專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將所需圖案應(yīng)用于基底的靶部上的設(shè)備。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，如掩模這類的構(gòu)圖部件，可用于產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于IC的一個(gè)單獨(dú)層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的靶部上(例如包括部分、一個(gè)或者多個(gè)管芯)。一般地，單一的基底將包含被依次曝光的相鄰靶部的整個(gè)網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括通常所說的晶片步進(jìn)器，其通過將全部圖案一次曝光在靶部上而輻射每一靶部，以及通常所說的掃描裝置，其通過在投影光束下沿給定的方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一靶部。
現(xiàn)已提出，將光刻投影裝置中的基底浸入具有較高折射率的液體如水中，以便基底和投影系統(tǒng)最后元件之間充滿液體。這使得更小的部件能夠成像，因?yàn)槠毓廨椛湓谝后w中具有更短的波長。(液體的這種作用也可以認(rèn)為是增大了系統(tǒng)的有效NA(數(shù)值孔徑)和提高了聚焦深度)也有人建議其它的浸液，包括其中懸浮著固體微粒(如石英)的水。
然而，將基底或者基底和基底臺(tái)浸在液體槽中(例如參見美國專利US4509852，這里全部引入作為參考)意味著在掃描曝光期間要將一大塊液體加速。這需要輔助的或者更大功率的電動(dòng)機(jī)，且液體中的擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生不需要和不可預(yù)知的影響。
對(duì)液體供給系統(tǒng)，所提出的解決方法之一是僅僅在基底的局部區(qū)域提供液體以及在使用液體供給系統(tǒng)的投影系統(tǒng)最后元件和基底(基底的表面積通常比投影系統(tǒng)最后元件的要大)之間提供液體。PCT專利申請(qǐng)出版物WO99/49504中公開了一種采用這種設(shè)置的方法，這里全部引入作為參考。如圖2和圖3所示，液體通過至少一個(gè)入口IN提供給基底，優(yōu)選沿著基底相對(duì)于最后元件移動(dòng)的方向供給，并且在通過了投影系統(tǒng)下方后由至少一個(gè)出口OUT將其除去。就是說，當(dāng)基底沿-X方向在元件下面掃描時(shí)，在該元件的+X一側(cè)供給液體并在-X一側(cè)將其吸走。圖2用示意圖表示出該設(shè)置，其中液體通過入口IN供給，并且由元件另一側(cè)的、連接到低壓源的出口OUT除去。圖2示出了液體是沿著基底相對(duì)于最后元件的移動(dòng)方向供給的，盡管這不是必須的。可以在最后元件周圍的各個(gè)方向上設(shè)置入口和出口，且其數(shù)目不限，圖3示出了一個(gè)例子，其中圍繞最后元件以規(guī)則圖案在任一邊設(shè)置了四組入口和出口。

發(fā)明內(nèi)容
浸液以及相關(guān)的液體供應(yīng)系統(tǒng)構(gòu)件的引入光刻裝置可能導(dǎo)致基底的聚焦精度的惡化和其它控制成像的關(guān)鍵參數(shù)的精確度的下降。
因此，對(duì)于例如為改進(jìn)光刻裝置的性能而克服這些或其它的問題而言是有優(yōu)勢的。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻裝置包括用于調(diào)節(jié)輻射光束的照射系統(tǒng)；用于支持構(gòu)圖部件的支承結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖部件能將圖案賦予輻射光束的橫截面，從而提供圖案化的輻射光束；用于支持基底的基底臺(tái)；用于將圖案化的輻射光束投射到基底的靶部上的投影系統(tǒng)；用于在投影系統(tǒng)和基底之間的空間內(nèi)容納液體的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件；以及用于補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件與基底臺(tái)之間的相互作用的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器。
如果沒有補(bǔ)償，對(duì)于基底臺(tái)，液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量或其它由基底臺(tái)上的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件傳遞的力可能導(dǎo)致與基底臺(tái)的位置相關(guān)的力和扭矩以及基底臺(tái)的不可忽略的變形和/或傾斜。由連附于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的導(dǎo)向構(gòu)件產(chǎn)生的附加剛性作用(parasitic stiffness effect)可能產(chǎn)生類似的影響。由這些干擾導(dǎo)致的基底的散焦可能達(dá)到1000nm。除了產(chǎn)生位置相關(guān)的散焦作用以外，基底臺(tái)的這些干擾也可以導(dǎo)致機(jī)器與機(jī)器的重疊誤差(尤其是浸漬和未浸漬的機(jī)器之間)。倘若液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的附加重量由基底臺(tái)補(bǔ)償器所補(bǔ)償，液體供給系統(tǒng)構(gòu)件所產(chǎn)生的變重力(shifting gravity force)作用可能導(dǎo)致在控制基底臺(tái)位置的伺服系統(tǒng)中的相應(yīng)干擾問題。液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器通過補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間任何由重力或其它的力產(chǎn)生的作用，可以減輕上述的部分或所有的問題。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器可以包括用于補(bǔ)償基底的相對(duì)位置的焦距校正部件以及根據(jù)補(bǔ)償數(shù)據(jù)的光刻裝置的最佳聚焦平面。該聚焦校正部件能對(duì)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量或其它因素的作用進(jìn)行補(bǔ)償，并且對(duì)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件本身沒有實(shí)質(zhì)性的影響。該補(bǔ)償器能這樣實(shí)施，例如，使用通過內(nèi)插矩陣或解析多項(xiàng)式函數(shù)來控制基底臺(tái)的相對(duì)位置的軟件，每個(gè)數(shù)學(xué)構(gòu)造代表可用于克服基底臺(tái)的相互作用所引起的干擾的補(bǔ)償值。該補(bǔ)償值一般是垂直于投影系統(tǒng)的光軸方向的位置函數(shù)，且可以以笛卡兒坐標(biāo)或極坐標(biāo)來記錄。
補(bǔ)償數(shù)據(jù)可以從基底臺(tái)幾何測量裝置的輸出中到處，該測量裝置用于判定當(dāng)基底臺(tái)被與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的相互作用干擾時(shí)其表面高度分布圖，表面傾斜分布圖，或以上兩者，在基本上平行于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸方向上確定該表面高度分布圖，且相對(duì)于基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面的一個(gè)或兩個(gè)正交軸確定該表面傾斜分布圖。該方法可以提供任何引起干擾的準(zhǔn)確特性。
補(bǔ)償數(shù)據(jù)可以由基底臺(tái)的機(jī)械數(shù)學(xué)模型獲得，該模型可以預(yù)測作為位置相關(guān)的作用力的函數(shù)的基底臺(tái)干擾。該方法可以使得補(bǔ)償值以最少的輔助測量方法和/或測量裝置來執(zhí)行。
補(bǔ)償數(shù)據(jù)可以由曝光聚焦測試圖案的分析來獲得，以顯示作為位置函數(shù)的聚焦誤差的范圍。該方法無需輔助測量元件就可以提供準(zhǔn)確的特性。
曝光聚焦測試圖案可以在基準(zhǔn)光刻裝置上成像，該基準(zhǔn)光刻裝置受到基本上等于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用的力的作用。由于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件與主光刻裝置之間沒有干涉，該方法可以提供干擾的準(zhǔn)確特性。該基準(zhǔn)裝置可以專門測量該聚焦測試圖案，因此對(duì)于這些測量方法而言，比主光刻裝置更簡單且更有效。
在雙臺(tái)光刻裝置中，通過沒有前述的浸液和液體供給系統(tǒng)元件的基底圖案對(duì)系統(tǒng)聚焦進(jìn)行規(guī)范校正。在這種裝置中，不考慮在液體供給系統(tǒng)構(gòu)件中執(zhí)行成像時(shí)可以導(dǎo)致散焦效應(yīng)產(chǎn)生的彎曲作用。
基底臺(tái)幾何測量裝置可以判定基底臺(tái)的表面高度分布圖，表面傾斜分布圖，或以上兩者，以作為在基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面中相對(duì)于基底臺(tái)的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置函數(shù)。由于與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的相互作用一般不僅僅是液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的點(diǎn)距離的函數(shù)，該部件應(yīng)考慮到基底臺(tái)上的點(diǎn)處的干擾。扭矩取決于相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸的力的位置且基底臺(tái)上對(duì)壓力的局部響應(yīng)可以改變。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器可以包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，該裝置能對(duì)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件供給力以至少部分地補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的互相作用。作為對(duì)于允許扭曲和/或傾斜產(chǎn)生并補(bǔ)償它們的作用的一種可選擇方式，該部件可以首先避免干擾產(chǎn)生。該方法具有消除可能是特殊機(jī)械的、必須反復(fù)且具有有限準(zhǔn)確度的校正測量方法的優(yōu)點(diǎn)。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置可以構(gòu)型成連接到支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架，該框架能通過連接作用支撐至少部分由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力。盡管典型地比投影系統(tǒng)的最后元件距液體供給系統(tǒng)構(gòu)件更遠(yuǎn)，但直接由保持投影系統(tǒng)的框架支撐液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量可以大大地減少投影系統(tǒng)元件定位的任何干擾或變化的可能性。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置可以構(gòu)型成連接投影系統(tǒng)，該投影系統(tǒng)通過連接作用能夠支撐至少部分由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是投影系統(tǒng)與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件非常鄰近，且可足夠重而不太受液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的附加重量或其它因素的影響。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置可以用于連接基本上機(jī)械地獨(dú)立于投影系統(tǒng)的框架，該獨(dú)立的框架通過連接作用支撐至少部分由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力。這種裝置具有使投影系統(tǒng)元件定位的任何干擾或變化的可能性減到最小的優(yōu)點(diǎn)。“基本上機(jī)械獨(dú)立于”可以理解為，例如，不直接機(jī)械接觸或不緊密地機(jī)械接觸(即，任何機(jī)械連接僅通過例如若干中間連接，或被動(dòng)或主動(dòng)軸承來實(shí)現(xiàn))。例如，該獨(dú)立框架可以是機(jī)器底座框架，用于通過軸承支撐光刻裝置的主要元件。該機(jī)器底座框架可以足夠重且完全獨(dú)立于外界，從而確保來自外界的振動(dòng)和其它干擾不會(huì)傳遞給液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。以洛倫茲致動(dòng)器(使用電磁力)為基準(zhǔn)的連接尤其適合該實(shí)施例，因?yàn)槠浔苊饬霜?dú)立框架和液體供給系統(tǒng)構(gòu)件之間的直接接觸的需要，否則可能需要精確的對(duì)準(zhǔn)以及昂貴的制造公差才能實(shí)現(xiàn)。
光刻裝置可以包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置控制器，該控制器根據(jù)代表液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用量的數(shù)據(jù)，通過液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，將控制力作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。這種裝置可以提供用于補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間產(chǎn)生的力的靈活且有效的方法。可以容易的使其適合于不同的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)的組合以及不同的環(huán)境條件。
由于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件作用于基底臺(tái)的重量可能產(chǎn)生上面所討論的相互作用。然而，由不是液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的元件產(chǎn)生的外力也可能產(chǎn)生一種作用。這些力可能是靜態(tài)的，象液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量，或是動(dòng)態(tài)的(隨時(shí)間改變)。隨時(shí)間改變的力的示例可以是那些由雜散磁場產(chǎn)生的力。相互作用也可以是位置相關(guān)的，具有一定大小且根據(jù)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置分布在液體供給系統(tǒng)構(gòu)件內(nèi)。對(duì)于例如電磁中間力這是可能發(fā)生的，因?yàn)橐后w供給系統(tǒng)構(gòu)件相對(duì)于光刻裝置的其它元件的位置是改變的。
光刻裝置可以包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置控制器和液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置，該液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置控制器構(gòu)型成，根據(jù)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置測量的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置，通過液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，將控制力作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。這種設(shè)置可以提供一種處理由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件施加在液體供給系統(tǒng)構(gòu)件上的力的直接手段，例如一種作為液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置的已知函數(shù)的垂直導(dǎo)向構(gòu)件。換言之，相互作用可以是液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置相關(guān)的，具有一定大小且根據(jù)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置分布在液體供給系統(tǒng)構(gòu)件內(nèi)。對(duì)于例如電磁中間力這是可能發(fā)生的，因?yàn)橐后w供給系統(tǒng)構(gòu)件相對(duì)于光刻裝置的有源元件的位置是改變的。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置可以沿著基本上平行于投影系統(tǒng)的光軸的一個(gè)軸，判定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件相對(duì)于投影系統(tǒng)、支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架、或基本上機(jī)械地獨(dú)立于投影系統(tǒng)但支撐由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力的框架的位置。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置可以判定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件在基本上垂直于投影系統(tǒng)光軸方向的位置。
可以施加控制力以補(bǔ)償由附于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架之間的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件導(dǎo)向構(gòu)件所產(chǎn)生的力。
光刻裝置可以包括用于判定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用的量值并將代表該量值的數(shù)據(jù)傳遞給液體供給系統(tǒng)懸掛裝置的基底臺(tái)力補(bǔ)償器。該基底臺(tái)力補(bǔ)償器在基底臺(tái)上產(chǎn)生力以保持基底臺(tái)處于預(yù)期位置(該基底臺(tái)馬達(dá)也可以以類似方式操作)。這些控制力是關(guān)于投影系統(tǒng)或支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架的的基底臺(tái)的位置的函數(shù)?？梢栽O(shè)置一控制回路以確保其間隔保持基本上恒定。當(dāng)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件加入到基底臺(tái)時(shí)，保持基底臺(tái)與框架處于預(yù)期間隔的驅(qū)動(dòng)力應(yīng)該增加，從而補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用(例如由于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量產(chǎn)生的)。盡管這些相互作用由基底臺(tái)力補(bǔ)償器所補(bǔ)償，因?yàn)橹聞?dòng)器在整個(gè)基底臺(tái)上操作，所以不會(huì)減少基底臺(tái)所引起的干擾。然而，根據(jù)實(shí)施例，關(guān)于與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件相關(guān)的附加力的信息可以轉(zhuǎn)發(fā)給液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，其獨(dú)立地使用這些信息，通過作用與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量(或其它因素)的量值相等的相反力，來補(bǔ)償由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件產(chǎn)生的力。上面所討論的關(guān)于避免對(duì)基底臺(tái)的干擾的優(yōu)點(diǎn)也可能達(dá)到，這種裝置也可以改善支撐至少部分投影系統(tǒng)的低頻框架座架的穩(wěn)定性。沒有液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，該低頻框架座架可能承受投影系統(tǒng)以及帶有和沒有液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的框架的質(zhì)量。在將液體供給系統(tǒng)構(gòu)件降至基底期間，因?yàn)橐后w供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量突然消失，可能干擾低頻框架座架。當(dāng)升高液體供給系統(tǒng)構(gòu)件時(shí)，相反的情況產(chǎn)生。由上述作用產(chǎn)生的干擾可以通過提供使系統(tǒng)回到平衡狀態(tài)的穩(wěn)定時(shí)間來處理。通過除去干擾因素和因此采用的穩(wěn)定時(shí)間，可能改善光刻裝置的產(chǎn)出量。
使用與基底臺(tái)力補(bǔ)償器相關(guān)的控制回路在以下意義上具有可能的有用優(yōu)點(diǎn)，即由液體供給系統(tǒng)元件懸掛裝置作用的補(bǔ)償力不需要預(yù)先確定且可以對(duì)應(yīng)隨著時(shí)間變化的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的有效重量，在不同的位置，或者如果液體供給系統(tǒng)構(gòu)件導(dǎo)向具有一些偏移力或附加剛性。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置可以通過至少一種選自以下列表的機(jī)理來操作使用洛倫茲原理的電磁力、使用磁阻原理的電磁力、風(fēng)箱以及機(jī)械彈簧。電磁力可以是例如無源磁力。風(fēng)箱可以通過流體即氣體或液體來操作。機(jī)械彈簧可以由彈性材料如金屬來制造。在各種情況下，合適的阻尼元件可以包括在懸掛裝置中，從而達(dá)到預(yù)期的性能特性。能與阻尼器結(jié)合提供補(bǔ)償力的裝置的一個(gè)示例是有一定容積的有氣體限制的風(fēng)箱。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置可以用于為了進(jìn)行基底臺(tái)更換使液體供給系統(tǒng)構(gòu)件上升至離開基底臺(tái)。通常，一單獨(dú)的裝置用于執(zhí)行該操作。通過調(diào)節(jié)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器來執(zhí)行該功能，減少構(gòu)成光刻裝置的元件的數(shù)量是可能的。
液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置可以用于在系統(tǒng)故障時(shí)將液體供給系統(tǒng)構(gòu)件定位至離開基底臺(tái)的遠(yuǎn)端安全位置。通過使用風(fēng)箱或其它任何提升機(jī)構(gòu)，基底臺(tái)更換的可能性改善了液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。這些風(fēng)箱可以設(shè)置成對(duì)于特定的系統(tǒng)故障模式提升液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。對(duì)于其它故障模式，風(fēng)箱本身可能是不合格的(例如當(dāng)氣體增壓時(shí)驅(qū)動(dòng)風(fēng)箱失敗)。使用液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作為如果系統(tǒng)故障具有可能減少系統(tǒng)元件的優(yōu)點(diǎn)時(shí)的安全部件，而且能提供更全面的安全裝置，其可以用來提升液體供給系統(tǒng)構(gòu)件至離開任何系統(tǒng)故障。
光刻裝置可以包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，其包括含有液壓介質(zhì)的外殼；第一活塞，可滑動(dòng)地接合在離液體供給系統(tǒng)構(gòu)件最近的外殼的第一壁內(nèi)，且連接到液體供給系統(tǒng)構(gòu)件；第二活塞，由預(yù)張力彈簧壓向第一活塞，且可滑動(dòng)地接合在與第一壁相對(duì)的外殼的第二壁內(nèi)；以及用于控制外殼內(nèi)壓力的壓力調(diào)節(jié)器，壓力在基本上平行于投影系統(tǒng)光軸的方向給第一活塞直接朝液體供給系統(tǒng)構(gòu)件作用了一個(gè)力，且在相反方向?qū)Φ诙钊饔昧艘粋€(gè)力，其中以正常操作模式，第一和第二活塞設(shè)置成彼此相互作用，壓力調(diào)節(jié)器設(shè)置成通過改變外殼內(nèi)的壓力來控制液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的垂直位置；外殼內(nèi)的壓力低于下臨界壓力時(shí)，彈簧的預(yù)張力設(shè)置成控制第二活塞的運(yùn)動(dòng)，該力迫使第一活塞和液體供給系統(tǒng)構(gòu)件處于離開基底臺(tái)的安全位置；而外殼內(nèi)的壓力高于上臨界壓力時(shí)，壓力介質(zhì)力設(shè)置成控制并迫使離開第二活塞和液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的第一活塞到離開基底臺(tái)的安全位置。該部件通過壓力調(diào)節(jié)器可以提供用于調(diào)節(jié)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置的可靠且可控制的方法，使得當(dāng)壓力調(diào)節(jié)器供給的壓力落在由上和下壓力臨界值限定的安全范圍之外時(shí)，將液體供給系統(tǒng)構(gòu)件轉(zhuǎn)移到安全位置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種器件制造方法包括在光刻裝置的投影系統(tǒng)和使用液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的基底臺(tái)之間的空間含有液體；
補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用；且用投影系統(tǒng)將圖案化的輻射光束穿過液體投射到基底的靶部上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供光刻裝置聚焦校正方法，包括在光刻裝置的投影系統(tǒng)和使用液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的光刻裝置的基底臺(tái)之間的空間含有液體；判定當(dāng)基底臺(tái)與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件之間相互作用導(dǎo)致干擾時(shí)，基底臺(tái)的表面高度分布圖，表面傾斜分布圖，或以上兩者，在基本上平行于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸方向上確定該表面高度分布圖，且相對(duì)于基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面的一個(gè)或兩個(gè)正交軸確定該表面傾斜分布圖；以及確定補(bǔ)償光刻裝置的基底和最佳聚焦平面的相對(duì)位置的補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的更進(jìn)一層，提供一種光刻裝置聚焦校正方法，包括使用光刻裝置的投影系統(tǒng)，將具有聚焦測試圖案的輻射光束穿過液體投射到基底的靶部上；分析基底上所投射的聚焦測試圖案從而確定在多個(gè)位置的聚焦誤差；確定用于補(bǔ)償光刻裝置的基底和最佳聚焦平面的相對(duì)位置的補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
盡管在本文中以IC制造中的光刻裝置的使用為具體示例，但是應(yīng)該明確理解這里描述的光刻裝置可以具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示板(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里的任何術(shù)語“晶片”或者“管芯”的使用應(yīng)認(rèn)為分別與更普通的術(shù)語“基底”和“靶部”同義。這里所述的基底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，用例如軌跡器(一種典型地將抗蝕劑層應(yīng)用于基底上并顯影曝光后的抗蝕劑的工具)或計(jì)量或檢驗(yàn)工具。這里所公開的內(nèi)容可以應(yīng)用于這樣或其它的適合的基底處理工具。此外，基底可以處理不止一次，例如為了形成多層IC，從而使得這里所用的術(shù)語基底也涉及已經(jīng)含有多個(gè)處理層的基底。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)。
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地理解為能夠給輻射光束的截面賦予圖案從而在基底靶部形成圖案的任何部件。應(yīng)注意的是，賦予輻射光束的圖案可以不和基底靶部所要的圖案完全一致。一般，賦予輻射光束的圖案與在靶部中形成的部件如集成電路這樣的特殊功能層相對(duì)應(yīng)。
構(gòu)圖部件可以是透射型或者反射型的。構(gòu)圖部件的例子包括掩模、程控反射鏡陣列和程控LCD面板。掩模在光刻領(lǐng)域是公知的，掩模類型包括如二進(jìn)制型、交替相移型和衰減相移型，以及各種混合掩模類型。程控反射鏡陣列的一個(gè)例子是采用小型反射鏡的矩陣裝置，每個(gè)反射鏡可以單獨(dú)傾斜從而能夠反射不同方向入射的輻射光束；以這種方式將反射光束圖案化。在每個(gè)構(gòu)圖部件的例子中，支承結(jié)構(gòu)可以是例如框架或者工作臺(tái)，它可以根據(jù)需要固定或者可移動(dòng)并確保構(gòu)圖部件位于例如相對(duì)于投影系統(tǒng)所需的位置?？梢哉J(rèn)為這里的術(shù)語“中間掩模版”或者“掩模”的任何使用與更普通的術(shù)語“構(gòu)圖部件”是同義的。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地理解為各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)、反射光學(xué)系統(tǒng)、以及反射折射光學(xué)系統(tǒng)，只要其適合于使用曝光輻射，或者別的因素如使用浸液或者使用真空。這里使用的術(shù)語“鏡頭”應(yīng)理解為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
照射系統(tǒng)也可以包含光學(xué)元件的各種類型，包括用于引導(dǎo)、成形或控制輻射的投影光束的折射、反射以及反射折射光學(xué)元件，且這些元件在下面也可以共同或單獨(dú)地稱作“鏡頭”光刻裝置可以為具有兩個(gè)(雙臺(tái))或者多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或者多個(gè)掩模臺(tái))的類型。在這種“多臺(tái)式”器件中，可以并行使用輔助臺(tái)，或者在一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光時(shí)可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟。


現(xiàn)在參照示意附圖通過示例來描述本發(fā)明的實(shí)施例，圖中對(duì)應(yīng)于附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部分，且其中圖1表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻裝置；圖2表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于將液體供給到投影系統(tǒng)和基底之間的空間的液體供給系統(tǒng)圖3表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的，由圖2所示的液體供給系統(tǒng)的在投影系統(tǒng)的最后元件附近的入口和出口裝置；圖4表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液體供給系統(tǒng)；圖5表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的與基底臺(tái)幾何測量裝置、校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置和聚焦校正裝置相互作用的投影系統(tǒng)；圖6表示本發(fā)明的實(shí)施例，其中密封構(gòu)件由懸掛裝置支撐，以機(jī)械方式既接觸投影系統(tǒng)也接觸支撐投影系統(tǒng)的框架；圖7表示包括機(jī)械彈簧的密封構(gòu)件懸掛裝置的實(shí)施例；圖8表示密封構(gòu)件懸掛裝置的實(shí)施例，其中應(yīng)用于密封構(gòu)件的上升力是無源磁力；圖9表示本發(fā)明的包括密封構(gòu)件懸掛裝置控制器和密封構(gòu)件懸掛裝置控制存儲(chǔ)器的實(shí)施例；圖10表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的設(shè)置成與基底臺(tái)補(bǔ)償器相關(guān)的控制回路相互作用的密封構(gòu)件補(bǔ)償器；圖11表示密封構(gòu)件懸掛裝置，設(shè)置成能提升密封構(gòu)件至離開基底臺(tái)，從而進(jìn)行基底臺(tái)更換或在系統(tǒng)故障時(shí)定位密封構(gòu)件處于離開基底臺(tái)的遠(yuǎn)端安全位置；以及圖12表示以作為作用于懸掛裝置的過壓力的函數(shù)的密封構(gòu)件的致動(dòng)位置表示的顯示密封構(gòu)件懸掛裝置的特性的曲線。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性描述了根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例的光刻裝置。該裝置包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，用于提供輻射投影光束PB(例如EUV輻射)；支承結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT，用于支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA，并與用于將該構(gòu)圖部件相對(duì)于物件PL精確定位的第一定位裝置PM連接；基底臺(tái)(例如，晶片臺(tái))WT，用于保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與用于將基底相對(duì)于物件PL精確定位的第二定位裝置P連接；和投影系統(tǒng)(例如折射投影鏡頭)PL，用于將通過構(gòu)圖部件MA引入投影光束PB的圖案成像在基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
如這里指出的，該裝置屬于透射型(例如采用透射掩模)。可選擇地，該裝置還可以是反射型(例如使用上述的程控反射鏡陣列或LCD陣列。)照射器IL從輻射源SO接受輻射光束。該光源與該光刻裝置可以是單獨(dú)的構(gòu)件，例如當(dāng)光源為受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這種情況下，不認(rèn)為該光源是構(gòu)成光刻裝置的一部分，且借助于包括例如適合的定向鏡和/或光束擴(kuò)展器的光束傳送系統(tǒng)BD，輻射光束從光源SO到達(dá)照射器IL。在其它情況下該光源可以是該裝置整體的一部分，例如當(dāng)光源為汞燈時(shí)。該光源SO和該照射器IL，以及如果需要的話，加上光束傳送系統(tǒng)BD一起稱作輻射系統(tǒng)。
照射器IL可以包括用于調(diào)整輻射光束角強(qiáng)度分布的調(diào)整裝置AM。一般能夠調(diào)整照射器光瞳平面的強(qiáng)度分布的至少外徑和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照射器IL一般還包括其它各種元件，例如積分器IN和聚光器CO。這種照射器提供一種經(jīng)調(diào)整處理的在其橫截面具有預(yù)期的均勻性和強(qiáng)度分布的輻射光束，稱作投影光束PB。
投影光束PB入射到保持在載物臺(tái)MT上的構(gòu)圖部件MA上。穿過掩模MA后，投影光束PB再穿過鏡頭PL，由其將光束聚焦于基底W的靶部C。借助于第二定位部件PW和位置傳感器IF(如電容傳感器、干涉儀設(shè)備和/或線性編碼器)，能夠很精確地移動(dòng)基底臺(tái)WT，例如在投影光束PB的路徑中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中以機(jī)械方式取出掩模后或在掃描期間，可以使用第一定位部件PM和其它位置傳感器(圖1中未明確示出)將掩模MA相對(duì)于投影光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，借助于構(gòu)成定位部件PM和PW的一部分的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)載物臺(tái)MT和WT的移動(dòng)。然而，在步進(jìn)器中(與掃描器相對(duì))，掩模臺(tái)MT只能與短行程致動(dòng)裝置連接或者固定。使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2，以對(duì)準(zhǔn)掩模MA和基底W。
所述的裝置可以按照以下的優(yōu)選模式來使用1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT和基底臺(tái)WT基本保持不動(dòng)，整個(gè)被賦予到投影光束的圖案一次性地(即單一靜態(tài)曝光)投影到靶部C上。然后將基底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，以使不同的靶部C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單一靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，將掩模臺(tái)MT和基底臺(tái)WT同步掃描，同時(shí)，將被賦予到投影光束的圖案投影到靶部C上(即單一動(dòng)態(tài)曝光)?；着_(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向取決于投影系統(tǒng)PL的放大(縮小)特性和圖像反轉(zhuǎn)特性。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中的靶部的寬度(非掃描方向上)，而掃描動(dòng)作的長度決定了靶部的高度(掃描方向上)。
3.在其他模式中，容納程控構(gòu)圖部件的掩模臺(tái)MT基本保持不動(dòng)，并且在將被賦予投影光束的圖案投影到靶部C上時(shí)，移動(dòng)或者掃描基底臺(tái)WT。在該模式下，通常采用脈沖輻射源，并且在每次將基底臺(tái)WT移動(dòng)之后或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，將程控構(gòu)圖部件按要求更新?？梢匀菀椎貙⑦@種操作模式應(yīng)用于利用程控構(gòu)圖部件的無掩模光刻中，例如上面所述的程控反射鏡陣列中。
也可以將上述模式組合和/或變化使用，或者使用完全不同的模式。
其它已提出的濕浸式光刻方法有，提供帶有密封元件的液體供給系統(tǒng)，該密封元件沿著位于投影系統(tǒng)最后元件和基底臺(tái)之間的空間的至少一部分邊界延伸。盡管密封元件相對(duì)于投影系統(tǒng)在Z方向(光軸方向)可以有一定的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，但它在XY平面內(nèi)基本上保持不動(dòng)。密封是在密封元件和基底表面之間形成的。在實(shí)施時(shí)，該密封是諸如氣密封這樣的無觸點(diǎn)密封。在例如美國專利申請(qǐng)?zhí)朥S10/705,783中公開了這種系統(tǒng)，這里全部引入作為參考。
圖5表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括聚焦校正裝置6和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置8的密封構(gòu)件補(bǔ)償器2。在所示裝置中，密封構(gòu)件4包括在投影系統(tǒng)PL的最后元件和基底W和/或基底臺(tái)WT之間的區(qū)域的浸液13。和密封構(gòu)件4所傳遞的其它的力一樣，其重量如果不補(bǔ)償，可以導(dǎo)致基底臺(tái)WT的變形和/或傾斜。在垂直于投影系統(tǒng)PL的最后元件的光軸的平面中，來自密封構(gòu)件4的力的分布是非均勻的。在圖5所示的與其它圖也有關(guān)的坐標(biāo)系統(tǒng)中，該平面對(duì)應(yīng)于XY平面而投影系統(tǒng)PL的最后元件的光軸對(duì)應(yīng)于Z-軸。例如，由密封構(gòu)件4作用于基底臺(tái)WT的重力的非均勻性由箭頭10和12表示，越大的箭頭表示越大的力。附于密封構(gòu)件4和支撐投影系統(tǒng)PL的最后元件的框架16之間的垂直導(dǎo)向構(gòu)件15，也可以通過固定點(diǎn)11傳遞力，如箭頭17所示。一般，基底臺(tái)WT所受的干擾由密封構(gòu)件4所產(chǎn)生的力和扭矩的復(fù)雜分布引起，且取決于密封構(gòu)件4關(guān)于基底臺(tái)WT的相對(duì)位置。沒有補(bǔ)償?shù)脑?，?dāng)曝光基底臺(tái)WT上的基底W時(shí)這些力可能導(dǎo)致散焦作用。例如，在雙臺(tái)光刻裝置中，在投影系統(tǒng)PL下定位基底臺(tái)WT且密封構(gòu)件4和浸液14處于適當(dāng)位置之前，在獨(dú)立的測量系統(tǒng)下形成基底W的幾何圖案，因?yàn)樾纬苫讏D案時(shí)密封構(gòu)件4不處于適當(dāng)位置，所以該幾何基底圖案可能有誤差。由于來自密封構(gòu)件4的力導(dǎo)致基底臺(tái)WT的變形可能不僅導(dǎo)致基底W的散焦，而且可能影響機(jī)器與機(jī)器之間的疊加(尤其是浸漬和非浸漬之間)而且也可能影響基底臺(tái)WT的定位準(zhǔn)確度，該定位準(zhǔn)確度是根據(jù)由基底臺(tái)WT的橫向反射側(cè)區(qū)域的反射光操作干涉計(jì)而進(jìn)行測量來調(diào)節(jié)的。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，例如在密封構(gòu)件4的重量下扭曲等基底臺(tái)WT的干擾，能通過該作用的校正來補(bǔ)償。當(dāng)基底臺(tái)受密封構(gòu)件4的影響而變形或傾斜時(shí)，基底臺(tái)幾何測量裝置14用于判定基底臺(tái)WT的表面高度分布圖。該表面高度分布圖是沿著Z-軸測量的作為XY平面位置的函數(shù)的表面位置，且對(duì)應(yīng)于幾何基底圖案記錄在雙臺(tái)光刻裝置中的測量位置。由基底臺(tái)幾何測量裝置14執(zhí)行的表面高度分布圖的測量應(yīng)該對(duì)于密封構(gòu)件4相對(duì)基底臺(tái)WT的不同位置反復(fù)進(jìn)行。類似地，可以確定基底臺(tái)WT的表面傾斜分布圖，該表面傾斜分布圖包括作為XY平面的位置函數(shù)的表面Rx和/或Ry傾斜。測量結(jié)果存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置8中，其通過聚焦校正裝置6可存取。根據(jù)密封構(gòu)件4相對(duì)基底臺(tái)WT的當(dāng)前水平位置，聚焦校正裝置6計(jì)算補(bǔ)償數(shù)據(jù)以傳輸至基底臺(tái)伺服系統(tǒng)9，而能調(diào)節(jié)基底臺(tái)WT的位置(例如，高度和/或傾斜)從而補(bǔ)償變形產(chǎn)生的散焦作用。該聚焦校正裝置6有效地使基底W上的每個(gè)點(diǎn)處于成像點(diǎn)的最佳聚焦平面。實(shí)際上，聚焦校正裝置6可以用在適當(dāng)編程的計(jì)算機(jī)內(nèi)運(yùn)行的軟件來執(zhí)行。
基底臺(tái)WT的干擾可以建模為解析數(shù)學(xué)函數(shù)，Zcomp＝Z(X，Y)，其中可以包括多項(xiàng)式函數(shù)或冪級(jí)數(shù)展開。例如，可以使用以下函數(shù)Z＝aX+bY+cY^2+…+uX^2Y^2+vX^4+wY^4+f(X，Y)，其中f(X，Y)表示未包括在冪級(jí)數(shù)余項(xiàng)中的余數(shù)。繞X和Y軸的傾斜通過求該冪級(jí)數(shù)的微分來計(jì)算。由于基底臺(tái)的相關(guān)元件(例如基底臺(tái)的支承結(jié)構(gòu))的幾何結(jié)構(gòu)，如果該作用不循環(huán)對(duì)稱，則會(huì)產(chǎn)生對(duì)于根據(jù)X和Y坐標(biāo)的函數(shù)的優(yōu)先。這樣的話幾何結(jié)構(gòu)趨于三角形，而有利于澤爾尼克系數(shù)族。Zcomp中的系數(shù)和余項(xiàng)函數(shù)可以從以下一個(gè)或多個(gè)條件中判定a)基底臺(tái)的機(jī)械數(shù)學(xué)模型，其作為密封構(gòu)件的位置和相互作用力的函數(shù)預(yù)測基底臺(tái)干擾(變形和/或傾斜)；b)從曝光聚焦測試圖案的測試得到的校正結(jié)果，從中能判定曝光位置的聚焦誤差；c)在基準(zhǔn)機(jī)器中以在實(shí)際光刻裝置中由密封構(gòu)件作用于基底臺(tái)的相同的力使用從b)中得到的測量結(jié)果來進(jìn)行補(bǔ)償；或d)a)，b)和c)中的一個(gè)或多個(gè)的組合。
如果在把基底放在基底臺(tái)之后基底和/或基底臺(tái)改變了溫度，基底臺(tái)也可能變形。這可以使用在上述的補(bǔ)償函數(shù)的基礎(chǔ)上的前饋機(jī)構(gòu)來處理，或者可供選擇地，使用具有設(shè)置在基底臺(tái)內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)溫度傳感器的反饋機(jī)構(gòu)來處理。
作為考慮到基底臺(tái)WT的干擾而改變投影系統(tǒng)本身的特性的一種選擇，密封構(gòu)件補(bǔ)償器的進(jìn)一步的實(shí)施例通過物理支撐密封構(gòu)件4來操作，且因此防止基底臺(tái)WT最初的相關(guān)扭曲。圖6表示根據(jù)本發(fā)明的這一方面的可能的實(shí)施例。箭頭24代表作用于密封構(gòu)件4的向下的力，其可能是由于本身重量產(chǎn)生的重力。由密封構(gòu)件補(bǔ)償器作用的等量且相反的支持力由箭頭22表示。為了提供這樣一種力，密封構(gòu)件補(bǔ)償器必須與足夠堅(jiān)固不會(huì)因?yàn)槊芊鈽?gòu)件4的附加力而產(chǎn)生變形缺點(diǎn)的元件連接(機(jī)械地或其它方式)。達(dá)到這樣一種方式是通過將密封構(gòu)件4連接到支撐投影系統(tǒng)PL的框架(該框架可以支撐各種測量部件，例如聚焦傳感器和/或定位傳感器)。該合成力由箭頭18表示且通過虛線23自我耦合。在這個(gè)實(shí)施例中，耦合方式23可以以支撐投影系統(tǒng)PL的框架16和獨(dú)立框架21的其中一個(gè)或兩個(gè)來實(shí)行，其與基底臺(tái)WT或投影系統(tǒng)PL沒有直接或緊密的機(jī)械連接。該裝置具有將投影系統(tǒng)PL的精密元件的干擾減到最小的優(yōu)點(diǎn)。然而，可選擇地，也可能設(shè)置一些與投影系統(tǒng)PL的最后元件連接的形式。合成的向下的力由箭頭20表示。該裝置具有投影系統(tǒng)PL與密封構(gòu)件4鄰近的優(yōu)點(diǎn)，但必須注意不影響投影系統(tǒng)PL的光學(xué)特性。
圖7和8表明密封構(gòu)件4實(shí)際上如何由密封構(gòu)件懸掛裝置26，28支撐以形成密封構(gòu)件補(bǔ)償器的一部分的更多細(xì)節(jié)。補(bǔ)償力能是例如軟機(jī)械預(yù)加載彈簧，軟性風(fēng)箱和/或無源磁力。圖7表示密封構(gòu)件懸掛裝置26的一個(gè)實(shí)施例，其中補(bǔ)償力是普通機(jī)械型的，例如彈簧。如果將風(fēng)箱用作機(jī)械密封構(gòu)件懸掛裝置26，該風(fēng)箱的介質(zhì)既可以為液體，也可以是氣體。圖8表示密封構(gòu)件懸掛裝置28的一個(gè)實(shí)施例，其中補(bǔ)償力通過電磁洛倫茲或磁阻致動(dòng)器29提供，其可以不用機(jī)械接觸就將力施加在密封構(gòu)件4上。一般，阻尼力的某些形式可能與密封構(gòu)件的位移隨時(shí)間的變化率成比例，也可能用于避免密封構(gòu)件的位移突變、密封構(gòu)件4的振蕩，或更普遍地，為了達(dá)到預(yù)期的相應(yīng)特性。在圖7和8中，虛線27表明作用于密封構(gòu)件4的力的反作用力可以通過投影系統(tǒng)PL的一部分、支撐投影系統(tǒng)PL的框架或基本上機(jī)械地獨(dú)立于投影系統(tǒng)PL和基底臺(tái)WT的框架或其任意組合來支撐。
圖9表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括密封構(gòu)件懸掛裝置控制器31和密封構(gòu)件懸掛裝置控制器存儲(chǔ)器33。該密封構(gòu)件懸掛裝置控制器31在這里用于控制通過密封構(gòu)件懸掛裝置26(盡管它可能相當(dāng)于密封構(gòu)件懸掛裝置28或某些組合)作用于密封構(gòu)件4的補(bǔ)償力的量值。為了判定補(bǔ)償力的有效量值，密封構(gòu)件懸掛裝置控制器31可以使用各種源輸入。一種可能性是通過密封構(gòu)件懸掛裝置控制器31簡單地將補(bǔ)償值存儲(chǔ)在密封構(gòu)件懸掛控制器存儲(chǔ)器33中。該存儲(chǔ)補(bǔ)償值可以表示為例如密封構(gòu)件4的重量、通過垂直導(dǎo)向構(gòu)件15作用的力和/或已知作用于密封構(gòu)件4的一些其它力的大小。
密封存儲(chǔ)懸掛裝置控制器31也可以接收來自定位傳感器35和/或39的輸入，其用于分別測量如箭頭37和41所分別示意性表示的密封構(gòu)件4的垂直和平行位置。執(zhí)行時(shí)，位置傳感器35和39連接到支撐投影系統(tǒng)PL的框架16，盡管它們中的一個(gè)或兩個(gè)可以連接到光刻裝置的其它部分。使用存儲(chǔ)在密封構(gòu)件懸掛裝置控制存儲(chǔ)器33中的數(shù)據(jù)，例如密封構(gòu)件4的垂直位置，可用于計(jì)算由垂直導(dǎo)向構(gòu)件15施加的力的大小?？蛇x擇地或附加地，作用在密封構(gòu)件4上的力取決于其水平位置(即在X-Y平面的位置)，則從傳感器39(包括兩個(gè)或多個(gè)傳感器以判定X和Y坐標(biāo))的輸出用作密封構(gòu)件懸掛裝置控制器31的輸入。當(dāng)然，也可以測量或使用密封構(gòu)件的其它位置如傾斜。如之前所述，作用的補(bǔ)償力可以依據(jù)存儲(chǔ)在密封構(gòu)件懸掛裝置控制存儲(chǔ)器33中的描述關(guān)于作用在密封構(gòu)件4上的力的位置的數(shù)據(jù)來計(jì)算。該數(shù)據(jù)可以由計(jì)算或校正測量來得到。
根據(jù)圖10表示的本發(fā)明的實(shí)施例，使用密封構(gòu)件懸掛裝置26，28能得到作為由基底補(bǔ)償器30的Z-致動(dòng)器42提供的垂直力的函數(shù)來控制的準(zhǔn)確補(bǔ)償值。在普通操作(即非浸漬操作)中，基底臺(tái)WT的重量可以由構(gòu)成基底臺(tái)補(bǔ)償器30的一部分的控制回路來補(bǔ)償，其通過參照例如由傳感器36測量的框架16和基底臺(tái)WT之間的空間間隔，起控制基底臺(tái)WT的垂直和/或傾斜位置(即Z，Rx和/或Ry)的作用。如果密封構(gòu)件4被下降并支承在基底臺(tái)WT上，抵消密封構(gòu)件重量的額外的垂直力將由形成控制回路的一部分的基底臺(tái)控制器32(例如，PID低通控制器)產(chǎn)生。箭頭38表示與箭頭40表示的密封構(gòu)件4的重量相反的作用力。
根據(jù)本實(shí)施例，額外的垂直力形成對(duì)于密封構(gòu)件34(例如，PI低通控制器)的輸入(即設(shè)定值)，形成驅(qū)動(dòng)密封構(gòu)件懸掛裝置26，28的密封構(gòu)件補(bǔ)償器的一部分，其可以連接密封構(gòu)件4和支撐投影系統(tǒng)PL的最后元件的框架16(或，可選擇地，連接密封構(gòu)件4和投影系統(tǒng)PL的最后元件本身)。密封構(gòu)件控制器34產(chǎn)生能使密封構(gòu)件4上升和/或傾斜的垂直的力。基底臺(tái)致動(dòng)器42將不再須產(chǎn)生對(duì)于密封構(gòu)件4的補(bǔ)償力，因?yàn)槠溆擅芊鈽?gòu)件懸掛裝置26，28所提供。之前的實(shí)施例中，基底臺(tái)WT可以不再因密封構(gòu)件4的重量，或其它由密封構(gòu)件4所產(chǎn)生的力而變形和/或傾斜。
使用根據(jù)上述實(shí)施例的補(bǔ)償值得到1.0％的準(zhǔn)確度是可行的。在散焦誤差為400nm的情況中誤差減至大約4nm或更小，對(duì)于大多數(shù)用途而言這是可以接受的。在這些情況下預(yù)期的基底臺(tái)變形和/或傾斜變得可以忽略，從而導(dǎo)致良好的機(jī)器與機(jī)器的疊加。進(jìn)一步的有點(diǎn)是，因?yàn)榕c密封構(gòu)件4的有效重量的變化以及相對(duì)于基底工作臺(tái)WT的密封構(gòu)件4位置的變化相關(guān)的移動(dòng)重力的作用不再出現(xiàn)，所以基底臺(tái)短行程致動(dòng)系統(tǒng)中的相互串?dāng)_變得非常小，該短行程致動(dòng)系統(tǒng)決定著在X、Y和Z方向基底的定位并控制基底臺(tái)WT的傾斜。這個(gè)結(jié)果是更加精確的基底臺(tái)定位。
根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例，密封構(gòu)件懸掛裝置26，28可以設(shè)置成用以組合以下功能，即支撐密封構(gòu)件4以便避免基底臺(tái)WT的變形和/或傾斜，以及支撐密封構(gòu)件4處于安全位置(通常為升高的位置)以更換基底臺(tái)或其它元件，和/或?qū)o急情況的可靠反應(yīng)，如(加壓氣體系統(tǒng)的)軟管斷開、供電故障或由基底臺(tái)WT自身引起的緊急情況。已知的，密封構(gòu)件懸掛系統(tǒng)26，28也可以簡單地設(shè)置成為了更換基底臺(tái)WT或其中的元件在安全(通常是上升的)位置支撐密封構(gòu)件4，和/或用于提供萬一發(fā)生上述系統(tǒng)故障時(shí)的安全裝置。
該裝置在圖11中表明。這里，密封構(gòu)件懸掛裝置26的實(shí)施例包括外殼46，其中以密封狀態(tài)插入小活塞48和大活塞49。壓力板50位于大活塞49的最上層表面。彈簧元件52位于壓力板50和外殼46的最低內(nèi)表面之間，用于在大活塞49上施加一個(gè)向上的力，當(dāng)外殼46的最低內(nèi)表面和壓力板50之間的距離減小時(shí)其量值增加。提供壓力調(diào)節(jié)器44以控制外殼46限定的空間內(nèi)的壓力。通過壓力調(diào)節(jié)器44對(duì)外殼46中的壓力的控制提供了一種控制密封構(gòu)件4的垂直位置的手段，且結(jié)合上述實(shí)施例可以用于補(bǔ)償由密封構(gòu)件4產(chǎn)生的力并防止由基底臺(tái)WT所產(chǎn)生的變形和/或?yàn)榱烁鼡Q基底臺(tái)WT或其中的元件在安全(通常是上升的)位置支撐密封構(gòu)件4。然而，該裝置也可以實(shí)現(xiàn)提供萬一發(fā)生上述系統(tǒng)故障時(shí)的安全裝置的功能，接下來參照?qǐng)D12進(jìn)行描述。
圖12表示當(dāng)由圖11所示的密封構(gòu)件懸掛系統(tǒng)26支撐時(shí)密封構(gòu)件4沿Z方向的位置變化。在P0和P1之間，彈簧構(gòu)件52的預(yù)張力防止密封構(gòu)件4離最大上升位置ZT的位移。預(yù)張力控制活塞52的活動(dòng)并迫使活塞48(和密封構(gòu)件4)處于安全位置。在P1，由外殼46中的壓力施加的向下的力等于彈簧構(gòu)件52的預(yù)張力。在P1之后，彈簧構(gòu)件52逐漸被壓縮(為了繼續(xù)對(duì)抗密封構(gòu)件4施加的力和外殼46內(nèi)的壓力)且壓力板50和密封構(gòu)件4逐漸降低，而小活塞48保持與壓力板50接觸。在P2和P3之間的區(qū)域，彈簧構(gòu)件52完全壓縮且小活塞48與壓力板50接觸，密封構(gòu)件4處于其最低位置。然而如果壓力P進(jìn)一步增加，小活塞48將被外殼46中的壓力推離壓力板50，密封構(gòu)件4的垂直位置隨壓力迅速增加直到它到達(dá)它的最大上升位置ZT(實(shí)際上，該轉(zhuǎn)移幾乎是垂直的)。為了成像該操作狀態(tài)將處于嚴(yán)厲P2和P3之間。萬一系統(tǒng)故障導(dǎo)致外殼46內(nèi)的壓力太低或太高，密封構(gòu)件4將被推至安全位置ZT。
具有固定位置的液體供給系統(tǒng)的更進(jìn)一步的濕浸式光刻方法如圖4所示。液體由投影系統(tǒng)PL每一邊的兩個(gè)凹槽入口IN提供，且由入口IN徑向外側(cè)設(shè)置的若干離散的出口OUT清除。入口IN和出口OUT能設(shè)置在中心有一個(gè)孔的板內(nèi)，而投影光束通過該孔透射。液體由投影系統(tǒng)PL的一邊的一個(gè)凹槽入口IN提供且由投影系統(tǒng)PL的另一邊上的若干分立的出口OUT清除，導(dǎo)致一薄層的液體在投影系統(tǒng)PL和基底W之間流動(dòng)。使用的入口IN和出口OUT組合的選擇取決于基底W的移動(dòng)方向(入口IN和出口OUT的另一種組合無效)。
這里全部引入作為參考的歐洲專利申請(qǐng)No.03257072.3，闡述了雙臺(tái)濕浸式光刻裝置的概念。這種裝置提供了兩個(gè)支撐基底的基底臺(tái)。由一個(gè)基底臺(tái)在第一位置進(jìn)行沒有浸液的水平測量，而由一個(gè)基底臺(tái)在第二位置進(jìn)行具有浸液的曝光。或者，該裝置僅有一個(gè)在第一和第二位置移動(dòng)的基底臺(tái)。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的涉及密封構(gòu)件的實(shí)施例，但本發(fā)明的實(shí)施例也可以應(yīng)用于任何濕浸式光刻裝置和任何液體供給系統(tǒng)(包括其相關(guān)部分)，特別但不限于對(duì)上述的其它任何液體供給系統(tǒng)和液體槽。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)明白本發(fā)明可以以上述內(nèi)容之外的其它形式實(shí)施。該描述不用于限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，包括用于調(diào)節(jié)輻射光束的照射系統(tǒng)；用于支持構(gòu)圖部件的支承結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖部件能將圖案賦予輻射光束的橫截面，從而提供圖案化的輻射光束；用于支持基底的基底臺(tái)；用于將圖案化的輻射光束投射到基底的靶部上的投影系統(tǒng)；用于在投影系統(tǒng)和基底之間的空間內(nèi)容納液體的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件；以及用于補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件與基底臺(tái)之間的相互作用的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻裝置，其中所述相互作用包括液體構(gòu)件系統(tǒng)構(gòu)件的重力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器包括用于根據(jù)補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償基底和光刻裝置的最佳聚焦平面的相對(duì)位置的聚焦校正裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的光刻裝置，其中該補(bǔ)償數(shù)據(jù)可以從基底臺(tái)幾何測量裝置的輸出中獲得，該測量裝置用于判定當(dāng)基底臺(tái)被與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的相互作用干擾時(shí)其表面高度分布圖，表面傾斜分布圖或以上兩者，在基本上平行于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸方向上確定該表面高度分布圖，且相對(duì)于基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面的一個(gè)或兩個(gè)正交軸確定該表面傾斜分布圖。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的光刻裝置，其中基底臺(tái)幾何測量裝置用于判定基底臺(tái)的表面高度分布圖、表面傾斜分布圖或以上兩者，以作為在基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件相對(duì)于基底臺(tái)的位置的函數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的光刻裝置，其中補(bǔ)償數(shù)據(jù)由基底臺(tái)的機(jī)械數(shù)學(xué)模型獲得，該模型用于預(yù)測作為位置相關(guān)作用力的函數(shù)的基底臺(tái)干擾。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的光刻裝置，其中補(bǔ)償數(shù)據(jù)由曝光聚焦測試圖案的分析來獲得，用于顯示作為位置的函數(shù)的聚焦誤差的范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的光刻裝置，其中曝光聚焦測試圖案在基準(zhǔn)光刻裝置上成像，該基準(zhǔn)光刻裝置受到基本上等于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用力。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，該裝置能對(duì)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件供給力以至少部分地補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置構(gòu)型成連接到支撐投影系統(tǒng)的至少一部分的框架，該框架通過連接能支撐至少一部分由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置構(gòu)型成連接到投影系統(tǒng)，該投影系統(tǒng)通過連接能支撐至少一部分由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置構(gòu)型成連接到基本上機(jī)械地獨(dú)立于投影系統(tǒng)的框架，該獨(dú)立的框架通過連接能支撐至少一部分由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，進(jìn)一步包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置控制器，它構(gòu)型成根據(jù)表示液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用的量值的數(shù)據(jù)，通過液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，將控制力作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中所述相互作用包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重力。
15.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中所述相互作用包括外力。
16.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中所述相互作用包括與外部位置相關(guān)的力。
17.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，進(jìn)一步包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置控制器和液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置，該液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛控制器根據(jù)由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置所測量的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置，通過液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置，將控制力作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置沿著基本上平行于投影系統(tǒng)的光軸的軸，相對(duì)于投影系統(tǒng)，支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架，或基本上機(jī)械地獨(dú)立于投影系統(tǒng)但支撐由液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的力的反作用力的框架，判定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件位置判定裝置在基本上垂直于投影系統(tǒng)的光軸的方向判定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的光刻裝置，其中作用一控制力，從而以補(bǔ)償連附于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架之間的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件導(dǎo)向構(gòu)件所產(chǎn)生的力。
21.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，進(jìn)一步包括基底臺(tái)力補(bǔ)償器，構(gòu)型成判定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用的量值并傳輸表示至液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置的量值的數(shù)據(jù)。
22.根據(jù)權(quán)利要求9的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置通過至少一種選自以下所述的機(jī)理來操作利用洛倫茲儀原理的電磁力，利用磁阻原理的電磁力，風(fēng)箱和機(jī)械彈簧。
23.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻裝置，包括構(gòu)型成為了基底臺(tái)更換將液體供給系統(tǒng)構(gòu)件上升至離開基底臺(tái)的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置。
24.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻裝置，包括構(gòu)型成在系統(tǒng)故障時(shí)將液體供給系統(tǒng)構(gòu)件定位至離開基底臺(tái)的遠(yuǎn)端安全位置的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構(gòu)件懸掛裝置包括包括壓力介質(zhì)的外殼；第一活塞，可滑動(dòng)地接合在離液體供給系統(tǒng)構(gòu)件最近的外殼的第一壁內(nèi)，且并被連接到液體供給系統(tǒng)構(gòu)件；第二活塞，由預(yù)張力彈簧朝著第一活塞施力，且被可滑動(dòng)地接合在與第一壁相對(duì)的外殼的第二壁內(nèi)；以及用于控制外殼內(nèi)壓力的壓力調(diào)節(jié)器，壓力在基本上平行于投影系統(tǒng)光軸的方向給第一活塞直接朝液體供給系統(tǒng)構(gòu)件作用了一個(gè)力，且在相反方向?qū)Φ诙钊饔昧艘粋€(gè)力，其中以通常操作模式，第一和第二活塞設(shè)置成彼此相互作用，壓力調(diào)節(jié)器用于通過改變外殼內(nèi)的壓力來控制液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的垂直位置；外殼內(nèi)的壓力低于下臨界壓力時(shí)，彈簧的預(yù)張力用于控制第二活塞的運(yùn)動(dòng)，其迫使第一活塞和液體供給系統(tǒng)構(gòu)件處于離開基底臺(tái)的安全位置；而外殼內(nèi)的壓力高于上臨界壓力時(shí)，壓力介質(zhì)力用于控制并迫使離開第二活塞和液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的第一活塞到離開基底臺(tái)的安全位置。
26.一種器件制造方法，包括利用液體供給系統(tǒng)構(gòu)件在光刻裝置的投影系統(tǒng)和基底臺(tái)之間的空間容納液體；補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的相互作用；以及使用投影系統(tǒng)穿過液體將圖案化輻射光束投影到基底的靶部上。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的器件制造方法，包括根據(jù)補(bǔ)償數(shù)據(jù)補(bǔ)償基底和光刻裝置的最佳聚焦平面的相對(duì)位置。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的器件制造方法，其中補(bǔ)償數(shù)據(jù)通過判定基底臺(tái)被與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的相互作用干擾時(shí)其表面高度分布圖、表面傾斜分布圖或以上兩者來得到，在基本上平行于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸方向上確定該表面高度分布圖，且相對(duì)于基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面的一個(gè)或兩個(gè)正交軸確定該表面傾斜分布圖。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的器件制造方法，包括確定基底臺(tái)的表面高度分布圖、表面傾斜分布圖或以上兩者，以作為相對(duì)于基底臺(tái)的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的水平位置的函數(shù)。
30.根據(jù)權(quán)利要求27的器件制造方法，其中補(bǔ)償數(shù)據(jù)由基底臺(tái)的機(jī)械數(shù)學(xué)模型獲得，該模型用于預(yù)測作為位置相關(guān)作用力的函數(shù)的基底臺(tái)干擾。
31.根據(jù)權(quán)利要求27的器件制造方法，其中補(bǔ)償數(shù)據(jù)由曝光聚焦測試圖案的分析來獲得，用于顯示作為位置的函數(shù)的聚焦誤差的范圍。
32.根據(jù)權(quán)利要求26的器件制造方法，包括對(duì)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件供給力以至少部分地補(bǔ)償液體供給系統(tǒng)構(gòu)件和基底臺(tái)之間的互相作用。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的器件制造方法，其中相互作用包括液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的重量、外部力、外部位置相關(guān)力，或上述內(nèi)容的任何組合。
34.根據(jù)權(quán)利要求32的器件制造方法，包括根據(jù)液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的位置將控制力作用于液體供給系統(tǒng)構(gòu)件。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的器件制造方法，包括確定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件相對(duì)于投影系統(tǒng)或支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架，在基本上平行于投影系統(tǒng)光軸的方向的位置，確定液體供給系統(tǒng)構(gòu)件在基本上垂直于投影系統(tǒng)光軸的方向的位置，或以上兩者。
36.根據(jù)權(quán)利要求26的器件制造方法，包括為了基底臺(tái)更換使液體供給系統(tǒng)構(gòu)件上升至離開基底臺(tái)。
37.根據(jù)權(quán)利要求26的器件制造方法，包括在系統(tǒng)故障時(shí)將液體供給系統(tǒng)構(gòu)件定位至離開基底臺(tái)的遠(yuǎn)端安全位置。
38.一種光刻裝置聚焦校正方法，包括利用液體供給系統(tǒng)構(gòu)件在光刻裝置的投影系統(tǒng)和光刻裝置的基底臺(tái)之間的空間容納液體；判定當(dāng)基底臺(tái)被與液體供給系統(tǒng)構(gòu)件的相互作用干擾時(shí)其表面高度分布圖、表面傾斜分布圖或以上兩者，在基本上平行于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的方向上確定該表面高度分布圖，且相對(duì)于基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面的一個(gè)或兩個(gè)正交軸確定該表面傾斜分布圖；以及確定用于補(bǔ)償基底和光刻裝置的最佳聚焦平面的相對(duì)位置的補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
39.一種光刻裝置聚焦校正方法，包括使用光刻裝置的投影系統(tǒng)，穿過液體，將具有聚焦測試圖案的輻射光束投影在基底的靶部上；分析基底上投影的聚焦測試圖案以確定在多個(gè)位置的聚焦誤差；以及確定補(bǔ)償數(shù)據(jù)以補(bǔ)償基底和光刻裝置的最佳聚焦平面之間的相對(duì)位置。
全文摘要
一種濕浸式光刻裝置，包括構(gòu)型成在光刻裝置的投影系統(tǒng)和基底之間的空間內(nèi)容納液體的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件，以及設(shè)置成補(bǔ)償該液體供給系統(tǒng)構(gòu)件與基底臺(tái)之間的相互作用的液體供給系統(tǒng)構(gòu)件補(bǔ)償器。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1702559SQ200510081730
公開日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2005年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月21日
發(fā)明者B·斯特里科克, H·H·M·科西, C·A·霍根達(dá)姆, J·J·S·M·梅坦斯, K·J·J·M·扎亞, M·庫佩魯斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司