專利名稱：包括偏移有源區(qū)的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子設(shè)備，以及更具體涉及半導(dǎo)體存儲器件。
背景技術(shù)：
在常規(guī)半導(dǎo)體存儲器件的單元陣列中，存儲單元可以包括開關(guān)元件和數(shù)據(jù)存儲元件，以及單元可以具有8F2結(jié)構(gòu)(F是基于設(shè)計規(guī)則的特征尺寸)。為了提供增加集成度的器件進(jìn)行了許多努力。更具體地說，減小了被存儲單元占據(jù)的面積。例如，半導(dǎo)體存儲器件從8F2結(jié)構(gòu)變?yōu)?F2結(jié)構(gòu)。最近研制的6F2型單元陣列的有源區(qū)可以是對角的(diagonal)。
圖1和圖2中圖示了具有對角的有源區(qū)的常規(guī)單元陣列的一部分。常規(guī)單元陣列具有多個對角的有源區(qū)。相鄰有源區(qū)在主軸方向上面對面地布置。為了限定中間掩模(reticle)上的對角線形狀，待曝光的部分被分為被不連續(xù)地曝光的預(yù)定寬度的段S和S′。因此，制造中間掩模(reticle)比制造具有垂直和水平軸方向的正方形結(jié)構(gòu)需要更多時間。此外，可以根據(jù)圖形-至-圖形距離B和B′和圖形傾斜決定段尺寸，以致校正圖形可能是困難的。如果圖形被在面對面地布置主方向上，那么如果相鄰圖形之間的距離是特征尺寸A，在圖形被轉(zhuǎn)錄至襯底時可能發(fā)生橋接。在對角地面對面布置圖形的情況下，如圖2所示，圖形-至-圖形距離A′可能變得比特征尺寸更窄，增加發(fā)生橋接的可能性。
為了在曝光工序過程中形成正常圖形，可以提供用于對應(yīng)于圖形的傾斜軸的光源方向的光學(xué)需求。因此，光學(xué)系統(tǒng)可以采用獨特的孔徑，以在對應(yīng)于圖形軸的方向上選擇和照射光。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的某些實施例，一種半導(dǎo)體存儲器件可以包括具有多個有源區(qū)的襯底，以及在襯底上圍繞半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)的場隔離層。更具體，多個有源區(qū)的每一個在第一軸的方向上可以具有一長度，以及在第二軸的方向上可以具有一寬度，該長度可以大于該寬度。而且，在第二軸方向上，在有源區(qū)的多個列中可以設(shè)置多個有源區(qū)，以及相鄰列的有源區(qū)可以在第二軸的方向上偏移。
根據(jù)本發(fā)明的附加實施例，一種半導(dǎo)體存儲器件可以包括，具有多個有源區(qū)的襯底，襯底上的多個字線對，以及在襯底上交叉多個字線對的多個位線。每個有源區(qū)在第一軸的方向上可以具有一長度和在第二軸的方向上可以具有一寬度，該長度可以大于該寬度。而且，多個有源區(qū)可以被設(shè)置在第二軸的方向上的有源區(qū)的多個列中。每個字線對可以交叉有源區(qū)的各個列的有源區(qū)，限定各個字線對的字線之間的每個有源區(qū)的漏區(qū)部分。每個位線可以被電耦合到每個列的有源區(qū)的各個漏區(qū)部分，以及每個位線可以被布置在各個漏區(qū)部分和相鄰有源區(qū)的另一漏區(qū)部分之間。
根據(jù)本發(fā)明的某些實施例，一種半導(dǎo)體存儲器件可以包括，具有多個有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底，襯底上的多個字線對，以及在襯底上交叉多個字線對的多個位線。每個有源區(qū)在第一軸的方向上可以具有一長度和在第二軸的方向上可以具有一寬度，該長度可以大于該寬度。而且，多個有源區(qū)可以被設(shè)置在第二軸的方向上的多個列中。每個字線對可以交叉有源區(qū)的各個列的有源區(qū)，限定各個字線對的字線之間的每個有源區(qū)的漏區(qū)部分。每個位線可以被電耦合到每個列的各個有源區(qū)的漏區(qū)部分，以及每個位線可以交叉不同方向上的相鄰列的有源區(qū)的漏區(qū)部分。
根據(jù)本發(fā)明的再一實施例，一種半導(dǎo)體存儲器件可以包括，具有有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上圍繞有源區(qū)的場隔離層，在襯底上并交叉有源區(qū)第一和第二字線，以及第一和第二存儲元件。更具體地說，有源區(qū)可以具有一長度和一寬度，該長度大于該寬度。第一和第二字線可以限定第一和第二字線之間的有源區(qū)的漏區(qū)部分，以及在有源區(qū)的相對端部的有源區(qū)的第一和第二源區(qū)部分。第一和第二存儲器元件可以分別耦合到有源區(qū)的第一和第二源區(qū)部分，以及第一和第二字線在垂直于襯底的方向上可以在各個第一和第二存儲器元件的一部分和襯底之間。
根據(jù)本發(fā)明的某些實施例，單元陣列可以包括具有水平和垂直方向軸的有源區(qū)。此外，單元陣列可以包括容易設(shè)計和光學(xué)穩(wěn)定的圖形。為了獲得這些特點，可以提供一種半導(dǎo)體存儲器件，具有包括條形有源區(qū)的單元陣列，每個條形有源區(qū)具有主軸和短軸(minor axis)。
根據(jù)本發(fā)明的某些實施例，一種半導(dǎo)體存儲器件可以包括條形的第一和第二有源區(qū)，具有主軸和短軸。第一有源區(qū)和第二有源區(qū)可以被布置在互相整齊地間隔的短軸方向上。第二有源區(qū)可以被布置在與第一有源區(qū)整齊地間隔的主軸方向上，以及可以被布置在與第一有源區(qū)間隔1/2間距的短軸方向上。
第一和第二有源區(qū)分別可以與各個方向上的相鄰有源區(qū)間隔多達(dá)特征尺寸。當(dāng)?shù)谝缓偷诙性磪^(qū)每個是主軸方向上的特征尺寸的五倍長時，存儲單元可以具有6F2結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體存儲器件還可以包括橫跨第一或第二有源區(qū)的字線對。字線對可以將底下的有源區(qū)劃分為三段。在主軸方向上，段的長度可以等于特征尺寸。
半導(dǎo)體存儲器件也可以包括交替地連接到第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的多個位線。位線之一可以被交替地連接到多個第一有源區(qū)和多個第二有源區(qū)，多個第二有源區(qū)布置在與第一有源區(qū)間隔1/2間距的一個方向上。更具體，位線可以被布置在一對相鄰的第一有源區(qū)之間和布置在與第一有源區(qū)間隔1/2間距的一個方向上的一對第二有源區(qū)之間。另外，位線可以以Z字形圖形布置，以在一個方向上對角地橫跨第一有源區(qū)，以及在另一方向上對角地橫跨第二有源區(qū)。
如果位線被布置在第一有源區(qū)之間和與第一有源區(qū)間隔1/2間距的第二有源區(qū)之間，位線可以被連接到提供字線對的字線之間的劃分有源區(qū)以及可以通過覆蓋位線的漏極焊盤延伸連接到將連接第一和第二有源區(qū)的一個方向。
半導(dǎo)體存儲器件還可以包括在字線對的相對側(cè)連接到各個劃分的有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件。數(shù)據(jù)存儲元件可以是電容器和/或電阻元件。對于鐵電存儲器件或DRAM器件，例如，數(shù)據(jù)存儲元件可以是電容器。對于相變存儲器件或磁隧道結(jié)(MJT)器件，數(shù)據(jù)存儲元件可以是電阻元件。數(shù)據(jù)存儲元件可以通過連接到各個第一和第二有源區(qū)的源極焊盤以及源極焊盤和數(shù)據(jù)存儲元件之間的緩沖電極連接到第一或第二有源區(qū)。緩沖電極可以部分地覆蓋字線。數(shù)據(jù)存儲元件可以覆蓋源極焊盤和可以在將覆蓋字線的一個方向上延伸。另外地，數(shù)據(jù)存儲元件可以具有覆蓋字線的側(cè)壁和覆蓋第一或第二有源區(qū)的相對側(cè)壁。數(shù)據(jù)存儲元件在有源區(qū)的短軸方向上可以互相間隔長達(dá)特征尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的某些附加實施例，可以提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件包括具有條形有源區(qū)的單元陣列，條形有源區(qū)具有主軸和短軸。在半導(dǎo)體襯底形成器件隔離層，以限定條形第一和第二有源區(qū)，每個具有主軸和短軸。第一有源區(qū)和第二有源區(qū)可以被布置在互相整齊地間隔的短軸方向上。第二有源區(qū)在主軸方向可以與第一有源區(qū)整齊地間隔，以及在短軸方向可以與第一有源區(qū)間隔1/2間距。
可以形成橫跨第一或第二有源區(qū)以及將底下的有源區(qū)劃分為三段的多個字線對。可以形成交替地連接到第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的多個位線?？梢孕纬稍谧志€對的相對側(cè)分別連接到劃分的有源區(qū)的多個數(shù)據(jù)存儲元件。
在形成字線對的襯底的整個表面上可以形成第一層間介質(zhì)，以及可以形成漏極焊盤和源極焊盤。漏極焊盤可以通過第一層間介質(zhì)連接到提供字線對的字線之間的劃分有源區(qū)，以及源極焊盤可以被連接到在字線對的相對側(cè)的各個劃分的有源區(qū)。
漏極焊盤可以在將覆蓋器件隔離層的一個方向上延伸。在形成漏極和源極焊盤的襯底的整個表面上可以形成第二層間介質(zhì)。位線可以被布置在相鄰的第一有源區(qū)之間和與第一有源區(qū)間隔1/2間距的一對第二有源區(qū)之間，以及可以通過第二層間介質(zhì)連接到漏極焊盤。在形成位線的襯底的整個表面上可以形成第三層間介質(zhì)。可以形成將通過第三層間介質(zhì)和第二層間介質(zhì)連接到源極焊盤的數(shù)據(jù)存儲元件。
另外，位線可以以Z字形圖形布置，以在一個方向上對角地橫跨第一有源區(qū)，以及在另一方向上對角地橫跨第二有源區(qū)。在形成位線的半導(dǎo)體襯底的整個表面上可以形成第三層間介質(zhì)?？梢孕纬蓪⑼ㄟ^第三層間介質(zhì)和第二層間介質(zhì)連接到源極焊盤的數(shù)據(jù)存儲元件。


圖1和圖2是常規(guī)DRAM單元的頂部平面圖。
圖3和圖4是根據(jù)本發(fā)明的某些實施例的半導(dǎo)體存儲器件陣列的頂部平面圖。
圖5至圖9，圖10A，圖10B以及圖10C是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例制造半導(dǎo)體存儲器件的步驟的頂部平面圖。
圖11至圖13，圖14A，圖14B以及圖14C是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例制造半導(dǎo)體存儲器件的步驟的頂部平面圖。
圖15A，圖15B和圖15C是根據(jù)本發(fā)明的附加實施例的半導(dǎo)體存儲器件的剖面圖。
圖16A至圖16C分別說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的方法用于半導(dǎo)體存儲器件的焊盤掩模。
圖17A至圖17C分別說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的方法用于半導(dǎo)體存儲器件的焊盤掩模。
具體實施例方式
在下文中參考附圖更完全地描述本發(fā)明，其中示出本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明可以以多種不同的方式體現(xiàn)，不應(yīng)該認(rèn)為局限于在此闡述的實施例。相反地，提供這些實施例是為了本公開是徹底的和完全的，并將本發(fā)明的范圍完全傳遞給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。而且，在此描述和說明的每個實施例也包括其互補導(dǎo)電類型實施例。在整篇中，相同的數(shù)字始終指相同的元件。
應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)元件被稱為“耦合到”、“連接到”、“響應(yīng)”、“響應(yīng)于”其它元件時，它可以被直接耦合、連接、響應(yīng)或響應(yīng)于其他元件，或可以存在插入元件。相反，術(shù)語“直接”意味著不存在插入元件。在此使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列項的任意和所有組合以及可以省略為“/”。
也應(yīng)當(dāng)理解在此使用的術(shù)語“行”或“水平”和“列”或“垂直”表示互相可以垂直的兩個非平行方向。但是，這些術(shù)語不要求如圖所示的絕對水平或垂直方向。
應(yīng)當(dāng)理解盡管在此可以使用術(shù)語第一和第二等來描述各個元件，但是這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來使一個元件與其它元件相區(qū)別。例如，在不脫離公開內(nèi)容的教導(dǎo)條件下，下面論述的第一線可以稱為第二線，同樣，第二線可以稱為第一線。
為了便于描述，在此可以使用空間相對術(shù)語，如“在…底下”，“在...下面”，“下”，“在...之上”，“向上”，“上”等描述一個元件或部件與圖中所示的另一(些)元件和/或部件的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解空間相對術(shù)語是用來包括除圖中描繪的取向之外的使用或操作中器件的不同取向。例如，如果圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，那么描述為在其他元件或部件“下面”和/或“底下”的元件將定向在其他元件或部件“之上”。因此，示例術(shù)語“在...下面”可以包括“在...之上”和“在...之下”的兩種取向。器件可以被另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或其他取向)，由此解釋在此使用的空間相對描述詞。
在此使用的專業(yè)詞匯是僅僅用于描述特定的實施例而不打算限制本發(fā)明。如在此使用的單數(shù)形式“a”，“an”和“the”同樣打算包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地表明。還應(yīng)當(dāng)理解，在該說明書中使用術(shù)語“comprises”和/或“comprising”或“includes”和/或“including”時，說明所述部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除存在或添加一個或多個其他部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組。
在此參考剖面圖描述本發(fā)明的實施例，剖面圖是本發(fā)明的理想化實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。為了清楚可以放大附圖中的層和區(qū)域的厚度。此外，應(yīng)當(dāng)預(yù)期由于制造工藝和/或容差的圖例形狀變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該認(rèn)為限于在此所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括所得的形狀例如由制造產(chǎn)生的偏差。因此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，且它們的形狀不打算圖示器件區(qū)域的實際形狀，以及不打算限制本發(fā)明的范圍。應(yīng)當(dāng)理解，例如，矩形部件可以具有圓潤的拐角。
除非另外限定，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解相同的意思。還應(yīng)當(dāng)理解如在通常使用的詞典中定義的那些術(shù)語應(yīng)該解釋為具有符合相關(guān)技術(shù)和本公開的環(huán)境中的意思且不被理想化解釋或過度地形式感知，除非在此清楚地限定。
圖3和圖4分別是根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實施例的半導(dǎo)體存儲單元陣列的頂部平面圖。
如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體存儲器件可以包括條形的第一和第二有源區(qū)102a和102b，每個具有主軸和短軸。有源區(qū)的主軸可以是襯底的水平(或垂直)軸，以及其短軸可以是襯底的垂直(或水平)軸。主軸和短軸可以互相垂直。第一有源區(qū)102a可以被布置在互相整齊地間隔的短軸方向上的列中，第二有源區(qū)102b也可以被布置在互相整齊地間隔的短軸方向上的列中。第二有源區(qū)120b的列在主軸的方向上，可以與第一有源區(qū)102a的相鄰列整齊地間隔，以及在短軸方向上可以與第一有源區(qū)102a間隔1/2間距。換句話說，有源區(qū)102a可以相對于有源區(qū)102b偏移等于有源區(qū)寬度的距離。單元陣列可以包括交替地布置的列，第一列包括第一有源區(qū)102a以及第二列包括第二有源區(qū)102b。第一有源區(qū)102a可以具有與第二有源區(qū)102b相同的形狀。在主軸方向上，第一和第二有源區(qū)102a和102b每個可以是特征尺寸(例如，有源區(qū)的寬度)的五倍長。每個有源區(qū)在主軸和/或短軸方向上可以與相鄰有源區(qū)間隔長達(dá)特征尺寸(例如，有源區(qū)的寬度)的距離。
字線對104(字線對)可以橫跨第一有源區(qū)102a和/第二有源區(qū)102b。字線104可以具有特征尺寸(例如，等于有源區(qū)寬度的寬度)。第一有源區(qū)102a和/或第二有源區(qū)102b的每一個被各個字線對分為三段。在有源區(qū)中，漏極焊盤106d連接到各個字線對的字線之間的有源區(qū)的中心部分。一對源極焊盤106b可以被連接到每個有源區(qū)的各個端部，以便有源區(qū)的每個源極焊盤106b通過各個字線與有源區(qū)的漏極焊盤間隔。漏極焊盤106d在有源區(qū)之間的部分區(qū)域上(即，在部分器件隔離區(qū)上)從有源區(qū)的上部延伸。位線110可以橫跨字線104。每個位線110可以通過各個漏極焊盤106d交替地連接到第一和第二有源區(qū)102a和102b。位線110在一對第一有源區(qū)102a之間和一對第二有源區(qū)102b之間穿過，第一有源區(qū)對102a在一個方向上與第二有源區(qū)102b間隔1/2間距。因為漏極焊盤106d從有源區(qū)延伸到器件隔離區(qū)，因此它可以被連接到上覆(overlying)位線110。每個位線110可以具有一特征尺寸(例如，等于有源區(qū)寬度的寬度)，以及可以與相鄰位線間隔長達(dá)特征尺寸的距離。位線110可以通過位線栓塞108連接到漏極焊盤106d。位線栓塞108和位線110可以被統(tǒng)一的。
數(shù)據(jù)存儲元件116在每個有源區(qū)的相對端可以被連接到各個源極焊盤。對于DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)，數(shù)據(jù)存儲元件可以是柱形電容器、箱型電容器和/或MIM(金屬絕緣體金屬)電容器。對于鐵電存儲器件，數(shù)據(jù)存儲元件可以是鐵電電容器。對于相變存儲器件，數(shù)據(jù)存儲元件可以是相變電阻存儲元件。對于磁存儲器件，數(shù)據(jù)存儲元件可以是MJT(磁隧道結(jié))電阻元件。
數(shù)據(jù)存儲元件116可以通過各個源極焊盤106b連接到有源區(qū)。在每個源極焊盤106b和(各個)數(shù)據(jù)存儲元件116之間還可以形成緩沖電極114。緩沖電極114可以被設(shè)置在源極焊盤106b上和可以被設(shè)置為部分地重疊各個字線。緩沖電極114可以在結(jié)構(gòu)上朝有源區(qū)的中心布置，以加寬連接到相鄰有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件116之間的間隔。緩沖電極114可以通過存儲栓塞112連接到各個源極焊盤106b，以便數(shù)據(jù)存儲元件116通過緩沖電極114和源極焊盤106b連接到有源區(qū)。
盡管在圖3中未示出，但是存儲栓塞112可以與數(shù)據(jù)存儲元件116直接接觸。在此情況下，可以省略緩沖電極114。
此外，數(shù)據(jù)存儲元件116可以部分地覆蓋源極焊盤106b，以便加寬在相鄰有源區(qū)上形成的數(shù)據(jù)存儲元件之間的間距。亦即，數(shù)據(jù)存儲元件116可以具有覆蓋相鄰字線的一部分的側(cè)壁和可以覆蓋有源區(qū)的相對側(cè)壁。
如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體存儲器件的有源區(qū)可以具有與圖3的半導(dǎo)體存儲器件相同的布置。該存儲器件還可以包括第一有源區(qū)202a和第二有源區(qū)202b。第一和第二有源區(qū)202a和202b的每一個可以是條形的(例如，矩形)，以及可以具有主軸和短軸。第一有源區(qū)202a可以被布置在互相整齊地間隔的短軸方向上。第二有源區(qū)202b可以被布置在互相整齊地間隔的短軸方向上。第二有源區(qū)202b可以被布置在與第一有源區(qū)202a整齊地間隔的主軸上。第二有源區(qū)202b分別可以被布置在與第一有源區(qū)202a間隔1/2間距的主軸的方向上。換句話說，有源區(qū)202a可以相對于有源區(qū)102b偏移等于有源區(qū)寬度的距離。
單元陣列包含可以被交替地布置的列和行。每個行可以包括第一有源區(qū)202a，以及每個列可以包括第二有源區(qū)202b。第一和第二有源區(qū)202a和202b可以具有相同的形狀。在主軸方向上，第一和第二有源區(qū)202a和202b每個可以是特征尺寸(例如，寬度)的五倍長。每個有源區(qū)在主軸和/或短軸上可以與相鄰有源區(qū)間隔約長達(dá)特征尺寸的距離。
字線對204(字線對)橫跨第一有源區(qū)202a和/第二有源區(qū)202b。每個字線204具有特征尺寸(例如，等于有源區(qū)寬度的寬度)。字線對將各個有源區(qū)202a或202b劃分為三段。漏極焊盤206d被連接到各個字線對的字線之間的部分有源區(qū)。源極焊盤206b被連接到各個字線對的相對側(cè)處的有源區(qū)的端部。位線210橫跨字線204。位線210可以被交替地連接到第一有源區(qū)202a和第二有源區(qū)202b。位線210可以通過漏極焊盤206d連接到各個第一和第二有源區(qū)202a和202b。
每個位線210在一個方向上對角地交叉第一有源區(qū)202a，以及在另一個方向上對角地交叉第二有源區(qū)202b。亦即，位線210具有Z字形形狀。與圖3的結(jié)構(gòu)不同，漏極焊盤206d可以被僅僅設(shè)置在有源區(qū)上。在圖4中，位線210可以具有一特征尺寸(例如，等于有源區(qū)寬度的寬度)，以及可以與相鄰位線間隔約長達(dá)特征尺寸的距離。位線210可以通過各個位線栓塞208連接到各個漏極焊盤206d。在選擇性方案中，位線栓塞208和各個位線可以是統(tǒng)一的。
數(shù)據(jù)存儲元件216可以被連接到在各個字線對的相對側(cè)的有源區(qū)的相對端部。對于DRAM，數(shù)據(jù)存儲存儲元件216可以是柱形電容器、箱型電容器和/或MIM電容器。對于鐵電存儲器件，數(shù)據(jù)存儲元件216可以是鐵電電容器。對于相變存儲器件，數(shù)據(jù)存儲元件216可以是相轉(zhuǎn)移電阻元件。對于磁存儲器件，數(shù)據(jù)存儲元件216可以是MJT電阻元件。
每個數(shù)據(jù)存儲元件216可以通過各個源極焊盤206b連接到有源區(qū)。在源極焊盤206b和數(shù)據(jù)存儲元件216之間還可以形成緩沖電極214。緩沖電極214可以被設(shè)置在源極焊盤206b上，以及可以被部分地設(shè)置在相鄰字線之上。緩沖電極214可以在結(jié)構(gòu)上朝有源區(qū)的中心設(shè)置，以加寬連接到相鄰有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件216之間的間隔。緩沖電極214可以通過存儲栓塞212連接到各個源極焊盤206b，以便數(shù)據(jù)存儲元件216通過緩沖電極214和源極焊盤206b連接到有源區(qū)。
盡管在圖4中未示出，但是存儲栓塞212可以與各個數(shù)據(jù)存儲元件216直接接觸。在此情況下，可以省略緩沖電極214。
此外，數(shù)據(jù)存儲元件216可以被部分地設(shè)置在各個源極焊盤206b上，以便加寬在相鄰有源區(qū)上形成的數(shù)據(jù)存儲元件之間的間距。亦即，每個數(shù)據(jù)存儲元件216可以具有在字線上的側(cè)壁和在有源區(qū)上的相對側(cè)壁。
圖5至圖9，圖10A，圖10B以及圖10C是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例制造半導(dǎo)體存儲器件的步驟的頂部平面圖。
如圖5所示，在半導(dǎo)體襯底100上形成器件隔離層，以限定第一有源區(qū)102a和第二有源區(qū)102b。第一和第二有源區(qū)102a和102b是條形的(例如，矩形)，以限定主軸(在長度方向上)和短軸(在寬度方向上)。在短軸方向上，第一有源區(qū)102a和第二有源區(qū)102b互相可以整齊地間隔約P/2(例如，有源區(qū)的寬度)的距離。第一和第二有源區(qū)的列被交替地布置在單元陣列中。第一有源區(qū)102a可以互相間隔長達(dá)特征尺寸的約P/2(例如，有源區(qū)的寬度)的距離。第二有源區(qū)102b也互相間隔長達(dá)特征尺寸的約P/2(例如，有源區(qū)的寬度)的距離。第一有源區(qū)102a和第二有源區(qū)102b在短軸的方向上具有一特征尺寸(例如，寬度)。第二有源區(qū)202b被布置在短軸的方向上，與第一有源區(qū)202a間隔1/2間距。換句話說，第一和第二有源區(qū)102a和102b在短軸方向上偏移約P/2的距離。第一和第二有源區(qū)102a和102b可以具有相同的形狀，如矩形形狀。在主軸方向上，第一有源區(qū)102a和第二有源區(qū)102b每個可以是其特征尺寸(例如，有源區(qū)的寬度)的五倍長。第一有源區(qū)102a和第二有源區(qū)102b在短軸方向上可以具有一特征尺寸(例如，寬度)。
如圖6所示，可以形成字線104，各個字線對104橫跨各個第一有源區(qū)102a或各個第二有源區(qū)102b。換句話說，每個字線對橫跨有源區(qū)102a或102b的各個列。因此，每個有源區(qū)102或102b被各個字線對分為三段。在主軸的方向上，每個字線104具有一特征尺寸(例如，寬度)，以及每個有源區(qū)段(由各個字線對限定)具有一特征尺寸。
如圖7所示，在各個字線對的兩個字線104之間的每個有源區(qū)的中心部分上形成漏極焊盤106d。在各個字線對的相對側(cè)上的每個有源區(qū)的每個端部形成源極焊盤106b。在部分器件隔離層上的一個方向上，有源區(qū)的漏極焊盤106d從有源區(qū)的中心部分延伸?？梢孕纬筛采w漏極焊盤106d和源極焊盤106b的第一層間介質(zhì)。第一層間介質(zhì)可以使用自對準(zhǔn)接觸(SAC)工藝來形成。
如圖8所示，可以形成橫跨字線104的位線110。位線110可以被交替地連接到第一和第二有源區(qū)102a和102b。位線110可以在相鄰的第二有源區(qū)102b之間(其在一個方向上與第一有源區(qū)102a間隔1/2間距)和在相鄰第一有源區(qū)102a之間穿過。每個位線110可以通過各個位線栓塞108連接到各個漏極焊盤106d。因此在包括源極焊盤106b和漏極焊盤106d的襯底的整個表面上可以形成第二層間介質(zhì)?？梢孕纬晌痪€栓塞108，通過第二層間介質(zhì)連接到漏極焊盤106d。然后可以形成連接到位線栓塞108的位線。另外地，可以使用雙鑲嵌工藝形成接觸孔，以在位線溝槽形成的同時露出漏極焊盤106d，然后，可以用導(dǎo)電層填充接觸孔和位線溝槽，以便每個位線與各個漏極焊盤直接接觸。
如圖9所示，可以形成緩沖電極114，通過各個存儲栓塞112連接到各個源極焊盤106b。緩沖電極114可以用來保證連接到第一有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件元件和連接到第二有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件之間的間隔，以及增加被每個數(shù)據(jù)存儲元件占據(jù)的面積。
在包括位線110的襯底上可以形成第三層間介質(zhì)。可以形成存儲栓塞112，通過第三層間介質(zhì)和第二層間介質(zhì)連接到各個源極焊盤106b。在各個存儲栓塞112上可以形成緩沖電極114，以及每個緩沖電極114可以橫穿與相鄰字線相對的部分第三層間介質(zhì)。
如圖10A所示，在每個緩沖電極114上可以形成數(shù)據(jù)存儲元件116。部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲元件116可以在相鄰的字線上延伸，以增加被數(shù)據(jù)存儲元件占據(jù)的面積。根據(jù)被制造的半導(dǎo)體存儲器件的類型，數(shù)據(jù)存儲元件116可以是電容器或電阻元件。形成數(shù)據(jù)存儲元件116的方法可以隨被制造的存儲器件的類型而變化。
圖10B是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的方法的改進(jìn)方案的頂部平面圖。在該改進(jìn)實施例中，緩沖電極114可以被省略。更具體，在圖9的步驟，在形成存儲栓塞112a之后，不形成緩沖電極，數(shù)據(jù)存儲元件116a可以與各個存儲栓塞112a直接接觸。每個數(shù)據(jù)存儲元件116a可以在各個字線上部分地延伸。
圖10C是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的方法的另一改進(jìn)方案的頂部平面圖。在該改進(jìn)實施例中，每個數(shù)據(jù)存儲元件116b可以具有從源極焊盤106b橫向地移動以覆蓋相鄰字線104的側(cè)壁和覆蓋底下的有源區(qū)的相對側(cè)壁。使用緩沖電極114可以實現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)。因此，可以使用自由空間，以減小相鄰數(shù)據(jù)存儲元件之間短路的可能性。
圖11至圖13，圖14A，圖14B以及圖14C是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例制造半導(dǎo)體存儲器件的方法步驟的頂部平面圖。
如圖11所示，可以根據(jù)圖5-6如上所述形成第一和第二有源區(qū)202a和202b和字線對204。
在每個有源區(qū)，可以在交叉有源區(qū)的字線對的兩個字線204之間的有源區(qū)的中心部分形成漏極焊盤206d，可以在交叉有源區(qū)的字線對的相對側(cè)上的有源區(qū)的第一和第二端部形成第一和第二源極焊盤206b。與圖7所示的結(jié)構(gòu)不同，在隔離區(qū)上的一個方向上，漏極焊盤206d不延伸超出各個有源區(qū)，而是代替被限制在各個有源區(qū)上?？梢酝ㄟ^覆蓋包括字線的襯底的第一層間介質(zhì)以及應(yīng)用自對準(zhǔn)接觸(SAC)工藝來形成漏極焊盤206d和源極焊盤206b。
如圖12所示，可以形成每個位線210，橫跨將被交替地連接到第一和第二有源區(qū)202a和202b的字線204。位線210可以被設(shè)置在Z字形圖形中，以在一個方向上對角地交叉第一有源區(qū)202a，以及在另一方向上對角地交叉第二有源區(qū)202b。每個位線210連接到各個第一和第二有源區(qū)202a和202b，各個第一和第二有源區(qū)202a和202b在短軸方向上互相間隔1/2間距(例如，偏移)。位線210可以通過各個位線栓塞208連接到各個漏極焊盤206d。為此，在包括源極焊盤206b和漏極焊盤206d的襯底的整個表面上形成第二層間介質(zhì)以及形成通過第二層間介質(zhì)連接到漏極焊盤206d的位線栓塞208之后，可以形成連接到位線栓塞208的位線。另外，可以使用雙鑲嵌工藝形成露出漏極焊盤206d的接觸孔，同時形成位線溝槽的。然后，用導(dǎo)電材料填充接觸孔和位線溝槽，以提供將與各個漏極焊盤直接接觸的位線。
如圖13所示，可以形成緩沖電極214，通過存儲栓塞212連接到各個源極焊盤206b。緩沖電極214可以用來在連接到相鄰有源區(qū)的數(shù)據(jù)存儲元件之間提供間隔，以及用來增加被數(shù)據(jù)存儲元件占據(jù)的面積。
在包括位線210的襯底的整個表面上可以形成第三層間介質(zhì)。可以形成存儲栓塞212，通過第三層間介質(zhì)和第二層間介質(zhì)連接到各個源極焊盤206b。緩沖電極214可以形成在存儲栓塞212上。
如圖14A所示，在各個緩沖電極214上可以形成數(shù)據(jù)存儲元件216。根據(jù)半導(dǎo)體存儲器件的類型，數(shù)據(jù)存儲元件216可以是電容器或電阻元件。制造數(shù)據(jù)存儲元件216的方法可以隨半導(dǎo)體存儲件的類型而變化。
圖14B是說明圖11-13的方法的改進(jìn)方案的頂部平面圖。在該改進(jìn)實施例中，緩沖電極214可以被省略。亦即，在圖9的步驟，在形成存儲栓塞212a之后，不形成緩沖電極，數(shù)據(jù)存儲元件216a可以與各個存儲栓塞212a直接接觸。數(shù)據(jù)存儲元件216a可以在字線上部分地延伸。
圖14C是說明圖11-13的方法的另一改進(jìn)方案的頂部平面圖。該改進(jìn)實施例可以被應(yīng)用，以在連接到相鄰第一和第二有源區(qū)202a和202b的數(shù)據(jù)存儲元件之間提供間隔，而不是增加被數(shù)據(jù)存儲元件216占據(jù)的面積。每個數(shù)據(jù)存儲元件216b可以具有相對于源極焊盤206b橫向地移動的側(cè)壁和覆蓋底下的有源區(qū)的相對側(cè)壁，以便部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲元件在相鄰字線204上延伸。使用緩沖電極114可以實現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)。因此，可以使用自由空間，以減小相鄰數(shù)據(jù)存儲元件之間短路的可能性。
圖15A，圖15B，和圖15C是說明根據(jù)本發(fā)明的附加實施例的半導(dǎo)體存儲器件的剖面圖。盡管通過例子描述過具有柱形存儲節(jié)點的DRAM單元，但是本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用于包括具有其他開關(guān)和/或其他數(shù)據(jù)存儲元件的存儲單元的半導(dǎo)體存儲器件。
如圖15A所示，在襯底300上可以形成隔離層301，以限定有源區(qū)302。包括兩個字線304a和304b的字線對橫跨有源區(qū)302。如圖所示，每個字線304a-b可以包括各個導(dǎo)電層293a-b和295a-b和各個絕緣帽蓋層297a-b。此外，在各個字線304a-b的側(cè)壁上可以設(shè)置絕緣隔片299a-b。而且，在各個字線304a-b和有源區(qū)302之間可以設(shè)置柵絕緣層291a-b。
在包括字線對的結(jié)構(gòu)上可以形成第一平坦的層間介質(zhì)307。第一層間介質(zhì)307可以被構(gòu)圖，以在字線304a-b的相對側(cè)之間和在字線304a-b的相對側(cè)上設(shè)置自對準(zhǔn)接觸孔308，由此露出源區(qū)和漏區(qū)306b和306d。接觸孔可以用導(dǎo)電層填充，以形成源極焊盤306b和漏極焊盤306d。在包括源極焊盤306b和漏極焊盤306d的結(jié)構(gòu)上可以形成第二層間介質(zhì)309。位線310通過第二層間介質(zhì)309被連接到漏極焊盤306d。在包括位線310的結(jié)構(gòu)上可以形成第三層間介質(zhì)311。存儲栓塞312可以通過第三層間介質(zhì)311和第二層間介質(zhì)309連接到各個源極焊盤306。
在各個存儲栓塞312上可以設(shè)置緩沖電極314。緩沖電極314可以在相鄰字線304a-b上部分地延伸。換句話說，字線304a-b在垂直于襯底表面的方向上可以在各個緩沖電極的一部分和襯底之間。在包括緩沖電極314的結(jié)構(gòu)上可以形成第四層間介質(zhì)313。在各個緩沖電極314上可以形成存儲電極316a。存儲電極316a的下部可以被支撐層315支撐。
在圖15A中，存儲電極316a可以在各個字線304a-b上延伸。亦即，被存儲電極占據(jù)的襯底的表面區(qū)域可以超出被各個源區(qū)306b占據(jù)的襯底的表面區(qū)域延伸以及在被另外未使用的相鄰字線占據(jù)的襯底表面區(qū)域上，同時保持相對于在其它有源區(qū)上形成的存儲電極的間隔，以增加存儲電極的表面區(qū)域。另一方面，存儲電極316b可以朝著有源區(qū)的中心的方向移動，不增加存儲電極的面積，保持相對于相鄰有源區(qū)的存儲電極的間隔，如圖15B.所示。圖15C說明與存儲栓塞312直接接觸的存儲電極316c。
圖16A至圖16C說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體存儲器件的焊盤掩模。
如圖16A所示，用來形成漏極焊盤和源極焊盤的掩模405a可以具有字線404和開口407a和407a′。字線404包括條形(例如，矩形)掩模區(qū)，對應(yīng)于襯底的字線區(qū)域。隔離區(qū)對應(yīng)于襯底的有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)。開口407a′被設(shè)置為露出字線之間的襯底的部分有源區(qū)。
圖16B中所示的焊盤掩模405b是用于形成有源區(qū)的掩模的相反圖像。由于焊盤掩模405b具有在對應(yīng)于有源區(qū)的部分形成的開口407b和407b′，因此字線404和字線之間的區(qū)域可以被露出。
圖16C說明在將形成漏極焊盤和源極焊盤的區(qū)域具有第一(較大)開口470c′和第二(較小)開口407c的焊盤掩模。第一開口407c′限定用于形成漏極焊盤的接觸孔，第二開口407c限定用于形成源極焊盤的接觸孔。第一開口407c′和第二開口407c可以部分地設(shè)置在各個字線上。
使用如上所述的各種焊盤掩模，可以形成本發(fā)明的第一實施例的漏極焊盤和源極焊盤。由于每個漏極焊盤的一部分在器件隔離區(qū)上延伸，因此焊盤掩模的開口407a′，407b′和407c′包括延伸部分。
圖17A至圖17C說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體存儲器件的焊盤掩模。
圖17A至圖17C所示的焊盤掩模分別具有類似于圖16A至圖16C所示的焊盤掩模的形狀。但是，與圖16A至16C的焊盤掩模不同，圖17A至17c的焊盤掩模沒有用于漏極焊盤的延伸部分。圖17A至17C的字線504和開口507a′，507b′和507c′的位置與圖16A至16C的字線和開口的位置相同。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體存儲器件的優(yōu)點可以包括減小的寫入時間、增加的圖形校正余量和/或減小沿主軸方向的不同有源區(qū)的存儲元件之間的橋接。
盡管參考其特定的實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不局限于其細(xì)節(jié)。在上述描述中提出了各種替換和改進(jìn)，其他的對所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是容易發(fā)生的。因此，所有這種替換和改進(jìn)被確定為包含在附加權(quán)利要求限定的發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括包括多個有源區(qū)的襯底，其中多個有源區(qū)的每一個在第一軸的方向上具有一長度，以及在第二軸的方向上具有一寬度，其中該長度大于該寬度，其中多個有源區(qū)設(shè)置在第二軸的方向上的有源區(qū)的多個列中，以及其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移；以及襯底上圍繞襯底的有源區(qū)的場隔離層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，其中在第二軸的方向上列中的相鄰有源區(qū)間隔約有源區(qū)寬度的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移約有源區(qū)寬度的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移小于有源區(qū)寬度的兩倍的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移至少約有源區(qū)一半寬度的距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，其中多個有源區(qū)的每一個基本上是矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，其中有源區(qū)的相鄰列在第一軸的方向上間隔約有源區(qū)寬度的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，其中有源區(qū)的長度約大于有源區(qū)寬度的五倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，其中有源區(qū)的列的有源區(qū)端部基本上在第一軸的方向上排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，還包括襯底上的多個字線對，其中每個字線對交叉有源區(qū)的各個列的有源區(qū)，其中每個字線對限定字線對的相對側(cè)上的各個列的每個有源區(qū)的第一和第二源區(qū)部分以及字線對之間的列的每個有源區(qū)的漏區(qū)部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲器件，其中字線對的每個字線具有約等于有源區(qū)寬度的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲器件，其中字線對的字線間隔約為有源區(qū)寬度的距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲器件，其中有源區(qū)的第一和第二源區(qū)部分的每一個在第一軸方向上具有約等于有源區(qū)寬度的長度。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體存儲器件，還包括襯底上的多個位線，其中多個位線的每一個交叉多個字線對，以及其中每個位線被耦合到有源區(qū)的每個列的各個有源區(qū)的漏區(qū)部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體存儲器件，其中每個位線的一部分在列的兩個有源區(qū)之間以及相對于兩個有源區(qū)平行。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體存儲器件，其中每個位線在有源區(qū)的每個列的各個有源區(qū)的漏區(qū)部分以及有源區(qū)的每個列的相鄰有源區(qū)的漏區(qū)部分之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體存儲器件，還包括在一個位線和各個有源區(qū)的漏區(qū)部分之間電耦合的漏極焊盤，其中漏極焊盤的一部分在垂直于襯底的方向上的位線和場隔離層之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體存儲器件，其中每個位線交叉不同的方向上的相鄰列的有源區(qū)的漏區(qū)部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體存儲器件，其中位線的不同方向相對于第一軸和第二軸的方向不平行。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體存儲器件，還包括多個存儲器元件，其中每個存儲器元件與有源區(qū)的各個源區(qū)部分耦合。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體存儲器件，其中每個字線在在垂直于襯底的方向上的部分存儲器元件和各個有源區(qū)之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的半導(dǎo)體存儲器件，其中列中的相鄰有源區(qū)的存儲器元件間隔至少約有源區(qū)的寬度。
23.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括包括多個有源區(qū)的襯底，其中每個有源區(qū)在第一軸的方向上具有一長度和在第二軸的方向上具有一寬度，其中該長度大于該寬度，其中多個有源區(qū)被設(shè)置在第二軸的方向上的有源區(qū)的多個列中；襯底上的多個字線對，其中每個字線對交叉有源區(qū)的各個列的有源區(qū)，限定各個字線對的字線之間的每個有源區(qū)的漏區(qū)部分；以及在襯底上交叉多個字線對的多個位線，其中每個位線被電耦合到每個列的有源區(qū)的各個漏區(qū)部分，以及其中每個位線布置在各個漏區(qū)部分和相鄰有源區(qū)的另一漏區(qū)部分之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，其中各個有源區(qū)的漏區(qū)部分之間的每個位線的一部分平行于第二軸的方向。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，還包括在部分襯底上圍繞有源區(qū)的場隔離層；以及在一個位線和各個有源區(qū)的漏區(qū)部分之間電耦合的漏極焊盤，其中在垂直于襯底的方向上，部分漏極焊盤在位線和場隔離層之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的半導(dǎo)體存儲器件，其中列中的相鄰有源區(qū)在第二軸的方向上間隔約有源區(qū)寬度的距離。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移約有源區(qū)寬度的距離。
29.根據(jù)權(quán)利要求26的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移至少約有源區(qū)寬度一半的距離。
30.根據(jù)權(quán)利要求26的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移小于有源區(qū)寬度的兩倍的距離。
31.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，其中多個有源區(qū)的每一個基本上是矩形。
32.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，其中有源區(qū)的長度約大于有源區(qū)寬度的五倍。
33.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，其中多個字線對的每個字線具有約等于有源區(qū)寬度的寬度。
34.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，其中字線對的字線間隔約等于有源區(qū)寬度的距離。
35.根據(jù)權(quán)利要求23的半導(dǎo)體存儲器件，其中源區(qū)部分在有源區(qū)的相對端部被字線對限定，該存儲器件還包括多個存儲器元件，其中每個存儲器元件與有源區(qū)的各個源區(qū)部分耦合。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的半導(dǎo)體存儲器件，其中在垂直于襯底的方向上，每個字線在部分相鄰存儲器元件和襯底之間。
37.根據(jù)權(quán)利要求35的半導(dǎo)體存儲器件，其中列中的相鄰有源區(qū)的存儲器元件間隔至少約為有源區(qū)的寬度。
38.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括包括多個有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底，其中每個有源區(qū)在第一軸的方向上具有一長度和在第二軸的方向上具有一寬度，其中該長度大于該寬度，其中多個有源區(qū)被設(shè)置在第二軸的方向上的多個列中；襯底上的多個字線對，其中每個字線對交叉有源區(qū)的各個列的有源區(qū)，限定各個字線對的字線之間的每個有源區(qū)的漏區(qū)部分；以及在襯底上交叉多個字線對的多個位線，其中每個位線被電耦合到每個列的各個有源區(qū)的漏區(qū)部分，以及其中每個位線交叉不同方向上的相鄰列的有源區(qū)的漏區(qū)部分。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的半導(dǎo)體存儲器件，其中不同方向相對于第一軸的方向和第二軸的方向不平行。
40.根據(jù)權(quán)利要求38的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移。
41.根據(jù)權(quán)利要求40的半導(dǎo)體存儲器件，其中列中的相鄰有源區(qū)在第二軸的方向上間隔約有源區(qū)寬度的距離。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移約有源區(qū)寬度的距離。
43.根據(jù)權(quán)利要求40的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移至少約有源區(qū)的一半寬度的距離。
44.根據(jù)權(quán)利要求40的半導(dǎo)體存儲器件，其中相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上偏移小于有源區(qū)寬度的兩倍的距離。
45.根據(jù)權(quán)利要求38的半導(dǎo)體存儲器件，其中多個有源區(qū)的每一個基本上是矩形。
46.根據(jù)權(quán)利要求38的半導(dǎo)體存儲器件，其中有源區(qū)的長度約大于有源區(qū)寬度的五倍。
47.根據(jù)權(quán)利要求38的半導(dǎo)體存儲器件，其中多個字線對的每個字線具有約等于有源區(qū)寬度的寬度。
48.根據(jù)權(quán)利要求38的半導(dǎo)體存儲器件，其中字線對的字線間隔約等于有源區(qū)寬度的距離。
49.根據(jù)權(quán)利要求38的半導(dǎo)體存儲器件，其中源區(qū)部分在有源區(qū)的相對端部被字線對限定，該存儲器件還包括多個存儲器元件，其中每個存儲器元件與有源區(qū)的各個源區(qū)部分耦合。
50.根據(jù)權(quán)利要求49的半導(dǎo)體存儲器件，其中在垂直于襯底的方向上，每個字線在部分相鄰存儲器元件和襯底之間。
51.根據(jù)權(quán)利要求49的半導(dǎo)體存儲器件，其中列中的相鄰有源區(qū)的存儲器元件間隔至少約有源區(qū)的寬度。
52.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括包括其有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底，其中有源區(qū)具有一長度和一寬度，其中該長度大于該寬度；半導(dǎo)體襯底上圍繞有源區(qū)的場隔離層；在襯底上并交叉有源區(qū)的第一和第二字線，其中第一和第二字線限定第一和第二字線之間的有源區(qū)的漏區(qū)部分和在有源區(qū)的相對端部的有源區(qū)的第一和第二源區(qū)部分；以及分別耦合到有源區(qū)的第一和第二源區(qū)部分的第一和第二存儲器元件，其中在垂直于襯底的方向上，第一和第二字線在各個第一和第二存儲器元件的一部分和襯底之間。
53.根據(jù)權(quán)利要求52的半導(dǎo)體存儲器件，還包括有源區(qū)的漏區(qū)部分上的漏極栓塞，其中部分漏極栓塞在與襯底相對的場隔離層上延伸；以及交叉第一和第二字線的位線，其中位線通過漏極栓塞電耦合到有源區(qū)的漏區(qū)部分，以及其中部分漏極栓塞在部分?jǐn)?shù)字線和場隔離層之間。
54.根據(jù)權(quán)利要求53的半導(dǎo)體存儲器件，其中耦合到漏極栓塞的部分位線相對于有源區(qū)的長度平行。
55.根據(jù)權(quán)利要求52的半導(dǎo)體存儲器件，還包括電耦合到有源區(qū)的漏區(qū)部分的位線，其中位線以不平行于有源區(qū)的長度和不平行于有源區(qū)的寬度的角度交叉有源區(qū)的漏區(qū)部分。
全文摘要
一種半導(dǎo)體存儲器件可以包括具有多個有源區(qū)的襯底和在襯底上圍繞襯底的有源區(qū)的場隔離層。多個有源區(qū)的每一個在第一軸的方向上可以具有一長度和在第二軸的方向上可以具有一寬度，以及該長度可以大于該寬度。多個有源區(qū)可以被設(shè)置在第二軸的方向上的有源區(qū)的多個列中，以及相鄰列的有源區(qū)在第二軸的方向上可以偏移。
文檔編號H01L27/108GK1779978SQ20051011343
公開日2006年5月31日 申請日期2005年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月8日
發(fā)明者具斗訓(xùn), 趙漢九, 文周泰, 禹相均, 呂起成, 白炅潤 申請人:三星電子株式會社