專利名稱：有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件，在發(fā)光層中使用兩性化合物以獲得改進(jìn)的效率和長壽命。
背景技術(shù)：
用于有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光材料根據(jù)發(fā)光機(jī)制分為利用單重態(tài)激子的熒光材料和利用三重態(tài)激子的磷光材料。
通常，磷光材料是含有重金屬原子的有機(jī)金屬化合物。當(dāng)使用磷光材料時，躍遷禁阻的三重態(tài)激子，可以產(chǎn)生磷光發(fā)光。磷光材料具有比熒光材料更高的發(fā)光效率，因為磷光材料利用75％的三重態(tài)激子而熒光材料利用25％的單重態(tài)激子。
包括磷光材料的發(fā)光層，包括主體材料和摻雜劑材料。摻雜劑材料通過從主體材料接受能量而發(fā)光。摻雜劑材料的例子包括金屬銥化合物，例如(4，6-F2ppy)2Irpic，或者由普林斯頓大學(xué)和南加利福尼亞大學(xué)開發(fā)的基于ppy(聚吡咯)(氟代ppy)配體結(jié)構(gòu)的Ir化合物。CBP(4，4’-N，N’-二咔唑-聯(lián)苯)被廣泛用作這些銥化合物的主體材料。CBP的三重態(tài)具有紅光和綠光材料能量轉(zhuǎn)移的足夠能隙。但是，CBP具有比可引起無效熱吸收轉(zhuǎn)移的藍(lán)光材料小的能隙。從CBP主體到藍(lán)光摻雜劑的能量轉(zhuǎn)移不充分，藍(lán)色發(fā)光效率低，器件的壽命短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種高效率和長壽命的有機(jī)發(fā)光器件。利用具有空穴傳輸單元和電子傳輸單元的兩性化合物作為磷光主體，在該有機(jī)發(fā)光器件中形成的發(fā)光層。因此得到與用空穴傳輸材料和電子傳輸材料的混合物制造的有機(jī)發(fā)光器件相似的效率。
本發(fā)明公開了一種包括發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光器件，該發(fā)光層包含置于第一電極和第二電極之間的磷光摻雜劑，其中該發(fā)光層包括式1所示的兩性化合物作為磷光主體A-C-B… (1)其中，A是空穴傳輸單元，B是電子傳輸單元，C是鍵或者連接基團(tuán)。
應(yīng)當(dāng)理解，無論前面的概括描述還是后面的詳細(xì)描述都是示例性的和說明性的，用于提供如所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


所包括的附圖提供對本發(fā)明進(jìn)一步理解，引入并組成本說明書的一部分，闡明本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1A、圖1B和圖1C說明各種有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式
在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光器件中，發(fā)光層包含磷光摻雜劑和主體材料。該主體材料包含空穴傳輸單元A，電子傳輸單元B和連接基團(tuán)C。包括該發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光器件具有高效率和長壽命。
下面，參考展示本發(fā)明實施方式的附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。但是本發(fā)明可以多種不同形式體現(xiàn)，不應(yīng)該被認(rèn)為局限于這里所列的實施方式。相反，提供這些實施方式，使本公開是徹底的，完全向本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。附圖中，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸為清楚起見被放大。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提到某一要素，例如層、薄膜、區(qū)域或者襯底，“在”另一要素“之上”時，它可以是直接在另一要素之上，或者可能存在其它的插入要素。相反，當(dāng)提到某一要素“直接在”另一要素“之上”時，則沒有插入要素。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，式1中，A可為空穴傳輸單元，B可為電子傳輸單元，和C可為鍵或者連接基團(tuán)，例如，但不限于氧原子(O)，硫原子(S)，或氮原子(N)。當(dāng)具體的單元C是“鍵”時，意味著單元A直接與單元B連接。當(dāng)具體的單元C是“連接基團(tuán)”時，意味著單元A與單元C連接，單元C與單元B連接。
空穴傳輸單元A可以是由下式之一表示的咔唑單元 或者 其中， R和R’的每一個可以獨立地選自H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基，其中Ar可以是苯基、聯(lián)苯基、1-萘基或2-萘基；X可以是O、CR2、NR、S或N＝N。
咔唑單元可以包括但是不限于至少一種選自1，3，5-三咔唑基苯、4，4’-二咔唑基聯(lián)苯(CBP)、聚乙烯基咔唑、間-二咔唑基苯、4，4’-二咔唑基-2，2’-二甲基聯(lián)苯(dmCBP)、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯和二(4-咔唑基苯基)硅烷的化合物。
電子傳輸單元B可以包括但是不限于芴單元、三嗪單元、螺芴單元、羥基喹啉鋁單元或鄰二氮雜菲(phenanthroline)單元。
芴單元可表示為 其中，R可以選自H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基，其中Ar可為苯基、聯(lián)苯基、1-萘基或2-萘基；X可為O、CR2、NR、S或N＝N。
芴單元可以包括，但不限于至少一種選自芴、二甲基芴、二苯基芴、二乙基芴等的物質(zhì)。
三嗪單元可表示為 其中，R1、R2、R3和R4的每一個可以獨立地選自H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基，其中Ar可以是苯基、聯(lián)苯基、1-萘基或2-萘基。
三嗪單元可以選自但不限于苯基三嗪、聯(lián)苯基三嗪、2，4，6-三(二芳胺基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(二苯胺基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三咔唑基-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(N-苯基-2-萘胺基)-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(N-苯基-1-萘胺基)-1，3，5-三嗪和2，4，6-三聯(lián)苯基-1，3，5-三嗪等。
螺芴單元可表示為
其中，R1、R2、R3和R4的每一個可以獨立地選自H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基，其中Ar可為苯基、聯(lián)苯基、1-萘基或2-萘基；X可為O、CR2、NR、S或N＝N。
螺芴單元可以包括，但不限于至少一種選自苯基螺芴、聯(lián)苯基螺芴、甲基螺芴等物質(zhì)。
羥基喹啉鋁單元可表示為 其中，R和R’的每一個可以獨立地選自H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基，其中Ar可為苯基、聯(lián)苯基、1-萘基或2-萘基；X可為O、CR2、NR、S或N＝N。
鄰二氮雜菲單元可表示為 其中，R1和R2的每一個可獨立地選自H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基，其中Ar可為苯基、聯(lián)苯基、1-萘基或2-萘基。
鄰二氮雜菲單元可包括，但不限于至少一種選自鄰二氮雜菲、二甲基鄰二氮雜菲、二苯基鄰二氮雜菲等物質(zhì)。
單元A和單元B可具有不同的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級，不同的最低空分子軌道(LUMO)能級，或者既有不同的HOMO能級，又有不同的LUMO能級。
當(dāng)單元A和單元B具有不同的能級時，注入的空穴和注入的電子能夠沿著穩(wěn)定的能級移動，并易于在發(fā)光層復(fù)合。非常少的電荷從發(fā)光層逃脫。這些效應(yīng)在單元A和單元B具有相同的能級時不能夠獲得。因此，當(dāng)單元A和單元B的HOMO能級和LUMO能級中的至少一種彼此不同時，電荷能夠沿著穩(wěn)定的能級移動。
單元A和單元B組成的兩性材料，用作發(fā)光層的磷光主體。單元A和單元B的每一個可具有2.0eV或更高的三重態(tài)能級。
當(dāng)三重態(tài)能級低于2.0eV時，能量轉(zhuǎn)移不能完成。
發(fā)光層中，基于100重量份的主體和摻雜劑，用作磷光主體的兩性化合物的量可以在約70至約99重量分的范圍內(nèi)。當(dāng)磷光主體的量少于約70重量份時，三重態(tài)淬滅，器件的效率降低。當(dāng)磷光主體的量多于約99重量份時，發(fā)光材料的量不足，器件的效率和壽命降低。
用于發(fā)光層的磷光摻雜劑是發(fā)光材料。該磷光摻雜劑可以是，但不限于二噻吩基吡啶乙酰丙酮合銥、二(苯并噻吩基吡啶)乙酰丙酮合銥、二(2-苯基苯并噻唑)乙酰丙酮合銥、二(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮合銥、三(1-苯基異喹啉)合銥、三苯基吡啶合銥、三(2-苯基吡啶)合銥、三(3-聯(lián)苯基吡啶)合銥和三(4-聯(lián)苯基吡啶)合銥等。
根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式，空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一種可以被插入第一電極和發(fā)光層之間；空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種可以被插入發(fā)光層和第二電極之間。
根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式，在用于發(fā)光層的磷光主體的兩性化合物中，單元A可以包含4，4’-二咔唑基苯，單元B可以包含羥基喹啉鋁。該兩性化合物可以表示為
該發(fā)光層的磷光摻雜劑可以是Ir(ppy)3，并且基于100重量份的磷光主體與摻雜劑可在約1至約30重量份的范圍內(nèi)存在。該兩性化合物可以通過連接單元A和單元B生產(chǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式，現(xiàn)在詳細(xì)描述制造有機(jī)發(fā)光器件的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式，圖1A、圖1B和圖1C是有機(jī)發(fā)光器件的剖面圖。
參考圖1A，有機(jī)發(fā)光器件包括依次沉積的第一電極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極。
圖1B所示的有機(jī)發(fā)光器件不同于圖1A所示的有機(jī)發(fā)光器件，區(qū)別為空穴注入層在第一電極和空穴傳輸層之間形成，電子注入層在電子傳輸層和第二電極之間形成。
圖1C所示的有機(jī)發(fā)光器件不同于圖1B所示的有機(jī)發(fā)光器件，區(qū)別為空穴阻擋層在發(fā)光層和電子傳輸層之間形成。
為制造有機(jī)發(fā)光器件，陽極形成材料可以被涂布在基板上形成陽極，起第一電極的作用。基板可為適用于常規(guī)有機(jī)發(fā)光器件中的基板，例如玻璃或塑料。該基板應(yīng)該是透明的、防水的、具有光滑表面且容易處理。陽極形成材料可以是透明的、高導(dǎo)電金屬，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等。
空穴注入層(HIL)可以真空熱沉積或者旋涂在陽極上。HIL可以為約50至約1500厚。當(dāng)HIL厚度小于約50時，空穴注入能力惡化。當(dāng)HIL厚度大于約1500時，器件的驅(qū)動電壓升高。
HIL可以但不限于由銅酞菁(CuPc)、TCTA、m-MTDATA、IDE406(Idemitsu公司提供的一種星放射型胺)等制成。
空穴傳輸層(HTL)可以真空熱沉積或旋涂在HIL上以選擇性形成層。HTL可以但不限于由N，N’-二(3-甲苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(TPD)；N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-(1，1’-聯(lián)苯基)-4，4’-二胺(NPB)；N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-對二氨基聯(lián)苯(α-NPD)；IDE320(從Idemitsu公司獲得)等。HTL可為約50至約1500的厚度范圍內(nèi)。當(dāng)HTL厚度小于約50時，空穴傳輸能力惡化。當(dāng)HTL厚度大于約1500時，器件的驅(qū)動電壓升高。
發(fā)光層(EML)可以在HTL上構(gòu)成。EML可以包括磷光主體和磷光摻雜劑。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的兩性化合物可以用作磷光主體。形成EML的方法可以是但不限于真空沉積、噴墨打印、激光轉(zhuǎn)移、平板照相等。
EML可為約100至約800厚，優(yōu)選地，約300至約400厚。當(dāng)EML厚度小于約100時，器件的效率和壽命下降。當(dāng)EML厚度大于約800時，器件的驅(qū)動電壓升高。
空穴阻擋層(HBL)可以真空沉積或旋涂在EML層上以選擇性的形成層。HBL可以由傳輸電子并具有比發(fā)光化合物更高的電離勢的材料制成。例如HBL可以但不限于由Balq、BCP、TPBI等制成。
HBL可以為約30至約500厚，當(dāng)HBL厚度小于約30時，空穴不能被有效地阻擋，且器件的效率下降。當(dāng)HBL厚度大于約500時，器件的驅(qū)動電壓升高。
電子傳輸層(ETL)可以真空沉積或旋涂在HBL上。ETL可以但不限于由Alq3制成。ETL可以為約50至約600厚，當(dāng)ETL厚度小于約50時，器件的壽命下降。當(dāng)ETL厚度大于約600時，器件的驅(qū)動電壓升高。
電子注入層(EIL)可以在ETL上構(gòu)成。EIL可以但不限于由LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq等制成。EIL可以為約1至約100厚。當(dāng)EIL厚度小于約1時，它的電子注入能力下降并導(dǎo)致器件的驅(qū)動電壓升高。當(dāng)EIL厚度大于約100時，EIL起絕緣體的作用，器件的驅(qū)動電壓升高。
金屬可以真空熱沉積在EIL上，以形成陰極，起第二電極的作用。陰極可以但不限于由Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In或Mg-Ag等制成。該步驟完成有機(jī)發(fā)光器件的制造過程。
根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的有機(jī)發(fā)光器件可以包括陽極、HIL、HTL、EML、HBL、ETL、EIL、陰極，還可以進(jìn)一步包括一個或兩個中間層和電子阻擋層。
本發(fā)明將參考下面的例子進(jìn)一步詳細(xì)描述。這些例子僅僅是為了說明性的目的，不是用來限制本發(fā)明的范圍。
制造兩性材料0.01摩爾2-甲基-8-羥基喹啉在乙醇和水的混合溶劑中重結(jié)晶，然后與0.005摩爾異丙醇鋁在無水乙醚中混合30分鐘。過濾反應(yīng)產(chǎn)物。將0.01摩爾羥基咔唑基聯(lián)苯分批加入乙醚中，加熱6小時，然后冷卻使沉淀。所得固體材料被洗滌、干燥，形成根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的兩性化合物。
實施例1將ITO玻璃基板，15Ω/cm2(1200)(購自Corning公司)，切割成50mm×50mm×0.7mm大小。用超聲波在異丙醇中清洗所得玻璃基板5分鐘，然后用超聲波在純水中清洗5分鐘，然后用UV和臭氧清潔30分鐘，以制備陽極。
N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基對二氨基聯(lián)苯(NPD)真空沉積在該陽極上，以形成厚度約600的HTL。
90份重量的兩性化合物作為磷光主體和10份重量的三(2-苯基吡啶)合銥作為磷光摻雜劑真空沉積在HTL上，以形成厚度約400的EML。
Alq3作為電子傳輸材料沉積在EML上，以形成厚度約300的ETL。
LiF真空沉積在ETL上以形成厚度約10的EIL。Al沉積在EIL上形成厚度約1000的陰極，以形成LiF/Al電極。從而制造了圖1A中說明的有機(jī)發(fā)光器件。
比較例1將ITO玻璃基板，15Ω/cm2(1200)(購自Corning公司)，切割成50mm×50mm×0.7mm大小。用超聲波在異丙醇中清洗所得玻璃基板5分鐘，然后用超聲波在純水中清洗5分鐘，然后用UV和臭氧清潔30分鐘，以制備陽極。
N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基對二氨基聯(lián)苯(NPD)真空沉積在陽極上，以形成厚度約600的HTL。90份重量的4，4’-二咔唑基聯(lián)苯作為磷光主體和10份重量的三(2-苯基吡啶)合銥作為磷光摻雜劑真空沉積在HTL上，以形成厚度約400的EML。
Alq3作為電子傳輸材料沉積在EML上，以形成厚度約300的ETL。
LiF真空沉積在ETL上，以形成厚度約10的EIL。Al沉積在EIL上，形成厚度約1000的陰極，以形成LiF/Al電極。從而制造了圖1A中舉例說明的有機(jī)發(fā)光器件。
測量了實施例1和比較例1的有機(jī)發(fā)光器件的效率和壽命。
比較例1的有機(jī)發(fā)光器件具有約24cd/A的效率，實施例1的有機(jī)發(fā)光器件具有約31cd/A的效率。實施例1的有機(jī)發(fā)光器件具有相對于比較例1的有機(jī)發(fā)光器件更高的效率。有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命定義為發(fā)光亮度減少到其初始值的一半時所持續(xù)的時間。實施例1的有機(jī)發(fā)光器件在7000小時后具有1000cd/m2發(fā)光亮度的一半，比較例1的有機(jī)發(fā)光器件在5000小時后具有1000cd/m2發(fā)光亮度的一半。實施例1的有機(jī)發(fā)光器件具有相對于比較例1的有機(jī)發(fā)光器件更長的壽命。
顯然，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改變和變化而不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，意味著本發(fā)明覆蓋在所附權(quán)利要求和它的等同物范圍內(nèi)對它的改變和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光器件，包括置入第一電極和第二電極之間的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括兩性磷光主體和磷光摻雜劑，其中，兩性磷光主體如式1所示A-C-B...(1)其中，A是空穴傳輸單元，B是電子傳輸單元，C是鍵或者連接基團(tuán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中空穴傳輸單元A選自由 和 組成的組中，其中，R和R’的每一個選自由H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基所組成的組中，其中Ar選自由苯基、聯(lián)苯基、1-萘基和2-萘基所組成的組中；X選自由O、CR2、NR、S和N＝N所組成的組中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中空穴傳輸單元A包括至少一種化合物選自由1，3，5-三咔唑基苯、4，4’-二咔唑基聯(lián)苯CBP、聚乙烯基咔唑、間-二咔唑基苯、4，4’-二咔唑基-2，2’-二甲基聯(lián)苯dmCBP、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯和二(4-咔唑基苯基)硅烷所組成的組中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中電子傳輸單元B選自由芴單元、三嗪單元、螺芴單元、羥基喹啉鋁單元和鄰二氮雜菲單元組成的組中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中芴單元如下式所示 其中，R選自由H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基所組成的組中，其中Ar選自由苯基、聯(lián)苯基、1-萘基和2-萘基所組成的組中；X選自由O、CR2、NR、S和N＝N所組成的組中。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中螺芴單元表示為 其中，R1、R2、R3和R4的每一個選自由H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基所組成的組中，其中Ar由選自由苯基、聯(lián)苯基、1-萘基和2-萘基所組成的組中；X選自由O、CR2、NR、S和N＝N所組成的組中。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中三嗪單元表示為 其中，R1、R2、R3和R4的每一個選自由H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基所組成的組中，其中Ar選自由苯基、聯(lián)苯基、1-萘基和2-萘基組成的組中。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中羥基喹啉鋁單元表示為 其中，R和R’的每一個選自由H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基所組成的組中，其中Ar選自由苯基、聯(lián)苯基、1-萘基和2-萘基所組成的組中；X選自由O、CR2、NR、S和N＝N所組成的組中。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中鄰二氮雜菲單元表示為 其中，R1和R2的每一個選自由H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基所組成的組中，其中Ar選自由苯基、聯(lián)苯基、1-萘基和2-萘基所組成的組中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中單元C是鍵，或者是選自由氧原子硫原子和氮原子所組成的組中的連接基團(tuán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中基于100重量份的兩性磷光主體和磷光摻雜劑，在發(fā)光層中的兩性磷光主體存在的量的范圍為約70至約99重量份。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中A單元和B單元的三重態(tài)能級均為2.0eV或更高。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中發(fā)光層的磷光摻雜劑包括選自由二噻吩基吡啶乙酰丙酮合銥、二(苯并噻吩基吡啶)乙酰丙酮合銥、二(2-苯基苯并噻唑)乙酰丙酮合銥、二(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮合銥、三(1-苯基異喹啉)合銥、三(苯基吡啶)合銥、三(2-苯基吡啶)合銥、三(3-聯(lián)苯基吡啶)合銥和三(4-聯(lián)苯基吡啶)合銥所組成組中的化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中在第一電極和發(fā)光層之間至少插入空穴注入層和空穴傳輸層中的一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中在發(fā)光層和第二電極之間至少插入空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中單元A包括4，4’-二咔唑基聯(lián)苯，單元B包括羥基喹啉鋁。
17.一種兩性磷光材料，包括由式1表示的材料A-C-B...(1)其中A是空穴傳輸單元，B是電子傳輸單元，C是鍵或者是選自由氧原子、硫原子和氮原子所組成組中的連接基團(tuán)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的兩性磷光材料，其中空穴傳輸單元A選自由 和 組成的組中，其中，R和R’的每一個選自由H、C1～C22烷基、烷氧基、CN基、NO2基和-O-Ar基所組成的組中，其中Ar選自由苯基、聯(lián)苯基、1-萘基和2-萘基所組成的組中；X選自由O、CR2、NR、S和N＝N所組成的組中。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的兩性磷光材料，其中空穴傳輸單元A包括至少一種化合物選自由1，3，5-三咔唑基苯、4，4’-二咔唑基聯(lián)苯CBP、聚乙烯基咔唑、間-二咔唑基苯、4，4’-二咔唑基-2，2’-二甲基聯(lián)苯dmCBP、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯和二(4-咔唑基苯基)硅烷所組成的組中。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的兩性磷光材料，其中電子傳輸單元B選自由芴單元、三嗪單元、螺芴單元、羥基喹啉鋁單元和鄰二氮雜菲單元所組成的組中。
全文摘要
提供一種包括置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光器件，所述發(fā)光層包括磷光摻雜劑和兩性磷光主體。該兩性磷光主體是式1所示的化合物A－C－B…(1)其中，A是空穴傳輸單元，B是電子傳輸單元，C是鍵或者連接基團(tuán)。該兩性化合物能夠傳輸空穴和電子。該有機(jī)發(fā)光器件具有高效率和長壽命。
文檔編號H01L51/54GK1772839SQ200510115488
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者李俊燁, 權(quán)章赫, 千民承, 崔镕中 申請人:三星Sdi株式會社