專(zhuān)利名稱(chēng)：可控制保持電流的靜電放電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種靜電放電(ESD)裝置。特別是有關(guān)于一種具有寄生硅控整流器(SCR)結(jié)構(gòu)與可控制保持電流的靜電放電裝置。
背景技術(shù)：
靜電放電裝置已普遍地應(yīng)用于集成電路中，用以防止其因靜電破壞而燒毀。然而，由于具有寄生硅控整流器(SCR)結(jié)構(gòu)的靜電放電裝置其先天的特性限制，閂鎖效應(yīng)(latch-up effect)將無(wú)可避免。當(dāng)該硅控整流器被觸發(fā)時(shí)，其可忍受大量電流，但該硅控整流器兩端所跨的電壓將折返至一低保持電壓。當(dāng)該硅控整流器被閂鎖時(shí)，它將無(wú)法返回正常操作狀態(tài)，并失去靜電放電(ESD)裝置應(yīng)有的功能。
因此，如何提升靜電放電裝置的閂鎖免疫力已成為當(dāng)前設(shè)計(jì)靜電放電裝置的主要課題。因此，具有可控制保持電流以增進(jìn)閂鎖免疫力的靜電放電裝置將為產(chǎn)業(yè)所渴求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可控制保持電流的靜電放電裝置，在不需調(diào)整制程的情況下，可以依需求而決定靜電放電裝置的保持電流。
基于上述及其他目的，本發(fā)明提出一種可控制保持電流的靜電放電裝置，包括一P型基板、一N型井、一第一N+型摻雜區(qū)、一第一P+型摻雜區(qū)、一第二N+型摻雜區(qū)、一第二P+型摻雜區(qū)、一第三N+型摻雜區(qū)、一第一電極以及一第二電極。該N型井是形成于該P(yáng)型基板中。該第一N+型摻雜區(qū)與該第一P+型摻雜區(qū)是形成于該N型井中，該第一N+型摻雜區(qū)與該第一P+型摻雜區(qū)之間的距離是為一第一距離。該第三N+型摻雜區(qū)形成于該P(yáng)型基板中以及該N型井外，其中該第三N+型摻雜區(qū)與該N型井不相接觸。該第二P+型摻雜區(qū)是形成于該P(yáng)型基板中以及該N型井外，其中該第二P+型摻雜區(qū)與該N型井不相接觸。該第二P+型摻雜區(qū)與該第三N+型摻雜區(qū)之間的距離是為一第二距離。該第二N+型摻雜區(qū)是配置于該第一P+型摻雜區(qū)與一第一場(chǎng)氧化層之間，其中該第二N+型摻雜區(qū)與該第三N+型摻雜區(qū)之間以該第一場(chǎng)氧化層相隔離。該第一電極是經(jīng)由一第一電性導(dǎo)體連接該第一N+型摻雜區(qū)與該第一P+型摻雜區(qū)。該第二電極是經(jīng)由一第二電性導(dǎo)體連接該第二P+型摻雜區(qū)與該第三N+型摻雜區(qū)。其中，藉由調(diào)整該第一距離與該第二距離，而決定靜電放電裝置的保持電流。
從另一觀點(diǎn)來(lái)看，本發(fā)明提出一種可控制保持電流的靜電放電裝置，包括一P型基板、一N型嵌入層、一N型井、一P型井、一第三P+型摻雜區(qū)、一第四N+型摻雜區(qū)、一第四P+型摻雜區(qū)、一第五N+型摻雜區(qū)、一第五P+型摻雜區(qū)、一第三電極以及一第四電極。該N型嵌入層是形成于P型基板中。該N型井是形成于N型嵌入層上。該P(yáng)型井是形成于該N型嵌入層上并鄰接N型井。該第四N+型摻雜區(qū)與該第三P+型摻雜區(qū)是形成于該N型井中，其中該第三P+型摻雜區(qū)與該第四N+型摻雜區(qū)之間的距離為一第三距離。該第四P+型摻雜區(qū)與第五N+型摻雜區(qū)是形成于該P(yáng)型井中，該第四P+型摻雜區(qū)與該第五N+型摻雜區(qū)之間的距離是為一第四距離。該第五P+型摻雜區(qū)是配置于該第五N+型摻雜區(qū)與一第四場(chǎng)氧化層之間，其中該第五P+型摻雜區(qū)與該第三P+型摻雜區(qū)之間是以該第四場(chǎng)氧化層相隔離。該第三電極是經(jīng)由一第三電性導(dǎo)體連接該第四N+型摻雜區(qū)與該第三P+型摻雜區(qū)。該第四電極是經(jīng)由一第四電性導(dǎo)體連接該第四P+型摻雜區(qū)與該第五N+型摻雜區(qū)。其中，藉由調(diào)整該第三距離與該第四距離，而決定靜電放電裝置的保持電流。
本發(fā)明因采用具有寄生硅控整流器(SCR)與可控制保持電流的靜電放電裝置，并且藉由調(diào)變P+型摻雜區(qū)與N+摻雜區(qū)之間的距離，實(shí)現(xiàn)此靜電放電裝置可調(diào)整的保持電流。因此，可以在不需改變集成電路制程的情況下，依需求決定靜電放電裝置的保持電流。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1所示為本發(fā)明的實(shí)施例中一種具有寄生硅控整流器結(jié)構(gòu)的靜電放電裝置的剖面?zhèn)纫晥D。
圖2A-圖2D是繪示本發(fā)明實(shí)施例中用以控制靜電放電裝置的觸發(fā)電壓與保持電流的二個(gè)距離的局部剖面?zhèn)纫晥D。
圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例說(shuō)明中靜電放電裝置的觸發(fā)電壓對(duì)保持電流的特性曲線(xiàn)圖。
圖4所示為本發(fā)明另一實(shí)施例中靜電放電裝置的剖面?zhèn)纫晥D。
100、1100靜電放電裝置101N型嵌入層102P型基板104a、104b、104c、1204a、1204bN+型摻雜區(qū)
106、1106N型井202a、202b、1102a、1102b、1102cP+型摻雜區(qū)302第一電性導(dǎo)體304第二電性導(dǎo)體306介層窗插塞308焊墊310、1310場(chǎng)氧化層1108P型井d1第一距離d2第二距離IH保持電流VTG觸發(fā)電壓具體實(shí)施方式
以下將參照所附圖式而詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施范例。在下述實(shí)施例中，相同或相似的部件將以相同的元件符號(hào)表示。
下述實(shí)施例將說(shuō)明本發(fā)明如何克服習(xí)知具有寄生硅控整流器結(jié)構(gòu)的靜電放電裝置缺點(diǎn)，并同時(shí)減少集成電路的面積與制造成本。依照本發(fā)明的實(shí)施例，一靜電放電裝置是于一N型井中置放多個(gè)N+型摻雜區(qū)與多個(gè)P+型摻雜區(qū)。該多個(gè)N+型摻雜區(qū)與該多個(gè)P+型摻雜區(qū)彼此以相間方式連續(xù)排列構(gòu)成一摻雜區(qū)串列。該摻雜區(qū)串列的兩端是為N+型摻雜區(qū)。部分P+型摻雜區(qū)與N+型摻雜區(qū)是經(jīng)由導(dǎo)體連接至一第一電極。此連接至該第一電極的P+型摻雜區(qū)與N+型摻雜區(qū)的一第一間距是可調(diào)整的。藉由調(diào)整該第一間距，將可調(diào)變?cè)撿o電放電裝置的一觸發(fā)電壓與一保持電流。
該靜電放電裝置亦在該N型井外形成多個(gè)N+型摻雜區(qū)與多個(gè)P+型摻雜區(qū)，其中此P+型摻雜區(qū)與N+型摻雜區(qū)是經(jīng)由導(dǎo)體連接至一第二電極。此連接至該第二電極的P+型摻雜區(qū)與N+型摻雜區(qū)的一第二間距亦是為可調(diào)整的。藉由調(diào)整該第二間距，將可調(diào)變?cè)撿o電放電裝置的該觸發(fā)電壓與該保持電流。
此外，該靜電放電裝置可形成于一焊墊(pad)下方，并且二者之間以金屬相互連接。由于該焊墊為一理想導(dǎo)體，從焊墊流至靜電放電裝置的電流可以充分分散，因此改善了該靜電放電裝置的效能。同時(shí)，因?yàn)樵撿o電放電裝置是形成于該焊墊下方，集成電路的面積與制造成本即可有效降低。
圖1繪示本發(fā)明的一實(shí)施例，說(shuō)明具有寄生硅控整流器(SCR)結(jié)構(gòu)與可控制保持電流的靜電放電(ESD)裝置100的剖面?zhèn)纫晥D。請(qǐng)參照?qǐng)D1，該靜電放電裝置100是形成于一P型基板102中，其包括一N型井106、一第一N+型摻雜區(qū)104a、一第一P+型摻雜區(qū)202a、一第二N+型摻雜區(qū)104b、一第三N+型摻雜區(qū)104c、一第二P+型摻雜區(qū)202b、以及一第一場(chǎng)氧化層(field oxides)310。當(dāng)靜電放電裝置100為靜電現(xiàn)象所觸發(fā)時(shí)，相互連接的互補(bǔ)摻雜區(qū)(例如N+型摻雜區(qū)104a與P+型摻雜區(qū)202a)是操作于不同電壓準(zhǔn)位。
如圖1所示，兩個(gè)等效晶體管與兩個(gè)內(nèi)電阻形成靜電放電裝置100的等效硅控整流器(SCR)結(jié)構(gòu)。其中，該第一P+型摻雜區(qū)202a、該N型井106與該P(yáng)型基板102形成一等效晶體管，而該N型井106、該P(yáng)型基板102與該第三N+型摻雜區(qū)104c則形成另一個(gè)等效晶體管。該第一場(chǎng)氧化層310是用以隔離該第二N+型摻雜區(qū)104b與該第三N+型摻雜區(qū)104c。一第一電極經(jīng)由一第一電性導(dǎo)體302連接該第一N+型摻雜區(qū)104a與該第一P+型摻雜區(qū)202a。一第二電極是經(jīng)由一第二電性導(dǎo)體304連接該第二P+型摻雜區(qū)202b與該第三N+型摻雜區(qū)104c。電性導(dǎo)體302與304可以金屬材質(zhì)制作。于本實(shí)施例中，該第一電極是經(jīng)由一介層窗插塞(via)306電性連接至一焊墊308，并將第二電極電性連接至一電源電壓端或一接地電壓端(未繪示)。熟習(xí)此技藝者亦可視其需要，改將該第二電極電性連接至焊墊308，并將該第一電極電性連接至該電源電壓端或該接地電壓端。當(dāng)靜電電壓增大，流經(jīng)靜電放電裝置100的瞬間電流便藉由內(nèi)電阻使相互連接的互補(bǔ)摻雜區(qū)104a-202a之間以及104c-202b之間引發(fā)電壓差?；パa(bǔ)摻雜區(qū)是表示不同型態(tài)的摻雜區(qū)，例如N型摻雜區(qū)與P型摻雜區(qū)。
如圖2A至圖2D所繪示，該第一N+型摻雜區(qū)104a與該第一P+型摻雜區(qū)202a之間的距離是為一第一距離d1，以及該第三N+型摻雜區(qū)104c與該第二P+型摻雜區(qū)202b之間的距離是為一第二距離d2。在此可以絕緣層(insulator)或僅以其主體(bulk)來(lái)界定該第一距離d1與該第二距離d2，以調(diào)變?cè)撿o電放電裝置100的保持電流。上述該第一N+型摻雜區(qū)104a與該第一P+型摻雜區(qū)202a之間的絕緣層可以是一第二場(chǎng)氧化層，而該第二P+型摻雜區(qū)202b與該第三N+型摻雜區(qū)104c之間的絕緣層可以是一第三場(chǎng)氧化層。
當(dāng)該第一距離d1與該第二距離d2增加時(shí)，該兩個(gè)內(nèi)電阻的阻值將會(huì)跟著增加，因而導(dǎo)致該靜電放電裝置100的保持電流變小。相反地，當(dāng)該第一距離d1與該第二距離d2縮短時(shí)，該兩個(gè)內(nèi)電阻的阻值將會(huì)跟著降低，因而提升靜電放電裝置100的保持電流。此外，該靜電放電裝置100的觸發(fā)電壓與保持電流將和該第一距離d1與該第二距離d2成反比關(guān)系。因此，可以在不需改變制程條件下，藉由調(diào)變?cè)摰谝痪嚯xd1或該第二距離d2，設(shè)定該靜電放電裝置100的保持電流為特定值。例如，設(shè)定該第一距離d1與/或該第二距離d2為零，以擴(kuò)大靜電放電裝置100的保持電流。此外，該靜電放電裝置100可以形成于該焊墊308下方，并且二者之間以金屬相互連接。因?yàn)樵撿o電放電裝置100是形成于該焊墊308下方，因此亦可節(jié)省制造成本。
依照本發(fā)明，圖2A至圖2D是繪示該第一N+型摻雜區(qū)104a與該第一P+型摻雜區(qū)202a之間的該第一距離d1，以及該第三N+型摻雜區(qū)104c與該第二P+型摻雜區(qū)202b之間的該第二距離d2的部分剖面?zhèn)纫晥D。于圖2A中說(shuō)明該第一距離d1與該第二距離d2均未配置場(chǎng)氧化層。圖2B是繪示該第一距離d1配置有該第二場(chǎng)氧化層，而該第二距離d2則未配置場(chǎng)氧化層。圖2C是繪示該第一距離d1未配置場(chǎng)氧化層，而該第二距離d2則配置有該第三場(chǎng)氧化層。圖2D是繪示該第一距離d1與該第二距離d2各自配置了該第二場(chǎng)氧化層與該第三場(chǎng)氧化層。藉由調(diào)變?cè)摰谝痪嚯xd1與該第二距離d2，以改變?cè)撿o電放電裝置100的保持電流。當(dāng)該第一距離d1與該第二距離d2增加時(shí)，該第一N+型摻雜區(qū)104a與該第一P+型摻雜區(qū)202a之間的內(nèi)部電阻以及該第三N+型摻雜區(qū)104c與該第二P+型摻雜區(qū)202b之間的內(nèi)部電阻都會(huì)跟著增加。該靜電放電裝置100的保持電流大小將隨著該第一距離d1與該第二距離d2的改變而呈反比線(xiàn)性變化。因此，針對(duì)不同的規(guī)格需求，而可以將該靜電放電裝置的保持電流設(shè)定成任意特定值，以增進(jìn)閂鎖免疫力。
圖3是說(shuō)明在不同條件下，該靜電放電裝置100的保持電流IH對(duì)觸發(fā)電壓VTG的特性曲線(xiàn)圖。其中VTG4＞VTG3＞VTG2＞VTG1，IH4＞IH3＞IH2＞IH1，當(dāng)該第一距離d1或/與該第二距離d2減少時(shí)，特性曲線(xiàn)的觸發(fā)點(diǎn)將往D點(diǎn)移動(dòng)，觸發(fā)電壓VTG與保持電流IH將隨之升高，因而提升該靜電放電裝置的閂鎖免疫力。反之，當(dāng)該第一距離d1或/與第二距離d2增加時(shí)，特性曲線(xiàn)的觸發(fā)點(diǎn)將往A點(diǎn)移動(dòng)，觸發(fā)電壓VTG與保持電流IH將隨之下降，因而降低該靜電放電裝置的閂鎖免疫力。由觸發(fā)點(diǎn)A、B、C、D呈線(xiàn)性關(guān)系可知，經(jīng)由本發(fā)明調(diào)整該第一距離d1與該第二距離d2，保持電流IH可線(xiàn)性設(shè)定成任意特定值。亦即，當(dāng)該第一距離d1與該第二距離d2減少時(shí)，該靜電放電裝置100的觸發(fā)電壓VTG將會(huì)提升，使得該靜電放電裝置100的保持電流IH更高。因此，可在不需調(diào)整制程條件情況下，增加該靜電放電裝置100的閂鎖免疫力。
圖4是依照本發(fā)明另一實(shí)施例繪示一靜電放電裝置1100的剖面?zhèn)纫晥D。該靜電放電裝置1100是該靜電放電裝置100的互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，其表示本發(fā)明具有可控制保持電流特性的靜電放電裝置亦可以互補(bǔ)制程制造。
在該靜電放電裝置1100中，具有形成于一P型基板102中的一N型嵌入層101、形成于該N型嵌入層101上的一N型井1106與一P型井1108。該P(yáng)型井1108可以藉由P型離子摻雜形成，或是直接以該P(yáng)型基板102中由該N型嵌入層101與該N型井1106包圍的幾何區(qū)域形成。
圖4的該靜電放電裝置1100與圖1的該靜電放電裝置100是呈互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，因此兩者的等效晶體管極性便恰好相反。其中，一第三P+型摻雜區(qū)1102c、該N型井1106、該P(yáng)型井1108與一第五N+型摻雜區(qū)1204a形成等效硅控整流器。一第三電極是經(jīng)由一第三電性導(dǎo)體連接該第三P+型摻雜區(qū)1102c與一第四N+型摻雜區(qū)1204b。一第四電極是經(jīng)由一第四電性導(dǎo)體連接一第五N+型摻雜區(qū)1204a與一第四P+型摻雜區(qū)1102a。于本實(shí)施例中，該第四電極經(jīng)由一介層窗插塞306連接至一焊墊308，一第四場(chǎng)氧化層1310是用以隔離該第五P+型摻雜區(qū)1102b與該第三P+型摻雜區(qū)1102c。
于該靜電放電裝置1100中，該第三P+型摻雜區(qū)1102c與該第四N+型摻雜區(qū)1204b之間的距離為一第三距離，而該第五N+型摻雜區(qū)1204a與該第四P+型摻雜區(qū)1102a之間的距離為一第四距離。與前一實(shí)施例相似，在此亦可以分別配置(或不配置)一第五場(chǎng)氧化層與第六場(chǎng)氧化層用以界定該第三距離與該第四距離。因此，亦可在不需要改變制程條件下，藉由調(diào)變?cè)摰谌嚯x或該第四距離，將該靜電放電裝置1100的保持電流設(shè)定為特定值。例如，設(shè)定該第三距離與/或該第四距離為零，以擴(kuò)大靜電放電裝置1100的保持電流。此外，靜電放電裝置1100亦可以形成于焊墊308下方，并且二者之間以金屬相互連接。因?yàn)殪o電放電裝置1100形成于焊墊308下方，因此亦可節(jié)省制造成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種可控制保持電流的靜電放電裝置，其特征在于其包括一P型基板；一N型井，形成于該P(yáng)型基板中；一第一N+型摻雜區(qū)，是形成于該N型井中；一第一P+型摻雜區(qū)，是形成于該N型井中，該第一P+型摻雜區(qū)與該第一N+型摻雜區(qū)之間的距離是為一第一距離；一第二N+型摻雜區(qū)，是形成于該第一P+型摻雜區(qū)以及一第一場(chǎng)氧化層之間；一第三N+型摻雜區(qū)，形成于該P(yáng)型基板中以及該N型井外，其中該第三N+型摻雜區(qū)與該N型井不相接觸，其中該第三N+型摻雜區(qū)是由該第一場(chǎng)氧化層與該第二N+型摻雜區(qū)相隔離；一第二P+型摻雜區(qū)，是形成于該P(yáng)型基板中以及該N型井外，其中該第二P+型摻雜區(qū)與該N型井不相接觸，并且該第二P+型摻雜區(qū)與該第三N+型摻雜區(qū)之間的距離為一第二距離，其中藉由調(diào)整該第一距離與該第二距離，而決定該靜電放電裝置的一保持電流；一第一電極，其經(jīng)由一第一電性導(dǎo)體連接該第一P+型摻雜區(qū)與該第一N+型摻雜區(qū)；以及一第二電極，其經(jīng)由一第二電性導(dǎo)體連接該第三N+型摻雜區(qū)與該第二P+型摻雜區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第一P+型摻雜區(qū)與該第一N+型摻雜區(qū)之間是以一第二場(chǎng)氧化層相隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的靜電放電裝置的該保持電流與該第一距離成反比關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電放電裝置，其特征在于其中設(shè)定該第一距離為零，以擴(kuò)大該保持電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第二P+型摻雜區(qū)與該第三N+型摻雜區(qū)之間是以一第三場(chǎng)氧化層相隔離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的靜電放電裝置的該保持電流與該第二距離成反比關(guān)系。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電放電裝置，其特征在于其中設(shè)定該第二距離為零，以擴(kuò)大該保持電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第一電性導(dǎo)體與該第二電性導(dǎo)體是為金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第一P+型摻雜區(qū)與該第二N+型摻雜區(qū)二者相鄰接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第一電極與該第二電極二者之一電性連接至一焊墊，并且二者的另一個(gè)電性連接至一電源電壓端或一接地電壓端。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電放電裝置，其特征在于其是配置于該焊墊下方。
12.一種可控制保持電流的靜電放電裝置，其特征在于其包括一P型基板；一N型嵌入層，是形成于該P(yáng)型基板中；一N型并，是形成于該N型嵌入層上；一P型井，是形成于該N型嵌入層上并鄰接該N型井；一第三P+型摻雜區(qū)，是形成于該N型井中；一第四N+型摻雜區(qū)，是形成于該N型井中，其中該第三P+型摻雜區(qū)與該第四N+型摻雜區(qū)之間的距離為一第三距離；一第五N+型摻雜區(qū)，是形成于該P(yáng)型井中；一第四P+型摻雜區(qū)，是形成于該P(yáng)型井中，其中該第四P+型摻雜區(qū)與該第五N+型摻雜區(qū)之間的距離為一第四距離，其中藉由調(diào)整該第三距離與該第四距離，而決定該靜電放電裝置的一保持電流；一第五P+型摻雜區(qū)，是形成于該第五N+型摻雜區(qū)與一第四場(chǎng)氧化層之間，其中該第五P+型摻雜區(qū)與該第三P+型摻雜區(qū)之間以該第四場(chǎng)氧化層相隔離；一第三電極，其經(jīng)由一第三電性導(dǎo)體連接該第四N+型摻雜區(qū)與該第三P+型摻雜區(qū)；以及一第四電極，其經(jīng)由一第四電性導(dǎo)體連接該第四P+型摻雜區(qū)與該第五N+型摻雜區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第三P+型摻雜區(qū)與該第四N+型摻雜區(qū)之間以一第五場(chǎng)氧化層相隔離。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的靜電放電裝置的該保持電流與該第三距離成反比關(guān)系。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靜電放電裝置，其特征在于其中設(shè)定該第三距離為零，以擴(kuò)大該保持電流。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第四P+型摻雜區(qū)與該第五N+型摻雜區(qū)之間以一第六場(chǎng)氧化層相隔離。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的靜電放電裝置的該保持電流與該第四距離成反比關(guān)系。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的靜電放電裝置，其特征在于其中設(shè)定該第四距離為零，以擴(kuò)大該保持電流。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第三電性導(dǎo)體與該第四電性導(dǎo)體是為金屬。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第五N+型摻雜區(qū)與該第五P+型摻雜區(qū)相鄰接。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的第三電極與該第四電極二者之一電性連接至一焊墊，并且二者的另一個(gè)電性連接至一電源電壓端或一接地電壓端。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的靜電放電裝置，其特征在于其是配置于該焊墊下方。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靜電放電裝置，其特征在于其中所述的P型井是以P型離子摻雜形成，或直接以該P(yáng)型基板中由該N型嵌入層與該N型井包圍的幾何區(qū)域形成。
全文摘要
一種具有寄生硅控整流器(SCR)結(jié)構(gòu)與可控制保持電流的靜電放電(ESD)裝置。一第一N+型摻雜區(qū)與一第一P+型摻雜區(qū)之間的距離是為一第一距離。一第二P+型摻雜區(qū)與一第三N+型摻雜區(qū)之間的距離是為一第二距離。藉由調(diào)整該第一距離與該第二距離，可將該靜電放電裝置的一保持電流設(shè)定為特定值。該靜電放電裝置的該保持電流是與該第一距離、該第二距離成反比關(guān)系。
文檔編號(hào)H01L27/02GK1905185SQ200510087180
公開(kāi)日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2005年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月27日
發(fā)明者黃志豐, 楊大勇, 林振宇, 簡(jiǎn)鐸欣 申請(qǐng)人:崇貿(mào)科技股份有限公司