專利名稱：用于抑制使用光刻系統(tǒng)印刷的特征波形化的裝置、方法及程序產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻，尤其涉及抑制使用光刻系統(tǒng)印刷的特征波形化的光刻。
背景技術(shù)：
光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，制造中使用的掩?？砂瑢?yīng)于IC的一個(gè)單獨(dú)層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基片(硅片)的靶部上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)電路小片(die))。一般的，單一的晶片將包含相鄰靶部的整個(gè)網(wǎng)格，該相鄰靶部由投影系統(tǒng)逐個(gè)相繼輻射。在一類光刻投影裝置中，通過將全部掩模圖案一次曝光在靶部上而輻射每一靶部；這種裝置通常稱作晶片分檔器。在另一類裝置中-通常稱作分步掃描裝置-通過在投影光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基片臺來輻射每一靶部；因?yàn)橐话銇碚f，投影系統(tǒng)有一個(gè)放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對基片臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。如這里描述的關(guān)于光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國專利US6,046,792中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中，掩模圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基片上。在這種成像步驟之前，可以對基片可進(jìn)行各種處理，如涂底漆、涂敷抗蝕劑和軟烘烤。在曝光后，可以對基片進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基片(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開，單個(gè)器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類型中任一設(shè)計(jì)的操作部件，該操作部件用于操縱、整形或者控制輻射的投影光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨(dú)地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以具有兩個(gè)或者多個(gè)基片臺(和/或兩個(gè)或者多個(gè)掩模臺)。在這種“多級式”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺用于曝光。例如在美國專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級光刻裝置，這里作為參考引入。
上面提到的光刻掩模包括對應(yīng)于集成到硅晶片上的電路組件的幾何圖案。利用CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))程序產(chǎn)生用于形成這種掩模的圖案，該處理經(jīng)常被稱作EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)。為了制作功能掩模，大部分CAD程序遵循一套預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則。這些規(guī)則根據(jù)處理和設(shè)計(jì)限度設(shè)定。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則定義了電路器件(例如柵極，電容器等)或互連線之間的距離偏差，以確保電路器件或線不會以不希望的方式互相影響。該設(shè)計(jì)規(guī)則限度典型地稱作“臨界尺寸”(CD)。電路的臨界尺寸可定義為兩條線之間線的最小寬度或最小距離。因此，CD決定了設(shè)計(jì)電路的全部尺寸和密度。
當(dāng)然集成電路制作中的一個(gè)目標(biāo)是在晶片上如實(shí)地再現(xiàn)原始電路設(shè)計(jì)(通過掩模)。然而，由于光刻特征日益微觀的尺寸和高分辨率系統(tǒng)，印刷在基板上的最終特征具有一些波紋，即應(yīng)該為直的邊不是直的。該波紋與濾波器原理中的“振蕩”有關(guān)(ringing)，其是為增強(qiáng)使小特征成像所需的高空間頻率的作用力的自然副作用。產(chǎn)生波形的其它因素是本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員已知的。圖1圖解了受波紋問題影響的印刷在基板上的特征。
在當(dāng)前本領(lǐng)域的情形中，基于模型的(model-based)OPC使用下面的步驟解決靶部圖象和預(yù)定圖象間的錯(cuò)位。(1)將靶部層分為多個(gè)部分。(2)在多個(gè)部分的每個(gè)部分的一個(gè)“估測點(diǎn)”(典型地在中心)處估測預(yù)定圖象。(3)以各自的估測為基礎(chǔ)，通過根據(jù)在相應(yīng)部分中心處的各自估測修改所述掩模來修改將要印刷的特征，以將靶部和預(yù)定圖象間的錯(cuò)位最小化。在發(fā)生波形化或波形化較普遍的低k1系統(tǒng)中，假如所述估測點(diǎn)偶然沒有放置在各自部分內(nèi)理想的代表性位置內(nèi)，則常規(guī)的基于模型的OPC方法會增強(qiáng)波形化。
例如，圖2圖解了疊加在具有波形化的預(yù)定圖象22上的靶部圖象20。靶部圖象20被分為多個(gè)部分24，對于每個(gè)部分24在估測點(diǎn)26處估測圖象22，24。每個(gè)估測點(diǎn)26位于各個(gè)部分24的中心處?；谶@些估測，修改靶部圖象(已修改的掩模30)，如圖3所示。該已修改的掩?？紤]了靶部圖象20和預(yù)定圖象22間的錯(cuò)位。對于多個(gè)部分24的每一個(gè)中心處的估測，對于靶部圖象20施加Δn的偏移，其中n表示對應(yīng)的部分24。換句話說，在原始斷定高的每個(gè)位置向下調(diào)整能得到新邊，如果期望的話，也能在原始斷定低的每個(gè)位置向上調(diào)整得到新邊。
圖4圖解了基于已修改的掩模30的新預(yù)定的圖象40。通過與預(yù)定圖象22對比，常規(guī)基于模型的OPC技術(shù)加強(qiáng)了新預(yù)定的圖象40的波形，其增加了依賴于周圍結(jié)構(gòu)的斷裂或橋接(bridging)的可能性。
通過選擇“更好的”估測點(diǎn)理論上可獲得改善的結(jié)果，而在該點(diǎn)上存在一些限制的策略。尤其地，在角處或接近角的部分的估測點(diǎn)可從角處向后移，以避免過度修正。這些方法是有益的，但除了一些簡單的情形之外，由于在所關(guān)注的特定邊上所觀察到的周邊的前后特征與波形之間相互作用的復(fù)雜性，所以很難實(shí)施。目前，沒有最佳方式和模型方法可以將考慮到波紋的靶部圖象和預(yù)定圖象之間的錯(cuò)位最小化。

發(fā)明內(nèi)容
這里的教導(dǎo)減輕了上面提到的問題，并提供了一種新的優(yōu)化形成在基板上的圖案的方法。所述方法包括下面的步驟對于所述圖案的多個(gè)部分的每個(gè)部分，在多個(gè)估測點(diǎn)的確定所述圖案的第一表示和所述圖案的圖象的第二表示之間的偏差值；基于所述多個(gè)估測點(diǎn)的估測確定每個(gè)部分的所述圖案的修改量；以及基于前面的步驟確定的所述量修改每個(gè)部分的圖案。
進(jìn)一步的改進(jìn)包括識別多個(gè)部分的每一部分的部分類型以及確定每個(gè)部分類型是不是對應(yīng)于所述圖案的角。當(dāng)所述部分類型對應(yīng)于所述角時(shí)，在對應(yīng)于所述角的部分處不修改所述圖案?？蛇x擇地，當(dāng)所述部分類型對應(yīng)于所述角時(shí)，確定所述角是凹入角還是凸出角。如果所述角是凹入角，則確定所述部分的多個(gè)估測點(diǎn)的最小偏差值，并基于所述最小偏差值，在對應(yīng)于所述凹入角的部分處修改所述圖案。如果所述角是凸出角，則利用最大偏差值。
進(jìn)一步的改進(jìn)包括根據(jù)每個(gè)部分類型，確定所述多個(gè)部分的每個(gè)部分的估測方法，根據(jù)所選擇的每個(gè)估測方法估測在每個(gè)部分處的偏差，并基于估測的結(jié)果修改所述多個(gè)部分的每個(gè)部分處的圖案。從最小值，最大值，中間值，平均值(mean)和中值(median)組成的組中選擇每個(gè)估測方法。
進(jìn)一步的改進(jìn)還包括，對于所述多個(gè)部分的給定部分，確定在所述給定部分的每個(gè)估測點(diǎn)處的偏差，確定在與所述給定部分相鄰的部分的預(yù)定多個(gè)估測點(diǎn)的每一個(gè)處的偏差，并基于前兩個(gè)步驟的每個(gè)估測點(diǎn)處估測的偏差修改所述給定部分處的圖案。也可簡單通過修正因子修改角部分處的圖案。
更進(jìn)一步的改進(jìn)包括，對于給定部分，通過確定至少兩個(gè)偏差值來估測所述給定部分的多個(gè)估測點(diǎn)，所述至少兩個(gè)偏差值包括基于第一估測方法的所述給定部分的第一偏差值，和基于第二估測方法的所述給定部分的偏差值，基于所述至少兩個(gè)偏差值確定最終的偏差值；且基于之前的步驟的結(jié)果修改所述給定部分處的圖案。所述第一估測方法從最小值，最大值，中間值，平均值和中值組成的組中選出，第二估測方法對應(yīng)于從所述組中選出的不同的方法。
在接下來的描述中將部分列出另外的目的，優(yōu)點(diǎn)和新穎性特征，對于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員來說，根據(jù)下面的審查和附圖，部分將變得顯而易見，或通過制造或操作的例子可以領(lǐng)會到。通過實(shí)踐和使用尤其所附權(quán)利要求中提到的方法，手段和組合可以實(shí)現(xiàn)和獲得本教導(dǎo)的目的和優(yōu)點(diǎn)。


附圖僅通過例子的方式，而不是限制的方式描述了依照本教導(dǎo)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的元件。
圖1圖解了印刷在基板上受波紋影響的典型特征。
圖2圖解了受波紋影響的典型的靶部圖象和相應(yīng)的預(yù)定圖象。
圖3圖解了圖2的靶部和預(yù)定圖象及基于圖2圖象的估測的典型的已修改的掩模。
圖4圖解了基于圖3的已修改的掩模的典型的預(yù)定圖象。
圖5圖解了依照已公開的原理估測的圖2典型的靶部圖象和預(yù)定圖象。
圖6圖解了依照已公開的原理估測將要形成在基板上的設(shè)計(jì)表現(xiàn)的流程圖。
圖7圖解了基于每部分最小偏差值的典型靶部圖象，預(yù)定圖象和已修改的掩模圖案。
圖8圖解了基于每部分最大偏差值的典型靶部圖象，預(yù)定圖象和已修改的掩模圖案。
圖9圖解了基于每部分中間(middle)偏差值的典型靶部圖象，預(yù)定圖象和已修改的掩模圖案。
圖10圖解了基于每部分平均偏差值的典型靶部圖象，預(yù)定圖象和已修改的掩模圖案。
圖11圖解了基于每部分當(dāng)中(median)偏差值的典型靶部圖象，預(yù)定圖象和已修改的掩模圖案。
圖12圖解了使用通過已公開的原理設(shè)計(jì)的掩模的典型的光刻投影裝置。
具體實(shí)施例方式
這里討論的新穎的原理改善了用于預(yù)定特征的基于模型的OPC，所述預(yù)定特征具有波紋或波狀特性，如圖1-5中所示。由于波狀，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過在多個(gè)估測點(diǎn)50(見圖5)處估測每個(gè)部分24，并基于在這些多個(gè)估測處的OPC模型，可以抑制使用常規(guī)的基于模型的OPC技術(shù)而產(chǎn)生的誤差。
圖5圖解了與圖2圖解的相似的靶部特征20和預(yù)定特征22。如前所述，所述特征被分為多個(gè)部分24。然而，對于多個(gè)部分24的每個(gè)部分，在多個(gè)估測點(diǎn)50處實(shí)施估測。估測點(diǎn)的數(shù)量依賴于將要印刷的特征的復(fù)雜性、波紋的數(shù)量、期望的精度、每個(gè)部分50的估計(jì)時(shí)間或前述的任意組合。
與常規(guī)的方式相比，代替基于在每個(gè)相應(yīng)部分的中心處采取單個(gè)估測點(diǎn)來修改掩模(見圖4)，該公開的原理提出基于多個(gè)部分24的每個(gè)相應(yīng)部分的多個(gè)估測點(diǎn)來修改掩模。本發(fā)明人已經(jīng)提出了對多個(gè)估測點(diǎn)50的每一個(gè)采取估測誤差測量的幾種方式；下面討論每一種方式。
涉及每個(gè)部分24中多個(gè)估測點(diǎn)50的任何計(jì)算都可以用于確定必要的修正量。在每個(gè)估測點(diǎn)處，確定靶部圖象和預(yù)定圖象之間的偏差誤差。若有的話，進(jìn)一步估測這些偏差誤差來確定對掩模必要的修改。典型的計(jì)算方法包括確定一個(gè)部分的平均(或采用算術(shù)平均)偏差誤差，確定一個(gè)部分的偏差誤差的中值(median)。其它例子包括選擇在部分24處估測的最小誤差值或最大誤差值。還可以利用確定中間值(最大誤差和最小誤差值的平均值)。
上面提到的每種計(jì)算方法都具有其優(yōu)點(diǎn)。同樣地，可以根據(jù)部分24中的特征來使用不同的計(jì)算方法。換句話說，可以選擇最適于各個(gè)部分24中靶部圖象和預(yù)定圖象特性的計(jì)算方法。
角部分或接近角的部分的修改應(yīng)盡可能減小角度的變圓?？梢詫⒔堑湫偷胤譃閮蓚€(gè)部分，一個(gè)部分對應(yīng)于每一側(cè)，并對每個(gè)部分估測多個(gè)估測點(diǎn)。根據(jù)接近凹入角的部分24的多個(gè)估測點(diǎn)的最小偏差誤差值來修改掩模，而最大值可用于接近凸出角的部分24。
為了提高這里描述的新模型的耐用性(robustness)，相鄰部分24的估測點(diǎn)可代入(factored)初級部分24的計(jì)算中。換言之，部分24相互交迭，以致修改的掩模從相應(yīng)的一個(gè)部分到另一個(gè)部分具有更平滑的轉(zhuǎn)換。然而，對于在角處的部分24，沒有與相鄰部分的交迭。為了適應(yīng)該情形，可以給接近角或在角處的估測點(diǎn)施加修正因子?？蛇x擇地，可完全避免接近角或位于角處的估測點(diǎn)的分析。
本發(fā)明人提出了另一種在每個(gè)部分處計(jì)算修正因數(shù)的方法，其包括取最小值，最大值和中間結(jié)果的平均值。這里定義的中間值是最大和最小值的平均值。這具有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。僅使用最小值導(dǎo)致了過度的橋接(bridging)，僅使用最大值導(dǎo)致了過度的收聚(pinching)，而僅使用中間值避免了過度的收聚和橋接，但不會抑制單獨(dú)平均值實(shí)現(xiàn)的波形化效果。然而，通過取三個(gè)的平均值，可實(shí)現(xiàn)過度橋接，過度收聚，以及良好的抑制波形化效果。
圖6圖解了上述估測方法典型的流程圖。在圖中，這里的“步驟”簡寫為字母“S”。在S600中，將靶部圖象和預(yù)定圖象(即分別為成像在基板上的圖案的表示和基板上圖案的圖象的表示)分為多個(gè)部分，如圖5中圖解的多個(gè)部分24。每個(gè)部分的尺寸依賴于所要求的精度。較小的部分會愈加(increasingly)減小波形化效果，但需要增加的計(jì)算時(shí)間，而較大的部分則不行。在S602中，識別每個(gè)部分的類型。部分的類型包括角或除角以外的那些部分。通過人工檢查或軟件分析可以識別部分的類型。在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的水平內(nèi)這兩項(xiàng)技術(shù)都是公知的。在S604中，確定該部分是否需要專門估測。需要專門估測的部分的例子包括角部分。如果不需要專門估測，則在S606中，確定并估測所述部分的每個(gè)估測點(diǎn)處的偏差誤差。典型的估測方法是上述包括最小值，最大值，中間值，平均值和中值，以及其它技術(shù)。然而，可以利用其它公知的估測方法來確定一個(gè)部分所需要的修改的量。在S608中，如果估測了所有部分，則根據(jù)估測來修改掩模。圖5示出了典型的修改(S610)。
如果沒有完成所有部分的估測(S608)，則識別下一個(gè)部分類型(s612)。再次確定識別的部分是否需要專門估測(S604)?？紤]到角部分，在S604中，可以確定角需要專門估測。在S614中，確定所述部分是凸出角還是凹入角。識別部分是凸出部分的類型還是凹入部分的類型的技術(shù)在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員水平內(nèi)是公知的。如果所述部分是凹入的，則使用多個(gè)估測點(diǎn)的最小偏差值進(jìn)行估測(S616)。如果所述部分是凸出的，則使用多個(gè)估測點(diǎn)的最大偏差值進(jìn)行估測(S618)。一旦完成了所有部分的估測，就根據(jù)所進(jìn)行的估測通過調(diào)整每個(gè)部分來修改掩模(S610)。
圖7-11圖解了分別使用最小值，最大值，中間值，平均值和中值的計(jì)算方法進(jìn)行的模擬估測。在每個(gè)圖中，靶部部分用數(shù)字702示出，已修正掩模圖案用數(shù)字704示出，預(yù)定的印刷結(jié)果用數(shù)字706示出。選擇在每個(gè)圖中指定的區(qū)域A1-A4，來分別比較橋接，頸縮現(xiàn)象(necking)(或收聚)，線平滑，和平均線寬的影響。表1編輯了每個(gè)模擬的計(jì)算方法和預(yù)定圖象特性的對比結(jié)果。
表1

基于給定圖案的上述模擬，使用中值計(jì)算(圖11)的預(yù)定圖案具有最好的整體特性，即其是最耐用的(robust)。然而，應(yīng)當(dāng)注意到，所述模擬是代表給定的圖案的特征。其它的計(jì)算方法可以給予給定圖案最全面的預(yù)定圖案?？蛇x擇地，其它的計(jì)算方法對于其它類型的圖案可能是較好的或最適合的。
圖12示意性地描述了適于使用在本發(fā)明幫助下設(shè)計(jì)的掩模的光刻投影裝置。該裝置包括輻射系統(tǒng)Ex、IL，用于提供輻射投影光束PB。在該情形中該輻射系統(tǒng)還包括輻射源LA；第一載物臺(掩模臺)MT，設(shè)有用于保持掩模MA(例如劃線板)的掩模保持器，并與用于將該掩模相對于物體PL精確定位的第一定位裝置連接；第二載物臺(基片基片臺)WT，設(shè)有用于保持基片W(例如涂敷抗蝕劑的硅晶片)的基片保持器，并與用于將基片相對于物體PL精確定位的第二定位裝置連接；和投影系統(tǒng)(“鏡頭”)PL(例如折射，反射或反射折射光學(xué)系統(tǒng))，用于將掩模MA的輻射部分成像在基片W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)電路小片(die))上。
如這里所述，該裝置是透射型的(即具有透射掩模)。但是該裝置通常也可以例如是具有反射掩模的反射型的?；蛘咴撗b置可以采用其他類型的構(gòu)圖部件以替代掩模的使用，例子包括程控反射鏡陣列或LCD陣列。
輻射源LA(例如汞燈或受激準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或橫穿過如擴(kuò)束器Ex的調(diào)節(jié)裝置后，再照射到照射系統(tǒng)(照射器)IL上。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，它一般包括各種其它部件，如積分器(IN)和聚光器(CO)。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有理想的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意，圖12中的輻射源LA可以置于光刻投影裝置的殼體中(例如當(dāng)輻射源LA是汞燈時(shí)經(jīng)常是這種情況)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過適當(dāng)?shù)亩ㄏ蚍瓷溏R的幫助)引導(dǎo)至該裝置中；當(dāng)光源LA是準(zhǔn)分子激光器(例如基于KrF，ArF或F2發(fā)射激光的)時(shí)通常是后面的那種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
光束PB然后與保持在掩模臺MT上的掩模MA相交。經(jīng)過掩模MA之后的光束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基片W的靶部C上。在第二定位裝置(和干涉測量裝置IF)的輔助下，基片臺WT可以精確地移動(dòng)，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。類似的，例如在從掩模庫中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，用圖11中未明確顯示的長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺MT、WT的移動(dòng)?？墒?，在晶片分檔器中(與分步掃描裝置相對)，掩模臺MT可僅與短沖程致動(dòng)裝置連接，或者被固定住。
所示的裝置可以按照兩種不同模式使用在步進(jìn)模式中，掩模臺MT基本保持不動(dòng)，整個(gè)掩模圖象被一次投影(即單“閃”)到靶部C上。然后基片臺WT沿x和/或y方向移動(dòng)，以使不同的靶部C能夠由光束PB照射；在掃描模式中，基本為相同的情況，但是所給的靶部C沒有暴露在單“閃”中。取而代之的是，掩模臺MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向，例如y方向”)以速度v移動(dòng)，以使投影光束PB掃描整個(gè)掩模圖象；同時(shí)，基片臺WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在這種方式中，可以曝光相當(dāng)大的靶部C，而沒有犧牲分辨率。
這里披露的原理可以模擬或算術(shù)模擬任何的用于成像亞波長特征的幾何成像系統(tǒng)，尤其對新興的能產(chǎn)生愈來愈小的尺寸的波長的成像技術(shù)有用。已經(jīng)使用的新興技術(shù)包括EUV(遠(yuǎn)紫外線)光刻，其能使用ArF激光器能產(chǎn)生193nm波長，甚至用氟激光器產(chǎn)生157nm波長。此外，通使用同步加速器或通過用高能電子撞擊材料(硅或等離子體)從而產(chǎn)生20-5nm范圍內(nèi)的光子，能使EUV光刻產(chǎn)生20-5nm范圍內(nèi)的波長。因?yàn)榇蠖鄶?shù)材料在該范圍內(nèi)是吸收性的，所以可以通過具有多層堆疊的鉬和硅的反射鏡產(chǎn)生照射。多層堆疊的反射鏡具有40層成對的鉬和硅，其中每層的厚度是四分之一波長。用X射線光刻甚至可以產(chǎn)生更小的波長。典型地，用同步加速器產(chǎn)生X射線波長。因?yàn)榇蠖鄶?shù)材料在X射線波長處是吸收性的，所以吸收材料的薄片確定了特征將會印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負(fù)型抗蝕劑)。
盡管這里披露的原理用于在諸如硅晶片類的基板上成像，但應(yīng)當(dāng)理解，所披露的原理可用于任何類型的光刻成像系統(tǒng)，例如那些用于在除硅晶片以外的基板上成像的系統(tǒng)。
這里所公開的原理可用作模擬器，即用作能在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的軟件功能性涉及編程，包括可執(zhí)行編碼，用于執(zhí)行上述成像模型。通過通用計(jì)算機(jī)執(zhí)行所述軟件編碼。在操作中，編碼和可能的相關(guān)數(shù)據(jù)記錄都存儲在通用計(jì)算機(jī)平臺內(nèi)。然而，在平時(shí)，軟件可以存儲在其它位置和/或傳輸裝載進(jìn)適當(dāng)?shù)耐ㄓ糜?jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)。因此，上述討論的實(shí)施方案包括被至少一個(gè)機(jī)器可讀介質(zhì)裝載的、一個(gè)或多個(gè)編碼模塊形式的一個(gè)或多個(gè)軟件產(chǎn)品。以在這里討論和圖解的實(shí)施方案中實(shí)質(zhì)執(zhí)行的方式，通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的處理器執(zhí)行這種編碼能夠使所述平臺進(jìn)行編目和/或軟件下載功能。
如這里所使用的術(shù)語，例如計(jì)算機(jī)或機(jī)器“可讀介質(zhì)”是指參與將指令提供給處理器以便執(zhí)行的任何介質(zhì)。這種介質(zhì)可以是任何形式，包括但并不限于永久性介質(zhì)，非永久性介質(zhì)和傳送介質(zhì)。永久性介質(zhì)包括，例如光盤或磁盤，如上述討論的作為一個(gè)服務(wù)平臺而操作的任何計(jì)算機(jī)中的任意存儲器件。非永久性介質(zhì)包括動(dòng)態(tài)存儲器，如這種計(jì)算機(jī)平臺的主存儲器。物理傳送介質(zhì)包括同軸電纜；銅線和光線，包括含有計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)總線的線。載波傳送介質(zhì)可以是電子或電磁信號，或聲波或光波的形式，所述聲波或光波是例如在在無線電頻率(RF)和紅外(IR)數(shù)據(jù)通訊中產(chǎn)生的那些波。因此計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的共同形式包括，例如軟盤，柔性盤(flexible disk)，硬盤，磁帶，任何其它的磁性介質(zhì)，CD-ROM，DVD，任何其它的光學(xué)介質(zhì)，通常很少使用的介質(zhì)如穿孔卡片，紙帶，任何其他的具有孔圖案的物理介質(zhì)，RAM，PROM，和EPROM，F(xiàn)LASH-EPROM，任何其它的存儲芯片或模塊，載波傳輸數(shù)據(jù)或指令，傳輸這種載波的電纜或連接，或任何其它的、計(jì)算機(jī)從其讀取程序編碼和/或數(shù)據(jù)的介質(zhì)。一些這些形式的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以將一個(gè)或多個(gè)指令的一個(gè)或多個(gè)序列裝載進(jìn)處理器，以便操作。
盡管前面已經(jīng)描述了認(rèn)為是最佳的模式和/或其它例子，但應(yīng)理解到，這里可以做各種修改，且可以以各種形式和例子執(zhí)行這里公開的主題，并且可以在眾多的應(yīng)用中使用本技術(shù)，這里僅僅描述了其中的一些。通過下面的權(quán)利要求意在要求落入本技術(shù)實(shí)際范圍內(nèi)的任何和所有的應(yīng)用，修改和變形。
權(quán)利要求
1.一種優(yōu)化形成在基板上的圖案(design)的方法，包括下述步驟(a)對于所述圖案的多個(gè)部分的每個(gè)部分，在多個(gè)估測點(diǎn)的每一個(gè)處確定所述圖案的第一表示和所述圖案的圖象的第二表示之間的偏差；(b)基于所述多個(gè)估測點(diǎn)的估測確定每個(gè)部分處的所述圖案的修改量；以及(c)基于步驟(b)確定的所述量修改每個(gè)部分處的圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的優(yōu)化圖案的方法，進(jìn)一步包括下面的步驟(i)將所述圖案的第一表示分為多個(gè)部分；以及(ii)將所述圖案的圖象的第二表示分為相應(yīng)的多個(gè)部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的優(yōu)化圖案的方法，進(jìn)一步包括下面的步驟(i)識別多個(gè)部分的每一部分的部分類型；以及(ii)確定每個(gè)部分類型是不是對應(yīng)于所述圖案的角。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的優(yōu)化圖案的方法，其中當(dāng)所述部分類型對應(yīng)于所述角時(shí)，進(jìn)一步包括在對應(yīng)于所述角的部分處不修改所述圖案的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的優(yōu)化圖案的方法，其中當(dāng)所述部分類型對應(yīng)于所述角時(shí)，進(jìn)一步包括識別所述角是凹入角還是凸出角的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的優(yōu)化圖案的方法，其中所述角是凹入角時(shí)，進(jìn)一步包括下面的步驟(i)確定所述部分的多個(gè)估測點(diǎn)的最小偏差值；以及(ii)基于所述最小偏差值，在對應(yīng)于所述凹入角的部分處修改所述圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的優(yōu)化圖案的方法，其中所述角是凸出角時(shí)，進(jìn)一步包括下面的步驟(i)確定所述部分的多個(gè)估測點(diǎn)的最大偏差值；以及(ii)基于所述最大偏差值，在對應(yīng)于所述凸出角的部分處修改所述圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的優(yōu)化圖案的方法，進(jìn)一步包括下面的步驟(i)根據(jù)每個(gè)部分類型，確定所述多個(gè)部分的每個(gè)部分的估測方法；(ii)基于步驟(i)中確定的相應(yīng)的估測方法估測在每個(gè)部分處的偏差；(iii)基于步驟(ii)的結(jié)果修改所述多個(gè)部分的每個(gè)部分處的圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的優(yōu)化圖案的方法，進(jìn)一步包括確定所述多個(gè)部分的每個(gè)部分類型的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的優(yōu)化圖案的方法，其中從最小值，最大值，中間值，平均值(mean)和中值組成的組中選擇每個(gè)估測方法。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的優(yōu)化圖案的方法，對于所述多個(gè)部分的給定部分，進(jìn)一步包括下面的步驟(i)確定在所述給定部分的每個(gè)估測點(diǎn)處的偏差；(ii)確定在與所述給定部分相鄰的部分的預(yù)定的多個(gè)估測點(diǎn)的每一個(gè)處的偏差；(iii)基于在步驟(i)的每個(gè)估測點(diǎn)處和在步驟(ii)的每個(gè)估測點(diǎn)處估測的偏差修改所述給定部分處的圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的優(yōu)化圖案的方法，進(jìn)一步包括通過修正因子修改角部分處的圖案的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的優(yōu)化圖案的方法，對于給定部分，進(jìn)一步包括下面的步驟(i)通過確定至少兩個(gè)偏差值來估測所述給定部分的多個(gè)估測點(diǎn)，所述至少兩個(gè)偏差值包括基于第一估測方法的所述給定部分的第一偏差值，和基于第二估測方法的所述給定部分的偏差值；(ii)基于所述至少兩個(gè)偏差值確定最終的偏差值；以及(iii)基于在步驟(ii)的結(jié)果修改所述給定部分處的圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的優(yōu)化圖案的方法，其中所述第一估測方法從最小值，最大值，中間值，平均值和中值組成的組中選出，第二估測方法對應(yīng)于從所述組中選出的不同的方法。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的優(yōu)化圖案的方法，其中所述至少兩個(gè)偏差值進(jìn)一步包括基于第三估測方法的所述給定部分的第三偏差值。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的優(yōu)化圖案的方法，其中所述第一，第二和第三估測方法對應(yīng)于從最小值，最大值，中間值，平均值和中值組成的組中選出的三種方法。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的優(yōu)化圖案的方法，其中步驟(ii)進(jìn)一步包括通過平均第一偏差值和第二偏差值確定所述最終偏差值的步驟。
18.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括通過至少一種機(jī)器可讀介質(zhì)傳輸?shù)目蓤?zhí)行代碼，其中通過至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行所述代碼導(dǎo)致所述至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行權(quán)利要求1-17中任意一個(gè)的一系列步驟，從而優(yōu)化形成在基板上的圖案。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于抑制使用光刻系統(tǒng)印刷的特征波形化的裝置、方法及程序產(chǎn)品。一種當(dāng)使用掩模在基板表面上成像時(shí)，使特征的波紋最小化的方法。所述方法包括下面的步驟對于所述圖案的多個(gè)部分的每個(gè)部分，在多個(gè)估測點(diǎn)的每一個(gè)處確定所述圖案的第一表示和所述圖案的圖象的第二表示；基于所述多個(gè)估測點(diǎn)的估測確定每個(gè)部分處的所述圖案的修改量；以及基于前面的步驟確定的所述量修改每個(gè)部分處的圖案。
文檔編號H01L21/027GK1749861SQ20051006853
公開日2006年3月22日 申請日期2005年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月31日
發(fā)明者M·F·A·尤齡斯, M·穆德爾, T·萊迪, U·霍勒巴克 申請人:Asml蒙片工具有限公司