專利名稱：紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠利用紫外線擦除所保存的數(shù)據(jù)的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，有不僅可以電寫入數(shù)據(jù)，還可通過將紫外線照射在保存數(shù)據(jù)的晶體管上，來擦除該數(shù)據(jù)的EPROM(ErasableProgrammable Read Only Memory)。通常，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行列配置存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元，例如，分別通過由地址譯碼器指定行及列，從而相對(duì)于指定位置的存儲(chǔ)單元，可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入動(dòng)作及讀出動(dòng)作。例如，各存儲(chǔ)單元的字線連接于Y地址譯碼器上，Y地址譯碼器將行選擇信號(hào)施加在對(duì)應(yīng)于輸入的Y地址的字線上。另一方面，各存儲(chǔ)單元的位線連接于X地址譯碼器上，X地址譯碼器將來自外部的數(shù)據(jù)輸入到對(duì)應(yīng)于輸入的Y地址的字線中，或?qū)碜栽撐痪€的數(shù)據(jù)傳送到輸出電路。
在EPROM中，通過將電荷注入到介由柵極氧化膜配置在MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)的溝道上的浮柵電極等，來改變FET的閥值電壓Vt。由于一旦注入的電荷被長(zhǎng)期保持，則可以按照該Vt的不同來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。另一方面，該電荷可以通過將紫外線照射在浮柵電極柵而放電，由此可以擦除數(shù)據(jù)。
現(xiàn)有的EPROM是在每個(gè)存儲(chǔ)單元中具備1個(gè)這種MOSFET，寫入該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)通過介由字線將選擇信號(hào)施加到該MOSFET的柵電極(控制柵電極)上，從而作為對(duì)應(yīng)于Vt的電流由位線讀出。輸出電路將讀出的電流與規(guī)定的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，判定數(shù)據(jù)是“0”或“1”的哪一個(gè)。
在此，向浮柵電極注入電荷是通過在連接于字線的控制柵電極和連接于位線的漏電極擴(kuò)散層之間施加高電壓，并將從漏電極流出的電荷作為高能量而進(jìn)行的，由此，向浮柵電極注入與漏極的多個(gè)載流子相同的電荷。其結(jié)果，注入的電荷具有屏蔽控制柵電極波及溝道的電位變動(dòng)的效果，被注入了電荷的狀態(tài)下的MOSFET與沒有注入的狀態(tài)相比，Vt升高，由輸出電路讀出的數(shù)據(jù)信號(hào)電流相對(duì)減少。
如上所述，將介由位線從存儲(chǔ)黨員讀出的數(shù)據(jù)信號(hào)電流在輸出電路中與規(guī)定的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較的數(shù)據(jù)檢測(cè)方式，需要將相對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)電流的離散、變動(dòng)等的界限值(margin)取得比較大。與此相對(duì)，考慮在各存儲(chǔ)單元中具備2個(gè)能寫入數(shù)據(jù)的上述MOSFET，通過注入電荷而使對(duì)應(yīng)于寫入該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)所選擇的任何一個(gè)MOSFET的Vt發(fā)生變化的構(gòu)成。在該構(gòu)成中，例如作為2個(gè)MOSFET具備Tr1、Tr2，針對(duì)數(shù)據(jù)值“1”僅對(duì)Tr1進(jìn)行電荷注入，另一方面，針對(duì)數(shù)據(jù)值“0”僅對(duì)Tr2進(jìn)行電荷注入。由此，任何一方的MOSFET將Vt設(shè)定得高，將另一方的Vt設(shè)定得低，流過各MOSFET的數(shù)據(jù)信號(hào)電流間的大小關(guān)系根據(jù)數(shù)據(jù)值進(jìn)行切換。具有如果由差動(dòng)放大器檢測(cè)該大小關(guān)系的差異，則可以降低相對(duì)于上述各數(shù)據(jù)信號(hào)電流的離散、變動(dòng)等的界限值的優(yōu)點(diǎn)。
但是，在照射紫外線、以擦除數(shù)據(jù)的狀態(tài)、即初始狀態(tài)下，因?yàn)?個(gè)MOSFET的Vt相同，故在差動(dòng)放大器的輸出中不能得到恒定的值。因此，出現(xiàn)難以判斷數(shù)據(jù)是否已被擦除(或是否未使用)的不便。在此，如果構(gòu)成存儲(chǔ)單元的MOSFET是被應(yīng)用于閃爍存儲(chǔ)器、能電擦除·重寫數(shù)據(jù)，則廠家能以使差動(dòng)放大器的輸出不會(huì)不確定的方式預(yù)先將初始化的數(shù)據(jù)寫入后再出廠。然而，為了擦除EPROM數(shù)據(jù)，需要用紫外線照射，如果寫入初始化數(shù)據(jù)，則用戶難以將其重寫并存儲(chǔ)所希望的數(shù)據(jù)。因此，上述不便在紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中成為本質(zhì)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決該問題，其目的在于，在存儲(chǔ)單元中具備2個(gè)MOSFET，由差動(dòng)放大器檢測(cè)這些數(shù)據(jù)信號(hào)電流差的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，避免在初始狀態(tài)下差動(dòng)放大器的輸出變?yōu)椴欢?，使用戶確認(rèn)初始狀態(tài)變得容易。
本發(fā)明的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中具有具備以共同的選擇信號(hào)選擇的一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)型晶體管的存儲(chǔ)單元；和根據(jù)從該一對(duì)晶體管各自取出的數(shù)據(jù)信號(hào)電流的相互大小關(guān)系，讀取記錄于上述存儲(chǔ)單元中的1比特?cái)?shù)據(jù)的差動(dòng)放大器，其特征在于，上述一對(duì)晶體管在擦除了上述存儲(chǔ)單元的上述數(shù)據(jù)的狀態(tài)下，在相互的上述數(shù)據(jù)信號(hào)電流間具有規(guī)定的信號(hào)電流差。
在本發(fā)明的存儲(chǔ)裝置中，具有如下構(gòu)成存儲(chǔ)單元所具備的一對(duì)晶體管根據(jù)是否將電荷注入到浮柵電極等，來設(shè)定該溝道電流(數(shù)據(jù)信號(hào)電流)不同的狀態(tài)，另一方面，通過照射紫外線來進(jìn)行注入電荷的放電等，數(shù)據(jù)信號(hào)電流被設(shè)為初始化狀態(tài)。根據(jù)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元的1位數(shù)據(jù)，在該成對(duì)的2個(gè)晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)電流中設(shè)定差異，通過由差動(dòng)放大器檢測(cè)該差異而讀出數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，采用如下構(gòu)成包含于各存儲(chǔ)單元的一對(duì)晶體管，在任何一個(gè)晶體管都沒有注入電荷的初始化狀態(tài)下，使流過各晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)電流相互不同。
其他本發(fā)明的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中具有具備由以共同的選擇信號(hào)選擇的第1晶體管和第2晶體管構(gòu)成的一對(duì)晶體管的存儲(chǔ)單元；和根據(jù)分別由上述第1晶體管和上述第2晶體管取出的數(shù)據(jù)信號(hào)電流相互的大小關(guān)系，讀取記錄于上述存儲(chǔ)單元中的1比特的數(shù)據(jù)的差動(dòng)放大器，其特征在于，上述第1晶體管在擦除了上述存儲(chǔ)單元的上述數(shù)據(jù)的狀態(tài)下，生成僅比上述第2晶體管大規(guī)定信號(hào)電流差的上述數(shù)據(jù)信號(hào)電流；根據(jù)寫入上述存儲(chǔ)單元的上述數(shù)據(jù)，將電荷注入浮柵電極，在注入該電荷的狀態(tài)下，生成比上述第2晶體管小的上述數(shù)據(jù)信號(hào)電流。
將成對(duì)的晶體管中、初始化狀態(tài)的數(shù)據(jù)信號(hào)電流小的一方設(shè)為第2晶體管，將大的一方設(shè)為第1晶體管，將各自的數(shù)據(jù)信號(hào)設(shè)為IH2、IH1(IH1＞IH2)。而且，將第1晶體管電荷注入后的狀態(tài)下的數(shù)據(jù)信號(hào)電流設(shè)為IL1。根據(jù)本發(fā)明，構(gòu)成為IH1＞IH2＞IL1，即IH2成為IH1和＞IL1的中間水平。
本發(fā)明的優(yōu)選形態(tài)是一種紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中上述一對(duì)晶體管具有互相不同的溝道寬度，根據(jù)該溝道寬度的不同產(chǎn)生上述信號(hào)電流差。
本發(fā)明的其他優(yōu)選形態(tài)是一種紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中上述一對(duì)晶體管具有互相不同的溝道長(zhǎng)度，根據(jù)該溝道長(zhǎng)度的不同產(chǎn)生上述信號(hào)電流差。
本發(fā)明的又一優(yōu)選形態(tài)是一種紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中上述一對(duì)晶體管在溝道和浮柵電極間具有厚度相互不同的絕緣膜，根據(jù)該絕緣膜的厚度不同而產(chǎn)生上述信號(hào)電流差。
本發(fā)明的再一優(yōu)選形態(tài)是一種紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中上述一對(duì)晶體管使浮柵電極和施加上述選擇信號(hào)的控制柵電極間的靜電電容相互不同，根據(jù)該靜電電容的差異而產(chǎn)生上述信號(hào)電流差。
根據(jù)本發(fā)明，在初始化狀態(tài)中，由于流過包含于各存儲(chǔ)單元的2個(gè)晶體管的數(shù)據(jù)信號(hào)電流不同，故可避免差動(dòng)放大器的輸出不定。


圖1是作為本發(fā)明的實(shí)施方式的EPROM的概略電路構(gòu)成圖。
圖2是實(shí)施方式的EPROM的存儲(chǔ)單元的概略平面圖。
圖中2-存儲(chǔ)單元，4-字線，6、8-位線，10-Y地址譯碼器，12-X地址譯碼器，14-差動(dòng)放大器，20、22-MOSFET，24、26-電容器，30、32-活性區(qū)域，34、36-浮柵電極，38、40-控制柵電極，42-源極區(qū)域，44、46-漏極區(qū)域。
具體實(shí)施例方式
以下根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式(以下稱實(shí)施方式)進(jìn)行說明。
圖1是作為本發(fā)明的實(shí)施方式的EPROM的概略電路構(gòu)成圖。在此，例示出可存儲(chǔ)256位數(shù)據(jù)的構(gòu)成。對(duì)數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置存儲(chǔ)單元2，二維配置為16行16列。將8位地址的高位4位設(shè)為Y地址，將低位4位設(shè)為X地址，Y地址指定存儲(chǔ)單元陣列的行位置，X地址指定存儲(chǔ)單元陣列的列位置。
各存儲(chǔ)單元2具有與存儲(chǔ)單元2-1和2-2示出的電路相同的構(gòu)成。各存儲(chǔ)單元2連接于1根字線4和2根位線6、8，而且，接受電源VDD的供電。Y地址輸入到Y(jié)地址譯碼器10中，Y地址譯碼器10將規(guī)定電壓作為行選擇信號(hào)施加到由Y地址指定的字線上。另一方面，X地址輸入到X地址譯碼器12，X地址譯碼器12將連接于由X地址指定位置的存儲(chǔ)單元2的列上的位線6、8的對(duì)設(shè)為低阻抗。
存儲(chǔ)單元2分別具有2個(gè)MOSFET20、22。這些MOSFET20、22具有連接于字線的控制柵電極；可以注入并保持電荷的浮柵電極；連接于電源VCC的源極；和連接于位線的漏極。在此所示的MOSFET20、22，控制柵電極和浮柵電極間電容耦合，在圖1中，電容器24、26表示該電容耦合。在MOSFET20、22是n-MOS時(shí)，VDD為接地電位。
在對(duì)存儲(chǔ)單元2的數(shù)據(jù)寫入動(dòng)作中，可以向一方MOSFET的浮柵電極注入電荷。浮柵電極是與其他絕緣的獨(dú)立電極，注入的電荷只要不進(jìn)行照射紫外線所導(dǎo)致的擦除動(dòng)作，就基本上可以保持，可使該電荷的電位向正負(fù)任何一方移動(dòng)，另一方面，未注入電荷的浮柵電極的電位保持中性。注入的電荷在MOSFET20、22是n-MOS時(shí)為電子，此時(shí)，浮柵電極的電位移動(dòng)到負(fù)側(cè)。通過注入到該浮柵電極的電荷，控制柵電極波及溝道的電場(chǎng)被屏蔽，MOSFET的閾值電壓Vt變高。
當(dāng)MOSFET20、22由n-MOS構(gòu)成時(shí)，作為選擇信號(hào)，規(guī)定的正電壓施加到字線上。伴隨其的控制柵電極的電位變化的影響介由浮柵電極波及到連接于該字線柵的存儲(chǔ)單元2的MOSFET20、22的溝道。在此，注入了電荷的浮柵電極屏蔽該行選擇信號(hào)的影響，因此，對(duì)應(yīng)的MOSFET保持在截止?fàn)顟B(tài)。另一方面，沒有向浮柵電極注入電荷的MOSFET根據(jù)控制柵電極的電位變化，成為導(dǎo)通狀態(tài)。
如果連接于呈導(dǎo)通狀態(tài)的MOSFET的位線由X地址譯碼器12進(jìn)行選擇，則電流流過該MOSFET，其作為數(shù)據(jù)信號(hào)電流，通過該位線取出。另一方面，截止?fàn)顟B(tài)的MOSFET，即使由X地址譯碼器12選擇連接于其上的位線，電流也不會(huì)流過溝道，位線上的數(shù)據(jù)電流幾乎為0。
這樣，由以Y地址譯碼器10及X地址譯碼器12選擇的行及列的存儲(chǔ)單元2的MOSFET20、22分別取出數(shù)據(jù)信號(hào)電流，介由這些位線6、8導(dǎo)入差動(dòng)放大器14的輸入端。差動(dòng)放大器14將來自位線6的數(shù)據(jù)信號(hào)電流輸入到一方的輸入端，將來自位線8的數(shù)據(jù)信號(hào)電流輸入到另一方的輸入端，根據(jù)這些數(shù)據(jù)信號(hào)電流的差，讀出存儲(chǔ)于選擇完的存儲(chǔ)單元2的1位數(shù)據(jù)。
圖2是實(shí)施方式的EPROM的存儲(chǔ)單元2的概略平面圖，在左半部形成有MOSFET20，在右半部形成有MOSFET22。例如，在含有p形雜質(zhì)的硅基板上，分別形成沿行的方向(在圖中為水平方向)延伸的梳型形狀活性區(qū)域30、32。該活性區(qū)域30、32是通過在其以外的部分形成局部氧化膜(LOCOS)而實(shí)現(xiàn)的。通過在活性區(qū)域32中高濃度地?fù)诫sn形雜質(zhì)，以形成低電阻的雜質(zhì)區(qū)域，該雜質(zhì)區(qū)域被作為字線4。
以和相當(dāng)于活性區(qū)域32的梳齒的突起部重疊的方式形成浮柵電極34、36。例如，浮柵電極34、36形成為L(zhǎng)字型，配置為L(zhǎng)字的垂直部分34v、36v如上所述地與活性區(qū)域32重疊，另一方面，L字的水平部分34h、36h橫穿活性區(qū)域的突起部。浮柵電極34、36例如由多晶硅形成，在與各活性區(qū)域之間設(shè)置氧化膜等絕緣膜，而且，如上所述，作為孤立電極而形成。浮柵電極34、36的垂直部分34v、36v介由上述氧化膜，與活性區(qū)域32的雜質(zhì)區(qū)域電容耦合，形成電容器24、26，重疊于該垂直部分34v、36v的活性區(qū)域32的雜質(zhì)區(qū)域作為控制柵電極38、40發(fā)揮功能。
再者，在沒有由活性區(qū)域30的浮柵電極34、36覆蓋的部分上，高濃度地?fù)诫sn形雜質(zhì)，以形成低電阻的雜質(zhì)區(qū)域。該雜質(zhì)區(qū)域中、與水平方向相連的部分作為源極區(qū)域42，連接于電源VDD。另一方面，該雜質(zhì)區(qū)域中、活性區(qū)域30的突起部的前端部分成為漏極區(qū)域44、46。
在沿列的垂直方向上配置位線6、8，各位線6、8介由接點(diǎn)分別與漏極區(qū)域44、46電阻接觸。例如，由鎢形成位線6、8。
在該構(gòu)成中，MOSFET20、22各自的溝道寬度WA、WB由與浮柵電極的水平部分34h、36h的重疊部分中的活性區(qū)域30的突起部的寬度來規(guī)定，另一方面，各自的溝道長(zhǎng)度LA、LB由與活性區(qū)域30的突起部間的重疊部分中的浮柵電極的水平部分34h、36h的寬度來規(guī)定。
本裝置的主要特征在于，構(gòu)成為在電荷沒有注入到浮柵電極34、36的初始狀態(tài)中，MOSFET20、22由Y地址譯碼器10、X地址譯碼器12選擇的情況下，流過其的數(shù)據(jù)電流IHA、IHB不同。在圖2所示的例中，作為實(shí)現(xiàn)其的構(gòu)成，以使溝道WA、WB成為WA＜WB的方式形成MOSFET20、22。由此可實(shí)現(xiàn)IHA＜IHB。
下面說明該EPROM的動(dòng)作。首先，說明數(shù)據(jù)的寫入動(dòng)作。根據(jù)上述MOSFET20、22的構(gòu)成，在初始狀態(tài)中，基本上在各存儲(chǔ)單元2中可設(shè)IHA＜IHB，在差動(dòng)放大器14的輸出中，相對(duì)于各存儲(chǔ)單元2，可得到恒定的輸出電平。在此，將該初始狀態(tài)下的差動(dòng)放大器14的輸出定義為數(shù)據(jù)“0”。用戶可根據(jù)從自此要寫入數(shù)據(jù)的本EPROM的各存儲(chǔ)單元2讀出的數(shù)據(jù)都為“0”，容易地判斷出該EPROM正被初始化。
在向存儲(chǔ)單元2寫入數(shù)據(jù)時(shí)，可以進(jìn)行將電荷注入該存儲(chǔ)單元2的任何一個(gè)MOSFET的浮柵電極的動(dòng)作。在該電荷注入中，Y地址譯碼器10選擇對(duì)應(yīng)于包含將電荷注入浮柵電極的MOSFET的存儲(chǔ)單元2的字線4，X地址譯碼器12選擇對(duì)應(yīng)于該存儲(chǔ)單元2的2個(gè)位線中、對(duì)應(yīng)于電荷注入側(cè)的MOSFET的一方。向選擇完的MOSFET的控制柵電極和漏極區(qū)域之間施加高電壓(如10～20V)，使電流流過該MOSFET的溝道。通過控制柵電極和浮柵電極的電容耦合，在浮柵電極和漏極區(qū)域之間也被施加高電壓，流過MOSFET的一部分電子因漏極區(qū)域附近的高電場(chǎng)而加速，從而獲得能量，越過柵極絕緣膜的能量勢(shì)壘并注入到浮柵電極。如上所述，由于浮柵電極是孤立電極，故可長(zhǎng)時(shí)間保持注入的電荷。
在本EPROM中，將數(shù)據(jù)“1”寫入存儲(chǔ)單元2時(shí)，將電荷(電子)注入溝道寬度寬的MOSFET22的浮柵電極36，并將MOSFET22的閾值電壓Vt上升得比與其構(gòu)成對(duì)的溝道寬度窄的MOSFET20還高。由此，將MOSFET22的數(shù)據(jù)信號(hào)電流設(shè)為比IHA低的值ILB，MOSFET20、22間的數(shù)據(jù)信號(hào)電流的大小關(guān)系從數(shù)據(jù)“0”狀態(tài)反轉(zhuǎn)。再者，通過提高Vt，從而MOSFET22即使在存儲(chǔ)單元2的選擇時(shí)也通常設(shè)定為截止?fàn)顟B(tài)，基本上是ILB＝0。
另一方面，在本EPROM中，在初始化狀態(tài)下，各存儲(chǔ)單元2的MOSFET20、22間的數(shù)據(jù)信號(hào)電流的大小關(guān)系處于如上所述的數(shù)據(jù)“0”的狀態(tài)。由此，省略寫入“0”的動(dòng)作，可以實(shí)現(xiàn)寫入處理的高速化。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定且可靠的數(shù)據(jù)“0”狀態(tài)，也可以執(zhí)行與上述“1”的寫入動(dòng)作相反的動(dòng)作，即也可進(jìn)行將電荷注入溝道寬度窄的MOSFET20的浮柵電極34并提高其Vt的處理。此時(shí)，MOSFET20的數(shù)據(jù)信號(hào)電流變?yōu)楸菼HA低的值ILA。而且，通過提高Vt，從而基本上實(shí)現(xiàn)ILA＝0。
以下敘述從本EPROM將如上所述地寫入的數(shù)據(jù)讀出的動(dòng)作。通過指定地址，從而在讀出對(duì)象存儲(chǔ)單元2的字線4上施加行選擇信號(hào)，而且，該存儲(chǔ)單元2的位線6、8都被置于低阻抗。從保持?jǐn)?shù)據(jù)“0”的存儲(chǔ)單元2開始，數(shù)據(jù)信號(hào)電流IHA被取出到位線6，數(shù)據(jù)信號(hào)電流IHB被取出到位線8。如上所述，IHA＜IHB，對(duì)應(yīng)于該大小關(guān)系，差動(dòng)放大器14輸出對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)“0”的電壓電平。而且，在對(duì)MOSFET20進(jìn)行電荷注入并向存儲(chǔ)單元2寫入數(shù)據(jù)“0”的情況下，ILA被取出到位線6。
另一方面，從寫入數(shù)據(jù)“1”的存儲(chǔ)單元2開始，數(shù)據(jù)信號(hào)電流IHA被取出到位線6，數(shù)據(jù)信號(hào)電流ILB被取出到位線8。如上所述IHA＞ILB，對(duì)應(yīng)于該大小關(guān)系，差動(dòng)放大器14輸出對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)“1”的電壓電平。
再者，在上述構(gòu)成中，通過在MOSFET20、22的溝道寬度上設(shè)置差，從而將初始化狀態(tài)下的MOSFET20的數(shù)據(jù)信號(hào)電流IHA設(shè)定得比MOSFET22的數(shù)據(jù)信號(hào)電流IHB小，由此可避免在初始化狀態(tài)下差動(dòng)放大器14的輸出變得不確定。在此，作為對(duì)初始化狀態(tài)的數(shù)據(jù)信號(hào)電流設(shè)置差異的構(gòu)成，可應(yīng)用其他方式。該其他構(gòu)成的一例是LA＞LB，即，使MOSFET20的溝道長(zhǎng)度LA比MOSFET22的溝道長(zhǎng)度LB長(zhǎng)。即使這種構(gòu)成，也與縮小溝道寬度的上述構(gòu)成相同，溝道電阻在MOSFET20中比MOSFET22的大，針對(duì)初始化狀態(tài)的各個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)電流IHA、IHB可設(shè)IHA＜IHB的大小關(guān)系。
另外一例是使溝道和浮柵電極和電容耦合在2個(gè)MOSFET20、22間存在差異的構(gòu)成。例如，通過使構(gòu)成溝道的活性區(qū)域和浮柵電極間的柵極氧化膜厚度在MOSFET20中比MOSFET22的還厚，從而可將MOSFET20的Vt提高得比MOSFET22的Vt高。
其他示例是使浮柵電極和控制柵電極的電容耦合在2個(gè)MOSFET20、22間存在差異的構(gòu)成。例如，將MOSFET20中的浮柵電極34和控制柵電極38間的重疊面積形成得比MOSFET22的還小。由此，施加于控制柵電極的行選擇信號(hào)對(duì)溝道的影響在MOSFET20中變小，使數(shù)據(jù)信號(hào)電流變得比MOSFET22的還小。
權(quán)利要求
1.一種紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中具有具備以共同的選擇信號(hào)選擇的一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)型晶體管的存儲(chǔ)單元；和根據(jù)從該一對(duì)晶體管各自取出的數(shù)據(jù)信號(hào)電流的相互大小關(guān)系，讀取記錄于所述存儲(chǔ)單元中的1比特?cái)?shù)據(jù)的差動(dòng)放大器，其特征在于，所述一對(duì)晶體管在擦除了所述存儲(chǔ)單元的所述數(shù)據(jù)的狀態(tài)下，在相互的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電流間具有規(guī)定的信號(hào)電流差。
2.一種紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中具有具備由以共同的選擇信號(hào)選擇的第1晶體管和第2晶體管構(gòu)成的一對(duì)晶體管的存儲(chǔ)單元；和根據(jù)分別由所述第1晶體管和所述第2晶體管取出的數(shù)據(jù)信號(hào)電流相互的大小關(guān)系，讀取記錄于所述存儲(chǔ)單元中的1比特的數(shù)據(jù)的差動(dòng)放大器，其特征在于，所述第1晶體管，在擦除了所述存儲(chǔ)單元的所述數(shù)據(jù)的狀態(tài)下，生成僅比所述第2晶體管大規(guī)定信號(hào)電流差的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電流；根據(jù)寫入所述存儲(chǔ)單元的所述數(shù)據(jù)，將電荷注入浮柵電極，在注入該電荷的狀態(tài)下，生成比所述第2晶體管小的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述一對(duì)晶體管具有互相不同的溝道寬度，根據(jù)該溝道寬度的不同產(chǎn)生所述信號(hào)電流差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述一對(duì)晶體管具有互相不同的溝道長(zhǎng)度，根據(jù)該溝道長(zhǎng)度的不同產(chǎn)生所述信號(hào)電流差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述一對(duì)晶體管在溝道和浮柵電極間具有厚度相互不同的絕緣膜，根據(jù)該絕緣膜的厚度不同而產(chǎn)生所述信號(hào)電流差。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述一對(duì)晶體管使浮柵電極和施加所述選擇信號(hào)的控制柵電極間的靜電電容相互不同，根據(jù)該靜電電容的差異而產(chǎn)生所述信號(hào)電流差。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以通過紫外線擦除保存的數(shù)據(jù)的紫外線擦除型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。使構(gòu)成存儲(chǔ)單元的2個(gè)MOSFET中一個(gè)的溝道寬度W
文檔編號(hào)H01L27/115GK1661801SQ20051000423
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2005年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月25日
發(fā)明者熊谷幸久 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社