專利名稱：具有多層處理腔室的清洗襯底的裝置以及使用該裝置清洗襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體器件的裝置和方法，更具體地，涉及用于對諸如半導(dǎo)體晶片的襯底進(jìn)行清洗的裝置和方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)在半導(dǎo)體晶片上制造集成電路時(shí)，必須執(zhí)行晶片清洗過程，以去除殘留化學(xué)物質(zhì)、小顆粒、雜質(zhì)等。晶片清洗過程包括，利用化學(xué)反應(yīng)來蝕刻或去除晶片上雜質(zhì)的化學(xué)處理過程，使用去離子水(DI水)來漂洗經(jīng)過化學(xué)處理的晶片的漂洗過程，以及最終對晶片進(jìn)行干燥的干燥過程。為了執(zhí)行這些過程，將使用多種處理槽(bath)。處理槽包括許多種，例如，用來去除晶片上的有機(jī)物的、包含有氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)以及水(H2O)的混合溶液的處理槽，用來去除晶片上的無機(jī)物的、包含有鹽酸(HCL)、過氧化氫(H2O2)以及水(H2O)的混合溶液的處理槽，用來去除自然氧化層或無機(jī)污染物的、包含有稀釋的氫氟酸的處理槽，在其中執(zhí)行漂洗處理的處理槽，以及在其中執(zhí)行干燥處理的處理槽，等等。
典型的清洗裝置具有清洗部分，上述的處理槽在清洗部分中設(shè)置成一排。在清洗部分的兩端處分別設(shè)置有裝載部分和卸載部分。裝載部分上設(shè)置有容納待處理晶片的容器，而卸載部分上設(shè)置有容納已完成清洗的晶片的容器。清洗部分中設(shè)置有移動設(shè)備(transfer robot)，用于使晶片在上述處理槽之間移動。清洗部分的側(cè)面并列設(shè)置有容器輸送部分，以將空容器從裝載部分輸送到卸載部分。
不幸的是，由于具有大量處理槽、裝載部分以及卸載部分，因此前述的清洗裝置占用非常大的面積。隨著近年來晶片尺寸增大的趨勢，處理槽的尺寸也將增大。因此，上述問題將變得更加嚴(yán)峻。另外，容器輸送部分使得系統(tǒng)結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施方案提供了一種即便是安裝面積較小也能夠有效執(zhí)行處理的清洗裝置，以及使用該裝置的清洗方法。
在一個示例性實(shí)施方案中，所述清洗裝置包括具有多個堆疊的處理腔室的清洗部分。在各處理腔室處設(shè)置有至少一個處理槽以及移動設(shè)備。在各處理槽中執(zhí)行選自化學(xué)處理、漂洗處理以及干燥處理的至少一種處理。各個處理腔室包括處理部分和移動部分。多個處理槽設(shè)置在處理部分處，而移動設(shè)備安裝在移動部分處，以使襯底在處理槽之間移動。在具有其中執(zhí)行干燥處理的多個處理槽的處理腔室處，移動設(shè)備包括用于移動濕襯底的第一自動裝置以及用于移動干襯底的第二自動裝置。在各處理腔室中可設(shè)置有緩沖部分。容器可臨時(shí)停留在緩沖部分處。各個處理腔室包括用于將清潔氣體送入處理腔室中的風(fēng)扇過濾單元、設(shè)置為排放處理槽周圍煙霧的第一排放部分(exhuastpart)以及設(shè)置為強(qiáng)制排放移動部分周圍顆粒的第二排放部分。第二排放部分具有連接至第二移動部分底部的排放管、用于開啟和關(guān)閉排放管通路的阻尼器以及用于調(diào)節(jié)通過排放管排放顆粒量的排放扇。
在某些實(shí)施方案中，所述裝置進(jìn)一步包括接口部分，其中，襯底在處理腔室之間移動。接口部分包括容納襯底以避免襯底暴露到空氣中的移動槽，以及用于使移動槽能夠上下移動的移動槽移動部分。在一個示例性實(shí)施方案中，移動槽包括噴嘴，其配置成向移動槽供應(yīng)清洗溶液。襯底在淹沒于移動槽的清洗溶液中的情況下，在處理腔室之間移動。移動槽可進(jìn)一步包括清洗溶液供應(yīng)管，用于將清洗溶液供應(yīng)至移動槽中?？墒褂萌ルx子水(DI水)作為清洗溶液。移動槽移動部分包括延伸以具有從最下方的處理腔室到最上方的處理腔室的高度并具有導(dǎo)軌的框架、與導(dǎo)軌結(jié)合以沿導(dǎo)軌上下移動的滑動件以及用于移動滑動件的驅(qū)動部分。移動槽安裝在滑動件處。
在一個示例性實(shí)施方案中，移動槽包括其中容納襯底的內(nèi)部槽、用于將清洗溶液供應(yīng)至內(nèi)部槽中的清洗溶液供應(yīng)部分，以及設(shè)置在內(nèi)部槽的外側(cè)壁周圍的外部槽。從內(nèi)部槽溢出的清洗溶液容納在外部槽內(nèi)。清洗溶液供應(yīng)部分包括配置為向內(nèi)部槽的頂部開口注入清洗溶液的噴嘴。當(dāng)襯底容納在移動槽中時(shí)，在移動槽中執(zhí)行漂洗處理。
在接口部分處安裝有導(dǎo)板，以將落到移動槽的外側(cè)壁上的清洗溶液引導(dǎo)至移動槽的內(nèi)部，或者引導(dǎo)至與移動槽的外側(cè)壁隔開的外部。優(yōu)選地，導(dǎo)板的一端朝向內(nèi)部槽的內(nèi)側(cè)壁而向內(nèi)延伸，其另一端朝向外部槽的外側(cè)壁而向外延伸。在一個示例性實(shí)施方案中，噴嘴可固定安裝在接口部分的確定位置處，而在填充所述清洗溶液時(shí)，導(dǎo)板可安裝在接口部分的內(nèi)壁上，以低于噴嘴且高于移動槽。借助于導(dǎo)板移動部分，導(dǎo)板可移動為引導(dǎo)狀態(tài)和非干擾狀態(tài)，在引導(dǎo)狀態(tài)下，在清洗溶液供應(yīng)至移動槽中時(shí)，清洗溶液的流動受到引導(dǎo)，而在非干擾狀態(tài)下，移動槽的運(yùn)動不受干擾。
移動槽包括配置用于排放清洗溶液的排放閥。優(yōu)選地，排放閥由彈性元件構(gòu)成，以在未施加外力時(shí)，排放閥能夠保持其出口的關(guān)閉。在一個示例性實(shí)施方案中，排放閥包括本體、位于本體中的與本體底部相對的位置用以開啟和關(guān)閉排放閥出口的擋板、以及安裝在所述本體中用以擠壓擋板的彈簧。接口部分進(jìn)一步包括用于開啟和關(guān)閉排放閥的開關(guān)。在一個示例性實(shí)施方案中，開關(guān)包括本體，其具有桿的至少一部分能夠插入其中的空間，本體包括起到通路作用的第一開口和第二開口，流體通過第一開口和第二開口流進(jìn)或流出；以及隔板，由穿過第一開口或第二開口流動的流體而在所述第一開口和第二開口的形成位置之間移動。桿在隔板移動的同時(shí)向上推動隔板，以開啟排放閥。
開關(guān)可進(jìn)一步包括注氣部分，用于將干燥氣體注入噴射閥，以對排放閥進(jìn)行干燥。在一個示例性實(shí)施方案中，注氣部分包括注入管線，其為穿透所述隔板和所述桿的孔；以及輸入口，形成于本體處，以在桿移動靠近排放閥時(shí)，向注入管線供應(yīng)干燥氣體。
所述襯底清洗裝置可進(jìn)一步包括其中容納有容器的裝載/卸載部分以及對準(zhǔn)部分，對準(zhǔn)部分設(shè)置在裝載/卸載部分和清洗部分之間，以將各個襯底從垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)換為水平狀態(tài)、或者從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)。裝載/卸載部分可具有進(jìn)口/出口，在進(jìn)口/出口處，設(shè)置有裝載至所述裝置/從所述裝置卸載的容器；以及儲料器，置于進(jìn)口/出口和清洗部分之間，以暫時(shí)容納所述容器。儲料器包括其上放置容器的支架以及用于移動容器的自動裝置。
對準(zhǔn)部分包括至少一個對準(zhǔn)器，用于將襯底從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)。對準(zhǔn)器包括用于將襯底置入容器中或者將襯底從容器中取出的至少一個水平返回自動裝置、容納由水平返回自動裝置返回的襯底的可旋轉(zhuǎn)換位裝置、以及用于使襯底與換位裝置分離以將襯底移動至清洗部分的推進(jìn)器。
在一個示例性實(shí)施方案中，在襯底沿著對準(zhǔn)部分、作為處理腔室的其中之一的第一處理腔室、接口部分、作為另一個處理腔室的第二處理腔室、對準(zhǔn)部分的循環(huán)路線移動時(shí)，對襯底進(jìn)行清洗。優(yōu)選地，清洗槽按照在第一處理腔室和第二處理腔室中執(zhí)行的處理順序而排列成一排。
本發(fā)明的示例性實(shí)施方案提供了一種用于在具有多層結(jié)構(gòu)的清洗裝置中清洗襯底的方法。所述方法包括將襯底從置于裝載/卸載部分的容器中移動到具有至少兩個分層處理腔室的清洗部分；在作為處理腔室的其中之一的第一處理腔室中對襯底執(zhí)行一部分清洗處理；將襯底移動到作為另一個處理腔室的第二處理腔室；在第二處理腔室中對襯底執(zhí)行一部分清洗處理；以及使襯底容納在置于裝載/卸載部分處的容器中。
清洗槽按照在第一處理腔室和所述第二處理腔室中執(zhí)行處理的順序而排列為一排。優(yōu)選地，使襯底沿著循環(huán)路線移動。優(yōu)選地，在襯底從第一處理腔室移動到第二處理腔室時(shí)，使襯底不暴露到空氣中。
使襯底從第一處理腔室移動到第二處理腔室包括將在第一處理腔室中完成了一部分處理的襯底放置到設(shè)置在第一處理腔室和第二處理腔室的一側(cè)的移動槽中；使移動槽上下移動；以及將襯底從移動槽中取出，以將其移動到第二處理腔室。優(yōu)選地，在移動槽從第一處理腔室移動到第二處理腔室時(shí)，使移動槽填充有去離子水(DI水)。所述方法可進(jìn)一步包括當(dāng)襯底在處理腔室之間移動時(shí)，在移動槽中執(zhí)行漂洗處理。
所述方法進(jìn)一步包括當(dāng)在第一處理腔室中執(zhí)行處理之前，使襯底從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)；以及當(dāng)在第二處理腔室中完成處理之后，使襯底從垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)換為水平狀態(tài)。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的清洗裝置結(jié)構(gòu)的外視圖；圖2表示圖1中示出的清洗裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖3和圖4分別是清洗部分的第一處理腔室和第二處理腔室的頂部平面圖；圖5表示清洗裝置的風(fēng)扇過濾單元和排放部分；圖6是示出了接口部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前視圖；圖7是示出了移動槽的一個實(shí)施例的立體圖；圖8表示在導(dǎo)板設(shè)置為引導(dǎo)狀態(tài)時(shí)，落到導(dǎo)板上的去離子水(DI水)的流動。
圖9是形成于外部槽和內(nèi)部槽底部的排泄口以及連接至排放口的排泄閥的剖面圖；圖10是示出了開關(guān)的一個實(shí)施例的剖面圖；圖11和圖12分別表示排泄閥的出口處于關(guān)閉和開啟的狀態(tài)；圖13表示干燥氣體從開關(guān)供應(yīng)至排泄閥的狀態(tài)；圖14表示圖2中所示的清洗裝置中的晶片移動路徑的一個優(yōu)選實(shí)施例；圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方案的清洗方法的步驟的流程圖；圖16和圖17分別表示圖2中所示的清洗裝置的另一晶片移動路徑；圖18表示根據(jù)本發(fā)明的清洗裝置的另一實(shí)施例；圖19和圖20分別表示圖18中所示的清洗裝置的晶片移動路徑的
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案的附圖對本發(fā)明進(jìn)行更完整的描述。但是，本發(fā)明可以通過不同的方式來實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)受到本文所提供的實(shí)施方案的限制。另外，提供這些實(shí)施方案，是為了使本文的公開更加徹底和完整，向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整表示本發(fā)明的范圍。在附圖中，類似的附圖標(biāo)記表示類似的部件。
圖1中表示了根據(jù)本發(fā)明的清洗裝置1的結(jié)構(gòu)。清洗裝置1包括裝載/卸載部分10、對準(zhǔn)部分20、清洗部分30以及接口部分40，這些部分可排列為一排。在裝載/卸載部分10上設(shè)置有容納待處理晶片的容器“C”和容納處理后晶片的容器“C”。從裝載/卸載部分10或清洗部分30抽出的晶片在對準(zhǔn)部分20處重新對準(zhǔn)。清洗部分30具有多個堆疊的處理腔室130和140。清洗部分30負(fù)責(zé)化學(xué)處理過程、漂洗過程以及干燥過程。接口部分40設(shè)置為使晶片在處理腔室130和140之間移動。
如圖2、圖3和圖4所示，裝載/卸載部分10包括進(jìn)/出口112和儲料器(stocker)116。容納晶片的容器“C”通過自動引導(dǎo)裝置(或軌道引導(dǎo)裝置)而位于進(jìn)/出口112外部?？墒褂们伴_式標(biāo)準(zhǔn)晶片傳送盒(front open unified pod，F(xiàn)OUP)來作為容器“C”。FOUP是一種密封容器，其中可容納25個直立設(shè)置的晶片。儲料器116設(shè)置在進(jìn)/出口112的側(cè)面。容器“C”保持在儲料器116中。儲料器116中設(shè)置有多個支架116a和自動裝置116b。容器“C”置于支架116a上，而自動裝置116移動儲料器116中的容器“C”。
對準(zhǔn)部分20具有第一對準(zhǔn)腔室120a和第二對準(zhǔn)腔室120b，它們以指定的順序區(qū)分。也就是說，第一對準(zhǔn)腔室120a置于第二對準(zhǔn)腔室120b的下方。為了適當(dāng)清洗晶片，將晶片從水平狀態(tài)重新排列為垂直狀態(tài)。門開啟裝置128a和128b可安裝于第一和第二對準(zhǔn)腔室120a和120b處，以分別開啟容器“C”的門?？蛇x地，對準(zhǔn)部分20可以只具有一個對準(zhǔn)腔室。
各個對準(zhǔn)腔室120a和120b設(shè)置有對準(zhǔn)裝置。對準(zhǔn)裝置具有水平返回自動裝置122a和122b、換位裝置124a和124b以及推進(jìn)器(pusher)126a和126b。水平返回自動裝置122a從容器“C”獲取晶片，并將晶片移動到換位裝置124a。換位裝置124a包括框架，其中形成有槽。由水平返回自動裝置122a傳輸?shù)木迦氲讲壑?。該框架可以?0度的弧形范圍內(nèi)轉(zhuǎn)動。如果框架開始轉(zhuǎn)動，容納在框架中的晶片將從水平狀態(tài)重新排列為垂直狀態(tài)。通過推進(jìn)器126，重新排列為垂直狀態(tài)的晶片從框架中移出。之后，它們通過自動裝置(圖3中的138)而移動至清洗部分30。另外，在換位裝置124a的框架處形成有50個槽。這些槽的間距可以是容器中形成的槽間距的一半。通常，換位裝置124a中可容納50個晶片，這些晶片可在同一時(shí)間進(jìn)行清洗。如果從容器中移出的晶片容納在換位裝置124a中，那么換位裝置124a直線移動容器的間距的一半。此后，從另一容器中移出的晶片可容納在換位裝置124a中。
以上的實(shí)施方案示出了將晶片從容器移動到清洗部分30之前，在第一對準(zhǔn)腔室120a中對晶片進(jìn)行對準(zhǔn)的過程。在第二對準(zhǔn)腔室120b中，晶片相對于第一對準(zhǔn)腔室120a反向移動。在晶片從垂直狀態(tài)重新排列為水平狀態(tài)之后，它們被容納在容器中。在第2000-44848或2003-80355號韓國專利申請中公開的對準(zhǔn)裝置可用于以上描述的對準(zhǔn)部分。
清洗部分30被設(shè)置為對晶片進(jìn)行清洗。如上所述，清洗部分30具有堆疊的處理腔室。在這一實(shí)施方案中，第一處理腔室130和第二處理腔室140以指定的順序堆疊。作為一種選擇，清洗部分可具有順序堆疊的三個或更多的處理腔室。
第一處理腔室130設(shè)置有處理部分134和移動路徑138。在處理部分134中，緩沖部分134和多個處理槽134b、134c、134d和134e排列為一排。另外，一個或多個移動設(shè)備138a和138b設(shè)置在移動路徑138處，移動路徑138沿著長度方向延伸形成。移動路徑138的兩端分別延伸到對準(zhǔn)部分20和接口部分40。當(dāng)沿著移動路徑138移動時(shí)，移動設(shè)備138a和138b使晶片從第一對準(zhǔn)腔室120a向第一處理槽130移動，以及使晶片從第一處理槽130向接口部分40移動。在第一處理腔室130中，晶片在處理槽134b、134c、134d和134e中的全部或選定的一個中進(jìn)行處理。
處理部分144和移動路徑148設(shè)置在第二處理腔室140處。與第一處理腔室130相似，緩沖部分144a和多個處理槽144b、144c、144d和144e設(shè)置在處理部分144處，而移動設(shè)備148a和148b設(shè)置在移動路徑148處。移動設(shè)備148a和148b使晶片從接口部分40向第二處理腔室140移動，以及使晶片從第二處理腔室140向第二對準(zhǔn)腔室120b移動。在第二處理腔室140中，晶片在處理槽144b、144c、144d和144e中的全部或選定的一個中進(jìn)行處理。
設(shè)置在第一處理腔室和第二處理腔室130和140處的各個處理槽可選自使用化學(xué)物質(zhì)對其中的晶片進(jìn)行清洗的化學(xué)處理槽、使用去離子水(DI水)等對其中的晶片進(jìn)行漂洗的漂洗槽、以及對其中的晶片進(jìn)行干燥的干燥槽。在各個處理腔室中，處理槽的數(shù)量可隨著處理?xiàng)l件而變化。
在第一處理腔室130中，從與第一對準(zhǔn)腔室120a相鄰的一端到與接口部分40相鄰的另一端，處理槽134b、134c、134d和134e優(yōu)選地根據(jù)所執(zhí)行處理的順序來進(jìn)行設(shè)置。在第二處理腔室140中，從與接口部分40相鄰的位置到與第二對準(zhǔn)腔室120b相鄰的位置，處理槽144b、144c、144d和144e優(yōu)選地根據(jù)所執(zhí)行處理的順序來進(jìn)行設(shè)置。這使得能夠在處理期間使晶片的移動路徑最短。
在第二處理腔室140中，設(shè)置在移動路徑140處的移動設(shè)備是第一自動裝置148a和第二自動裝置148b。優(yōu)選地，第一自動裝置148a僅移動濕晶片，而第二自動裝置148b僅移動干晶片。這是因?yàn)?，在第一自動裝置148a移動干晶片時(shí)，晶片會受到附著在第一自動裝置148a上的水的污染。在第一處理腔室130中，例如，存在第一化學(xué)槽134b、漂洗槽134c、第二化學(xué)槽134d以及漂洗槽134e。在第二處理腔室134中，例如，存在第三化學(xué)槽144b、第四化學(xué)槽144c、漂洗槽144d以及干燥槽144e。在晶片被沿著第一處理腔室、接口部分和第二處理腔室順序移動并進(jìn)行處理的情況下，在第二處理腔室140中，第一自動裝置148a可使晶片在接口部分40、第三化學(xué)槽144e、第四化學(xué)槽144d、漂洗槽144c和干燥槽144b之間移動，而第二自動裝置148b可使晶片在干燥槽144b、緩沖槽144a和第二對準(zhǔn)腔室120b之間移動。
第一和第二處理腔室130和140上分別安裝有風(fēng)扇過濾單元180a和180b。風(fēng)扇過濾單元控制環(huán)境條件，例如，濕度、顆粒度、溫度等等。圖5表示風(fēng)扇過濾單元180a和180b以及排放部分182和184。處理腔室130和140分別設(shè)置有第一排放部分和第二排放部分。風(fēng)扇過濾單元180a和180b將清潔的氣體送到處理腔室130和140的下部。第一排放部分和第二排放部分分別設(shè)置于處理腔室130和140。第一排放部分182設(shè)置在各處理槽的后側(cè)，以將諸如煙霧的污染氣體排放到處理部分外圍。第二排放部分184設(shè)置在移動路徑148的底側(cè)，以排放在移動設(shè)備運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的顆粒。根據(jù)第一排放部分182的排量，從風(fēng)扇過濾單元180a和180b提供的氣體量受到控制器181的控制。
在第一處理腔室130中，第一移動路徑138周圍的氣體通過形成于第一移動路徑138下方的第二排放路徑而自然排放。另一方面，在第二處理腔室140中，第二移動路徑148周圍的氣體可通過形成于第二移動路徑148下方的第二排放路徑而強(qiáng)制排放。第二處理腔室140的第二排放部分184具有連接至形成于第二移動路徑的下部的排放口185的排放管188、用于控制排放管188的路徑開啟速率的阻尼器186、以及用于控制排量的排放扇189。設(shè)置在第一處理腔室130的上端的風(fēng)扇過濾單元180之間可安裝有管道188。
接口部分40提供晶片移動空間。如果晶片在處理腔室230和140之間移動時(shí)暴露到空氣中，那么晶片將形成不希望的自然氧化物層。因此，在接口部分40處移動晶片是在晶片未暴露在空氣中的情況下完成的。如圖6所示，接口部分40設(shè)置有移動槽200、移動槽移動部分300以及噴嘴400。移動槽200提供晶片容納空間。移動槽移動部分300使得移動槽200能夠在接口部分40中上下移動。噴嘴400將諸如去離子水(DI水)的清洗溶液提供至移動槽200中。在晶片完全淹沒在DI水中時(shí)，晶片移動到處理腔室130和140。移動槽移動部分300包括框架320、導(dǎo)軌340、滑動件(未示出)以及驅(qū)動部分360?？蚣?20以上-下方向安裝在接口部分40的內(nèi)壁處，并具有從第一處理腔室130延伸至第二處理腔室140的長度。導(dǎo)軌安裝在框架320上。移動槽200固定至滑動件，滑動件與框架320相結(jié)合，以沿著導(dǎo)軌340上下直線移動。驅(qū)動部分360安裝在框架320下方，以驅(qū)動滑動件。驅(qū)動部分320可以是包括電機(jī)、滑輪以及皮帶的裝置，或者是使用液壓缸或氣壓缸的裝置。
如圖7所示，移動槽200包括內(nèi)部槽220和外部槽240。內(nèi)部槽220是頂部開口的長方體的槽。在內(nèi)部槽220中，設(shè)置有晶片引導(dǎo)裝置(未示出)以支撐晶片。晶片引導(dǎo)裝置可包括多個形成有槽的桿。晶片分別插入到這些槽中。雖然在圖中未示出，但是晶片引導(dǎo)裝置可連接有提升裝置，以使得晶片引導(dǎo)裝置能夠上下移動。外部槽240與內(nèi)部槽220隔開，以環(huán)繞內(nèi)壁220的側(cè)壁周圍，從而容納從內(nèi)部槽220中溢出的清洗溶液。在外部槽和內(nèi)部槽240和220的底部分別形成有排泄口(圖9中的229和242)。
移動槽200在接口部分40中從第一位置移動到第二位置。第一位置與第一處理腔室130等高，而第二位置與第二處理腔室140等高。當(dāng)移動槽200置于第一位置時(shí)，在第一處理腔室130中進(jìn)行處理的晶片容納在移動槽200中。當(dāng)移動槽200位于第二位置時(shí)，晶片從移動槽200移出，并移動至第二處理腔室140。在一個示例性實(shí)施方案中，配置為向移動槽200供應(yīng)清洗溶液的噴嘴400固定至接口部分40的內(nèi)側(cè)壁。為了在移動槽200置于第一位置的情況下供應(yīng)清洗溶液，噴嘴400設(shè)置在置于第一位置的移動槽200的上方。噴嘴400連接至清洗溶液供應(yīng)部分，并具有連接至清洗溶液供應(yīng)部分的桿式分配管420，以及在分配管420的長度方向上形成的多個注入口440。在分配管420的中心處形成有路徑。注入口440配置成將流到分配管420中的清洗溶液注入至移動槽200。噴嘴400安裝于接口部分40的兩個相對側(cè)，并設(shè)置成不會妨礙移動槽200上下移動。注入口440被形成為使得清洗溶液能夠朝向內(nèi)部槽220的中心注入。為了將清洗溶液供應(yīng)到內(nèi)部槽220中，可以進(jìn)一步設(shè)置有噴嘴400以及清洗溶液供應(yīng)管460。清洗溶液供應(yīng)管460可連接至內(nèi)部槽220的側(cè)壁或底部。
在開始或完成從注入口440注入清洗溶液的位置，清洗溶液落到外部槽240的外側(cè)壁上。落下的溶液沿著外部槽240的外側(cè)壁向下流。在DI水附著到外部槽240的外側(cè)壁的情況下，DI水的一部分沿著外部槽240的外側(cè)壁流動，以落到接口部分40的底部上，而DI水的另外一部分沿著連接至外部槽240外側(cè)壁的結(jié)構(gòu)流動。在這一實(shí)施方案中，設(shè)置導(dǎo)板500以避免DI水落到外部槽240的外側(cè)壁上。導(dǎo)板500引導(dǎo)落在與外部槽240的外側(cè)壁相鄰的位置處的DI水，使之朝向內(nèi)部槽220而向內(nèi)流動，或者使之朝向與外部槽240的外側(cè)壁隔開的外部槽240而向外流動。導(dǎo)板500插入噴嘴400和置于第一位置的移動槽200之間。導(dǎo)板500可安裝于接口部分40的側(cè)壁處或噴嘴400處。作為一種選擇，導(dǎo)板500可安裝在固定至接口部分40內(nèi)側(cè)的結(jié)構(gòu)上。導(dǎo)板500的一端朝向內(nèi)部槽220的內(nèi)側(cè)壁向內(nèi)延伸，而其另一端具有朝向外部槽240的外側(cè)壁向外延伸的寬度。導(dǎo)板500比外部槽240的側(cè)壁長，外部槽240設(shè)置在與導(dǎo)板500相同的方向上。導(dǎo)板安裝在各噴嘴400的下方。
導(dǎo)板移動部分520將導(dǎo)板500的位置從引導(dǎo)狀態(tài)改變?yōu)榉歉蓴_狀態(tài)。在引導(dǎo)狀態(tài)下，導(dǎo)板500水平固定，從而在由噴嘴400供應(yīng)清洗溶液的同時(shí)引導(dǎo)清洗溶液的流動。在非干擾狀態(tài)下，導(dǎo)板500偏離移動槽200的垂直頂部，從而在移動槽200上下移動時(shí)，避免移動槽200與導(dǎo)板500發(fā)生碰撞。導(dǎo)板移動部分520可包括與導(dǎo)板500的另一端結(jié)合的旋轉(zhuǎn)桿528，以及由轉(zhuǎn)動致動裝置526轉(zhuǎn)動的從動齒輪522和驅(qū)動齒輪524。從動齒輪522耦合到旋轉(zhuǎn)桿528的一側(cè)，而驅(qū)動齒輪524與從動齒輪522相咬合。當(dāng)導(dǎo)板500在90度的弧形范圍內(nèi)轉(zhuǎn)動時(shí)，它從引導(dǎo)狀態(tài)改變?yōu)榉歉蓴_狀態(tài)。因?yàn)樯鲜鼋Y(jié)構(gòu)僅僅作為示例，所以導(dǎo)板移動部分520可具有其它結(jié)構(gòu)。如圖7所示，導(dǎo)板500的其中之一設(shè)置為引導(dǎo)狀態(tài)，而另一個設(shè)置為非干擾狀態(tài)。導(dǎo)板500可水平保持或側(cè)向傾斜。圖8表示了在導(dǎo)板500設(shè)置為引導(dǎo)狀態(tài)的情況下，落在導(dǎo)板500上的DI水的流動。
如之前在本實(shí)施方案中描述的那樣，導(dǎo)板500和噴嘴400分別安裝在接口部分40的預(yù)定位置處。作為一種選擇，它們可安裝為分別與移動槽相耦合。在這種情況下，導(dǎo)板500可具有如以上實(shí)施方案中所述的可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。作為一種選擇，導(dǎo)板500可具有引導(dǎo)狀態(tài)下的固定結(jié)構(gòu)。
在清洗溶液填充移動槽200的情況下，晶片可包含在移動槽200中。作為一種選擇，在晶片包含在移動槽200中的同時(shí)，清洗溶液可供應(yīng)至移動槽200。接收清洗溶液的移動槽200的位置可以是在接口部分40中與第一位置和第二位置的不同的位置。
在一組晶片從第一處理腔室130移動到第二處理腔室140之后，在移動另一組晶片之前，必須排出填充移動槽200的清洗溶液。移動槽的內(nèi)部槽和外部槽220和240的底部分別形成有排泄口222和242。排泄口222和242連接有排泄閥280。排泄閥可以是用于開啟和關(guān)閉空氣直接流進(jìn)或流出的內(nèi)部通路的閥。但是，在晶片包含在內(nèi)部通路220中時(shí)，如果由于設(shè)備故障等而使得向閥中供應(yīng)的空氣被截?cái)?，那么排泄閥開啟，內(nèi)部通路220中的清洗溶液被排出，從而使得晶片在接口部分40中移動時(shí)暴露到空氣中。優(yōu)選地，在未向閥施加外力時(shí)，該通路被持續(xù)截?cái)唷?br> 圖9表示分別形成于內(nèi)部槽和外部槽220和240底部的排泄口282和284，以及連接到內(nèi)部槽和外部槽220和240的排泄閥280。與內(nèi)部槽220相連接的排泄閥280等同于與排泄閥相連接的排泄閥280。因此，以下僅描述與內(nèi)部槽220相連接的排泄閥280。作為一種選擇，與內(nèi)部槽220相連接的排泄閥280可以不同于與外部槽240相連接的排泄閥280。排泄閥280與內(nèi)部槽220的底部相結(jié)合，并具有其中形成有流體流動通路的本體281。本體281的頂部處形成有入口，而本體281的底部處形成有出口286。流經(jīng)排泄口222的清洗溶液通過入口流入排泄閥280。清洗溶液通過出口286從排泄閥280中排出。在通路287中，設(shè)置有擋板282和彈性件284。擋板282開啟和關(guān)閉出口286，而彈性件284向擋板282施加預(yù)定壓力。擋板282設(shè)置為與出口286相對，并具有比出口286大的截面積。彈性件284的一端耦合于安裝在本體281頂部上的保持件283a，而另一端耦合于安裝于本體281底部上的保持件283b。彈性件284可以是彈簧。擋板282被壓縮的彈簧擠壓，從而與本體281的底部相接觸，由此關(guān)閉出口286。如果外部未施加比使彈簧284壓縮的力更大的力，則排泄閥280持續(xù)關(guān)閉。排泄閥280的出口286由開關(guān)600開啟。
圖10表示開關(guān)600的一個實(shí)施例。開關(guān)600可安裝在接口部分40的底部上，并具有在其中存在空間的本體620。在本體620的內(nèi)側(cè)壁的上部形成有第一開口622，而在本體620的內(nèi)側(cè)壁的下部形成有第二開口624。流體通過第一開口和第二開口622和624而流進(jìn)/流出。第一開口622連接有供應(yīng)管602，而第二開口622連接有另一供應(yīng)管602。供應(yīng)管602配置成供應(yīng)流體，例如空氣或氮。桿640耦合于隔板660的頂面。桿640通過形成于本體620的頂面的孔而朝向本體620向外凸出。隔板660和桿640可單獨(dú)制造，然后相互結(jié)合，或者可整體制造。附圖標(biāo)記680表示用于密封的O形環(huán)。
圖11表示排泄閥的出口286關(guān)閉的狀態(tài)，而圖12表示排泄閥的出口由開關(guān)600開啟的狀態(tài)。在晶片在第二位置處移動到第二處理腔室140之后，移動槽200移到第一位置。此時(shí)，出口286通過受到彈簧284擠壓的擋板282而保持為關(guān)閉狀態(tài)，如圖11所示。通過第二開口624而流入的空氣壓力使得隔板660升高，而桿640逐漸地從本體620凸出，以將置于排泄閥280中的擋板282向上推。如圖12所示，排泄閥280的出口286是開啟的，清洗溶液從移動槽200排出，以流向接口部分40的底部。之后，清洗溶液通過與接口部分40的底部42的排泄口(圖8中的46)相連接的排泄管44排出。如果清洗溶液完全排出，則空氣通過第一開口622流入。因此，隔板660落下，而排泄閥280的擋板282受到彈簧284的擠壓，從而使得出口286關(guān)閉。
在清洗溶液排出之后，DI水可附著于排泄閥280的外表面，與DI水附著到外部槽240的外表面的情況類似，這種情況并不可取。在這一實(shí)施方案中，開關(guān)600設(shè)置有注氣部分670，以對排泄閥280的外表面進(jìn)行干燥。在某些示例性實(shí)施方案中，隔板660和桿640處形成有穿透注入管線(injection line)672。注入管線672從隔板660的一側(cè)向桿640的端部延伸。在排泄閥280關(guān)閉的情況下，在隔板660處，在與隔板660的一側(cè)相對的、本體620的側(cè)壁的位置形成有輸入口674。作為一種選擇，形成于隔板660和桿640處的注入管線672的位置以及輸入口674的位置可具有多種變化。圖13表示干燥氣體從開關(guān)向排泄閥280供應(yīng)的狀態(tài)。
在上述實(shí)施方案中，包含在填充有DI水的移動槽中的晶片在處理腔室之間移動，以避免使晶片暴露到空氣中。但是，上述實(shí)施方案僅僅作為示例，可使用多種方法來避免使晶片暴露到空氣中。在一個示例性實(shí)施方案中，當(dāng)移動槽轉(zhuǎn)移時(shí)，該路徑通過填充氮?dú)饣蚨栊詺怏w而封閉。作為一種選擇，向包含在移動槽中的晶片持續(xù)地注入氮?dú)饣駾I水。
現(xiàn)在將參照圖14和圖15對清洗處理進(jìn)行更全面的描述。圖14表示在圖2中所示的清洗裝置中的晶片移動路徑，而圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方案的清洗方法的步驟的流程圖。容納晶片的容器“C”設(shè)置在裝載/卸載部分10上。將晶片從容器“C”中移出(S10)。將晶片移動到第一對準(zhǔn)腔室120a，以從水平狀態(tài)改變?yōu)榇怪睜顟B(tài)(S20)。將晶片移動到第一處理腔室130。使晶片經(jīng)過第一處理腔室130中的處理槽134b、134c、134d和134e而經(jīng)受預(yù)定的處理(S30)。將晶片移動到接口部分40，以將其容納在置于第一位置的移動槽200中。將移動槽200移動到第二位置，而淹沒在清洗溶液中的晶片未暴露到空氣中(S40)。將晶片從移動槽200中取出，將其移動到第二處理腔室140。使晶片經(jīng)過第二處理腔室140中的處理槽144e、144d、144c和144b而經(jīng)受預(yù)定的處理(S50)。將晶片移動到第二對準(zhǔn)部分20，以從垂直狀態(tài)改變?yōu)樗綘顟B(tài)(S60)。將晶片容納在容器“C”中。
作為一種選擇，晶片的移動是通過裝載/卸載部分10、第一對準(zhǔn)腔室120a、第一處理腔室130、接口部分40、第二處理腔室140、第二對準(zhǔn)腔室120b以及裝載/卸載部分10來進(jìn)行的(即，回路形式)。作為一種選擇，對準(zhǔn)部分20和清洗部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可變，以便使得晶片的移動能夠按照上述順序的相反順序來進(jìn)行。這些可變的結(jié)構(gòu)對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，因此不再詳細(xì)描述。
作為一種選擇，漂洗處理可在接口部分40的移動槽200中進(jìn)行。當(dāng)晶片包含在移動槽200中，待從第一處理腔室130向第二處理腔室140移動時(shí)，DI水通過清洗溶液供應(yīng)管460持續(xù)供應(yīng)至內(nèi)部槽220，而從內(nèi)部槽220溢出的DI水容納在外部槽240中。在這種情況下，可將設(shè)置在第一處理腔室130的端部的漂洗槽134e去除。
在另一個實(shí)施方案中，清洗部分30的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以變化。例如，如圖16所示，第一組晶片通過第一對準(zhǔn)腔室120a移動到第一處理腔室130，以進(jìn)行處理。之后，第一組晶片回到第一對準(zhǔn)腔室120a。第二組晶片通過第二對準(zhǔn)腔室120b移動到第二處理腔室140，以進(jìn)行處理。之后，第二組晶片可回到第二對準(zhǔn)室140。在第一處理腔室和第二處理腔室130和140中，以不同的配方對晶片進(jìn)行處理。作為一種選擇，在第一處理腔室和第二處理腔室130和140設(shè)置的處理槽的至少一部分中，執(zhí)行不同的處理，或以不同的配方執(zhí)行處理。因此，在第一處理腔室130中進(jìn)行部分處理的晶片通過接口部分40移動到第二處理腔室140，以在第二處理腔室140的處理槽進(jìn)行部分處理，如圖17所示。之后，晶片可通過接口部分40回到第一處理腔室130。
與上述實(shí)施方案不同，清洗部分30可分為三層或更多層，以具有三個或更多的處理腔室。例如，清洗部分30可順序設(shè)置有第一處理腔室130、第二處理腔室140和第三處理腔室150。對準(zhǔn)部分20可設(shè)置在清洗部分30的一側(cè)，而接口部分40可設(shè)置在其另一側(cè)。在這種情況下，第二處理腔室和第三處理腔室140和150設(shè)置有相同的處理槽，以使得在第一處理腔室130中處理的晶片可在接口部分40處移動到第二處理腔室和第三處理腔室140和150的其中之一。這使得當(dāng)晶片在第一處理腔室130中被高速處理時(shí)，能夠避免晶片在第二處理腔室中過多地聚集。作為一種選擇，第一組晶片可在通過第一處理腔室130、接口部分40和第二處理腔室140順序移動時(shí)進(jìn)行處理，而第二組晶片可在通過第一處理腔室130、接口部分40和第三處理腔室150順序移動時(shí)進(jìn)行處理。在晶片組分別以不同的配方進(jìn)行處理時(shí)，以上操作是有益的。
在上述實(shí)施方案中，對準(zhǔn)部分20、清洗部分30和接口部分40排列為一排。作為一種選擇，對準(zhǔn)部分20或接口部分40可設(shè)置在裝置的中央，而清洗部分30可設(shè)置在裝置的兩側(cè)。
在另一實(shí)施方案中，第一裝載/卸載部分10和第一對準(zhǔn)部分20設(shè)置在清洗部分30的一側(cè)，而第二對準(zhǔn)部分20’和第二裝載/卸載部分10’可設(shè)置在清洗部分30的另一側(cè)，如圖21所示。清洗部分30可具有劃分為層的多個處理腔室。第一組晶片在第一對準(zhǔn)部分20中從水平狀態(tài)改變?yōu)榇怪睜顟B(tài)，以在第一處理腔室130中進(jìn)行處理。在第一處理腔室130中處理的晶片在第二對準(zhǔn)部分20’中從垂直狀態(tài)改變?yōu)樗綘顟B(tài)。第二組晶片從水平狀態(tài)改變?yōu)榇怪睜顟B(tài)，以在第二處理腔室140中進(jìn)行處理。在第二處理腔室140中處理的晶片在第二對準(zhǔn)部分20’中從水平狀態(tài)改變?yōu)榇怪睜顟B(tài)。第一組晶片和第二組晶片可以相同的配方或不同的配方進(jìn)行處理。
工業(yè)應(yīng)用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的清洗裝置的清洗部分具有多個多層的處理腔室。因此，能夠減小清洗裝置的安裝面積。因?yàn)榫谘刂芈芬苿拥耐瑫r(shí)進(jìn)行處理，所以裝載/卸載部分和對準(zhǔn)部分僅設(shè)置在清洗部分的一側(cè)。因此，該清洗裝置的安裝面積小于傳統(tǒng)的清洗裝置。當(dāng)晶片在清洗部分的處理腔室之間移動時(shí)，它們不會暴露到空氣中。因此，能夠避免在處理過程中在晶片上形成自然氧化物層。
權(quán)利要求
1.一種具有多層結(jié)構(gòu)的襯底清洗裝置，包括清洗部分，包括多個具有至少一個處理槽的處理腔室，襯底在所述處理槽中進(jìn)行清洗，所述清洗部分還包括移動設(shè)備，其中所述處理腔室是堆疊的。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底清洗裝置，其中各個所述處理槽配置成執(zhí)行選自化學(xué)處理、漂洗處理以及干燥處理中的至少一種處理。
3.如權(quán)利要求1所述的襯底清洗裝置，其中各個所述處理腔室包括處理部分，其中設(shè)置有多個處理槽；以及移動部分，其中安裝有移動設(shè)備，以使得襯底在所述處理槽之間移動。
4.如權(quán)利要求3所述的襯底清洗裝置，其中所述處理腔室的移動設(shè)備具有在其中執(zhí)行干燥處理的處理槽，所述移動設(shè)備包括用于移動濕襯底的第一自動裝置；以及用于移動干襯底的第二自動裝置。
5.如權(quán)利要求2所述的襯底清洗裝置，其中在各個所述處理腔室處設(shè)置有緩沖部分，容器可暫時(shí)停留在所述緩沖部分中。
6.如權(quán)利要求3所述的襯底清洗裝置，其中各個所述處理腔室包括風(fēng)扇過濾單元，用于將清潔氣體送入所述處理腔室中；第一排放部分，設(shè)置為排放所述處理槽周圍的煙霧；以及第二排放部分，設(shè)置為強(qiáng)制排放所述移動部分周圍的顆粒。
7.如權(quán)利要求6所述的襯底清洗裝置，其中所述第二排放部分包括排放管，連接至所述移動部分的底部；阻尼器，用于開啟和關(guān)閉所述排放管的通路；以及排放扇，用于調(diào)節(jié)通過所述排放管的排量。
8.如權(quán)利要求1所述的襯底清洗裝置，進(jìn)一步包括接口部分，襯底在所述接口部分中在所述處理腔室之間移動。
9.如權(quán)利要求8所述的襯底清洗裝置，其中所述接口部分包括移動槽，容納襯底，以避免襯底暴露到空氣中；以及移動槽移動部分，用于使得所述移動槽能夠上下移動。
10.如權(quán)利要求9所述的襯底清洗裝置，其中所述移動槽進(jìn)一步包括噴嘴，所述噴嘴配置成向所述移動槽供應(yīng)清洗溶液；以及所述襯底在淹沒于所述移動槽的所述清洗溶液中的情況下，在所述處理腔室之間移動。
11.如權(quán)利要求9所述的襯底清洗裝置，其中所述移動槽進(jìn)一步包括清洗溶液供應(yīng)管，所述清洗溶液供應(yīng)管連接至所述移動槽的側(cè)面或底部，以將清洗溶液供應(yīng)至所述移動槽中；以及所述襯底在淹沒于所述移動槽的所述清洗溶液中的情況下，在所述處理腔室之間移動。
12.如權(quán)利要求10所述的襯底清洗裝置，其中所述清洗溶液是去離子水(DI水)。
13.如權(quán)利要求11所述的襯底清洗裝置，其中當(dāng)襯底容納在所述移動槽中時(shí)，在所述移動槽中執(zhí)行漂洗處理。
14.如權(quán)利要求10所述的襯底清洗裝置，其中所述移動槽移動部分包括框架，延伸以具有從最下方的處理腔室到最上方的處理腔室的高度，并具有導(dǎo)軌；滑動件，與所述導(dǎo)軌結(jié)合，以沿著所述導(dǎo)軌上下移動；以及驅(qū)動部分，用于移動所述滑動件，其中所述移動槽安裝在所述滑動件處。
15.如權(quán)利要求10所述的襯底清洗裝置，其中所述移動槽包括內(nèi)部槽，其中容納襯底；清洗溶液供應(yīng)部分，用于將清洗溶液供應(yīng)至所述內(nèi)部槽中；以及外部槽，設(shè)置為環(huán)繞所述內(nèi)部槽的外側(cè)壁，其中，從所述內(nèi)部槽溢出的清洗溶液容納在所述外部槽中。
16.如權(quán)利要求15所述的襯底清洗裝置，其中當(dāng)所述襯底容納在所述移動槽中時(shí)，在所述移動槽中執(zhí)行漂洗處理。
17.如權(quán)利要求15所述的襯底清洗裝置，其中所述清洗溶液供應(yīng)部分包括清洗溶液供應(yīng)管，所述清洗溶液供應(yīng)管連接至所述內(nèi)部槽的側(cè)面或底部。
18.如權(quán)利要求15所述的襯底清洗裝置，其中所述清洗溶液供應(yīng)部分包括噴嘴，所述噴嘴配置為向所述內(nèi)部槽的頂部開口注入清洗溶液。
19.如權(quán)利要求18所述的襯底清洗裝置，其中在所述接口部分處安裝有導(dǎo)板，以將落到所述移動槽的外側(cè)壁上的清洗溶液引導(dǎo)至所述移動槽的內(nèi)部，或者引導(dǎo)至與所述移動槽的外側(cè)壁隔開的外部。
20.如權(quán)利要求19所述的襯底清洗裝置，其中所述導(dǎo)板的一端朝向所述內(nèi)部槽的內(nèi)側(cè)壁而向內(nèi)延伸，所述導(dǎo)板的另一端朝向所述外部槽的外側(cè)壁而向外延伸。
21.如權(quán)利要求20所述的襯底清洗裝置，其中所述噴嘴固定安裝在所述接口部分的確定位置處；以及當(dāng)填充所述清洗溶液時(shí)，所述導(dǎo)板低于所述噴嘴，高于所述移動槽。
22.如權(quán)利要求19所述的襯底清洗裝置，其中所述接口部分進(jìn)一步包括用于使所述導(dǎo)板移動為引導(dǎo)狀態(tài)和非干擾狀態(tài)的導(dǎo)板移動部分，在所述引導(dǎo)狀態(tài)下，在清洗溶液供應(yīng)至所述移動槽中時(shí)，所述清洗溶液的流動受到引導(dǎo)，在所述非干擾狀態(tài)下，所述移動槽的運(yùn)動不受干擾。
23.如權(quán)利要求10所述的襯底清洗裝置，其中所述移動槽包括排放閥，所述排放閥配置用于排放清洗溶液；以及所述排放閥由彈性元件構(gòu)成，以在未施加外力時(shí)，所述排放閥能夠保持其出口關(guān)閉。
24.如權(quán)利要求23所述的襯底清洗裝置，其中所述排放閥包括本體；擋板，位于所述本體中，并與所述本體底部相對，以開啟和關(guān)閉所述排放閥的出口；以及彈簧，安裝在所述本體中，以擠壓所述擋板。
25.如權(quán)利要求24所述的襯底清洗裝置，其中所述接口部分進(jìn)一步包括用于開啟和關(guān)閉所述排放閥的開關(guān)，其中所述開關(guān)包括桿；本體，具有所述桿的至少一部分能夠插入其中的空間，所述本體包括起到通路作用的第一開口和第二開口，流體通過所述第一開口和第二開口流進(jìn)或流出；以及隔板，通過穿過所述第一開口或第二開口流動的所述流體而在所述第一開口和第二開口的形成位置之間移動，其中所述桿在所述隔板移動的同時(shí)向上推動所述隔板，以開啟所述排放閥。
26.如權(quán)利要求25所述的襯底清洗裝置，其中所述開關(guān)進(jìn)一步包括注氣部分，用于將干燥氣體注入噴射閥，以對所述排放閥進(jìn)行干燥，其中所述注氣部分包括注入管線，其為穿透所述隔板和所述桿的孔；以及輸入口，形成于所述本體處，以在所述桿移動靠近所述排放閥時(shí)，向所述注入管線供應(yīng)干燥氣體。
27.如權(quán)利要求9所述的襯底清洗裝置，進(jìn)一步包括裝載/卸載部分，其中容納有容器；以及對準(zhǔn)部分，設(shè)置在所述裝載/卸載部分和所述清洗部分之間，以將各個襯底從垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)換為水平狀態(tài)或者從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)。
28.如權(quán)利要求27所述的襯底清洗裝置，其中所述裝載/卸載部分包括進(jìn)口/出口，在所述進(jìn)口/出口處，設(shè)置有裝載至所述裝置/從所述裝置卸載的容器；以及儲料器，置于所述進(jìn)口/出口和所述清洗部分之間，以暫時(shí)容納所述容器，其中所述儲料器包括支架，其上放置容器；以及自動裝置，用于移動所述容器。
29.如權(quán)利要求27所述的襯底清洗裝置，其中所述對準(zhǔn)部分包括至少一個對準(zhǔn)器，用于將所述襯底從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)。
30.如權(quán)利要求29所述的襯底清洗裝置，其中所述對準(zhǔn)器包括至少一個水平返回自動裝置，用于將襯底置入容器中或者將襯底從容器中取出；以及可旋轉(zhuǎn)換位裝置，容納由所述水平返回自動裝置返回的襯底。
31.如權(quán)利要求30的襯底清洗裝置，其中所述對準(zhǔn)器進(jìn)一步包括推進(jìn)器，用于使襯底與所述換位裝置分離，以將所述襯底移動至所述清洗部分。
32.如權(quán)利要求27的襯底清洗裝置，其中在所述襯底沿著所述對準(zhǔn)部分、作為所述處理腔室的其中之一的第一處理腔室、所述接口部分、作為另一個所述處理腔室的第二處理腔室、所述對準(zhǔn)部分的循環(huán)路線移動時(shí)，對所述襯底進(jìn)行清洗。
33.如權(quán)利要求32的襯底清洗裝置，其中所述清洗槽按照在所述第一處理腔室和第二處理腔室中執(zhí)行處理的順序而排列成一排。
34.一種用于在具有多層結(jié)構(gòu)的清洗裝置中清洗襯底的方法，所述方法包括將襯底從置于裝載/卸載部分的容器中移動到具有至少兩個分層處理腔室的清洗部分；在作為所述處理腔室的其中之一的第一處理腔室中對所述襯底執(zhí)行一部分清洗處理；將所述襯底移動到作為另一個所述處理腔室的第二處理腔室；在所述第二處理腔室中對所述襯底執(zhí)行所述清洗處理的一部分；以及使所述襯底容納在置于所述裝載/卸載部分處的所述容器中。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述第一處理腔室和所述第二處理腔室中的每一個包括多個處理槽，所述處理槽按照在所述第一處理腔室和所述第二處理腔室中執(zhí)行處理的順序而排列為一排；以及使所述襯底沿著循環(huán)路線移動。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中在所述襯底從所述第一處理腔室移動到所述第二處理腔室時(shí)，使所述襯底不暴露到空氣中。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其中使襯底從所述第一處理腔室移動到所述第二處理腔室包括將在所述第一處理腔室中完成了所述處理的一部分的所述襯底放置到移動槽中，所述移動槽設(shè)置在所述第一處理腔室和所述第二處理腔室的一側(cè)；使所述移動槽上下移動；以及將所述襯底從所述移動槽中取出，以將其移動到所述第二處理腔室。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中在所述移動槽從所述第一處理腔室移動到所述第二處理腔室時(shí)，使所述移動槽填充有去離子水(DI水)。
39.如權(quán)利要求37所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)在所述第一處理腔室中執(zhí)行處理之前，使所述襯底從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)；以及當(dāng)在所述第二處理腔室中完成處理之后，使所述襯底從垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)換為水平狀態(tài)。
40.如權(quán)利要求37所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)所述襯底在所述處理腔室之間移動時(shí)，在所述移動槽中執(zhí)行漂洗處理。
全文摘要
一種用于對諸如半導(dǎo)體晶片的襯底進(jìn)行清洗的裝置，包括裝載/卸載部分、在其中使晶片從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)的對準(zhǔn)部分、對晶片執(zhí)行蝕刻處理、漂洗和干燥處理并具有多個堆疊的處理腔室的清洗部分、以及其中設(shè)置有使得晶片在處理腔室之間移動的移動槽的接口部分。當(dāng)晶片在處理腔室之間移動時(shí)，移動槽填充有去離子水(DI水)，以避免晶片暴露到空氣中。從裝載/卸載部分中取出的晶片從水平狀態(tài)轉(zhuǎn)換為垂直狀態(tài)，并移動到作為處理腔室的其中之一的第一處理腔室，以接受一部分處理。在晶片移動到作為另一個處理腔室的第二處理腔室以接受另一部分處理之后，它們從垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)換為水平狀態(tài)。也就是說，晶片沿著循環(huán)路線移動來進(jìn)行處理。
文檔編號H01L21/02GK1864250SQ200480029395
公開日2006年11月15日 申請日期2004年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月8日
發(fā)明者林鐘顯, 趙重根, 具教旭, 方寅浩, 金禹泳, 吳滿錫, 金賢鐘 申請人:細(xì)美事有限公司