刻蝕了Ta膜的狀態(tài)的剖面概略圖，(c)是用Ta掩膜刻蝕了磁性膜的狀態(tài)的剖面概略圖，(d)是刻蝕到自由層后在Al2O3層上停止了刻蝕的狀態(tài)的剖面概略圖。
圖3是用本發(fā)明的工藝刻蝕了MRAM時的形狀的SEM照片。
符號的說明1等離子體源2真空容器3氣體導(dǎo)入系統(tǒng)4基板夾具5偏壓用高頻電源9晶片11介質(zhì)壁容器12天線13等離子體用高頻電源
14電磁鐵15傳輸路徑21排氣系統(tǒng)22側(cè)壁用磁鐵31高壓儲氣瓶32配管33閥34流量調(diào)整器41溫度控制機(jī)構(gòu)具體實(shí)施方式
關(guān)于使用如圖1所示的ICP(Inductive Coupled Plasma)等離子體源搭載的刻蝕裝置，使用甲醇(CH3OH)作為刻蝕氣體，對將Ta作為掩膜材料的圖2中示出的TMR元件進(jìn)行刻蝕的情況進(jìn)行說明。
圖2是示出TMR元件的基本結(jié)構(gòu)的一例的圖。
帶有TMR元件特征的結(jié)構(gòu)由強(qiáng)磁層(膜厚，自由層是5nm，釘扎層是5nm)和反強(qiáng)磁層的PtMn(膜厚15nm)構(gòu)成，所述強(qiáng)磁層由夾膜厚1nm的絕緣層Al2O3膜，被稱作自由層(Al2O3的上層)和釘扎層(Al2O3的下層)的兩個CoFe構(gòu)成，所述反強(qiáng)磁層在釘扎層的下層。再有，在此，省略TMR元件的基本原理和工作的說明。
首先，對于圖2(a)示出的結(jié)構(gòu)的TMR元件，使用CF4氣體，將PR作為掩膜，刻蝕Ta膜，將如圖2(b)所示形成的Ta膜作為用于刻蝕包含絕緣層Al2O3的磁層(PtMn、CoFe)的掩膜，如下進(jìn)行該工藝。
利用排氣系統(tǒng)21，將圖1中示出的真空容器2內(nèi)排氣，打開未圖示的閘閥，將成為圖2(a)中示出的結(jié)構(gòu)的TMR元件的層疊了TMR膜的晶片9搬入到真空容器2內(nèi)，保持在基板夾具4上，利用溫度控制機(jī)構(gòu)41維持在規(guī)定溫度。接著，使氣體導(dǎo)入系統(tǒng)3工作，從圖1中未圖示的貯存著CF4氣體的高壓儲氣瓶，通過未圖示的配管、閥、流量調(diào)整器，向真空容器2內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定流量的刻蝕氣體(CF4)。導(dǎo)入的刻蝕氣體經(jīng)由真空容器2內(nèi)，向介質(zhì)壁容器11內(nèi)擴(kuò)散。在此，使等離子體源1工作。等離子體源1由下述裝置等構(gòu)成介質(zhì)壁容器11，內(nèi)部空間連通，對真空容器2氣密地連接；一圈天線12，在介質(zhì)壁容器11內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)磁場；等離子體用高頻電源13，通過未圖示的匹配器，利用傳輸路徑15與天線12連接，產(chǎn)生向天線12供給的高頻電力(能源電力)；電磁鐵14，在介質(zhì)壁容器11內(nèi)產(chǎn)生規(guī)定磁場。在利用傳輸路徑15向天線12供給了使等離子體用高頻電源13發(fā)生的高頻時，向一圈天線12流電流，其結(jié)果，在介質(zhì)壁容器11的內(nèi)部形成等離子體。再有，在真空容器2的側(cè)壁的外側(cè)，在周方向上并列配置多個側(cè)壁用磁鐵22，使得面臨真空容器2的側(cè)壁的面的磁極在相鄰的磁鐵彼此之間相互不同，這樣，沿著真空容器2的側(cè)壁的內(nèi)面與周方向相連形成會切磁場，防止等離子體向真空容器2的側(cè)壁的內(nèi)面擴(kuò)散。與此同時，使偏壓用高頻電源5工作，對刻蝕處理對象物的晶片9給予負(fù)的直流部分的電壓的自偏壓電壓，控制著從等離子體向晶片9表面的離子入射能量。如前所述形成的等離子體，從介質(zhì)壁容器11向真空容器2內(nèi)擴(kuò)散，到達(dá)晶片9的表面附近。這時，刻蝕晶片9的表面。
再有，以上的使用了CF4的利用PR掩膜的Ta膜的刻蝕工藝如下。
刻蝕氣體(CF4)的流量326mg/min(50sccm)能源電力500W偏壓電力70W真空容器2內(nèi)的壓力0.8Pa基板夾具4的溫度40℃接著，使用甲醇(CH3OH)作為刻蝕氣體，將由上述工藝形成的Ta作為掩膜材料，刻蝕了圖2(b)中示出的磁性膜。
該工藝也使用圖1中示出的ICP等離子體源搭載的刻蝕裝置進(jìn)行，但在上述的工藝中，將使未圖示的氣體導(dǎo)入系統(tǒng)工作，將CF4氣體作為刻蝕氣體，向真空容器2內(nèi)導(dǎo)入的工藝，變更為使氣體導(dǎo)入系統(tǒng)3工作，從圖1中示出的貯存著甲醇(CH3OH)氣體的高壓儲氣瓶31，通過配管32、閥33、流量調(diào)整器34，向真空容器2內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定流量的刻蝕氣體(CH3OH)的工藝，其他與上述工藝同樣地進(jìn)行刻蝕，得到了圖2(c)中示出的TMR元件。
圖3是用上述的本發(fā)明的工藝刻蝕了MRAM時的形狀的SEM(ScanningElectron Microscope，掃描電子顯微鏡)照片。可知沒有殘渣而干凈地進(jìn)行了刻蝕。
(比較試驗(yàn)例1)
關(guān)于利用上述的本發(fā)明的方法，使用甲醇(CH3OH)作為刻蝕氣體，將利用與上述同樣的工藝形成的Ta作為掩膜材料刻蝕了磁性膜的情況，和將利用與上述同樣的工藝形成的Ta作為掩膜材料，使用NH3+CO系氣體作為刻蝕氣體刻蝕了磁性膜的情況，進(jìn)行了關(guān)于刻蝕特性(刻蝕速度、選擇比)的比較。將Ta作為掩膜材料進(jìn)行了刻蝕的磁性模是CoFe膜和NiFe膜。
各自的工藝條件如下。
本發(fā)明的方法刻蝕氣體(CH3OH氣體)的流量18.75mg/min(15sccm)能源電力1000W偏壓電力800W真空容器2內(nèi)的壓力0.4Pa基板夾具4的溫度40℃比較例刻蝕氣體(NH3+CO系氣體)的流量NH3氣體 57.0mg/min(75sccm)CO氣體 31.25mg/min(25sccm)能源電力1000W偏壓電力1200W真空容器2內(nèi)的壓力0.8Pa基板夾具4的溫度40℃該比較試驗(yàn)的結(jié)果如下表所示。
表1


該比較試驗(yàn)的結(jié)果表明，根據(jù)本發(fā)明的干法刻蝕方法，刻蝕速度和選擇比都比使用NH3+CO系氣體作為刻蝕氣體的現(xiàn)有的干法刻蝕方法的情況有所提高，特別是關(guān)于對CoFe的刻蝕，能夠使刻蝕速度增加50％以上。
此外，如上述表表明，根據(jù)本發(fā)明的方法，能夠?qū)l2O3較高地取選擇比。MRAM的制造工序之一，有如圖2(d)所示，刻蝕到自由層，在Al2O3層上停止刻蝕的工序。根據(jù)本發(fā)明的方法，如上述表中所示，由于對Al2O3較高地取選擇比，因此，包含刻蝕到自由層，在Al2O3層上停止刻蝕的工序的MRAM的生產(chǎn)上十分有利。
(比較試驗(yàn)例2)關(guān)于利用本發(fā)明的干法刻蝕方法進(jìn)行了刻蝕處理的情況的刻蝕損傷和用NH3+CO系氣體進(jìn)行了刻蝕處理的情況的磁特性中的刻蝕損傷進(jìn)行比較討論。
使用圖1的裝置，在上述的本發(fā)明的工藝條件下，任意時間刻蝕處理磁性薄膜(CoFe和NiFe)，測定刻蝕處理后的刻蝕前和刻蝕后(其中，與刻蝕前相同，換算成磁性薄膜的厚度)的飽和磁化的減少量，求出了將用CH3OH氣體刻蝕后的磁性薄膜(CoFe和NiFe)的減少率分別設(shè)為1時的比率。
因此，關(guān)于準(zhǔn)備同一(膜厚相同故飽和磁化也相同)磁性薄膜(CoFe和NiFe)，在任意時間進(jìn)行了用本發(fā)明涉及的甲醇系的刻蝕氣體進(jìn)行了本發(fā)明的刻蝕處理的情況，和用NH3+CO系氣體的刻蝕氣體進(jìn)行了刻蝕處理的情況，分別用振動試樣型磁力計(VSM)測定了刻蝕后的飽和磁化。
在被刻蝕材料(磁性薄膜CoFe和NiFe)殘存的期間進(jìn)行3次以上的上述操作，制成了刻蝕時間與刻蝕后的磁化飽和的圖表。
一般地，由于刻蝕時間與刻蝕量(該情況是膜厚)成比例，因此刻蝕時間與飽和磁化的圖表上的測定點(diǎn)在直線上，單調(diào)減少。
將該直線外移到刻蝕時間＝0上，求與刻蝕前的飽和磁化相對的根據(jù)刻蝕而減少的飽和磁化。
將該結(jié)果與刻蝕前的實(shí)際的飽和磁化相比較，作為對于磁性簿膜(CoFe和NiFe)的使磁特性劣化的刻蝕損傷，在利用本發(fā)明的方法，使用甲醇(CH3OH)作為刻蝕氣體進(jìn)行了刻蝕的試樣，和使用了NH3+CO系氣體作為刻蝕氣體的情況中進(jìn)行比較。
關(guān)于用本發(fā)明的方法進(jìn)行了刻蝕的試料，對各CoFe和NiFe，使用圖1的裝置，用上述的本發(fā)明的工藝，取代TMR元件，關(guān)于CoFe薄膜和NiFe薄膜，分別在被刻蝕材料(CoFe薄膜、NiFe薄膜)殘存的期間進(jìn)行3次以上的上述本發(fā)明的刻蝕處理，制成了刻蝕時間與刻蝕后的飽和磁化的圖表。
關(guān)于使用了NH3+CO系氣體的情況，在圖1的裝置中，將貯存了甲醇(CH3OH)氣體的高壓儲氣瓶31，變更為未圖示的貯存著CO氣體的高壓儲氣瓶和未圖示的貯存著NH3氣體的高壓儲氣瓶，作為刻蝕氣體，取代甲醇(CH3OH)，使用CO氣體和NH3氣體的混合氣體，刻蝕了與上述的被刻蝕材料(CoFe薄膜和NiFe薄膜)同一膜厚的被刻蝕材料(CoFe薄膜、NiFe薄膜)。
即，在上述中，將從貯存著甲醇(CH3OH)氣體的高壓儲氣瓶31，通過配管32、閥33、流量調(diào)整器34，向真空容器2內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定流量的刻蝕氣體(CH3OH)，變更為從未圖示的貯存著CO氣體的高壓儲氣瓶和未圖示的貯存著NH3氣體的高壓儲氣瓶，通過配管32、閥33、流量調(diào)整器34，向真空容器2內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定混合比和流量的刻蝕氣體(CO氣體和NH3氣體的混合氣體)，其他與上述本發(fā)明的工藝同樣地進(jìn)行了刻蝕。
該比較試驗(yàn)例2中的工藝條件分別如下。
本發(fā)明的方法刻蝕氣體(CH3OH氣體)的流量18.75mg/min(15sccm)能源電力1000W偏壓電力200W真空容器2內(nèi)的壓力0.4Pa基板夾具4的溫度40℃比較例刻蝕氣體(NH3+CO系氣體)的流量NH3氣體 57.0mg/min(75sccm)CO氣體 31.25mg/min(25sccm)能源電力1500W偏壓電力300W真空容器2內(nèi)的壓力0.6Pa基板夾具4的溫度40℃比較了根據(jù)被刻蝕材料(NiFe、CoFe)的刻蝕后中的飽和磁化的變化求得的刻蝕損傷的結(jié)果，盡管使用了NH3+CO系氣體的方法比使用了CH3OH氣體的情況刻蝕速度低，但是NiFe、CoFe各自的情況下，飽和磁化的減少量大到了約1.6倍、約5.4倍。即，能夠證實(shí)，根據(jù)本發(fā)明的方法，能夠大幅度地減少使磁特性劣化的刻蝕損傷。
以上說明了本發(fā)明的最佳實(shí)施方式和比較試驗(yàn)例，但本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，可以在從權(quán)利要求范圍的記載中把握的技術(shù)范圍中進(jìn)行各種各樣的變更。
例如，作為刻蝕裝置，不限于圖1中示出的具有一圈天線的ICP等離子體裝置，可以利用所有的被稱作高密度等離子體源的螺旋形極化天線型等離子體裝置、雙頻激勵平行平板型等離子體裝置、微波型等離子體裝置等。
此外，可以是將非有機(jī)材料作為掩膜刻蝕磁性材料的情況，也可以是該磁性材料為TMR元件的情況，TMR元件的結(jié)構(gòu)不限定于圖2中示出的結(jié)構(gòu)。
另外，在上述發(fā)明的實(shí)施方式中，作為刻蝕氣體，僅關(guān)于甲醇進(jìn)行了敘述，但可以使用其他的酮類中用化學(xué)式RCOR’(R或R’是烷基)表示的物質(zhì)，例如甲乙酮、異丙基甲基酮、甲基丙基酮等能夠氣化的物質(zhì)。此外，除了甲烷以外，所謂乙烷、丙烷、丁烷的具有甲基的烴都能夠使用。
權(quán)利要求
1.一種干法刻蝕方法，作為刻蝕氣體，使用至少具有一個以上羥基的醇，形成該刻蝕氣體的等離子體，使用由非有機(jī)系材料構(gòu)成的掩膜材料干法刻蝕磁性材料。
2.如權(quán)利要求1所述的干法刻蝕方法，其特征在于，羥基的數(shù)量是一個。
3.如權(quán)利要求1或2所述的干法刻蝕方法，其特征在于，刻蝕氣體是從由甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙醇(C3H7OH)構(gòu)成的組中選擇的醇。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的干法刻蝕方法，其特征在于，由非有機(jī)系材料構(gòu)成的掩膜材料，是由Ta、Ti、Al、Si中的任一個的單層膜或?qū)盈B膜構(gòu)成的掩膜材料，或者是由Ta、Ti、Al、Si中的任一個的氧化物或氮化物的單層膜或?qū)盈B膜構(gòu)成的掩膜材料。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的干法刻蝕方法，其特征在于，磁性材料是8族的鐵族元素的單體金屬或?qū)⒃搯误w金屬作為主要構(gòu)成元素的磁性材料。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的干法刻蝕方法，其特征在于，作為添加到刻蝕氣體中的添加氣體，是氧氣、水、惰性氣體中的至少一種以上，氧氣和水對于刻蝕氣體，分別按照不超過25％的范圍進(jìn)行添加，惰性氣體對于刻蝕氣體，按照不超過90％的范圍進(jìn)行添加。
全文摘要
本發(fā)明提出一種在使用由非有機(jī)材料構(gòu)成的掩膜材料刻蝕磁性材料的情況下，不需要后腐蝕處理和對刻蝕裝置的抗腐蝕性對策，減少使磁特性劣化的刻蝕損傷的方法。一種干法刻蝕方法，作為刻蝕氣體，使用至少具有一個以上羥基的醇，形成該刻蝕氣體的等離子體，使用由非有機(jī)系材料構(gòu)成的掩膜材料干法刻蝕磁性材料。在使用具有一個羥基的醇作為刻蝕氣體的情況下，該刻蝕氣體是從由甲醇(CH
文檔編號H01F41/30GK1603468SQ20041009590
公開日2005年4月6日 申請日期2004年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月24日
發(fā)明者小平吉三, 廣見太一 申請人:安內(nèi)華股份有限公司