專利名稱：固態(tài)電解電容器、其制造方法及其所使用的偶合劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種被動元件及其制造方法，特別涉及一種固態(tài)電解電容器、其制造方法、及其所使用的偶合劑。
背景技術(shù)：
長期以來，電解電容器發(fā)展的一項主要課題即為提高電解質(zhì)的導(dǎo)電度，以降低電容器的等效串聯(lián)電阻，達(dá)到高頻低阻抗并具高可靠度的特性。由于導(dǎo)電性高分子較傳統(tǒng)電解電容器所用的液態(tài)電解液或是固態(tài)有機(jī)半導(dǎo)體絡(luò)鹽，如TCNQ復(fù)合鹽及無機(jī)半導(dǎo)體MnO2，有更高的導(dǎo)電度，且具有適度的高溫絕緣化特性，因此導(dǎo)電性高分子成為現(xiàn)今電解電容器所使用的固態(tài)電解質(zhì)的開發(fā)潮流。
請參考圖1，為一剖面圖，顯示一固態(tài)電解電容器內(nèi)部微結(jié)構(gòu)的局部放大結(jié)構(gòu)。其中，閥金屬100作為正電極，為一微細(xì)多孔材料(meso-porous material)；介電層110形成于閥金屬100上；導(dǎo)電性高分子層120作為負(fù)電極，形成于介電層110上。其中，導(dǎo)電性高分子層120僅以范德華力附著于介電層110上，其鍵結(jié)力微弱，而使介電層110與導(dǎo)電性高分子層120之間容易產(chǎn)生空隙121，而對固態(tài)電解電容器1的電性造成不良影響，例如容量降低、等效串聯(lián)阻抗(equivalent series resistance；ESR)上升、散逸因子(dissipation factor；Df)上升等等；也會對固態(tài)電解電容器1的可靠度造成不良影響。
為解決上述問題，Sato等人于日本專利特開平9246106號中，公開于化成鋁箔上進(jìn)行硅烷偶合劑前處理，而后再形成導(dǎo)電高分子層，其所用的偶合劑為Y-去水甘油基丙基三甲氧基硅烷(gamma-glycidoxypropyltrimethoxysilane)或十八烷-三乙氧基硅烷(octadecyl-triethoxysilane)。然而，其所提供的偶合劑含有有礙于導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電度的官能基，而會造成電容器的等效串聯(lián)阻抗與散逸因子上升。
Sakata等人在美國專利5729428號中，公開于陽極氧化層上進(jìn)行有機(jī)化合物的前處理而后形成導(dǎo)電高分子層，以改善高溫使用的漏電問題，其所用的有機(jī)化合物包括有機(jī)酸、酚、硅偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等等；Hahn等人在美國專利6072694號中公開，于導(dǎo)電性高分子配方溶液中添加硅烷偶合劑，以改善漏電及介電損失。然而，上述兩前案所使用的偶合劑，無法提供同時與導(dǎo)電性高分子層及介電層形成鍵結(jié)的功能，對于幫助導(dǎo)電性高分子層及介電層結(jié)合的效果有限。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的是提供一種固態(tài)電解電容器及其制造方法，上述固態(tài)電解電容器中，在導(dǎo)電性高分子層及介電層之間具有一偶合層，同時與導(dǎo)電性高分子層及介電層發(fā)生共價鍵結(jié)，以提升導(dǎo)電性高分子層及介電層之間的結(jié)合性，避免空隙的產(chǎn)生，以提升固態(tài)電解電容器的電性及可靠度表現(xiàn)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種偶合劑，適用于以自組裝(Self-Assembly)的方式與一氧化物與一高分子材料產(chǎn)生共價鍵結(jié)，以提升上述氧化物與高分子材料的結(jié)合性，應(yīng)用在固態(tài)電解電容器時，可提升其導(dǎo)電性高分子層及介電層之間的結(jié)合性，避免空隙的產(chǎn)生，以提升固態(tài)電解電容器的電性及可靠度表現(xiàn)。
為達(dá)成本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供一種固態(tài)電解電容器，包含一閥金屬層；一氧化物介電層于上述閥金屬層上，覆蓋部分上述閥金屬層的表面；一偶合層，其分子鏈的第一端以共價鍵鍵結(jié)于上述氧化物介電層，第二端具有一導(dǎo)電性高分子單體的官能基；以及一導(dǎo)電性高分子層，于上述偶合層上，具有共價鍵鍵結(jié)于上述導(dǎo)電性高分子單體。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該閥金屬層為鋁、鉭、鈦、鈮、氧化鈮或上述的組合。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該氧化物介電層為該閥金屬層的氧化物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該偶合層與該氧化物介電層之間的鍵結(jié)為硅氧鍵、磷氧鍵、碳氧鍵、硫氧鍵或硼氧鍵。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該偶合層的分子鏈的第一端與第二端之間還包含C1至C12的烷基。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯或上述的衍生物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器，其中該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺。
本發(fā)明又提供一種固態(tài)電解電容器的制造方法，包含提供一閥金屬層；形成一氧化物介電層于上述閥金屬層上，覆蓋部分上述閥金屬層的表面；以自組裝的方式形成一偶合層于上述氧化物介電層上，上述偶合層的分子鏈的第一端以共價鍵鍵結(jié)于上述氧化物介電層，第二端具有一導(dǎo)電性高分子單體的官能基；以及形成一導(dǎo)電性高分子層于上述偶合層上，具有共價鍵鍵結(jié)于上述導(dǎo)電性高分子單體。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該閥金屬層為鋁、鉭、鈦、鈮、氧化鈮或上述的組合。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該氧化物介電層為該閥金屬層的氧化物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中形成該偶合層更包含將該氧化物介電層浸入一偶合劑的溶液中，其中該偶合劑層具下列式(1)的分子式R1-R3(1)其中R1擇自硅烷基、磷酸基、羧基、磺酸基、硼酸基或上述的衍生物，R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中形成該偶合層更包含將該氧化物介電層浸入一偶合劑的溶液中，其中該偶合劑層具下列式(2)的分子式R1-R2-R3(2)其中R1擇自硅烷基、磷酸基、羧基、磺酸基、硼酸基或上述的衍生物，R3為C1至C12的烷基，R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該偶合層與該氧化物介電層之間的鍵結(jié)為硅氧鍵、磷氧鍵、碳氧鍵、硫氧鍵或硼氧鍵。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該偶合層的分子鏈的第一端與第二端之間還包含C1至C12的烷基。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯或上述的衍生物。
本發(fā)明所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其中該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺。
本發(fā)明又提供一種偶合劑，適用于以自組裝的方式與一氧化物與一高分子材料產(chǎn)生共價鍵結(jié)，具下列式(1)的分子式R1-R3(1)其中R1擇自硅烷基(silyl)、磷酸基(phosphono)、羧基(carboxy)、磺酸基(sulfo)、硼酸基(boric acid group)或上述的衍生物，R3為上述高分子材料的聚合單體之一。
本發(fā)明所述的偶合劑，其中R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
本發(fā)明又提供一種偶合劑，適用于以自組裝的方式與一氧化物與一高分子材料產(chǎn)生共價鍵結(jié)，具下列式(2)的分子式R1-R2-R3(2)其中R1擇自硅烷基(silyl)、磷酸基(phosphono)、羧基(carboxy)、磺酸基(sulfo)、硼酸基(boric acid group)或上述的衍生物，R2為C1至C12的烷基，R3為上述高分子材料的聚合單體之一。
本發(fā)明所述的偶合劑，其中R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
本發(fā)明的固態(tài)電解電容器，使用本發(fā)明的偶合劑作為偶合層，同時與導(dǎo)電性高分子層及介電層發(fā)生共價鍵結(jié)，以提升導(dǎo)電性高分子層及介電層之間的結(jié)合性，避免空隙的產(chǎn)生，提升了固態(tài)電解電容器的電性表現(xiàn)，同時可提升其可靠度表現(xiàn)。


圖1為一剖面圖，顯示固態(tài)電解電容器1的局部放大結(jié)構(gòu)。
圖2A至2D為一系列的剖面圖，顯示本發(fā)明固態(tài)電解電容器2的制造流程。
圖3A至3C為一系列的示意圖，顯示本發(fā)明的偶合劑在固態(tài)電解電容器2中，與氧化物介電層210及導(dǎo)電性高分子層230發(fā)生共價鍵結(jié)的反應(yīng)機(jī)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
請參考圖2A至2D，為一系列的剖面圖，顯示本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2的制造方法的流程。
在圖2A中，首先，提供一閥金屬層200，通常為微細(xì)多孔材料(meso-porous material)，其材質(zhì)例如為鋁、鉭、鈦、鈮、氧化鈮或上述的組合。然后，直接于閥金屬層200形成一氧化物介電層210，覆蓋部分閥金屬層200的表面，以使其露出的部分能夠電性連接到其它電性元件，而將閥金屬層200作為電容器的正電極。氧化物介電層210的材質(zhì)較好為閥金屬層200的氧化物。
接下來，提供本發(fā)明的偶合劑的溶液，其中，本發(fā)明的偶合劑適用于以自組裝的方式與一氧化物例如本發(fā)明的氧化物介電層210與一高分子材料產(chǎn)生共價鍵結(jié)，具下列式(2)的分子式R1-R2-R3(2)其中R1較好為硅烷基(silyl)、磷酸基(phosphono)、羧基(carboxy)、磺酸基(sulfo)、硼酸基(boric acid group)或上述的衍生物，因為硅、磷、碳、硫、硼原子能夠與上述氧化物表面的氧原子形成較強(qiáng)的共價鍵，而更有效地提升上述氧化物與高分子材料之間的結(jié)合性；R2較好為C0至C12的烷基；R3較好為上述高分子材料的聚合單體之一。前述C0的狀況即表示R2不存在，R1與R3直接鍵結(jié)。而在本發(fā)明中，用作導(dǎo)電性高分子層的聚合物例如為聚苯胺(polyaniline)、聚噻吩(polythiophene)、聚吡咯(polypyrrole)或上述的衍生物，因此較好R3為苯胺基(anilino)、噻吩基(thiopheno)、吡咯基(pyrrole)或上述的衍生物。
請參考圖2B，以自組裝的方式形成偶合層220于氧化物介電層210上，偶合層220的形成是由上述本發(fā)明的偶合劑的分子鏈的R1端以共價鍵鍵結(jié)于氧化物介電層210，其反應(yīng)機(jī)構(gòu)可以圖3A、3B為例作說明。在圖3A至3C中用以例示的偶合劑，R1為硅烷基的衍生物三甲氧基硅烷基(-Si(MeO)3)、R2為丙基、R3為苯胺基，名稱為3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷(3-(phenylamino)propyltrimethoxysilane)，以式(2)所列示的各種組合作為本發(fā)明的偶合劑都能達(dá)成如圖3A至3C中所示的反應(yīng)機(jī)構(gòu)，圖3A至3C中僅是舉出其中一個例子以方便說明，不能據(jù)以為本發(fā)明的限制。
請參考圖3A，氧化物介電層210表面具有氫氧基(hydroxylgroup)，將氧化物介電層210浸入3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷的甲醇溶液中，上述氫氧基會與三甲氧基硅烷發(fā)生自組裝反應(yīng)。
請參考圖3B，3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷與氧化物介電層210表面的氧原子發(fā)生自組裝反應(yīng)，3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷中，硅原子與氧化物介電層210表面的氧原子形成硅氧鍵，三甲氧基硅烷基(R1)的甲氧基則與氧化物介電層210表面的氫原子形成甲醇而脫去，使本發(fā)明的偶合劑中的硅原子與介電層210表面的氧原子以共價鍵鍵結(jié)在一起，形成圖2B中的偶合層220。
接下來，請參考圖2C，形成導(dǎo)電性高分子層230于偶合層220上，具有共價鍵鍵結(jié)于偶合層220分子中的R3端。導(dǎo)電性高分子層230較好為具有與R3端相同的單體，其材質(zhì)例如為聚苯胺(polyaniline)、聚噻吩(polythiophene)、聚吡咯(polypyrrole)或上述的衍生物。
請參考圖3C，接續(xù)圖3B，顯示圖2C中，形成導(dǎo)電性高分子層230時，所行聚合反應(yīng)的反應(yīng)機(jī)構(gòu)的一個例子。由于圖3A、3B中以3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷作為本發(fā)明的偶合劑的一個例子，因此，圖3C中，將偶合層220浸入含苯胺基單體的聚合液(未繪示)中，從而形成聚苯胺，共價鍵結(jié)并接續(xù)于3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷中的聚苯胺基，而形成本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子層230。如此，構(gòu)成了圖2C所示本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2。
最后，請參考圖2D，可視制程需要，在導(dǎo)電性高分子層230上依序形成碳膠240與銀膠250等導(dǎo)電膠，以保護(hù)導(dǎo)電性高分子層230，并作為負(fù)極的導(dǎo)出電極。
接下來，列舉四個實(shí)施例與一比較例，更進(jìn)一步具體地說明本發(fā)明的效果。
實(shí)施例1將帶有氧化鋁介電層的正極鋁箔(化成電壓36V、面積0.6cm×2.0cm)浸泡于濃度0.1-50wt％的3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷的甲醇溶液中，而后加熱至105℃將其烘干。而后浸泡于苯胺聚合液(含有0.5M的苯胺、0.5M的甲基磺酸(methanesulfonicacid)、0.5M的過硫酸銨(ammonium persulfate)的水溶液)約30分鐘，再以清水洗凈并于105℃烘干約10分鐘。重復(fù)上述苯胺聚合液浸泡及清洗烘干等步驟10次后，于聚苯胺層上涂上碳膠并于105℃烘干約1小時，之后再涂上銀膠并于105℃烘干約1小時，即完成如圖2D所示本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2的制作，并量測其電性表現(xiàn)如表一所示。
實(shí)施例2將帶有氧化鋁介電層的正極鋁箔(化成電壓36V、面積0.6cm×2.0cm)浸泡于濃度0.1-50wt％的4-(4-氨基苯基)丁酸(4-(4-aminophneyl)butyric acid)的甲醇溶液中，而后加熱至105℃將其烘干。而后浸泡于苯胺聚合液(含有0.5M的苯胺、0.5M的甲基磺酸、0.5M的過硫酸銨的水溶液)約30分鐘，再以清水洗凈并于105℃烘干約10分鐘。重復(fù)上述苯胺聚合液浸泡及清洗烘干等步驟10次后，于聚苯胺層上涂上碳膠并于105℃烘干約1小時，之后再涂上銀膠并于105℃烘干約1小時，即完成如圖2D所示本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2的制作，并量測其電性表現(xiàn)如表一所示。
實(shí)施例3將帶有氧化鋁介電層的正極鋁箔(化成電壓36V、面積0.6cm×2.0cm)浸泡于濃度0.1-50wt％的苯胺-2-磺酸(aniline-2-sulfonic acid)的甲醇溶液中，而后加熱至105℃將其烘干。而后浸泡于苯胺聚合液(含有0.5M的苯胺、0.5M的甲基磺酸、0.5M的過硫酸銨的水溶液)約30分鐘，再以清水洗凈并于105℃烘干約10分鐘。重復(fù)上述苯胺聚合液浸泡及清洗烘干等步驟10次后，于聚苯胺層上涂上碳膠并于105℃烘干約1小時，之后再涂上銀膠并于105℃烘干約1小時，即完成如圖2D所示本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2的制作，并量測其電性表現(xiàn)如表一所示。
實(shí)施例4將帶有氧化鋁介電層的正極鋁箔(化成電壓36V、面積0.6cm×2.0cm)浸泡于濃度0.1-50wt％的3-氨基苯基硼酸(3-aminophenylboronic acid)的甲醇溶液中，而后加熱至105℃將其烘干。而后浸泡于苯胺聚合液(含有0.5M的苯胺、0.5M的甲基磺酸、0.5M的過硫酸銨的水溶液)約30分鐘，再以清水洗凈并于105℃烘干約10分鐘。重復(fù)上述苯胺聚合液浸泡及清洗烘干等步驟10次后，于聚苯胺層上涂上碳膠并于105℃烘干約1小時，之后再涂上銀膠并于105℃烘干約1小時，即完成如圖2D所示本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2的制作，并量測其電性表現(xiàn)如表一所示。
比較例1將帶有氧化鋁介電層的正極鋁箔(化成電壓36V、面積0.6cm×2.0cm)浸泡于苯胺聚合液(含有0.5M的苯胺、0.5M的甲基磺酸、0.5M的過硫酸銨的水溶液)約30分鐘，再以清水洗凈并于105℃烘干約10分鐘。重復(fù)上述苯胺聚合液浸泡及清洗烘干等步驟10次后，于聚苯胺層上涂上碳膠并于105℃烘干約1小時，之后再涂上銀膠并于105℃烘干約1小時，即完成比較例1的固態(tài)電解電容器的制作，并量測其電性表現(xiàn)如表一所示。其中，比較例1的固態(tài)電解電容器的導(dǎo)電性高分子層(聚苯胺層)僅以凡得瓦力，附著于氧化鋁介電層之上。
表一

發(fā)明的效果如表1所示實(shí)施例1-4與比較例1的試驗結(jié)果，本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2的電容量高于傳統(tǒng)導(dǎo)電性高分子層僅以凡得瓦力附著于氧化鋁介電層之上的電容器，其等效串聯(lián)阻抗與散逸因子亦低于傳統(tǒng)的電容器。因此，本發(fā)明的固態(tài)電解電容器2，使用本發(fā)明的偶合劑作為偶合層，同時與導(dǎo)電性高分子層及介電層發(fā)生共價鍵結(jié)，以提升導(dǎo)電性高分子層及介電層之間的結(jié)合性，避免空隙的產(chǎn)生，提升了固態(tài)電解電容器的電性表現(xiàn)，同時可提升其可靠度表現(xiàn)，達(dá)成了上述本發(fā)明的目的。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下1電容器2固態(tài)電解電容器100閥金屬 110介電層120導(dǎo)電性高分子層 121空隙200閥金屬 210氧化物介電層220偶合層 230導(dǎo)電性高分子層240碳膠250銀膠
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)電解電容器，其特征在于包含一閥金屬層；一氧化物介電層于該閥金屬層上，覆蓋部分該閥金屬層的表面；一偶合層，其分子鏈的第一端以共價鍵鍵結(jié)于該氧化物介電層，第二端具有一導(dǎo)電性高分子單體的官能基；以及一導(dǎo)電性高分子層，于該偶合層上，具有共價鍵鍵結(jié)于該導(dǎo)電性高分子單體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該閥金屬層為鋁、鉭、鈦、鈮、氧化鈮或上述的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該氧化物介電層為該閥金屬層的氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該偶合層與該氧化物介電層之間的鍵結(jié)為硅氧鍵、磷氧鍵、碳氧鍵、硫氧鍵或硼氧鍵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該偶合層的分子鏈的第一端與第二端之間還包含C1～C12的烷基。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯或上述的衍生物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器，其特征在于該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺。
10.一種固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于包含提供一閥金屬層；形成一氧化物介電層于該閥金屬層上，覆蓋部分該閥金屬層的表面；以自組裝的方式形成一偶合層于該氧化物介電層上，該偶合層的分子鏈的第一端以共價鍵鍵結(jié)于該氧化物介電層，第二端具有一導(dǎo)電性高分子單體的官能基；以及形成一導(dǎo)電性高分子層于該偶合層上，具有共價鍵鍵結(jié)于該導(dǎo)電性高分子單體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該閥金屬層為鋁、鉭、鈦、鈮、氧化鈮或上述的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該氧化物介電層為該閥金屬層的氧化物。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于形成該偶合層更包含將該氧化物介電層浸入一偶合劑的溶液中，其中該偶合劑層具下列式(1)的分子式R1-R3(1)其中R1擇自硅烷基、磷酸基、羧基、磺酸基、硼酸基或上述的衍生物，R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于形成該偶合層更包含將該氧化物介電層浸入一偶合劑的溶液中，其中該偶合劑層具下列式(2)的分子式R1-R2-R3(2)其中R1擇自硅烷基、磷酸基、羧基、磺酸基、硼酸基或上述的衍生物，R3為C1～C12的烷基，R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該偶合層與該氧化物介電層之間的鍵結(jié)為硅氧鍵、磷氧鍵、碳氧鍵、硫氧鍵或硼氧鍵。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該導(dǎo)電性高分子單體的官能基為苯胺基。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該偶合層的分子鏈的第一端與第二端之間還包含C1～C12的烷基。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯或上述的衍生物。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)電解電容器的制造方法，其特征在于該導(dǎo)電性高分子層為聚苯胺。
21.一種偶合劑，其特征在于適用于以自組裝的方式與一氧化物與一高分子材料產(chǎn)生共價鍵結(jié)，具下列式(1)的分子式R1-R3(1)其中R1擇自硅烷基、磷酸基、羧基、磺酸基、硼酸基或上述的衍生物，R3為該高分子材料的聚合單體之一。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的偶合劑，其特征在于R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
23.一種偶合劑，其特征在于適用于以自組裝的方式與一氧化物與一高分子材料產(chǎn)生共價鍵結(jié)，具下列式(2)的分子式R1-R2-R3(2)其中R1擇自硅烷基、磷酸基、羧基、磺酸基、硼酸基或上述的衍生物，R2為C1～C12的烷基，R3為該高分子材料的聚合單體之一。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的偶合劑，其特征在于R3擇自苯胺基、噻吩基、吡咯基或上述的衍生物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種固態(tài)電解電容器、其制造方法及其所使用的偶合劑，其固態(tài)電解電容器包含一閥金屬層；一氧化物介電層于上述閥金屬層上，覆蓋部分上述閥金屬層的表面；一偶合層，其分子鏈的第一端以共價鍵鍵結(jié)于上述氧化物介電層，第二端具有一導(dǎo)電性高分子單體的官能基；以及一導(dǎo)電性高分子層，于上述偶合層上，具有共價鍵鍵結(jié)于上述導(dǎo)電性高分子單體。本發(fā)明的固態(tài)電解電容器，使用本發(fā)明的偶合劑作為偶合層，同時與導(dǎo)電性高分子層及介電層發(fā)生共價鍵結(jié)，以提升導(dǎo)電性高分子層及介電層之間的結(jié)合性，避免空隙的產(chǎn)生，提升了固態(tài)電解電容器的電性表現(xiàn)，同時可提升其可靠度表現(xiàn)。
文檔編號H01G9/025GK1832073SQ20051005136
公開日2006年9月13日 申請日期2005年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月8日
發(fā)明者曾文男, 蔡麗端, 吳春桂 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院