專利名稱：復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與一種晶圓封裝有關(guān)，特別是有關(guān)于一種復(fù)晶球陣列(FlipChip Ball Grid ArrayFCBGA)封裝的結(jié)構(gòu)，上述封裝結(jié)構(gòu)可以避免焊錫球與印刷電路板結(jié)合后，因?yàn)闇囟茸兓a(chǎn)生位移拉力加大造成焊錫球龜裂而開路(open)的情形。
先前技術(shù)早期的導(dǎo)線架封裝技術(shù)已經(jīng)不適合端點(diǎn)(terminals)密度過高的更進(jìn)步的半導(dǎo)體晶粒。因此，一新的球陣列(Ball Grid ArrayBGA)封裝技術(shù)已經(jīng)發(fā)展以滿足上述更進(jìn)步的半導(dǎo)體晶粒的封裝需求。上述球陣列封裝具有一個(gè)好處，也就是它的球形端點(diǎn)(terminals)具有比上述導(dǎo)線架封裝來得小的間距(pitch)，并且上述端點(diǎn)(terminals)不容易損害與變形。此外，較短的信號傳遞距離可以有益于提升操作頻率以符合更快效率的需求。大部分的封裝技術(shù)都是先將一晶圓上的晶粒分離成為個(gè)別的晶粒，然后再在封裝與測試上述個(gè)別的晶粒。另外，一種稱為晶圓型態(tài)封裝(wafer level packageWLP)的封裝技術(shù)可以在分離個(gè)別的晶粒的前就封裝上述晶圓上的晶粒。上述晶圓型態(tài)封裝(wafer levelpackageWLP)具有一些好處，例如一個(gè)較短的生產(chǎn)周期(cycle time)、較低的價(jià)格以及不需要填充物(under-fill)或鑄模(molding)。
此外，目前市場上所使用的封裝(package)部分結(jié)構(gòu)如圖1所示。其中包含一絕緣層103與一集成電路元件100的保護(hù)層(passivation)102，上述絕緣層103的材質(zhì)可以為厚度5微米(micron)的BCB、聚乙醯(polyimides)等介電材質(zhì)，而保護(hù)層102的材質(zhì)可以為聚乙醯(polyimides)或氮化硅(SiN)。重布導(dǎo)電層(RDLredistribution layer)104與上述絕緣層103、集成電路元件的鋁墊(Al pads)101結(jié)合，上述重布導(dǎo)電層104的材質(zhì)可以為厚度15微米(micron)的銅鎳金(Cu/Ni/Au)合金。此外，絕緣層105復(fù)蓋上述導(dǎo)電層104，且上述絕緣層105中具有復(fù)數(shù)個(gè)開口，每一該開口上具有一焊錫球(solder ball)106以利于與一印刷電路板(PCB)或外部裝置電性連接。上述絕緣層105的材質(zhì)可以為BCB、環(huán)氧化物(Epoxy)、樹脂(Resin)或聚乙醯(polyimides)等介電材質(zhì)。
上面所述的傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu)通常使用最外層材料來加強(qiáng)固定焊錫球106。其缺點(diǎn)包含上述導(dǎo)電層104與絕緣層103的結(jié)合強(qiáng)度太強(qiáng)而導(dǎo)致負(fù)面效應(yīng)。當(dāng)焊錫球106與印刷電路板結(jié)合后因溫度變化而產(chǎn)生拉力時(shí)，在受力區(qū)107于上述焊錫球106與導(dǎo)電層104的接合處將因?yàn)闇囟茸兓a(chǎn)生位移拉力加大，結(jié)果造成焊錫球106與焊墊(pad)之間龜裂而形成開路(open circuit)的情況。
有監(jiān)于此，本發(fā)明提出一改良性封裝的結(jié)構(gòu)以改善以上的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種復(fù)晶球陣列(Flip Chip Ball GridArrayFCBGA)封裝的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)可以避免焊錫球與印刷電路板結(jié)合后，因?yàn)闇囟茸兓a(chǎn)生位移拉力加大(enforcing stress)而造成焊錫球龜裂導(dǎo)致開路(open circuit)的情形。
本發(fā)明揭露一種復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一基底，具有復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線；復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊，電性耦合該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線；一圖案化第一彈性介電層，復(fù)蓋晶片上的保護(hù)層的部分區(qū)域；一導(dǎo)電層，形成于該圖案化第一彈性介電層之上，基于該圖案化第一彈性介電層的圖案而產(chǎn)生曲折的導(dǎo)電層圖案，其中該曲折導(dǎo)電層圖案是部分附著于該保護(hù)層之上與部分附著于該圖案化第一彈性介電層之上；以及一第二彈性介電層，復(fù)蓋該導(dǎo)電層，該第二彈性介電層具有復(fù)數(shù)個(gè)開口，每一該開口上具有該復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊的一以利于與該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之一耦合。
其中還包含一印刷電路版，具有復(fù)數(shù)個(gè)焊錫球電性耦接該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線。
其中還包含一填充物質(zhì)形成于該復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊之間。
其中當(dāng)該焊錫凸塊置于該基底之上時(shí)，該封裝結(jié)構(gòu)的固定區(qū)中的該導(dǎo)電層不會直接受力到該晶片的焊墊上，該曲折的導(dǎo)電層圖案作為該封裝結(jié)構(gòu)的緩沖物以用來吸收拉力。
其中還包含一圖案化的第三絕緣層形成于該圖案化第一彈性介電層與該導(dǎo)電層之間。
其中該第三絕緣層的材質(zhì)為BCB、硅膠、環(huán)氧化物、聚乙醯或樹脂。
其中該第一彈性介電層的材質(zhì)為BCB、硅膠、環(huán)氧化物、聚乙醯或樹脂。
其中該保護(hù)層的材質(zhì)為聚乙醯。
其中該導(dǎo)電層的材質(zhì)為一金屬合金。
其中該金屬合金為鈦銅合金或銅鎳金合金；該鈦銅合金是利用濺鍍方式形成，而該銅鎳金合金是利用電鍍方式形成。
其中該鈦銅合金是利用濺鍍方式形成。
其中該銅鎳金合金是利用電鍍方式形成。
其中該金屬合金的厚度為10微米到20微米之間。
其中該焊墊的材質(zhì)為鋁或銅。
其中該第二彈性介電層的材質(zhì)為BCB、硅膠、環(huán)氧化物、聚乙醯或樹脂。
其中該曲折的導(dǎo)電層圖案是從該焊墊延伸至該焊錫凸塊下的焊錫墊，并且一線段與一徑向方向之間的夾角是大于450度，其中該線段是從該晶片中心至該焊錫凸塊中心，而該徑向方向是從該焊錫凸塊中心至該曲折的導(dǎo)電層圖案離開該焊錫凸塊的方向。
由于該第一與第二彈性介電層本身的功效與該第一、第二彈性介電層與該導(dǎo)電層之間較差的附著力，當(dāng)該基底的熱膨脹比該晶片的熱膨脹還高時(shí)，該焊錫凸塊被提起而不會裂開。
本發(fā)明一種封裝的導(dǎo)電凸塊的配置，其特征在于，包含復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，形成于一晶粒之上；以及復(fù)數(shù)個(gè)金屬凸塊，形成于該晶粒之上并且由導(dǎo)線而連接該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；其中一線段與一徑向方向之間的夾角是大于450度，該線段是從該晶粒中心至該金屬凸塊中心，而該徑向方向是從該金屬凸塊中心至該導(dǎo)線離開該金屬凸塊的方向。
其中該導(dǎo)線是從該焊墊延伸至該金屬凸塊下的墊。


由以下詳細(xì)的描述結(jié)合附圖所示，將可輕易的了解上述內(nèi)容及此項(xiàng)創(chuàng)作的諸多優(yōu)點(diǎn)，其中圖1為傳統(tǒng)的晶圓型態(tài)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明的一封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3為根據(jù)本發(fā)明的一晶圓型態(tài)封裝結(jié)構(gòu)的一晶片的導(dǎo)電層圖案與焊錫凸塊(solder bumps)之上視圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的一復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明的一復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
實(shí)施方法本發(fā)明揭露一種封裝的后段(backend)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明詳細(xì)說明如下，所述的較佳實(shí)施例只做一說明非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明揭露一種復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)，一圖案化彈性介電層復(fù)蓋一底層的部分區(qū)域，一導(dǎo)電層形成于上述圖案化彈性介電層之上，結(jié)果基于上述圖案化彈性介電層的圖案而產(chǎn)生曲折的導(dǎo)電層圖案以用來吸收拉力。上述彈性介電層的材料包括BCB、硅膠(SINR)、環(huán)氧化物(Epoxy)、聚乙醯(polyimides)或樹脂(Resin)。上述導(dǎo)電層的材質(zhì)為一金屬合金。
請參閱圖2，其為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。其中以一封裝做一說明，非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明包含一圖案化彈性介電層203復(fù)蓋一元件200的保護(hù)層(passivation layer)202的部分區(qū)域，上述彈性介電層203的材質(zhì)可以為介電材質(zhì)所形成，例如BCB、硅膠(SINR)、環(huán)氧化物(Epoxy)、聚乙醯(polyimides)或樹脂(Resin)等介電材質(zhì)。上述圖案化彈性介電層203具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔以曝露底層的保護(hù)層(passivation)202。上述圖案化彈性介電層203及保護(hù)層202區(qū)域所形成的受力區(qū)207將遭受(suffer)外力的影響，如圖2所示區(qū)域。而上述保護(hù)層(passivation layer)202的材質(zhì)可以包含聚乙醯(polyimides)以及氮化硅材質(zhì)。
重布導(dǎo)電層(RDLredistribution layer)204形成于圖案化彈性介電層203之上，基于上述圖案化彈性介電層203而產(chǎn)生至少一曲折或彎曲的導(dǎo)電層圖案。在一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電層204的材質(zhì)可以為導(dǎo)電材質(zhì)所形成，例如可以為厚度15微米(micron)的鈦銅(Ti/Cu)合金或銅鎳金(Cu/Ni/Au)合金。上述鈦銅(Ti/Cu)合金可以利用濺鍍方式形成，而銅鎳金(Cu/Ni/Au)合金則可以利用電鍍方式形成。焊墊201的材質(zhì)可以為導(dǎo)電材質(zhì)所形成，例如鋁(Al)或銅(Cu)。
另外，一圖案化彈性介電層205形成于導(dǎo)電層204之上，上述圖案化彈性介電層205具有復(fù)數(shù)個(gè)開口，其中每一開口上具有一接觸金屬球206以利于與一印刷電路板(PCB)或外部裝置(未圖示)電性連接。上述接觸金屬球206可以為導(dǎo)電球，例如為焊錫球(solder ball)206。上述圖案化彈性介電層205的材質(zhì)可以為BCB、硅膠(SINR)、環(huán)氧化物(Epoxy)、聚乙醯(polyimides)或樹脂(Resin)等介電材質(zhì)。
由本發(fā)明所揭露的設(shè)計(jì)，因?yàn)樯鲜霰Ｗo(hù)層202緊緊抓住(catches)導(dǎo)電層204，所以鄰接上述封裝結(jié)構(gòu)的固定區(qū)域210中的導(dǎo)電層204不會直接受力到上述集成電路元件200內(nèi)連線(inter-connector)的焊墊201之上。當(dāng)焊錫球206附著到印刷電路板時(shí)可能引發(fā)熱應(yīng)力(termal stress)，但是由于上述導(dǎo)電層204直接鄰接保護(hù)層202因此溫度的影響將被降低。
另外，在上述封裝結(jié)構(gòu)的緩沖區(qū)209中，上述導(dǎo)電層204部分附著于保護(hù)層202之上與部分附著于彈性介電層203之上，使得上述導(dǎo)電層204形成彎曲的圖案。由于上述導(dǎo)電層的圖案以及彎曲的結(jié)構(gòu)，使得上述導(dǎo)電層可以作為一緩沖物以釋放(release)熱應(yīng)力，結(jié)果由溫度變化所產(chǎn)生的應(yīng)力將被分散掉。因?yàn)樯鲜鰧?dǎo)電層204與彈性介電層203之間的結(jié)合度不佳，當(dāng)受到外力作用時(shí)，導(dǎo)電層204會從彈性介電層203的表面輕微的剝離(peel)。由于具有曲折設(shè)計(jì)的彎曲導(dǎo)電層圖案，使得上述導(dǎo)電層的延展性(extension)增加，結(jié)果透過輕微的剝離(peel)可以吸收上述熱應(yīng)力。因此，上述結(jié)構(gòu)可以延長其使用壽命(life cycle)，尤其是對于遠(yuǎn)離焊墊的焊錫球206而言。
再者，上述導(dǎo)電層204的曲折結(jié)構(gòu)是從上述焊墊(bonding pad)201延伸至焊錫球206下的焊錫墊。舉一實(shí)施例而言，在本結(jié)構(gòu)中，一線段與一徑向方向(radius orientation)之間的夾角ψ是大于450(度)，上述線段是從上述晶片中心C1至焊錫球206中心C2，而上述徑向方向是從焊錫球206中心C2至上述曲折結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層204離開焊錫球206的方向，如圖3所示。由于上述第一與第二彈性介電層203、205本身的功效(performance)以及第一、第二彈性介電層203、205與導(dǎo)電層204之間較差的附著力，當(dāng)基底(substrate)的熱膨脹比上述復(fù)晶的熱膨脹還高時(shí)，上述焊錫球206可以被提起(lifted)而不會裂開(broken)。因此，由上述焊錫球206開始之上述導(dǎo)線所延伸的角度與其配置的形狀，上述填充物質(zhì)(under-fill material)可以被省略。因此，由上述設(shè)計(jì)可以節(jié)省成本以及簡化制程。舉例而言，圖3中顯示了上述焊錫球之上視圖。上述焊墊(bonding pad)延伸至焊錫墊(solder pad)的焊錫球A13，在X/Y方向(紙面)的導(dǎo)線已經(jīng)被修正，一但基底(substrate)的熱膨脹比上述復(fù)晶的熱膨脹還高時(shí)，由于上述彈性介電層材料的彈性與高延展性的功效(performance)以及金屬與硅膠(SINR)之間較差的附著力，使得上述焊錫球A13可以被提起(lifted)而不會于接合處裂開(broken)。
本發(fā)明亦包含一圖案化的彈性介電層208形成于彈性介電層203與導(dǎo)電層204之間，以增加上述焊錫球的下的導(dǎo)電層的曲折程度(也就是增加上述曲折形狀的數(shù)量)。上述彈性介電層208的材質(zhì)可以為BCB、硅膠(SINR)、環(huán)氧化物(Epoxy)、聚乙醯(polyimides)或樹脂(Resin)等介電材質(zhì)。
如圖4所示，其為根據(jù)本發(fā)明的一復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。上述的復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)與圖2的封裝結(jié)構(gòu)相同。一填充物質(zhì)(under-fill material)404是形成以填滿晶片400上的復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊402之間。重布導(dǎo)電層(RDLredistribution layer)401是為一具有彎曲或曲折的導(dǎo)電層圖案以與上述焊錫凸塊402電性耦合。一彈性介電層403是形成以隔絕上述重布導(dǎo)電層(RDLredistribution layer)401。一基底405的導(dǎo)線408與接觸墊407是形成以分別電性耦合上述焊錫凸塊402與焊錫球406。此外，形成于上述基底405上的焊錫球406可以電性耦接一印刷電路板或外部裝置。
如圖5所示，其為根據(jù)本發(fā)明的一復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。上述的復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)與圖2的封裝結(jié)構(gòu)相同。在本實(shí)施例中，上述填充物質(zhì)(under-fill material)被省略，也就是說，其不需填滿晶片500上的復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊502之間。重布導(dǎo)電層(RDLredistribution layer)501是為一具有彎曲或曲折的導(dǎo)電層圖案以與上述焊錫凸塊502電性耦合。一基底503的接觸(contacts)504、505是形成以分別電性耦合上述焊錫凸塊502與焊錫球506。此外，形成于上述基底503上的焊錫球506可以透過焊錫球506耦接接觸508而電性耦接一印刷電路板(PCB)507。
因此，根據(jù)本發(fā)明，上述封裝的結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)如下本發(fā)明的復(fù)晶球陣列(Flip Chip Ball Grid ArrayFCBGA)封裝結(jié)構(gòu)可以避免焊錫球與印刷電路板結(jié)合后，因?yàn)闇囟茸兓a(chǎn)生位移拉力加大造成焊錫球龜裂而開路(open circuit)的情形；此外，不需另外使用額外的材料來加強(qiáng)固定焊錫球。
本發(fā)明以較佳實(shí)施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明所主張的專利權(quán)利范圍。其專利保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍及其等同領(lǐng)域而定。凡熟悉此領(lǐng)域技術(shù)的人士，在不脫離本專利精神或范圍內(nèi)，所作的更動或潤飾，均屬于本發(fā)明所揭示精神下所完成的等效改變或設(shè)計(jì)，且應(yīng)包含在下述的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一基底，具有復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線；復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊，電性耦合該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線；一圖案化第一彈性介電層，復(fù)蓋晶片上的保護(hù)層的部分區(qū)域；一導(dǎo)電層，形成于該圖案化第一彈性介電層之上，基于該圖案化第一彈性介電層的圖案而產(chǎn)生曲折的導(dǎo)電層圖案，其中該曲折導(dǎo)電層圖案是部分附著于該保護(hù)層之上與部分附著于該圖案化第一彈性介電層之上；以及一第二彈性介電層，復(fù)蓋該導(dǎo)電層，該第二彈性介電層具有復(fù)數(shù)個(gè)開口，每一該開口上具有該復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊的一以利于與該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線之一耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中還包含一印刷電路版，具有復(fù)數(shù)個(gè)焊錫球電性耦接該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線。
3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中還包含一填充物質(zhì)形成于該復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊之間。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中當(dāng)該焊錫凸塊置于該基底之上時(shí)，該封裝結(jié)構(gòu)的固定區(qū)中的該導(dǎo)電層不會直接受力到該晶片的焊墊上，該曲折的導(dǎo)電層圖案作為該封裝結(jié)構(gòu)的緩沖物以用來吸收拉力。
5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中還包含一圖案化的第三絕緣層形成于該圖案化第一彈性介電層與該導(dǎo)電層之間。
6.如權(quán)利要求5所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第三絕緣層的材質(zhì)為BCB、硅膠、環(huán)氧化物、聚乙醯或樹脂。
7.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一彈性介電層的材質(zhì)為BCB、硅膠、環(huán)氧化物、聚乙醯或樹脂。
8.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該保護(hù)層的材質(zhì)為聚乙醯。
9.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該導(dǎo)電層的材質(zhì)為一金屬合金。
10.如權(quán)利要求9所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該金屬合金為鈦銅合金或銅鎳金合金；該鈦銅合金是利用濺鍍方式形成，而該銅鎳金合金是利用電鍍方式形成。
11.如權(quán)利要求10所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該鈦銅合金是利用濺鍍方式形成。
12.如權(quán)利要求10所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該銅鎳金合金是利用電鍍方式形成。
13.如權(quán)利要求10所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該金屬合金的厚度為10微米到20微米之間。
14.如權(quán)利要求4所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該焊墊的材質(zhì)為鋁或銅。
15.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二彈性介電層的材質(zhì)為BCB、硅膠、環(huán)氧化物、聚乙醯或樹脂。
16.如權(quán)利要求1所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該曲折的導(dǎo)電層圖案是從該焊墊延伸至該焊錫凸塊下的焊錫墊，并且一線段與一徑向方向之間的夾角是大于450度，其中該線段是從該晶片中心至該焊錫凸塊中心，而該徑向方向是從該焊錫凸塊中心至該曲折的導(dǎo)電層圖案離開該焊錫凸塊的方向。
17.如權(quán)利要求16所述的復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)，其特征在于，由于該第一與第二彈性介電層本身的功效與該第一、第二彈性介電層與該導(dǎo)電層之間較差的附著力，當(dāng)該基底的熱膨脹比該晶片的熱膨脹還高時(shí)，該焊錫凸塊被提起而不會裂開。
18.一種封裝的導(dǎo)電凸塊的配置，其特征在于，包含復(fù)數(shù)個(gè)焊墊，形成于一晶粒之上；以及復(fù)數(shù)個(gè)金屬凸塊，形成于該晶粒之上并且由導(dǎo)線而連接該復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；其中一線段與一徑向方向之間的夾角是大于450度，該線段是從該晶粒中心至該金屬凸塊中心，而該徑向方向是從該金屬凸塊中心至該導(dǎo)線離開該金屬凸塊的方向。
19.如權(quán)利要求18的封裝的導(dǎo)電凸塊的配置，其特征在于，其中該導(dǎo)線是從該焊墊延伸至該金屬凸塊下的墊。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種復(fù)晶球陣列封裝的結(jié)構(gòu)。上述復(fù)晶球陣列封裝結(jié)構(gòu)包含一具有復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊(solder bumps)的復(fù)晶焊錫凸塊(flip chipsolder bumping)結(jié)構(gòu)。一基底具有復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線與上述復(fù)數(shù)個(gè)焊錫凸塊電性耦合。一印刷電路板具有復(fù)數(shù)個(gè)焊錫球(solder balls)與上述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線電性耦合。
文檔編號H01L23/48GK1779958SQ20051000422
公開日2006年5月31日 申請日期2005年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月24日
發(fā)明者楊文焜 申請人:育霈科技股份有限公司