專利名稱：一種絕緣體上硅的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種絕緣體上硅的制作方法，更確切地說(shuō)是涉及一種離子注入結(jié)合鍵合減薄的工藝，制備絕緣體上的硅。屬于微電子與固體電子學(xué)、硅基集成光電子器件材料的一種制造工藝。
背景技術(shù)：
絕緣體上的硅即SOI(Silicon-on-insulator)電路具有高速，低功率，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)，在航空航天，軍工電子，便攜式通訊等方面具有重要的應(yīng)用背景，被認(rèn)為是二十一世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)，倍受人們重視(J.P.Colige，Silicon onInsulator Technology，Material to VLSI，Kulwer Academic Publication 1991)。隨著汽車電子集成電路、聲頻功率放大集成電路、照明等的發(fā)展，對(duì)功率器件的需求越來(lái)越廣泛，SOI襯底良好的絕緣性能，使其在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用前景尤其倍受關(guān)注。(F.Udrea，D.Garner，K.Sheng，A.Popescu，H.T.Lim andW.I.Milne，SOI Power Devices，Electronics and Communication EngineeringJournal，F(xiàn)eb.2000，p27)注氧隔離即SIMOX技術(shù)以及鍵合減薄技術(shù)是目前制備SOI襯底主流技術(shù)中的兩種。前者通過(guò)向單晶硅圓片中注入高劑量氧離子，高溫退火后形成隱埋絕緣SiO2(BOX)層，從而形成SOI結(jié)構(gòu)。后者是先將一片熱氧化后的硅片和一片光片鍵合，再背面減薄到所需要的厚度形成SOI結(jié)構(gòu)。
SIMOX技術(shù)采用的是高能量(20～300keV)、大束流(1017～1018cm-2)的氧離子注入，在硅片中一定深度形成氧的富集區(qū)域，再經(jīng)過(guò)高溫退火后形成掩埋在硅中的SiO2，即BOX層。這一工藝形成的SOI圓片，受到注入能量和劑量的限制，BOX以及頂層硅的厚度可以調(diào)節(jié)的范圍十分有限，很不靈活。BOX最大厚度很難超過(guò)400nm，頂層硅的最大厚度也僅大約為300nm左右。并且SIMOX工藝是利用高溫退火，促進(jìn)氧在硅的內(nèi)部聚集成核形成BOX層，這就使得BOX的絕緣性能不如熱氧化形成的SiO2。這些缺點(diǎn)限制了SIMOX技術(shù)在厚埋層(＞400nm)以及厚的頂層硅(＞300nm)方面的應(yīng)用。
鍵合減薄工藝是將一片表面帶有熱氧化層的硅片和另一片光片鍵合，并將硅片背面減薄至需要的厚度。這一工藝生產(chǎn)的SOI圓片，雖然BOX的質(zhì)量可以得到較好的保證，但是頂層硅的厚度很難得到精確的控制。J.W.Neuner采用等離子輔助化學(xué)腐蝕的辦法，可以將頂層硅減薄到1μm，平整度控制在±0.1μm的范圍內(nèi)。(J.W.Neuner，A.M.Ledger，S.K.Schilb，andD.P.Mathur，Improved Uniformity in Bonded SOI wafers with Active Layersfrom 1 to 30μm at High Throuthputs，Proceedings 1998 IEEE International SOIConference，Oct.1998，p.169-170)但是要進(jìn)一步通過(guò)研磨或腐蝕的辦法減薄頂層硅，達(dá)到更小的厚度和平整度，難度就更大了。這些缺點(diǎn)也限制了鍵合減薄工藝在均勻性要求高的方面的應(yīng)用。
在傳統(tǒng)鍵合減薄工藝的基礎(chǔ)上，SOITEC公司引入U(xiǎn)nibond技術(shù)。這種技術(shù)的關(guān)鍵步驟之一是通過(guò)氫離子注入工藝形成氣泡層(Bubble Layer)，該層在后續(xù)的退火工藝中自動(dòng)裂開(Split)，從而利用裂開層較為精確的控制了拋光前的SOI層均勻性，最終實(shí)現(xiàn)了精確控制頂層硅的厚度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種絕緣體上硅的制作方法，它是一種離子注入結(jié)合鍵合減薄制備SOI圓片的生產(chǎn)工藝。注入工藝的優(yōu)點(diǎn)在于頂層硅薄而且均勻性控制很好，而鍵合減薄工藝的優(yōu)點(diǎn)是BOX厚度可以在大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，而且絕緣性能好。本發(fā)明通過(guò)兩種工藝的結(jié)合，揚(yáng)長(zhǎng)避短，發(fā)揮了二者的優(yōu)勢(shì)，可以用來(lái)制備高質(zhì)量的SOI圓片。
本發(fā)明包括如下步驟首先利用離子注入工藝形成器件片(如果希望最終產(chǎn)品的頂層硅比較厚，則需對(duì)離子注入片進(jìn)行外延，仍稱為器件片)，將器件片(或氧化后的器件片)和支撐片(或氧化支撐片)鍵合，并在氧氣氣氛中退火加固，再采用研磨加腐蝕的方法腐蝕至器件片的注入層，即自停止層，最后腐蝕去除自停止層并對(duì)頂層硅進(jìn)行精細(xì)研磨，形成最終的SOI圓片。最終產(chǎn)品的BOX(埋層絕緣層)和頂層硅的厚度分別由氧化層厚度和器件片的注入深度(或外延厚度)決定。
具體地說(shuō)，本發(fā)明所述的一種絕緣體上的硅的制備方法，包括以下步驟(1)根據(jù)對(duì)頂層硅厚度(Top Silicon Layer，或Device Layer)的要求，選用相應(yīng)的離子注入工藝形成后續(xù)腐蝕工藝時(shí)的自停止層，該片將作為器件片(device wafer)。此外，選擇另外一片硅片作為支撐片(handle Wafer)；(2)根據(jù)對(duì)埋層(絕緣層)厚度的要求，對(duì)器件片或支撐片選擇適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕^緣層化處理；(3)將上述器件片和支撐片進(jìn)行鍵合，并退火加固；(4)單面背面研磨器件片減薄器件片到一定厚度；(5)采用腐蝕方法至器件片的離子注入層完全暴露；(6)除去離子注入層；(7)對(duì)剩余頂層硅精細(xì)拋光。
所述的器件片是采用離子注入工藝制備的。所注入的離子可以選擇N離子、O離子、或其他離子；選擇離子的基本原則是該離子注入層可作為化學(xué)腐蝕阻擋層。
所述的離子注入能量在10KeV到500KeV間，離子注入劑量在1E15/cm2到1E19/cm2間；所述的優(yōu)化的離子注入能量在30KeV到250KeV間，離子注入劑量在5E16/cm2到2E18/cm2間；
所述的離子注入可選用比較成熟的SIMOX(Separation-by-OxygenImplantation)氧離子注入機(jī)，采用SIMOX工藝。
所述的SIMOX工藝，優(yōu)化的氧離子注入能量在30KeV到250KeV間，離子注入劑量在5E16/cm2到2E18/cm2間；所述的器件片可經(jīng)過(guò)后續(xù)處理(包括高溫退火處理)，處理的目的是使注入層與非注入層界面比較陡峭。
所述的對(duì)器件片的后續(xù)高溫處理溫度在攝氏600度到攝氏1500度間，氣氛為氧氬或氧氮混合氣氛，其中氧的含量為0％到100％間。
所述的對(duì)器件片的后續(xù)高溫處理，優(yōu)化的溫度在攝氏1100度到攝氏1410度間，優(yōu)化的氧含量為0％到60％間。
所述的腐蝕工藝可以是化學(xué)腐蝕，也可以是等離子刻蝕或其它任何可以在離子注入層停止住的腐蝕方法。
可以根據(jù)對(duì)最終產(chǎn)品對(duì)頂層硅厚度的要求，采用外延后的器件片，即在原始離子注入片的頂層硅上生長(zhǎng)外延層。外延工藝可采用通常半導(dǎo)體工業(yè)中普遍采用的常規(guī)工藝。外延可為同質(zhì)外延，也可為異質(zhì)外延。外延層可為P型或N型，可摻硼或磷，以及其他摻雜劑。
所述的絕緣層可為二氧化硅(SiO2)，氮化硅(Si3N4)或其它具有絕緣性的物質(zhì)。
所述的絕緣層化處理即是指生長(zhǎng)絕緣層的方法，如生長(zhǎng)SiO2的氧化方法，或者Si3N4的氮化方法。
所述的對(duì)硅片的氧化工藝可采用集成電路中成熟的氧化制備工藝，如干氧氧化工藝或干氧-濕氧-干氧工藝。
所述的氧化的硅片可選擇器件片或者支撐片。
采用鍵合工藝將器件片和支撐片鍵合。
所述的鍵合工藝可以采用EVG公司的EVG鍵合機(jī)，也可以采用其他公司的鍵合機(jī)。鍵合一般在室溫下進(jìn)行，也可采用等離子體輔助室溫鍵合。
所述的退火加固時(shí)退火氣氛可為含氧氣氛，可為干氧、濕氧或含氧的混合氣體。
所述的退火加固的溫度為攝氏500度以上攝氏1400度以下，時(shí)間為半小時(shí)至15小時(shí)。
所述的優(yōu)化的退化溫度為攝氏1000～1250度，氣氛為濕氧，時(shí)間為2小時(shí)～6小時(shí)。
所述的單面減薄可采用磨片機(jī)或其他能夠減薄硅片的設(shè)備。減薄器件片厚度為3-15μm。
減薄到一定厚度范圍為1μm～100μm所述的優(yōu)化的減薄到一定厚度為50μm～90μm所述的的腐蝕方法必須使被腐蝕材料和離子注入層的腐蝕比足夠大，從而實(shí)現(xiàn)在離子注入層的自停止。
所述的化學(xué)腐蝕硅的腐蝕液為氫氧化鉀(KOH)或四甲基氫氧化銨(THMA)或其他對(duì)離子注入層和硅具有較大的選擇腐蝕比的化學(xué)劑。
腐蝕硅時(shí)一般選擇稀釋的氫氧化鉀(KOH)或四甲基氫氧化銨(THMA)。腐蝕液的重量配比一般在1∶1000(化學(xué)劑∶去離子水)，腐蝕時(shí)需加熱，一般溫度在攝氏25度到攝氏200度間。
所述的優(yōu)化的腐蝕液的重量配比一般在1∶1到1∶100(化學(xué)劑∶去離子水)；優(yōu)化的腐蝕溫度在攝氏50度到攝氏150度間。
所述的除去離子注入層可選用腐蝕方法，也可直接采用拋光等方法選擇恰當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)腐蝕劑來(lái)腐蝕掉離子注入層時(shí)，如果離子注入層為SiO2，則化學(xué)腐蝕可采用HF溶液。
所述的HF溶液，濃度范圍是化學(xué)劑與去離子水重量比可在1∶1至1∶200間調(diào)節(jié)。
所述的優(yōu)化的HF溶液濃度比例為1∶10至1∶100。
頂層精細(xì)拋光可選用化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)。
注入工藝生產(chǎn)的注入片，可以得到納米量級(jí)的頂層硅，最小可達(dá)到30nm，而且厚度均勻性可以在較小的范圍(±10nm)內(nèi)自由調(diào)節(jié)，這是采用單一的鍵合減薄等工藝達(dá)不到的厚度和均勻性。而采用單一鍵合減薄的方法生產(chǎn)的SOI圓片，BOX層是采用熱氧化的辦法制備的，這使得其厚度可以在比較大的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。
本發(fā)明將兩種工藝的優(yōu)勢(shì)妙地結(jié)合在一起，互相彌補(bǔ)，發(fā)揮了各自的優(yōu)點(diǎn)而克服了各自的缺點(diǎn)。采用本發(fā)明制備的SOI圓片，BOX采用熱氧化方法制備，絕緣性能良好，厚度均勻可調(diào)(厚度可在0～5.0μm間調(diào)整)；而頂層硅是從注入片或外延注入片上“移植”過(guò)來(lái)的，注入片的注入層的自停止作用，有效地保障了在最終精細(xì)拋光前頂層硅的厚度和均勻性(拋光前的厚度均勻性可達(dá)到±10nm)，而最終SOI層厚度的均勻性在±0.05μm以內(nèi)。


圖1、依本發(fā)明提供的制備SOI的工藝流程(a)離子注入并高溫退火制備器件片(b)氧化支撐片(c)鍵合器件片和支撐片(d)氧化加固鍵合片(e)單面背面研磨器件片減薄器件片到一定厚度(f)采用腐蝕方法至器件片的離子注入層完全暴露(g)除去離子注入層(h)對(duì)剩余頂層硅精細(xì)拋光形成最終的SOI片圖2、實(shí)施例1的SOI層厚度和均勻性測(cè)試結(jié)果圖3、實(shí)施例2的SOI層厚度和均勻性測(cè)試結(jié)果
具體實(shí)施例方式
下面的兩個(gè)具體實(shí)施例有助于理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，但本發(fā)明的實(shí)施并不僅局限于此實(shí)施例實(shí)施例1步驟1在原始拋光片A中注入氧離子，能量為170Ke V劑量為7.0E17/cm2，注入后在高溫下退火。退火溫度為攝氏1330度，退火氣氛為含氧的氬氣，氧的比例為0.5％；得到的SIMOX片，表層硅厚度約215±5nm，埋層厚度約150±5nm。
步驟2將硅片B氧化，氧化層厚度約為910±5nm。
步驟3將硅片A和B鍵合并退火后加固。退火溫度為攝氏1150度，水汽氧化，時(shí)間為2個(gè)小時(shí)；步驟4將加固后的A片背面磨片機(jī)減薄，剩余厚度約為15微米。
步驟5將減薄后的片子用KOH腐蝕，腐蝕液濃度為質(zhì)量比1∶20(去離子水∶KOH)，溫度為攝氏70度，約25分鐘，其后將該片放在1∶10HF中約漂洗30秒鐘步驟6在實(shí)施5后，用化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)拋掉約140nm基于以上實(shí)施后，得到最終的SOI圓片，參數(shù)如下SOI層厚度64.1nm，均勻性為±20nm；埋層厚度保持不變，仍為910±10nm。下圖給出了SOI層厚度的均勻性測(cè)試數(shù)據(jù)。
實(shí)施例2、步驟1在原始拋光片A中注入氧離子，能量為170KeV，劑量為7.0E17/cm2，注入后在高溫下退火。退火溫度為攝氏1330度，退火氣氛為含氧的氬氣，氧的比例為0.5％；得到的SIMOX片，表層硅厚度約215±5nm，埋層厚度約150±5nm。其后利用外延技術(shù)生長(zhǎng)外延層約240nm，整個(gè)SOI厚度約為500±10nm
步驟2將硅片B氧化，氧化層厚度約為1000±10nm。
步驟3將硅片A和B鍵合并退火后加固。退火溫度為攝氏1150度，水汽氧化，時(shí)間為2個(gè)小時(shí)；步驟4將加固后的A片背面磨片機(jī)減薄，剩余厚度約為15微米。
步驟5將減薄后的片子用KOH腐蝕，腐蝕液濃度為質(zhì)量比1∶20(去離子水∶KOH)，溫度為攝氏70度，約25分鐘，其后將該片放在1∶10HF中約漂洗30秒鐘步驟6在實(shí)施5后，用化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)拋掉約200nm基于以上實(shí)施后，得到最終的SOI圓片，參數(shù)如下SOI層厚度313.4nm，均勻性為±27.7nm；埋層厚度保持不變，為1000±10nm。下圖給出了SOI層的厚度測(cè)試數(shù)據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種絕緣體上硅的制作方法，其特征在于首先利用離子注入工藝形成器件片或?qū)﹄x子注入進(jìn)行外延形成器件片，然后將器件片或氧化后的器件片和支撐片或氧化支撐片鍵合，并在濕氧氣氛中退火加固，再采用研磨加腐蝕的方法腐蝕至器件片的注入層，腐蝕去除自停止層，并對(duì)頂層硅進(jìn)行精細(xì)研磨，形成最終的SOI圓片；最終埋層絕緣層和頂層硅的厚度分別由氧化層厚度和器件片的注入深度或外延層厚度決定。
2.按權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于具體包括以下步驟(1)根據(jù)對(duì)頂層硅厚度的要求，選用注氧隔離技術(shù)，選用相應(yīng)的離子注入工藝形成后續(xù)腐蝕工藝時(shí)的自停止層，該片將作為器件片；此外，選擇另外一片硅片作為支撐片；注入離子為氮、氧或其他可作為化學(xué)腐蝕阻擋層的離子；(2)根據(jù)對(duì)埋層絕緣層厚度的要求，對(duì)器件片或支撐片進(jìn)行高溫退火、腐蝕或外延生長(zhǎng)方法進(jìn)行絕緣層化處理；其中，高溫處理溫度600-1500℃，氣氛為氧氣和氬氣或氧氣和氮?dú)饣旌蠚怏w；腐蝕包括化學(xué)腐蝕或等離子刻蝕；(3)將上述器件片和支撐片進(jìn)行鍵合，并退火加固；退火加固溫度500-1400℃，時(shí)間0.5-15h；氣氛為干氧、濕氧或含氧的混合氣體；(4)單面背面研磨器件片減薄器件片到1-100μm；(5)采用腐蝕方法至器件片的離子注入層完全暴露；(6)采用腐蝕或拋光方法除去離子注入層；(7)對(duì)剩余頂層硅采用化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)精細(xì)拋光。
3.按權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于離子注入能量在10KeV到500KeV間，離子注入劑量在1E15/cm2到1E19/cm2間。
4.按權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于離子注入能量在30KeV到250KeV間，離子注入劑量在5E16/cm2到2F18/cm2間。
5.按權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的制作方法，對(duì)器件片的后續(xù)高溫處理的溫度在1100-1410℃，氧含量為0％到60％間。
6.按權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于根據(jù)對(duì)最終產(chǎn)品對(duì)頂層硅厚度的要求，采用外延后的器件片，即在原始離子注入片的頂層硅上生長(zhǎng)外延層，外延工藝可采用通常半導(dǎo)體工業(yè)中普遍采用的常規(guī)工藝，外延為同質(zhì)外延或異質(zhì)外延；外延層為P型或N型，摻雜硼、磷或其他摻雜劑。
7.按權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于鍵合在室溫或采用等離子體輔助室溫鍵合，鍵合采用EVG公司的EVG鍵合機(jī)。
8.按權(quán)利要求2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于所述的退火加固溫度為1000～1250℃，時(shí)間為2小時(shí)～6小時(shí)；氣氛為濕氧。
9.按權(quán)利要求2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于單面減薄采用Grinder或Lapper或其他能夠減薄硅片的設(shè)備；減薄器件片厚度為50-90μm。
10.按權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于所述的腐蝕方法必須使被腐蝕材料和離子注入層的腐蝕比足夠大，從而實(shí)現(xiàn)在離子注入層的自停止；常用的化學(xué)腐蝕硅的腐蝕液為氫氧化鉀或四甲基氫氧化銨或其他對(duì)離子注入層和硅具有較大的選擇腐蝕比的化學(xué)劑；腐蝕硅時(shí)一般選擇經(jīng)稀釋的氫氧化鉀或四甲基氫氧化銨，其腐蝕液的配比是化學(xué)劑/去離子水重量比為1∶1000，腐蝕時(shí)溫度在25～200℃間。
11.按權(quán)利要求1或2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于所述的腐蝕液的重量配比是化學(xué)劑/去離子水在1∶1到1∶100；溫度在50～150℃之間。
12.按權(quán)利要求2所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于選擇化學(xué)腐蝕劑來(lái)腐蝕掉離子注入層時(shí)，如果離子注入層為SiO2，則化學(xué)腐蝕可采用HF溶液；使用的HF溶液，濃度范圍是化學(xué)劑與去離子水重量配比1∶1至1∶200間調(diào)節(jié)。
13.按權(quán)利要求11所述的絕緣體上硅的制作方法，其特征在于所述的HF溶液，濃度范圍為1∶10至1∶100。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種離子注入和鍵合工藝相結(jié)合制備絕緣體上的硅圓片的方法，特征在于先采用離子注入方法形成一腐蝕阻擋層，然后將器件片和支撐片鍵合在一起，并結(jié)合鍵合減薄的方法，減薄器件片反面到一定厚度，再把器件片中的離子注入層作為腐蝕的自停止層，利用化學(xué)腐蝕剩余的器件片厚度到腐蝕自停止層；最后對(duì)剩余的硅層進(jìn)行精細(xì)拋光，形成一種SOI產(chǎn)品。采用該工藝制造的SOI圓片，埋層的厚度可以在很大的范圍內(nèi)自由調(diào)節(jié)，且作為自停止層的離子注入層可以精確控制頂層硅的厚度和均勻性，從而提高了頂層硅的厚度均勻性。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1744298SQ20051002836
公開日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2005年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
發(fā)明者陳猛 申請(qǐng)人:上海新傲科技有限公司, 陳猛