專利名稱：抑制污染的光刻設(shè)備,器件制造方法,和由此制造的器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投影設(shè)備，包括用于提供輻射的投影光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)所需圖案構(gòu)圖該投影光束；用于支持基底的基底臺(tái)；和用于將所構(gòu)圖的光束投影在所述基底靶部的投影系統(tǒng)；背景技術(shù)這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束的截面賦予圖案的部件，其中所述的圖案與在基底的靶部上形成的圖案一致；術(shù)語“光閥”也可以在上下文中使用。一般地，所述圖案與形成在靶部中器件的特殊功能層相應(yīng)，如集成電路或者其它器件(如下文)。這種構(gòu)圖部件的示例包括--掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包含如二進(jìn)制型，交替相移型，和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合的掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性的被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)通常是一個(gè)掩模臺(tái)，它保證掩模被保持在入射光束中理想的位置上，且如果需要它能夠相對(duì)于光束移動(dòng)；--可編程反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個(gè)例子是具有粘彈性控制層和反射表面的矩陣可尋址表面。這種設(shè)備的原理基礎(chǔ)是(例如)反射表面的已尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而未尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。用一個(gè)適當(dāng)?shù)倪^濾器，從反射的光束中過濾掉所述非衍射光，僅保留衍射光；以這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案來產(chǎn)生圖案?？删幊谭瓷溏R陣列的另一個(gè)可選擇實(shí)施例是利用微小反射鏡的矩陣排列，其中每個(gè)反射鏡通過使用適當(dāng)?shù)木植侩妶?，或者通過使用壓電致動(dòng)器裝置能夠獨(dú)立的關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已定址的反射鏡以與未尋址反射鏡不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷洌灰赃@種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的尋址圖案對(duì)反射光束進(jìn)行構(gòu)圖。可以用適當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣尋址。在上述兩種情況中，該構(gòu)圖部件可包括一個(gè)或者多個(gè)可編程反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891和美國專利US5,523,193，和PCT專利申請(qǐng)WO98/38597和WO98/33096中獲得，它們在這里引入作為參照。在可編程反射鏡陣列的情況中，所述支撐結(jié)構(gòu)可以由框架或者工作臺(tái)來實(shí)現(xiàn)，例如，所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是移動(dòng)的；和--可編程LCD陣列。美國專利申請(qǐng)US5,229,872給出了這種結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，其在此引入作為參照。如上所述，在這種情況下，該支撐結(jié)構(gòu)可以由框架或者工作臺(tái)來實(shí)現(xiàn)，例如，所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者移動(dòng)的。
為簡單起見，本文的其余部分在一定情況下，具體以包含掩模和掩模臺(tái)的實(shí)例說明其自身；然而在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖部件。
光刻投影設(shè)備可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件可以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于單層IC的電路圖案，該圖案可以在已涂覆輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的靶部(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)成像。一般地，單一的晶片將包含相鄰靶部的整個(gè)網(wǎng)格，該相鄰靶部由投影系統(tǒng)逐次相繼輻射。在目前采用掩模臺(tái)上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機(jī)器。一類光刻投影設(shè)備是，通過將整個(gè)掩模圖案一次曝光到靶部上而輻射每一靶部；這種裝置通常稱為晶片步進(jìn)器或者步進(jìn)重復(fù)(STEP-AND-REPEAT)裝置。另一種裝置--通常稱為步進(jìn)掃描裝置-通過在投影光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或反平行的方向同步掃描基底臺(tái)來輻射每一靶部；因?yàn)?，一般地，投影系統(tǒng)有一個(gè)放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對(duì)基底臺(tái)的掃描速度v是對(duì)掩模臺(tái)掃描速度的M倍。關(guān)于如這里描述的光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國專利US6,046,792中獲得，該文獻(xiàn)在這里引入作為參考。
在使用光刻投影設(shè)備的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對(duì)基底進(jìn)行各種處理，如打底，涂敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光之后，可以對(duì)基底進(jìn)行其它的處理，如后曝光后烘烤(PEB)，顯影，強(qiáng)烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對(duì)例如IC器件的單層形成圖案。這種圖案層隨后可以進(jìn)行各種處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)一機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么必須對(duì)每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開，單個(gè)器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些步驟的進(jìn)一步信息可以從例如Peter van Zant的“微芯片制造半導(dǎo)體加工實(shí)踐入門(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一書(第三版，McGrawHill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類型中任一設(shè)計(jì)的操作部件，該操作部件用于操縱、整型或者控制輻射的投影光束，這種部件在下文還可以共同地或者單獨(dú)地稱為“鏡頭”。另外，光刻設(shè)備可以具有兩個(gè)或多個(gè)基底臺(tái)(和/或者兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))。在這種“多級(jí)式”器件中，可以并行使用這些附加臺(tái)，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。例如在US5,969,441和WO98/40791中描述的二級(jí)光刻設(shè)備，這里作為參考引入。
為了可以成像更小的特征，已提出使用波長在5-20nm范圍內(nèi)，特別是13.5nm的遠(yuǎn)紫外輻射(EUV)，或者如離子束和電子束的帶電的粒子束做為在光刻設(shè)備中的曝光光束。這些輻射類型要求設(shè)備中的光束路徑被抽空，以便避免光束的分散和吸收。因?yàn)闆]有公知的材料適合制成用于EUV的折射光學(xué)元件，因此，EUV光刻設(shè)備在輻射(照射)和投影系統(tǒng)中必須使用反射鏡。甚至是用于EUV輻射的多層反射鏡，其具有相對(duì)低的反射和高的污染敏感度，由此更減少了它們的反射和設(shè)備的產(chǎn)量。這樣更進(jìn)一步要求必須保持在真空的水平和尤其必須讓碳?xì)浠衔锏牟糠謮毫Ρ３衷诤艿偷那闆r下。
同時(shí)，等離子輻射源和抗蝕劑是基本的污染源，必須保持在照射和投影系統(tǒng)外。放電等離子源，例如，利用放電來產(chǎn)生局部電離的等離子并隨后崩潰(collapse)來產(chǎn)生輻射EUV的非常熱的等離子。必須防止等離子體氣體，通常，是氙(Xe)和來自光源的碎屑進(jìn)入照射系統(tǒng)。在該設(shè)備的另一端，入射在抗蝕劑上的輻射由于脫氣作用導(dǎo)致碎屑和副產(chǎn)品的釋放。防止光源和抗蝕劑的碎屑到達(dá)照射和投影系統(tǒng)是必要的。
EP-A-0957402公開了一種阻止抗蝕劑碎屑進(jìn)入投影系統(tǒng)的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括一種簡單的優(yōu)選為錐形的管，其圍繞著在投影系統(tǒng)外殼和基底之間的投影光束周圍。氣體在該電子管里流動(dòng)攜帶抗蝕劑碎屑以阻止它進(jìn)入投影系統(tǒng)的范圍內(nèi)。
國際申請(qǐng)WO-A-03/034153公開了一種進(jìn)一步改進(jìn)的裝置，用于收集如由等離子源發(fā)出的或來自于EUV輻射曝光的抗蝕劑的碎屑。該文獻(xiàn)描述了一種污染物收集器，其包含與投影光束的傳播方向平行放置的第一組平板構(gòu)件，和與光傳播方向平行放置的第二組平板構(gòu)件。該第一和第二組構(gòu)件沿著投影光束的光學(xué)軸彼此分隔開。在第一和第二組平板構(gòu)件之間有一個(gè)間隙。將沖洗氣體施加在那個(gè)間隙以提供高氣壓來收集污染物微粒。設(shè)計(jì)兩組平板構(gòu)件以便最小化氣體泄漏并在收集器外面保持低的氣壓。然而，仍有一定量的EUV由這種具有相對(duì)高壓的氣體所吸收。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是改進(jìn)碎屑的收集，尤其是由產(chǎn)生EUV輻射的等離子源所釋放的碎屑的收集。
所述和其它的目的可以根據(jù)本發(fā)明在開篇段落中所列舉的光刻設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，特征在于，該光刻投影設(shè)備包括用于將吸氣劑微粒提供到輻射的投影光束中以便用作投影光束中污染物微粒的吸氣劑的微粒供應(yīng)裝置，該吸氣劑微粒具有至少為1nm的直徑優(yōu)選小于1000nm。
通過讓輻射的EUV投影光束和碎屑通過帶有“納米微粒”(nanoparticles)的空間，大多數(shù)來自于輻射的投影光束的EUV光子會(huì)通過，或者通過這些顆粒投射，或者與納米微粒根本沒有碰撞而傳播，而納米微粒將會(huì)起到碎屑收集劑的作用。
需要注意的是，所述中使用的的術(shù)語“納米微?！?，指直徑在1-1000nm數(shù)量級(jí)的微粒。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，提供有這些納米微粒的該光刻設(shè)備的空間可包含直徑在該范圍之外的其它微粒。僅制造這一范圍內(nèi)的微粒是困難的。
吸氣劑微?？梢詮陌⊿i3N4，Si，SiO2，Al2O3，C，Mo，Sn，Ru，Zr，F(xiàn)e，Au，液態(tài)N2，液態(tài)CO2，液態(tài)H2O，SiC，Xe和Ar的組中選出。這些材料，當(dāng)以納米微粒的形式產(chǎn)生時(shí)會(huì)對(duì)如13.5nm波長的EUV具有合理的透射。
在一個(gè)實(shí)施例中，該微粒供應(yīng)裝置包括超聲波噴嘴。
在另一個(gè)實(shí)施例中，為該光刻投影設(shè)備提供一個(gè)污染物收集器，微粒供應(yīng)裝置設(shè)置成相對(duì)于輻射的投影光束的傳播方向在污染物收集器上游的空間供應(yīng)吸氣劑微粒。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種光刻投影設(shè)備包括--用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；--用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)所需圖案構(gòu)圖該投影光束；--用于保持基底的基底臺(tái)；和--用于將所述構(gòu)圖的光束投影在基底的靶部的投影系統(tǒng)；--利用至少一個(gè)平板構(gòu)件來捕捉存在于輻射投影光束中的污染微粒并將污染物微粒引導(dǎo)進(jìn)入污染物收集器的污染物收集器，--提供微粒到輻射投影光束的微粒供應(yīng)裝置，其特征在于該微粒供應(yīng)裝置設(shè)置成相對(duì)于輻射投影光束的傳播方向提供微粒到污染物收集器上游的空間中的輻射投影光束中，這樣，所述微粒與引導(dǎo)到污染物收集器中的污染物微粒發(fā)生碰撞，以給污染物微粒提供沿垂直于至少一個(gè)平板構(gòu)件的方向的速度分量。
為了阻礙盡可能少的輻射，污染物收集器的平板構(gòu)件被設(shè)置成與輻射的投影光束傳播相平行的方向。通過在該污染物收集器中進(jìn)行的污染微粒與在該污染物收集器中存在的可選擇的其它微粒之間的碰撞，所述污染微粒的多數(shù)會(huì)在該污染物收集器中獲得或多或少的隨機(jī)方向，結(jié)果它們被所述平板構(gòu)件中的一個(gè)所捕獲。通過在污染物收集器上游的空間中提供與污染物微粒碰撞的額外的微粒到輻射投影光束中，就可以為污染物微粒提供與污染收集物器內(nèi)的至少一個(gè)平板構(gòu)件相垂直的方向的額外速度分量。因此，由一個(gè)平板構(gòu)件來俘獲污染物微粒的機(jī)會(huì)將會(huì)增加。而且，同時(shí)所述微?？梢跃哂斜萕O-A-03/034153中所述的更低的壓力。因此，在用污染物收集器有效地俘獲污染物微粒的同時(shí)可以減少對(duì)EUV不必要的吸收。
根據(jù)發(fā)明的更進(jìn)一步的方面，它提供一種器件的生產(chǎn)方法包括提供至少部分由輻射敏感材料層涂覆的基底；采用輻射系統(tǒng)輻射來提供輻射的投影光束；使用構(gòu)圖部件來在投影光束的橫截面上賦予其圖案；以及將圖案化的輻射光束投影到幅射敏感材料層的靶部上，特征在于供應(yīng)吸氣劑微粒到輻射投影光束中以便在投影光束里用作污染物微粒的吸氣劑，該吸氣劑微粒具有至少1nm的直徑。
在本發(fā)明更進(jìn)一步的方面中，提供一種器件的生產(chǎn)方法包括—提供至少部分由敏感材料層覆蓋的基底；—使用輻射系統(tǒng)來提供輻射投影光束；—在輻射投影光束中俘獲污染物微粒和將污染物微粒引入到具有至少一個(gè)平板構(gòu)件的污染物收集器；—使用微粒供應(yīng)裝置將微粒提供到輻射投影光束中；—使用構(gòu)圖部件以給投影光束的橫截面賦予其圖案；以及；—將圖案化的輻射光束投影到輻射敏感材料層的靶部上，特征在于相對(duì)于輻射的投影光束的傳播方向，提供微粒到在污染物收集器上游的空間中的輻射投影光束中，這樣，所述微粒與引導(dǎo)到污染物收集器中的污染物微粒發(fā)生碰撞，以便為污染物微粒提供在垂直于至少一個(gè)平板構(gòu)件的方向的速度分量。
最后，本發(fā)明涉及一種由以上提到的光刻投影設(shè)備制造的器件。
盡管本文中具體接合了IC生長中根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的應(yīng)用，但是應(yīng)該清楚的了解到這樣的設(shè)備還具有許多其它的應(yīng)用。例如，它可以被用來生產(chǎn)集成的光學(xué)系統(tǒng)，用于磁域存貯器的導(dǎo)航和探測構(gòu)圖，液晶顯示板，薄層磁頭等。在所述可選擇的應(yīng)用中，技術(shù)人員會(huì)理解，文中術(shù)語“中間掩模版”，“晶片”或“管芯”的任何應(yīng)用都應(yīng)該被認(rèn)為可以由更通用的術(shù)語“掩模”，“基底”和“靶部”來分別代替。
在本發(fā)明中，使用術(shù)語“輻射”和“光束”來概括所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如波長在365，248，193，157或126nm)和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如在5-20nm范圍的波長)，也包括如離子束或電子束的粒子束。


現(xiàn)在僅僅通過示例的方式參考相應(yīng)的示意性附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)記表示對(duì)應(yīng)的部件，且其中圖1描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻投影設(shè)備；圖2更詳細(xì)地示出圖1中的光刻投影設(shè)備的一些部分；圖3示出設(shè)計(jì)通過納米微粒的方法來俘獲碎屑的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例；圖4a和圖4b示出在圖3的配置中用于供應(yīng)納米微粒的供應(yīng)裝置；圖5a和圖5b示意性地示出污染物微粒的傳播方向以說明本發(fā)明要解決的問題；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明配置的第一實(shí)施例，其中污染微粒借助粒子流而使污染微粒改變方向；圖7a，7b和7c示出了污染物收集器，其可以用于圖6的配置中來代替那里所示出的污染物收集器；圖8a和圖8b示出了進(jìn)一步可選擇污染物收集器的不同視圖，其可以用于通過其它微粒流動(dòng)的方式而使污染物微粒改變方向的配置中；具體實(shí)施方式
圖1示意性地描述了根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的一種光刻設(shè)備。該設(shè)備包括—用于提供輻射的投影光束PB(例如UV或EUV輻射線)的照射系統(tǒng)(照射器)IL；—第一支持結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其用于支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA，并與用于將該掩模相對(duì)于零件PL精確定位的第一定位裝置PM相連；—用于承載基底(例如涂覆抗蝕劑的晶片)W的基底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，并與用于將該掩模相對(duì)于零件PI精確定位的第二定位裝置PM相連；和—投影系統(tǒng)(例如一個(gè)反射投影透鏡)PL，其用于將通過構(gòu)圖部件MA賦予投影光束PB的的圖案成像在基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
如此所述，該設(shè)備是反射型的(例如應(yīng)用反射掩?；蛉缟鲜鏊龅目删幊谭瓷溏R陣列)?？蛇x擇地，該裝置也可以是透射型的(例如應(yīng)用透射掩模)。
照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻設(shè)備可以是單獨(dú)的實(shí)體，例如在輻射源為等離子體放電源時(shí)。在這些情況下，輻射源不應(yīng)該被視為形成了光刻設(shè)備的一部分，借助例如由合適的匯集的反射鏡和/或光譜純凈濾光片組成的輻射收集器(collector)，輻射光束通常從源SO傳遞到照射器IL。在另一些情況中，輻射源可能是裝置的整體部分，例如當(dāng)輻射源為水銀燈時(shí)。輻射源SO和照射器IL可稱為輻射系統(tǒng)。
照射器IL可以包括用于調(diào)節(jié)光角強(qiáng)度分布的調(diào)節(jié)裝置。通常來說，至少可以調(diào)節(jié)照射器的光瞳面內(nèi)的強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別稱為δ外和δ內(nèi))。照射器提供調(diào)整的輻射光束，其稱為投影光束PB，并在其橫截面上具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。
投影光束PB隨后入射到固定在掩模臺(tái)MT上的掩模MA上。經(jīng)掩模MA反射，投影光束PB穿過透鏡PL，透鏡將光束PB聚焦在基底W的靶部C上。借助于第二定位裝置PW和定位傳感器IF2(例如干涉測量裝置)，可精確地移動(dòng)基底臺(tái)WT，如可以在光束PB的軌跡上確定不同的靶部C的位置。同樣的，在從掩模庫中機(jī)械的查找掩模MA之后或在掃描過程中，第一定位裝置PM和定位傳感器IF1可以用來精確的確定掩模MA相對(duì)于光束PB的位置。通常情況下，實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺(tái)MT和WT的移動(dòng)需要借助長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精確定位)，其形成為PM和PW定位裝置的部分。然而在步進(jìn)器(相對(duì)于掃描器)的例子中，掩模臺(tái)MT僅可以與短行程致動(dòng)器連接或固定。掩模MA和基底W可以使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1，M2和基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1，P2來準(zhǔn)直。
所述的設(shè)備可用在下述的優(yōu)選模式中1、在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT和基底臺(tái)WT基本保持靜止，被傳給投影光束的整個(gè)圖案被一次投影(例如單次靜態(tài)曝光(single static exposure))到靶部C上。然后基底臺(tái)WT沿x和/或y方向移動(dòng)，以使不同的靶部C能夠被曝光；在步進(jìn)模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制靶部C在單獨(dú)靜態(tài)曝光里成像的尺寸。
2、在掃描模式中，當(dāng)賦予投影光束的圖案被投影到靶部C(例如單次動(dòng)態(tài)曝光(sinle dynamic exposure))上的同時(shí)，掩模臺(tái)MT和基底臺(tái)WT被同步掃描。通過投影系統(tǒng)PL的(縮小)放大和成像反轉(zhuǎn)特征來決定基底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向。在掃描模式里，曝光域的最大尺寸限制靶部C在單獨(dú)動(dòng)態(tài)曝光里的寬度(以非掃描的方向)，而掃描移動(dòng)的長度決定靶部的高度(以掃描方向)。
3、在另一種模式中，掩模臺(tái)MT基本保持固定來保持可編程的構(gòu)圖部件，而基底臺(tái)WT被移動(dòng)或掃描，同時(shí)一個(gè)賦予投影光束的圖案被投影到靶部C上。在這種模式里，通常在每一個(gè)基底臺(tái)WT的移動(dòng)之后或在掃描過程的逐次輻射脈沖之間應(yīng)用脈沖輻射源和根據(jù)需要更新可編程構(gòu)圖部件。可以很容易地將這種模式應(yīng)用到使用可編程構(gòu)圖部件的無掩模光刻中，例如上述提到的可編程反射鏡陣列類型。
也可以利用在上述描述的模式上的結(jié)合和/或變化或利用完全不同的模式。
圖2更詳細(xì)的示出投影裝置1，包括一個(gè)輻射系統(tǒng)2，和一個(gè)照射光學(xué)系統(tǒng)裝置4，和一個(gè)投影光學(xué)系統(tǒng)PL。輻射系統(tǒng)2包括一個(gè)源收集器模塊或輻射裝置3。輻射元件3帶有由放電等離子體形成的輻射源SO。EUV輻射由氣體或蒸汽產(chǎn)生，例如Xe氣或Li蒸汽，其中可以產(chǎn)生非常熱的等離子體以發(fā)射在電磁波譜的EUV范圍內(nèi)的輻射。通過使部分電離的放電等離子體在光軸O上崩潰而產(chǎn)生非常熱的等離子體。需要10帕的氙氣，鋰蒸汽或其它任何合適的氣體或蒸汽的部分壓力用于有效發(fā)生輻射。由輻射源SO放出的輻射途徑一個(gè)氣體障礙結(jié)構(gòu)或污染物收集器9，從源室7進(jìn)入收集器室8。氣體障礙結(jié)構(gòu)9包含一個(gè)例如歐洲專利申請(qǐng)EP-A-1233468和EP-A-1057079中詳細(xì)描述的通道結(jié)構(gòu)，其在這里被引用。
收集器室8包括根據(jù)本發(fā)明由切線入射收集器形成的輻射收集器10。由收集器10傳遞的輻射被反射離開光柵濾譜器11，以聚焦到收集器室8中的小孔處的虛源點(diǎn)(virtual source point)12中。來自收集器室8的投影束16在到照射系統(tǒng)裝置4中經(jīng)垂直入射反射器13，14反射到位于中間掩模版或掩模臺(tái)MT上的中間掩模版或掩模上。行程了圖案化的光束17并在投影光學(xué)系統(tǒng)PL中經(jīng)反射元件18，19成像到晶片臺(tái)或基片臺(tái)WT上。通常在照射光學(xué)元件4和投影系統(tǒng)PL中存在比顯示的更多的元件。
在第一個(gè)實(shí)施例里，這個(gè)發(fā)明與在圖3和4所示出的配置相關(guān)。
EUV源除了發(fā)著EUV光子之外，還發(fā)射濺射的電極材料，氣體，蒸汽，離子，和電子。最近利用金屬蒸汽等離子體(例如錫)作為產(chǎn)生EUV的媒介已經(jīng)引起廣泛關(guān)注。然而，基于這一原理EUV源的類型的一系列問題由源產(chǎn)生錫是大規(guī)模的，在它進(jìn)入EUV光刻投影系統(tǒng)的精密光學(xué)系統(tǒng)以前必須被停止。既然每一個(gè)可能的材料都能強(qiáng)烈的吸收EUV輻射，沒有充分透明的窗材料可以利用。薄箔濾光器仍可以吸收入射能量的近似一半，導(dǎo)致如蒸發(fā)和燒孔等幾個(gè)熱學(xué)問題出現(xiàn)。在分離理想的例子里，當(dāng)濾波器沒有損壞時(shí)，它會(huì)從源擋住所有碎屑。
對(duì)于控制碎屑的第二個(gè)選擇是如收集器9的污染物收集器。這樣的污染物收集器帶有被定位在EUV光束里的板構(gòu)件，為了阻擋盡可能少的EUV輻射，其被沿著EUV輻射的路徑排列。這樣的污染物收集器可以合理地阻擋EUV輻射和由EUV源產(chǎn)生的碎屑。然而，這需要進(jìn)一步提高俘獲碎屑的能力，以便能進(jìn)一步提高在EUV光刻投影設(shè)備里位于污染物收集器下游的第一反射鏡的壽命。這一點(diǎn)可以通過用納米顆粒吸氣而實(shí)現(xiàn)。下面將參照?qǐng)D3和4進(jìn)一步解釋。
圖3中與圖1和2中相同的標(biāo)號(hào)代表相同的元件。圖3中示出一個(gè)壁20，其上有開口，其使得EUV輻射朝向污染物的收集器9行進(jìn)。一個(gè)供應(yīng)裝置22在污染物收集器的上游向投影光束提供吸氣劑微粒流24。吸氣劑微粒由參考標(biāo)記30表示。這里，吸氣劑微粒被限定為“納米微?！?，其具有大約為1-1000nm的直徑。這意味著有很多微粒有這樣的直徑。然而，有部分微粒的直徑在這范圍之外。然而。那些納米微粒30也許有一個(gè)隨機(jī)的形狀。提到術(shù)語“直徑”并不意味著這些納米微粒需要是球形。
排放裝置26把吸氣劑微粒30從光刻投影設(shè)備箭頭28中排除，如箭頭28所示。。
盡管在圖3中，所示出的配置包括污染物收集器9，也可以不具有污染物收集器9來應(yīng)用本發(fā)明。
納米微粒30被用來阻擋源引發(fā)的碎屑。例如不在EUV輻射中應(yīng)用會(huì)被大量的熱負(fù)載損壞的薄箔，而應(yīng)用一種“變斑晶(meta-crystal)”的納米微粒30。由于尺寸小、容許材料的變化、微粒的快速更新是可能的等，產(chǎn)生幾個(gè)用固體和/或液體材料而少用透明材料的新機(jī)會(huì)。關(guān)于污染物收集器9，由于吸氣劑微粒是相對(duì)透明的，所以更多的材料表面可以用作吸氣劑。
濺射電極材料和-依賴于納米微粒材料-水和碳?xì)浠衔锖推渌肿?原子/微粒將吸附到納米微粒30，即納米微粒30作為吸氣劑。而且，由于納米微粒30相對(duì)于污染物微粒的原子離子是很重的，用它們可以使由源SO產(chǎn)生的快速離子減速。此外，當(dāng)毫微微粒帶電時(shí)，它們能使由源SO產(chǎn)生的快速離子發(fā)生偏轉(zhuǎn)。
優(yōu)選的，在污染物收集器9上游體積中納米微粒30的密度選擇成，使每一個(gè)污染物微粒將遇到一個(gè)納米微粒30，被納米微粒30吸附，和EUV光子將遇到盡可能少的納米微粒。與納米微粒碰撞的EUV光子將由納米微粒30部分吸收。因此，對(duì)于納米微粒30來說，采用相對(duì)EUV透明的材料是有益的。在下表示出能被用于納米微粒30的材料的非專屬范圍。該表所示出這些材料在例如10和100nm兩個(gè)不同厚度的透射。注意，這個(gè)表中所列的所有材料的折射系數(shù)在EUV范圍是接近均勻的。因而，EUV輻射通過那些納米微粒30散射是可以忽略的。表中分別給出了10和100nm理論層的材料的投射。因而這些給出的數(shù)字可以分別作為對(duì)直徑10和100nm的微粒的好的第一估計(jì)。
表


該表示出了10nm吸氣劑微粒的透射比100nm吸氣劑微粒透射高許多。因而具有小的微粒是有益的。
為了計(jì)算需要阻止碎屑的密度，讓我們假定一個(gè)有直徑D，長度L，微粒密度n，微粒直徑d的圓柱體體積。平行于該圓柱體的軸來看，我們假定每一個(gè)位置看見一個(gè)微粒(在另外一個(gè)微粒后面沒有其它微粒)，即

可以被改寫

對(duì)于10厘米的阻止長度，和10nm的微粒直徑，微粒密度n原來是大約1017m-3。如果已知不含微粒的體積內(nèi)的碎屑的主要自由路徑λ，能發(fā)現(xiàn)另一個(gè)所需微粒密度的估計(jì)。微粒移動(dòng)的距離是它們不得不克服的距離，即長度L的一定因數(shù)θ倍。在它們沿著長度θ.L的軌跡中，它們不得不遇到一個(gè)納米微粒，即，

它可以比(2)小得多，因?yàn)棣韧ǔＪ谴蟮摹Ｗ⒁鈿怏w緩沖器的存在擴(kuò)大了θ。注意在納米微粒體積里插入氣體緩沖器(最好是EUV透明的)是有益的，這將降低自由路徑λ的平均值，和擴(kuò)大θ，和因此降低所需納米微粒的密度。
納米微?？梢圆辉诋?dāng)場(即不在真空容器內(nèi))生產(chǎn)，也可以在當(dāng)場(即在容器內(nèi))生產(chǎn)。不在當(dāng)場生產(chǎn)的微粒以液體或固體微粒[McI89]的形式噴射到系統(tǒng)中。舉例來說在氬或硅烷[STO94，BOU93]里的高頻放電，或利用氣體蒸發(fā)的方法[PET 00]，或通過其他的方法，由一個(gè)等離子體來實(shí)施在容器里的生產(chǎn)。重力能用來更新微粒，并且等離子體可以用來限制微粒。更進(jìn)一步，為了能用磁場來控制它們的方向和速度，對(duì)于納米微粒來說利用磁性材料是有益的。
產(chǎn)生或浸漬等離子體的微粒通常是帶負(fù)電的。而且，用UV輻射照射微粒，舉例來說如EUV，通常是帶正電的。具有帶電微粒提供另一個(gè)操縱它們的移動(dòng)的解決辦法施加一個(gè)電場。
注意氣溶膠被用來產(chǎn)生雨，其中它們提高了把水凝聚成水滴的能力。這個(gè)原理也可以用來去除金屬蒸汽。更進(jìn)一步來說，這材料可以作為吸氣劑材料，收集碳?xì)浠衔?，和其他材料?br> 圖4a，4b詳細(xì)示出產(chǎn)生納米微粒的一個(gè)已知實(shí)施例，例如由一個(gè)超聲波噴嘴。超聲波噴嘴22包含一個(gè)入口17和一個(gè)出口21。在入口17和出口21之間有一個(gè)中間部分19。出口21也許有一個(gè)帶有在α角內(nèi)與對(duì)稱軸23相交的外壁的圓錐形狀。這個(gè)α角高達(dá)10°。
圖4b示出沿著線IVb-IVb通過中間部分19的橫截面。因此，圖4b示出了中間部分19包括一個(gè)開口30，其具有一個(gè)很小的通孔25。通孔25有例如10μm的直徑。
在入口17，超聲波噴嘴22接收一個(gè)輸入氣體流27i。在小通孔25的下游擴(kuò)大輸入氣體流27i。產(chǎn)生一個(gè)超聲波的輸出氣體流27o，即氣體微粒有在聲速以上的速度。由于擴(kuò)大，輸出氣體流的溫度急劇下降。在所用的壓力下，如1-10帕的壓力下，溫度可能降低到10K或更低。由于超低溫，可能有霧形成。在霧里，幾個(gè)氣體原子可能粘在一起形成直徑在1-10nm的納米微粒。
例如可用氣體Xe，N2，Ar。那些氣體可以形成黏附在一起的幾千原子霧微粒。也可采用其它氣體。
通常，當(dāng)噴嘴22的出口溫度與相關(guān)氣體固化溫度相比低時(shí)，可以用所述的超聲波噴嘴來制造納米微粒。
以上公開的實(shí)施例是關(guān)于源引發(fā)的碎屑。例如在投影系統(tǒng)PL等光刻工具的其它部分有可能用到納米微粒。微粒的快速更新保證了黏附在微粒上的材料被迅速去除。微粒能被再利用。然而，對(duì)于再利用有必要對(duì)這里微粒進(jìn)行額外的“清潔”。
圖5a和5b試圖介紹根據(jù)圖6-8b的進(jìn)一步實(shí)施例。
通常，污染物收集器的平板構(gòu)件朝著一定的焦點(diǎn)或焦線來排列。在低壓條件下，發(fā)源于這個(gè)焦點(diǎn)和沿著光軸O移動(dòng)的微粒，在來自于輻射源SO的直線，將傳播通過污染物收集器9而沒有被阻止。
圖5a以一個(gè)示意圖的形式示出兩個(gè)平板構(gòu)件29，31的側(cè)視圖。作為一個(gè)例子，它也示出在位置34的污染微粒。箭頭33，35示出污染物微粒的兩個(gè)可能傳播方向。由于污染物微粒與其它微粒的碰撞，方向33，35可能偏離來自于輻射源SO的直線CA。圖5a示出兩個(gè)陰影區(qū)37，41。當(dāng)污染物微粒的方向是陰影區(qū)37，41的任一個(gè)時(shí)，污染物微粒將最終撞擊平板構(gòu)件29，31之一。
圖5b示出污染物微粒有箭頭37表示的另一個(gè)方向。箭頭37的方向根據(jù)每個(gè)污染物微粒變化。只要傳播方向37在圖5b中所示的陰影部分43范圍內(nèi)，相關(guān)的污染物微粒將不會(huì)撞擊平板構(gòu)件29，31和將會(huì)通過污染物收集器，其必須被阻止。
在圖6-8b示出實(shí)施例的通常想法，污染物微粒的傳播方向稍微改變，以至于它們被引導(dǎo)向污染物收集器的平板構(gòu)件29，31。這樣做的一個(gè)方式是有一個(gè)被引導(dǎo)的氣體流，當(dāng)污染物微粒離開輻射源SO時(shí)，該氣體流給污染物微粒速度增加一個(gè)垂直于污染物收集器的平板構(gòu)件29，31的速度分量。污染物微粒將向污染物收集器的平板構(gòu)件29，31移動(dòng)，且因此可以有效地被從EUV輻射光束處除掉。優(yōu)選地，污染物微粒的傳播方向被改變，以至于污染物微粒決不會(huì)到達(dá)污染物收集器的端部。污染物微粒的傳播方向的改變方向最好從污染物收集器的上游實(shí)行。
參考圖6-8b說明一些例子。
圖6示出第一個(gè)實(shí)施例。在圖6中相同的參考標(biāo)記在其它的圖中指代相同的部件。
圖6示出光刻投影設(shè)備具有一個(gè)氣體供應(yīng)源62。氣體供應(yīng)源62與帶有多個(gè)孔的管路45連接。氣體供應(yīng)源62也與其它的管路54，58連接。管路54，58也帶有多個(gè)孔。圖也示出帶有多個(gè)平板構(gòu)件52的污染物收集器50。平板構(gòu)件52是徑向取向的，即它們有一個(gè)共同相交線，相交線與光學(xué)軸O一致。因此，由源SO產(chǎn)生的EUV輻射能在相鄰的平板構(gòu)件52之間的空隙中自由傳播，而污染物微粒由于在污染物收集器50里發(fā)生碰撞可以獲得更多的隨機(jī)方向，因而由平板構(gòu)件52可以俘獲污染物微粒。
將管路45的孔定向以至于產(chǎn)生相反方向的兩個(gè)氣體流47，49。在那些氣體流47，49里的氣體微粒將與存在于輻射光束里的污染物微粒碰撞，且為污染物微粒在一個(gè)方向提供一個(gè)速度分量，使得污染物微粒在進(jìn)入污染物收集器50時(shí)更有可能具有如箭頭33，35所示的速度方向。因此，被其中的一個(gè)平板構(gòu)件52所俘獲的可能性更大。氣體流47，49由一個(gè)排放裝置64排放。
在如圖6所示的配置，氣體流47和49將為污染物微粒提供一個(gè)速度分量，使得那些將進(jìn)入的污染物收集器50的位置較高或低部分里的污染物微粒將不會(huì)或幾乎不能撞擊平板構(gòu)件52中的一個(gè)，因?yàn)楦郊拥乃俣确至炕九c垂直的平板構(gòu)件平行。
所以，在實(shí)施例里根據(jù)圖6的配置帶有上述提到的管路54，58，且?guī)в性谖廴疚锸占?0外的額外的垂直的平板構(gòu)件53。在這個(gè)額外的平板構(gòu)件53和管路54和58的兩側(cè)都產(chǎn)生各自的垂直于額外平板構(gòu)件53方向的氣體流56，60。氣體流56，60為存在于管路54，58和額外的平板構(gòu)件53之間的區(qū)域的污染物微粒提供一個(gè)附加速度分量，使得它們很可能碰撞額外的平板構(gòu)件53。然后，這額外的平板構(gòu)件53可以分散撞擊它表面的氣體微粒，好像它是一種“余弦輻射體(cosine radiator)”。這分散的氣體微粒能作為改變方向的氣體流。
像氣體流47，49一樣，氣體流56，60由排放裝置64排放。當(dāng)然，可以利用幾個(gè)排放裝置代替排放裝置64。同樣的可以利用幾個(gè)氣體供應(yīng)源代替一個(gè)氣體供應(yīng)源62。
注意到可以在沒有管路54和58的情況下使用額外的平板構(gòu)件53。盡管那樣，一些氣體微?？梢宰矒羝桨鍢?gòu)件53并被分散，就像該平板構(gòu)件是一個(gè)“余弦輻射體”。
同樣的，當(dāng)利用管路54和58的時(shí)候，沒必要用垂直的平板構(gòu)件53。管路54和58可以為最終會(huì)進(jìn)入污染物收集器50的較高或較低通道的污染物微粒提供附加速度分量，以至于它們會(huì)撞擊平板構(gòu)件52的一個(gè)。
同樣的，可以在不用垂直的平板構(gòu)件53和氣體流56，60的情況下，利用氣體流47，49。
對(duì)于其他的污染物收集器，提供污染物微粒的改向器會(huì)容易些。圖7a-7c示出可選擇的污染物收集器55的不同視圖。
污染物收集器55提供多個(gè)平板構(gòu)件59的組合。這組合被設(shè)計(jì)為多邊形。在一個(gè)組合內(nèi)平板構(gòu)件59被設(shè)計(jì)為有一個(gè)相交管路，其與輻射SO源相交且垂直于光學(xué)軸O。臨近的組合的平板構(gòu)件59有中間壁57所支撐。
圖7a示出一個(gè)污染物收集器55的后視圖，即沿光學(xué)軸O向輻射源SO方向看的視圖。在它的中心，污染物收集器有一個(gè)遮擋板(shield)61。
圖7b示出一個(gè)圖7a示出的裝置沿線VIIc-VIIc的橫截面，在上部示出污染物收集器55的后側(cè)。在它的前面，位于它的中心，污染物收集器帶有遮擋板63。這遮擋板61，63通過與一個(gè)好的熱導(dǎo)性材料連接，以至于被俘獲污染物微粒產(chǎn)生的熱很容易被放出。
圖7c示出一個(gè)污染物收集器55的3維圖。如圖所示，在污染物收集器55的上游，提供一個(gè)管路65，其帶有沿光學(xué)軸O的徑向的供應(yīng)氣體的合適的孔。因此，由管路65產(chǎn)生的氣體流改變產(chǎn)生于輻射源SO的污染物微粒的方向，并為它們提供一個(gè)速度分量以至于剛一進(jìn)入收集器55就有一個(gè)很高的與其中一個(gè)平板構(gòu)件59碰撞的機(jī)會(huì)。從圖7c很明顯的看出一個(gè)徑向氣體流很容易產(chǎn)生。
圖8a和8b進(jìn)一步示出一個(gè)可用于當(dāng)前發(fā)明的污染物收集器67的實(shí)施例。圖8a的污染物收集器67包括一組具有交叉輻射源SO的共同的交叉管路的平板構(gòu)件69。在這方面，根據(jù)圖7a-7c平板構(gòu)件69能被看成是多組布置的一個(gè)，如果它是單個(gè)組合，就會(huì)整個(gè)填入污染物收集器67的體積里。
產(chǎn)生于源SO的污染物微粒能容易被改變方向，當(dāng)一進(jìn)入污染物收集器67就很可能碰撞其中一個(gè)平板構(gòu)件69。圖8a示出的一個(gè)配置，且該配置包括管路71、73、75，管路上設(shè)有能夠提供單向氣體流的合適孔。單向氣體流引導(dǎo)的方向使得，污染物微粒與由管路71，73，75產(chǎn)生的氣體流碰撞后具有一個(gè)附加的速度分量，以至于它們被朝著其中一個(gè)平板構(gòu)件69的方向引導(dǎo)。
圖8b示出根據(jù)圖8a帶有通過污染物收集器67的橫截面的配置頂部視圖。
雖然上述描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以上述以外的方式來實(shí)施。所描述的并不意在限制本發(fā)明。
例如，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員，明顯地，其它的污染物收集器的設(shè)計(jì)也是可能的。所述實(shí)施例中示出平板構(gòu)件是扁平表面。然而，這個(gè)發(fā)明并不局限于帶有扁平板構(gòu)件的污染物收集器。平板構(gòu)件也可以是彎曲的。
此外，圖7a-7c示出八個(gè)部分構(gòu)成的多邊形。當(dāng)然也可以利用其它數(shù)目的部分構(gòu)成的多邊形。
盡管本發(fā)明示出了利用帶有合適孔的管路產(chǎn)生的導(dǎo)向氣體流，導(dǎo)向氣體流也可以是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員知道的任一種方法產(chǎn)生的。
此外，本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員知道，圖表在其意義上是不能示出每一個(gè)細(xì)節(jié)的簡圖。舉例來說，在圖6里的氣體供應(yīng)源62和氣體排放裝置64可以與合適的控制元件例如計(jì)算機(jī)連接。并且，在圖7c，8a和8b里示出管路65，71，73，75也可以與氣體供應(yīng)源62連接，其可以由例如計(jì)算機(jī)等合適的控制原件控制。也根據(jù)圖7a-7c，8a-8b的實(shí)施例，他們將有一個(gè)適當(dāng)?shù)呐艢庠?4排出來自于污染物收集器的上游空間的氣體。
上述本發(fā)明的主要優(yōu)點(diǎn)之一是，帶有污染物微粒改向器的污染物收集器使得光刻設(shè)備上的氣體負(fù)載比傳統(tǒng)的污染物收集器的氣體負(fù)載低，同時(shí)污染物微粒被較好的抑制。并且，既然一個(gè)相對(duì)低的氣壓是足夠的，結(jié)合的組成和污染物收集器比只應(yīng)用改向流是有益的。污染物微粒只需要被輕微地改向，在污染物收集器里被其中一個(gè)平板構(gòu)件俘獲的可能性就很高。氣體壓力和氣體流速度的例子是在0.1-1帕(10-3-10-2毫巴)之間的低壓氣體流速度可能是1-100sccm，然而，在10帕(10-1毫巴)左右的高壓氣體流速度可能是100-1000sccm。
應(yīng)該注意，圖3，4a，4b示出的實(shí)施例也可以作為污染物微粒的改向器，因?yàn)榧{米微粒30也能為污染物微粒提供合適的速度分量，以至于它們與污染物收集器9之一的平板構(gòu)件碰撞的可能性更高。
上述描述主要對(duì)低壓狀態(tài)有效，即在那污染物微粒有一個(gè)大的平均路徑的情況下。然而，在高壓例如10帕(0.1mbar)使用引導(dǎo)流也是可能的。那么，引導(dǎo)流可能改變碎屑(較大的污染物微粒)簇的方向。由于許多這種改向碰撞的發(fā)生和這些碰撞效應(yīng)的合計(jì)等因素，較大的、重的基本上不能由單個(gè)碰撞改變方向微粒的能由高壓定向氣體流改變方向。
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權(quán)利要求
1.一種光刻投影設(shè)備包括用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)所需圖案來構(gòu)圖該投影光束；用于保持基底的基底臺(tái)；和用于將構(gòu)圖的光束投影到所述基底的靶部的投影系統(tǒng)；其特征在于所述的光刻投影設(shè)備包括微粒供應(yīng)裝置(22)，其用于將吸氣劑微粒供應(yīng)到所述輻射投影光束中以便用作所述投影光束中污染物微粒的吸氣劑，所述吸氣劑微粒具有至少為1nm的直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻投影設(shè)備，其中設(shè)置該微粒供應(yīng)裝置(22)來供應(yīng)自由移動(dòng)的吸氣劑微粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻投影設(shè)備，其中的吸氣劑微粒具有至多1000nm的直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光刻投影設(shè)備，其中所述的輻射系統(tǒng)具有產(chǎn)生EUV輻射例如波長大約在13.5nm的EUV輻射的輻射源，。
5.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光刻投影設(shè)備，其中所述的吸氣劑微?？梢詮陌⊿i3N4，Si，SiO2，Al2O3，C，Mo，Sn，Ru，Zr，F(xiàn)e，Au，液態(tài)N2，液態(tài)CO2，液態(tài)H2O，SiC，Xe，Ar和Kr的組中選出。
6.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光刻投影設(shè)備，其中該微粒供應(yīng)裝置(22)包括超聲波噴嘴。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻投影設(shè)備，其中所述的超聲波噴嘴在1-10帕之間的壓力的情況下，具有將所述吸氣劑微粒供應(yīng)到所述光刻設(shè)備中的出口。
8.根據(jù)在前的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光刻投影設(shè)備，其中該光刻投影設(shè)備還具有污染物收集器(9)，在相對(duì)于所述輻射投影光束的傳播方向，設(shè)置所述的微粒供應(yīng)裝置(22)以便在所述的污染物收集器(9)上游的空間中供應(yīng)所述的吸氣劑微粒。
9.一種光刻投影設(shè)備包括用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)所需的圖案構(gòu)圖該投影光束；用于保持基底的基底臺(tái)；和用于將構(gòu)圖的光束投影到所述基底的靶部的投影系統(tǒng)；污染物收集器(9；50；55；67)，具有至少一個(gè)平板構(gòu)件(52；57；59；69)，用于俘獲存在于所述輻射投影光束里的污染物微粒，且將其引導(dǎo)到所述的污染物收集器(9；50；55；67)中；微粒供應(yīng)裝置(22；45，54，58；65；71)用以將微粒提供到進(jìn)入所述的輻射投影光束中其特征在于所述微粒供應(yīng)裝置設(shè)置成，以便相對(duì)所述輻射投影光束傳播的方向，將微粒提供到所述污染物收集器上游的空間中的所述輻射投影光束中，這樣所述微粒與被引導(dǎo)到所述污染物收集器(9；50；55；67)的污染微粒碰撞以便為所述污染物微粒提供沿垂直于所述至少一個(gè)平板構(gòu)件(52；57；59；69)方向的速度分量。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻投影設(shè)備，其中所述的光刻投影設(shè)備包括至少一個(gè)設(shè)有孔且與氣體供應(yīng)裝置(62)連接的供應(yīng)管路(45，54，58；65；71，73，75)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻投影設(shè)備，其中所述微粒供應(yīng)裝置(22)設(shè)置成將直徑在1-1000nm的微粒供應(yīng)到所述輻射投影光束中。
12.根據(jù)9-11任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光刻投影設(shè)備，其中所述輻射系統(tǒng)具有產(chǎn)生EUV輻射例如波長大約為13.5nm的EUV輻射的輻射源。
13.根據(jù)9-12任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光刻投影設(shè)備，其中所述的污染物收集器(50)包括一組平板構(gòu)件(52)，每一個(gè)平板構(gòu)件被設(shè)置在一個(gè)獨(dú)立的平面內(nèi)，且所有獨(dú)立的平面有一個(gè)共同的相交軸，所述相交軸與光學(xué)軸(O)一致，該光學(xué)軸與產(chǎn)生所述輻射投影光束的輻射源(SO)相交。
14.根據(jù)9-12任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光刻投影設(shè)備，其中所述污染物收集器(55；67)包括至少一組平板構(gòu)件(59；69)，每一個(gè)平板構(gòu)件被設(shè)置在一個(gè)獨(dú)立的平面內(nèi)，且一組中所有獨(dú)立平面都具有一個(gè)共同的相交軸，所述相交軸與產(chǎn)生所述的輻射投影光束的輻射源(SO)相交，并垂直于與所述的輻射源(SO)相交的光學(xué)軸(O)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的光刻投影設(shè)備，其中所述的污染物收集器(55)包括多組的平板構(gòu)件(59)，這些組被設(shè)置為多邊形。
16.一種裝置的制造方法包括提供至少部分由一層輻射敏感材料涂覆的基底；使用輻射系統(tǒng)來提供輻射投影光束；使用構(gòu)圖部件來在投影光束的橫截面上賦予圖案；和將構(gòu)圖的輻射光束投影到輻射敏感材料層的靶部上，其特征在于，將吸氣劑微粒供應(yīng)到所述輻射投影光束中以起到所述投射光束中污染物微粒吸收劑的作用，所述污染物微粒具有至少1nm的直徑。
17.由根據(jù)權(quán)利要求1-8的任一項(xiàng)的光刻投影設(shè)備制造的器件。
18.一種器件制造方法，包括提供至少部分由輻射敏感材料覆蓋的基底；使用輻射系統(tǒng)來提供輻射投影光束；俘獲存在于所述輻射投影光束里的污染物微粒并將污染物微粒引導(dǎo)到設(shè)有至少一個(gè)平板構(gòu)件(52；57；59；69)的污染物收集器(9；50；55；67)中，用微粒供應(yīng)裝置(22；45，54，58；65；71)將微粒提供到所述輻射投影光束中，使用構(gòu)圖部件來在所投影光束的橫截面賦予圖案；和將構(gòu)圖的輻射光束投影到輻射敏感材料層的靶部上，其特征在于，相對(duì)所述輻射投影光束傳播的方向，將微粒提供到所述污染物收集器上游的空間中的所述輻射投影光束中，這樣所述微粒與被引導(dǎo)到所述污染物收集器中的污染微粒碰撞，以便為所述污染物微粒提供沿垂直于所述至少一個(gè)平板構(gòu)件(52；57；59；69)方向的速度分量。
19.由根據(jù)權(quán)利要求9-15任一項(xiàng)的光刻投影設(shè)備制造的器件。
全文摘要
一種具有用于提供輻射的投影光束的輻射系統(tǒng)的光刻投影設(shè)備。這投影設(shè)備包括微粒供應(yīng)裝置(22)，其用于將吸氣劑微粒供應(yīng)到所述的輻射投影光束中，以便作為所述的投影光束中的污染物微粒吸氣劑，其中所述的吸氣劑微粒具有至少1nm的直徑，優(yōu)選在1000nm以下。在一個(gè)實(shí)施例里，該光刻設(shè)備具有帶有平板構(gòu)件(52；57；59；69)的污染物收集器(9；50；55；67)，用于在所述的投影光束中俘獲污染物微粒，和微粒供應(yīng)裝置(22；45，54，58；65；71)，用以在污染物收集器上游的空間中提供微粒，這樣該微粒與污染物微粒碰撞，以為污染物微粒提供具有朝向該平板構(gòu)件(52；57；59；69)的附加速度分量。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1637619SQ20041010471
公開日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2004年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月11日
發(fā)明者L·P·巴克, V·Y·班尼, V·V·伊瓦諾夫, K·N·科舍勒, V·M·克里維特森 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司