專利名稱：稀釋劑組分及用其除去光刻膠的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及稀釋劑組分及使用該稀釋劑組分除去光刻膠的方法。更具體，本發(fā)明總體上涉及具有改進(jìn)的溶解度性能的稀釋劑組分及使用該稀釋劑組分有效地除去與各種光刻膠或抗反射材料有關(guān)的邊緣珠(bead)的方法。
本申請(qǐng)要求2004年2月10日申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?004-8678的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容被全部引入作為參考。
背景技術(shù)：
具有高集成度和快速反應(yīng)速度的半導(dǎo)體器件有希望繼續(xù)發(fā)展成為信息處理設(shè)備。因此，用于制造半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展為提高半導(dǎo)體器件的集成度、可靠性和反應(yīng)速度。
為了制造常規(guī)微電路，例如，雜質(zhì)被精確地注入硅襯底上的區(qū)域，然后使雜質(zhì)區(qū)互相電連接，以形成超大規(guī)模集成電路(VLSI)電路。使用光刻工藝形成限定雜質(zhì)區(qū)的圖形。在襯底上形成光刻膠膜之后，光刻膠膜被暴露于光如紫外射線、電子束或X射線。光刻膠膜被顯影，然后襯底上的露出部分被除去。
通常，在旋轉(zhuǎn)襯底的同時(shí)涂敷光刻膠，如旋涂工序；光刻膠被均勻地涂敷在襯底的邊緣和背部。但是，涂敷在襯底的邊緣或背部的光刻膠產(chǎn)生被稱為邊緣珠的微粒，該邊緣珠在后續(xù)工序如刻蝕工序或離子注入工序中可能導(dǎo)致工序失敗。因此，通常需要使用稀釋劑組分的邊緣珠去除(EBR)工序從襯底除去不想要的顆粒。
有時(shí)，在光刻工序過(guò)程中可能發(fā)生光刻膠圖形的損壞。當(dāng)光刻膠圖形的損壞發(fā)生時(shí)，為了從襯底除去損壞的光刻膠圖形，執(zhí)行再加工工序。再加工工序用于挽救襯底。
隨著半導(dǎo)體器件上的圖形變得更精細(xì)，光刻膠組分被I線射線或G線射線顯影。光刻膠組分通常包括作為主原料的酚醛清漆樹(shù)脂。此外，使用對(duì)準(zhǔn)分子激光或遠(yuǎn)紫外線敏感的放大光刻膠來(lái)制造半導(dǎo)體器件。因此，需要與這種類型的光刻膠有關(guān)的具有良好溶解度的稀釋劑組分。
例如，美國(guó)專利號(hào)5,866,305公開(kāi)了一種包含乳酸乙酯和乙基3-乙氧基丙酸酯的稀釋劑組分，以及還公開(kāi)了包含乳酸乙酯、乙基3乙氧基丙酸酯和伽馬(gamma)-丁內(nèi)酯的另一種稀釋劑組分。盡管廣泛地使用的上述稀釋劑組分相對(duì)于某些光刻膠如放大的光刻膠具有差的溶解度。此外，由于乙基3-乙氧基丙酸酯用作主原料，因此稀釋劑組分比較昂貴。此外，該稀釋劑組分相對(duì)于使用氟化氬(ArF)激光的光刻膠具有差的溶解度和EBR性能。
美國(guó)專利號(hào)6,159,646公開(kāi)了一種包含乳酸乙酯和伽馬-丁內(nèi)酯的另一常規(guī)的稀釋劑組分；一種包含乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯和伽馬-丁內(nèi)酯的稀釋劑組分；以及一種包含乳酸乙酯和乙基3-乙氧基丙酸酯鹽的稀釋劑組分。制備包含乙基3-乙氧基丙酸酯和伽馬-丁內(nèi)酯的稀釋劑組分的成本相當(dāng)高。這些稀釋劑組分相對(duì)于使用ArF激光的光刻膠也具有相當(dāng)差的溶解度。
上述常規(guī)稀釋劑組分用于再加工工序和EBR工序中；但是該稀釋劑組分對(duì)于這兩種工序都是不合宜的。
如韓國(guó)專利特許公開(kāi)公開(kāi)號(hào)2003-51129公開(kāi)了一種包含乙酸酯化合物、伽馬-丁內(nèi)酯以及非乙酸酯型酯的稀釋劑組分，該稀釋劑組分在再加工工序或EBR工序中除去使用I線射線、G線射線和氟化氪激光的光刻膠是有效的。但是，該稀釋劑組分相對(duì)于使用ArF激光的光刻膠具有差的溶解度。此外，該稀釋劑組分具有差的EBR性能。因此需要一種相對(duì)于暴露于ArF激光的光刻膠具有良好溶解度的稀釋劑組分，該稀釋劑組分有效地除去EBR工序中不需要的光刻膠且在再加工工序中是有效的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種相對(duì)于光刻膠和抗反射層具有優(yōu)異的溶解度性能、邊緣珠去除性能以及再加工性能的稀釋劑組分。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯，選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構(gòu)成的組的一種酯化合物以及甲基-2-羥基2-丙酸甲酯。
本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種稀釋劑組分，包括約30至65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯，約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯以及約20至約55％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
一種使用本發(fā)明的稀釋劑組分除去光刻膠的方法，通過(guò)在襯底上形成光刻膠膜，以及使用稀釋劑組分從襯底光刻膠膜，該稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羥基2-丙酸甲酯和選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構(gòu)成的組的至少一種酯化合物。


通過(guò)參考下面詳細(xì)說(shuō)明，同時(shí)結(jié)合附圖考慮，將使本發(fā)明的目的變得更顯而易見(jiàn)，其中圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使用稀釋劑組分除去光刻膠的方法的流程圖。
圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例使用稀釋劑組分除去光刻膠的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖更完全地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以多種不同的方式體現(xiàn)，不應(yīng)該認(rèn)為局限于在此闡述的實(shí)施例；相反，這些實(shí)施例被提供作為加工例子。應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)一個(gè)元件例如層、區(qū)域或襯底指在另一元件“上”時(shí)，它可以直接在另一個(gè)元件“上”或也可能存在插入元件。
本發(fā)明提供一種稀釋劑組分，該稀釋劑組分相對(duì)于通過(guò)氟化氬(ArF)激光暴露的光刻膠膜具有改進(jìn)的溶解度性能、邊緣珠去除(EBR)性能和再加工性能。
本發(fā)明的稀釋劑組分包含丙二醇醚乙酸酯、酯化合物以及甲基2-羥基2-丙酸甲酯。此外，丙二醇醚乙酸酯可以包括丙二醇單甲醚乙酸酯或丙二醇一乙基醚乙酸酯。這些化學(xué)劑可以單獨(dú)使用或組合使用。
當(dāng)乳酸乙酯(EL)用作酯化合物時(shí)，稀釋劑組分中的丙二醇單甲醚乙酸酯的含量?jī)?yōu)選在40至約75％重量的范圍內(nèi)。
當(dāng)稀釋劑組分包括超過(guò)約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯時(shí)，稀釋劑組分的溶解度下降。當(dāng)稀釋劑組分包括小于約40％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯，稀釋劑組分的粘滯度上升，這損壞與光刻膠有關(guān)的EBR性能。因此，稀釋劑組分優(yōu)選包括約40至約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯。更優(yōu)選，稀釋劑組分包括約50約60％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯。
當(dāng)3-乙氧基丙酸酯(EL)用作酯化合物時(shí)，稀釋劑組分中的丙二醇單甲醚乙酸酯的含量?jī)?yōu)選在約30至65％重量的范圍內(nèi)。
當(dāng)稀釋劑組分包括超過(guò)約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯時(shí)，稀釋劑組分的溶解度被減小。當(dāng)稀釋劑組分包括小于約30％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯，稀釋劑組分的粘滯度上升，損壞與光刻膠有關(guān)的EBR性能。因此，稀釋劑組分優(yōu)選包括約30至約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯。
本發(fā)明的稀釋劑組分包括酯化合物。酯化合物優(yōu)選包括乳酸乙酯或乙基3-乙氧基丙酸酯。這些化學(xué)劑可以單獨(dú)使用或組合使用。
當(dāng)乳酸乙酯用作酯化合物時(shí)，稀釋劑組分優(yōu)選包括約5至約45％重量的乳酸乙酯。當(dāng)稀釋劑組分包括超過(guò)約45％重量的乳酸乙酯時(shí)，稀釋劑組分的溶解度差，以及EBR性能被損壞。當(dāng)稀釋劑組分包括小于約5％重量的乳酸乙酯，與光刻膠有關(guān)的稀釋劑組分的EBR性能損壞。因此，稀釋劑組分中的乳酸乙酯的含量?jī)?yōu)選在約5至約45％重量的范圍內(nèi)。
當(dāng)乙基3-乙氧基丙酸酯用作酯化合物時(shí)，稀釋劑組分優(yōu)選包括約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯。當(dāng)稀釋劑組分包括超過(guò)約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯時(shí)，稀釋劑組分的溶解度被差。當(dāng)稀釋劑組分包括小于約15％重量的3-乙氧基丙酸酯，與光刻膠有關(guān)的稀釋劑組分的EBR性能被損壞。因此，稀釋劑組分中的3-乙氧基丙酸酯的含量?jī)?yōu)選在約15至約50％重量的范圍內(nèi)。例如，乙基3-乙氧基丙酸酯的含量處于約15至約40％重量的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的稀釋劑組分包括甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
當(dāng)乳酸乙酯用作酯化合物時(shí)，稀釋劑組分優(yōu)選包括約15至約50％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。當(dāng)稀釋劑組分包括小于約15％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時(shí)，與光刻膠有關(guān)的稀釋劑組分的EBR溶解度下降。當(dāng)稀釋劑組分包括超過(guò)約50％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時(shí)，稀釋劑組分的粘滯度增加，與光刻膠有關(guān)的稀釋劑組分的EBR粘滯度被損壞。因此，稀釋劑組分中的甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量?jī)?yōu)選在約15至約50％重量的范圍內(nèi)。更優(yōu)選，甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量處于約30至約40％重量的范圍內(nèi)。
當(dāng)乙基3-乙氧基丙酸酯用作酯化合物時(shí)，稀釋劑組分優(yōu)選包括約20至約55％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。當(dāng)稀釋劑組分包括小于約20％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時(shí)，稀釋劑組分的溶解度下降。當(dāng)稀釋劑組分包括超過(guò)約55％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯時(shí)，稀釋劑組分的粘滯度上升，與光刻膠有關(guān)的EBR性能被損壞。因此，稀釋劑組分中的甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量?jī)?yōu)選在約20至約55％重量的范圍內(nèi)。更優(yōu)選，甲基2-羥基2-丙酸甲酯的含量處于約30至約40％重量的范圍內(nèi)。
此外稀釋劑組分可以包括表面活性劑如含氟的表面活性劑、離子表面活性劑以及非離子表面活性劑。稀釋劑組分也可以包括約10至約550重量ppm的表面活性劑。
現(xiàn)在在下文中將參考例子和比較例子更完全地描述本發(fā)明。但是本發(fā)明不應(yīng)該被認(rèn)為局限于在此闡述的例子。
例1為了制備稀釋劑組分，在容器中混合約50％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約10的乳酸乙酯和約40％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。獲得的稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.5cP。
例2為了制備第二稀釋劑組分，在容器中混合約45％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約15％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯和約40％重量的甲基2-羥基2-丙酸甲酯。獲得的第二稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.4cP。
比較例1為了制備比較的稀釋劑組分，在容器中混合丙二醇單甲醚乙酸酯、伽馬-丁內(nèi)酯和乙基3-乙氧基丙酸酯。該比較的稀釋劑組分包括約73％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約25％重量的乙烯3-乙氧基丙酸酯以及約2％重量的伽馬-丁內(nèi)酯。獲得的比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.3cP。
比較例2為了制備第二比較的稀釋劑組分，在容器中混合乙基3-乙氧基丙酸酯、乳酸乙酯和伽馬-丁內(nèi)酯。第二比較的稀釋劑組分包括約75％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯、約20％重量的乳酸乙酯和約5％重量的伽馬-丁內(nèi)酯。獲得的第二比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.3cP。
比較例3第三比較稀釋劑組分僅僅包括丙二醇單甲醚乙酸酯。獲得的第三稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.2cP。
比較例4第四比較稀釋劑組分僅僅包括乙基3-乙氧基丙酸酯。獲得的第四比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.2cP。
比較例5為了制備第五比較稀釋劑組分，在容器中混合丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚和伽馬-丁內(nèi)酯。該稀釋劑組分包括約70％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯、約20％重量的丙二醇單甲醚和約5％重量的伽馬-丁內(nèi)酯。獲得的第五比較稀釋劑組分的粘滯度在約25℃的溫度下約為1.3cP。
相對(duì)于光刻膠類型的溶解速率的判斷實(shí)驗(yàn)1使用例子1中制備的稀釋劑組分測(cè)量相對(duì)于一般光刻膠的溶解速率。在襯底上旋涂約4.0cc的SEPR-430TM(由Shin-Etsu制造)、將通過(guò)氟化氪激光暴露的光刻膠，并在約100℃的溫度下連續(xù)地軟烘焙。這樣形成的光刻膠膜具有約12,000的厚度。包括光刻膠膜的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離光刻膠膜，然后測(cè)量溶解速率。觀察的溶解速率等于或大于約12,000/秒。
實(shí)驗(yàn)2在襯底上旋涂約4.0cc的ip-3300TM(由TOK制造)、將通過(guò)I線射線暴露的光刻膠，并在約90℃的溫度下連續(xù)地軟烘焙。這樣形成的光刻膠膜具有約12,000的厚度。包括光刻膠膜的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離光刻膠膜，然后測(cè)量溶解速率。觀察的溶解速率等于或大于約12,000/秒。
實(shí)驗(yàn)3在襯底上旋涂約4.0cc的RHR3640TM(由Shin-Etsu制造)、將通過(guò)氟化氬激光暴露的光刻膠，并在約105℃的溫度下連續(xù)地軟烘焙。這樣形成的光刻膠膜具有約2,700的厚度。包括光刻膠膜的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離光刻膠膜，然后測(cè)量溶解速率。觀察的溶解速率等于或大于約2,700/秒。
實(shí)驗(yàn)4在襯底上旋涂約4.0cc的AR46TM(由Shipley制造)、將通過(guò)氟化氬激光暴露的光刻膠，并在約90℃的溫度下連續(xù)地軟烘焙。獲得的抗反射層具有約380的厚度。包括抗反射層的襯底被浸入稀釋劑組分，以剝離抗反射層，然后測(cè)量溶解速率。觀察的溶解速率等于或大于約380/秒。
根據(jù)實(shí)驗(yàn)1至4，例子1中制備的稀釋劑組分相對(duì)于所有不同類型的光刻膠具有優(yōu)異的溶解速率。因此，可以使用本發(fā)明的稀釋劑組分從晶片除去光刻膠。
相對(duì)于光刻膠類型的溶解力的評(píng)價(jià)評(píng)價(jià)例子1和2以及比較例1至5中制備的稀釋劑組分的溶解力。在下列圖表1中給出了評(píng)價(jià)結(jié)果。當(dāng)稀釋劑組分相對(duì)于光刻膠的混合比約為5∶1時(shí)，基于光刻膠的可溶解量評(píng)價(jià)溶解力。
圖表1

在圖表1中，“E”意味著優(yōu)異的溶解力。亦即，足夠量的光刻膠溶于稀釋劑組分?！癛”意味著中等溶解力。即，在混合24小時(shí)之后，一部分光刻膠可能沉淀析出。“X”表示差的溶解力。亦即，光刻膠與稀釋劑組分混合之后，光刻膠可能立即沉淀。
如圖表1所示，例子1和2中制備的稀釋劑組分具有與光刻膠類型無(wú)關(guān)的優(yōu)異溶解力。比較例5中制備的稀釋劑組分具有良好的溶解力，但是差的EBR性能。
相對(duì)于光刻膠類型的EBR性能的評(píng)價(jià)評(píng)價(jià)相對(duì)于光刻膠類型的例1和2和比較例1至5的EBR性能。通過(guò)涂敷器(由日本的TEL有限公司制造)和通過(guò)使用氮?dú)?N2)氣體加壓襯底評(píng)價(jià)EBR性能。壓力約為0.7至約1.0kg/cm2，以及以約13至約20cc/min的流速提供氮?dú)饧s6秒。下列圖表2中給出了結(jié)果。
圖表2

在圖表2中，“N”表示具有清洗的EBR線的EBR工序之后在襯底沒(méi)有殘留光刻膠?！癠”表示EBR工序之后在襯底上沒(méi)有殘留光刻膠，但是EBR線沒(méi)有被清洗?！癤”表示執(zhí)行EBR工序之后在襯底上存在殘留的光刻膠和未清洗的EBR線。
如圖表2所示，例子1和2中制備的稀釋劑組分有效地除去光刻膠，與光刻膠的類型無(wú)關(guān)。但是，當(dāng)在EBR工序中使用比較例1、2和5中制備的稀釋劑組分時(shí)，在襯底上殘留剩余的光刻膠，盡管稀釋劑組分相對(duì)于SEPR-430光刻膠具有良好的EBR性能。此外，當(dāng)在EBR工序中使用比較例子3和4中制備的稀釋劑組分時(shí)，在襯底也剩下殘留的光刻膠。
如上所述，本發(fā)明的新穎性稀釋劑組分可以有效地除去光刻膠，與其類型無(wú)關(guān)，且可以不損壞底下的層。具體，該稀釋劑組分可以有效地除去暴露于氟化氬激光的光刻膠或抗反射材料。因此，可以采用本發(fā)明的稀釋劑組分制造具有小于約90nm的設(shè)計(jì)尺寸的半導(dǎo)體器件。此外，稀釋劑組分是環(huán)保的。因此，可以經(jīng)濟(jì)地制造具有改進(jìn)的可靠性的高度集成的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明提供使用本發(fā)明的稀釋劑組分除去光刻膠的方法。
圖1是說(shuō)明使用本發(fā)明的稀釋劑組分除去光刻膠的方法的流程圖。
在步驟S110中，在襯底上形成光刻膠膜。在步驟S120中，使用稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜。
詳細(xì)地，在步驟S110中使用旋涂器在襯底上形成光刻膠膜。亦即，在通過(guò)旋涂器旋轉(zhuǎn)襯底同時(shí)，在襯底上涂敷光刻膠。根據(jù)襯底的旋轉(zhuǎn)，光刻膠通過(guò)離心力蔓延到襯底的邊緣，在襯底上均勻地涂敷光刻膠。光刻膠通過(guò)離心力蔓延到襯底的邊緣部分和襯底的背部。
在步驟S120中，使用本發(fā)明的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜，本發(fā)明的稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯、酯化合物和甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
稀釋劑組分蔓延在襯底的邊緣和背部上，以從襯底除去光刻膠。這里，在旋轉(zhuǎn)襯底的同時(shí)，稀釋劑組分可以被噴射在襯底的邊緣和/或背部。具體地說(shuō)，襯底可以繞旋轉(zhuǎn)-軸承座旋轉(zhuǎn)，以及可以用噴嘴噴射稀釋劑組分。
在步驟S130中，在使用稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜之后，執(zhí)行EBR工序以干燥襯底上的稀釋劑組分。
根據(jù)該實(shí)施例，有效地防止通過(guò)光刻膠在襯底上產(chǎn)生的污染。
圖2是說(shuō)明使用本發(fā)明的稀釋劑組分除去光刻膠的另一方法的流程圖。
在步驟S210至S250中，在襯底上形成光刻膠圖形。在步驟S260中，使用本發(fā)明的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠圖形。
詳細(xì)地，在步驟S210中，在襯底上形成光刻膠膜。該襯底優(yōu)選是用于半導(dǎo)體器件的硅襯底或用于液晶顯示器的透明襯底。襯底可以包括將通過(guò)光刻工序構(gòu)圖的底層結(jié)構(gòu)。這里，底層結(jié)構(gòu)可以包括氧化物層、氮化物層、硅層以及金屬層。
在襯底上涂敷光敏材料，以在其上形成光刻膠膜。光敏材料是正性或負(fù)性光敏材料。在后續(xù)顯影工序中可以從襯底部分地除去暴露于光的正性光敏材料。
此外，可以在襯底上涂敷六甲基二硅氮烷，以增加光刻膠膜和襯底之間的粘結(jié)強(qiáng)度。此外，可以形成抗反射層，以防止連續(xù)的光工序和顯影工序中光的漫反射。
在步驟S220中，在襯底上形成光刻膠膜之后，可以進(jìn)行EBR工序，以防止襯底上的污染。在EBR工序中優(yōu)選使用本發(fā)明的稀釋劑組分除去襯底的邊緣和背部上形成的部分光刻膠膜，該稀釋劑組分包含丙二醇醚乙酸酯、酯化合物以及甲基2-羥基2-丙酸甲酯。
在步驟S230中，執(zhí)行軟烘焙工序，以從光刻膠膜除去任意殘留的濕氣。
在步驟S240中，使用光掩模光刻膠膜被部分地暴露于光。在光刻膠膜上設(shè)置具有圖形的光掩模之后，使光刻膠膜的預(yù)定部分有選擇地暴露于穿過(guò)掩模的光。例如，該光可以是G線射線、I-線射線、氟化氪(KrF)激光、氟化氬(ArF)激光、電子束或X射線。因此，光刻膠膜的露出部分具有與光刻膠膜的未曝光部分基本上不同的溶解度。
在步驟S250中，使用顯影液如四甲基氨水(TMAH)顯影光刻膠膜，以完成光刻膠圖形。當(dāng)光刻膠膜包括正性光敏材料時(shí)，從襯底除去光刻膠膜的露出部分。
通過(guò)上述工序形成的光刻膠圖形可以用于在半導(dǎo)體器件上形成各種精細(xì)圖形。但是，當(dāng)光刻膠圖形故障發(fā)生時(shí)，從經(jīng)濟(jì)的觀點(diǎn)除去襯底上的光刻膠圖形和再使用襯底是有利的。因此在步驟S260中，如果光刻膠圖形存在故障，那么執(zhí)行再加工工序，以從襯底除去光刻膠圖形。
詳細(xì)地，使用本發(fā)明的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠圖形。
在步驟S270中，優(yōu)選執(zhí)行干燥進(jìn)程，以除去襯底上的任意殘留稀釋劑組分。
權(quán)利要求
1.一種稀釋劑組分，包括丙二醇醚乙酸酯；選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構(gòu)成的組的至少一種酯化合物；以及甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的組分，其中丙二醇醚乙酸酯包括選自由丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯和其混合物構(gòu)成的組的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的組分，其中該種稀釋劑組分，包括約40至約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約5至約45％重量的乳酸乙酯；和約15至約50％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的組分，還包括表面活性劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的組分，其中表面活性劑包括含氟的表面活性劑、非離子表面活性劑或離子表面活性劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的組分，其中稀釋劑組分包含約10至約550ppm的表面活性劑。
7.一種稀釋劑組分，包括約30至約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯；以及約20至約55％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的組分，還包括約10至約550ppm量的含氟表面活性劑、非離子表面活性劑或離子表面活性劑。
9.一種除去光刻膠的方法，包括在襯底上形成光刻膠膜；以及使用包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羥基-2-丙酸甲酯以及選自由乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯及其混合物構(gòu)成的組的至少一種酯化合物的稀釋劑組分從襯底除去光刻膠膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中丙二醇醚乙酸酯包括選自由丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇一乙基醚乙酸酯及其混合物構(gòu)成的組的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中該稀釋劑組分，包括約40至約75％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約5至約45％重量的乳酸乙酯；以及約15至約50％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中該稀釋劑組分，包括約30至約65％重量的丙二醇單甲醚乙酸酯；約15至約50％重量的乙基3-乙氧基丙酸酯；以及約20至約55％重量的甲基2-羥基-2-丙酸甲酯。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中通過(guò)提供稀釋劑組分到襯底的邊緣和背部除去光刻膠膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中通過(guò)在襯底上噴射稀釋劑組分除去光刻膠膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括除去光刻膠膜之后執(zhí)行干燥處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中形成光刻膠圖形包括在襯底上形成光刻膠膜之后，軟烘焙光刻膠膜；使用掩模使光刻膠膜暴露于光；以及通過(guò)使用顯影液顯影光刻膠膜在襯底上形成光刻膠圖形。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，還包括從襯底的邊緣和背部除去光刻膠膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中稀釋劑組分還包括表面活性劑。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中表面活性劑包括含氟的表面活性劑、非離子表面活性劑或離子表面活性劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中稀釋劑組分包含約10至約550ppm的表面活性劑。
全文摘要
一種稀釋劑組分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2－羥基－2－丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3－乙氧基丙酸酯或其混合物。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1655065SQ20051000943
公開(kāi)日2005年8月17日 申請(qǐng)日期2005年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月10日
發(fā)明者安承鉉, 裵恩美, 崔百洵, 全相文, 金大中, 尹廣燮, 樸相圭, 金載昊, 李時(shí)鏞, 金京美, 尹汝榮 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社