專利名稱：晶片處理裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對硅半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體或其它晶片執(zhí)行預(yù)定處理的晶片處理設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
在上述類型的傳統(tǒng)晶片處理方法中，蠟被施加到并被允許在基底的上表面熔化，且晶片面朝下放在基底上，即具有形成在上面等的電路等的正面向下。然后，通過冷卻將晶片固定在基底上。晶片和基底一起被放進裝有作為腐蝕液的氫氧化鉀(KOH)的處理槽，浸在腐蝕液中。晶片的背面從而被化學(xué)研磨至減少的厚度(變薄處理)(例如，參見第2003-347254號未審查的日本專利公開)。
上述的傳統(tǒng)實例有如下缺點。
傳統(tǒng)的晶片處理方法，因為很難為氫氧化鉀提供防蠟性，蠟會溶化在腐蝕液中。結(jié)果在處理過程中，蠟從基底分離，或固定的晶片正面的邊緣部分受到腐蝕。
用于實施傳統(tǒng)處理方法的晶片處理裝置具有不適合用于長期處理的缺點，因為基底也會被腐蝕。例如，用不銹鋼板替代硅晶片，基底不會被腐蝕，但是，不銹鋼板具有與晶片大不相同的熱膨脹系數(shù)，在處理期間受熱時會發(fā)生晶片從基底分離的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明已注意到上述現(xiàn)有技術(shù)的情形，它的目的是提供一種能夠避免由于晶片從基底分離導(dǎo)致的有缺限的處理的晶片處理裝置和方法，通過用端面保護材料加強的方法覆蓋晶片的邊緣來實現(xiàn)。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種晶片處理裝置，在該裝置中，基底由的適當(dāng)材料組成防止晶片從基底分離。
通過根據(jù)本發(fā)明的晶片處理裝置可以達到上述目的，該晶片處理裝置包括用于支撐類似板狀的基底的支撐物；用于加熱放置在支撐物上的基底的加熱機構(gòu)；用于在放置在支撐物上的基底的表面上涂布固定成分的第一涂布機構(gòu)；用于在涂布有固定成分的基底上面裝載晶片的裝載機構(gòu)；用于在與基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料的第二涂布機構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，加熱機構(gòu)加熱放置在支撐物上的基底，第一涂布機構(gòu)在基底的表面上涂布固定成分，然后裝載機構(gòu)在基底上面裝載晶片。第二涂布機構(gòu)在通過固定成分與基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料。這些特征能夠防止諸如晶片從基底分離的有缺限的處理。
較佳地，第二涂布機構(gòu)被設(shè)置成在晶片上涂布端面保護材料至離晶片邊緣向內(nèi)的預(yù)定寬度的位置。
由于端面保護材料在晶片上覆蓋直到離晶片邊緣向內(nèi)的預(yù)定寬度的位置，與晶片粘結(jié)的基底被浸入腐蝕液，為到達晶片的端面，必須移動增加的距離，從而，這種措施能可靠地避免由于腐蝕液擴散到晶片的端面而導(dǎo)致的不便。
在本發(fā)明的另一個方面，提供了一種晶片處理方法，它包括將晶片放置在基底上和用固定成分將晶片與基底粘結(jié)的粘合步驟；用于在與基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料的端面保護步驟；通過將與晶片粘結(jié)的基底浸入存儲在處理槽中的腐蝕液使晶片變薄的變薄步驟。
根據(jù)本發(fā)明，將晶片用固定成分粘合在基底上，晶片的邊緣在整個圓周上用端面保護材料覆蓋。隨后，通過將與晶片粘結(jié)的基底浸入腐蝕液中執(zhí)行變薄步驟。因為與晶片粘結(jié)的基底在整個圓周上用端面保護材料覆蓋加強方法而被覆蓋，固定成分沒有被腐蝕液腐蝕或溶化，這防止了諸如晶片從基底分離的有缺限的處理。
較佳地，執(zhí)行端面保護步驟以在晶片上涂布端面保護材料直到從晶片邊緣向內(nèi)的預(yù)定寬度的位置。
由于端面保護材料在晶片上覆蓋直到從晶片邊緣向內(nèi)的預(yù)定寬度的位置，為到達晶片的端面，腐蝕液必須移動增加的距離。這種措施能可靠地避免由于腐蝕液擴散到晶片的端面而導(dǎo)致的不便。
端面保護材料可以包括碳。
包括碳將使得端面保護材料對諸如氫氧化鉀的腐蝕液具有抗腐蝕能力。
在本發(fā)明的再一個方面，晶片處理裝置包括用于支撐對用于變薄處理中的腐蝕液有抗腐蝕能力的和具有與晶片相似的熱膨脹系數(shù)的類似板狀的基底的支撐物；用于加熱放置在支撐物上的基底的加熱機構(gòu)；用于在放置在支撐物上的基底的表面上涂布固定成分的涂布機構(gòu)；用于在涂布有固定成分的基底上面裝載晶片的裝載機構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，加熱機構(gòu)加熱基底，涂布機構(gòu)在基底表面上涂布固定成分，然后裝載機構(gòu)在基底上裝載晶片。基底對用于變薄處理中的腐蝕液具有抗腐蝕能力，及與晶片具有相似的熱膨脹系數(shù)。當(dāng)被浸入熱的腐蝕液中，晶片和基底膨脹到相似的程度。這防止了晶片從基底分離。
基底可由SiC或無定形碳組成。
SiC具有與硅晶片相似的膨脹系數(shù)。無定形碳具有次最接近的值。


為說明本發(fā)明，在附圖中示出了當(dāng)前較佳的幾種形式，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不局限于所示的準確的設(shè)備和手段。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的晶片粘合裝置概要的方框圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的腐蝕裝置概要的垂直斷面的視圖；圖3是示出晶片粘合過程的示意圖；圖4是示出晶片粘合過程的示意圖；圖5是示出粘合的晶片的端面保護的示意圖；圖6是示出粘合的晶片的端面保護的示意圖；圖7是示出晶片端面保護狀態(tài)的垂直斷面圖；圖8是示出晶片端面保護狀態(tài)的平面圖；圖9是示出變薄處理期間的狀態(tài)的透視圖；圖10是示出變薄處理后晶片狀態(tài)的垂直斷面圖；圖11是示出晶片切割的示意圖；圖12是示出在修改的實施例中晶片端面保護的垂直斷面圖；圖13是示出在修改的實施例中變薄處理后晶片狀態(tài)的垂直斷面圖；具體實施方式
參照附圖本發(fā)明的較佳實施例將在下文中作詳細描述。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的晶片粘合裝置概要的方框圖。
晶片粘合裝置1相當(dāng)于本發(fā)明的晶片處理裝置，包括支撐臺，與支撐臺3下表面相連的旋轉(zhuǎn)軸5和使旋轉(zhuǎn)軸5旋轉(zhuǎn)的電動機7。支撐臺3具有用于加熱放在支撐臺3上的板狀基底的內(nèi)置加熱器9。支撐臺3的外徑比基底11的外徑略大。加熱器9能控制溫度至少到下文描述的蠟HM的熔點。雖然溫度隨著蠟HM的成分而變化，例如，在支撐臺13的表面上溫度大約為150°到170°。
傳送機構(gòu)13放置于支撐臺3的側(cè)面(圖1中的左側(cè))用于傳送基底11和晶片W。傳送機構(gòu)13包括力臂15和吸力器件17。力臂15可以垂直移動，及可伸展和可縮進。吸力器件17能吸附在基底11或晶片W的上表面。
蠟傳送機構(gòu)19也放置于支撐臺3的側(cè)面(圖1中的右側(cè))用于夾持和蠟傳送蠟HM。蠟傳送機構(gòu)19包括夾持臂21，夾持臂21可以垂直移動，及可伸展和可縮進。夾持臂21夾持和傳送蠟HM。這里使用的蠟HM可以為諸如固態(tài)，液態(tài)或薄膜的便攜形式。
此外，噴嘴23放置于支撐臺3的側(cè)面(圖1中的左側(cè))用于供給端面保護材料。噴嘴23與供應(yīng)端面保護材料的保護材料源25連接。噴嘴23在距離支撐臺的側(cè)向位置和晶片W邊緣之上的位置之間移動。
電動機7，加熱器9，傳送機構(gòu)13，蠟傳送機構(gòu)19和保護材料源25全部由控制器27控制。
支撐臺13相當(dāng)于本發(fā)明的“支撐物”。加熱器9相當(dāng)于本發(fā)明的“加熱機構(gòu)”。蠟傳送機構(gòu)相當(dāng)于本發(fā)明的“第一涂布機構(gòu)”和“涂布機構(gòu)”。噴嘴23相當(dāng)于本發(fā)明的“第二涂布機構(gòu)”和“保護材料涂布機構(gòu)”。蠟HM相當(dāng)于本發(fā)明的“固定成分”。
例如，上述的蠟包含液晶化合無和有機聚合物。
“液晶化合物”的例子包括近晶型液晶，諸如異丁酸鈉、油酸鈉、六氫苯甲酸鉀、硬脂酸鈉、豆蔻酸鉀、棕櫚酸鈉、苯甲酸鈉、對氧化偶氮苯甲酸乙酯、1-正十二烷基吡啶鹽酸鹽、1-正十二烷基吡啶氫溴酸鹽、1-正十二烷基吡啶氫碘酸鹽、和2-正十三烷基吡啶鹽酸鹽；向列型液晶，諸如庚-2，4-二烯酸、辛-2，4-二烯酸、壬-2，4-二烯酸、癸-2，4-二烯酸、十一-2，4-二烯酸、和壬-2-烯-4-酸；膽甾型液晶，諸如膽甾醇丙酸酯、膽甾醇苯甲酸酯、膽甾醇棕櫚酸酯、和膽甾醇氯化物；及顯示復(fù)雜的過渡的物質(zhì)，諸如對-正辛基羥基苯甲酸、對-正辛基氧基-間-氯苯甲酸、對-正十二烷基羥基苯甲酸、5-氯-6-正庚基氧基-2-萘酸、和對-三氟甲氧基苯基對-(4-戊基環(huán)己基)苯基乙炔。還有可能使用discotic液晶，諸如在一個苯環(huán)的第一、第三、第五位置上有甾類酯基團的化合物，和具有液晶性的聚合物液晶化合物，諸如芳香聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺。這些液晶化合物可以單獨使用，或者組合使用。無論是單獨使用還是組合使用，液晶混合物需要具備在35℃到200℃范圍內(nèi)的熔點，在40℃到150℃的范圍內(nèi)更理想。
“有機聚合物”需要具備一個至少等于室溫且低于200℃的熔點。此類有機聚合物的具體例子有聚(無水壬二酸)、聚(2，6-雙(羥基甲基)-4-甲基苯酚共-4-羥基苯甲酸)、聚(1，4-丁二醇)雙(4-氨基苯甲酸酯)、聚(1-丁烯)、聚(1，4-丁烯己二酸酯-共-1，4-丁烯琥珀酯)、6-二異氰酸酯己烷混合物、聚(1，4-定烯己爾酸酯)二醇、苯酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂和聚氨酯。這些有機聚合物可以單獨使用或組合使用，且需要具備在35℃到200℃范圍內(nèi)的熔點，40℃到150℃更理想。
盡管在本實施例中蠟HM被示為固體物質(zhì)，但是，其中混合上一種溶劑做成溶液形式也是可以使用的，以便于分布到基底11上。任何溶劑都可以使用，只要組合物中所包括的液晶化合物和有機聚合物二者都可以在這種溶劑中溶解。溶劑的例子有醇類，諸如異丙醇、丁醇、己醇、辛醇、正癸醇、十一醇、芐醇、乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇和苯酚；烴類溶劑，諸如正-戊烷、環(huán)戊烷、正己烷、環(huán)己烷、正-庚烷、環(huán)庚烷和三甲基苯；酮類，諸如丙酮、甲基乙己酮、甲基異丁基酮、環(huán)戊酮、環(huán)基酮；醚類，諸如乙醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二氧雜環(huán)乙烷；酯類，諸如乙酸乙酯、乙酸丁酯、丁酸乙酯、乙二醇單甲基醚乙酸酯；以及極性溶劑，諸如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯酮、六甲基磷酰胺。這些溶劑可以單獨使用或組合使用。
蠟HM的粘度可以通過加入適當(dāng)?shù)?，金屬氧化物的微粒來調(diào)節(jié)，如氧化鋁，氧化鋯，氧化鈦或氧化硅。
存儲在保護材料源25中的端面保護材料可以抵抗下文中描述的腐蝕液，并在應(yīng)用期間如所希望地具有較高粘度的液態(tài)或凝膠體的形式，還具有低流動性。上述特征是所希望的，因為在施加到晶片W的邊緣時，這樣的保護材料幾乎不可能流動到周圍的區(qū)域。具體是，端面保護材料可以是，例如，諸如聚乙烯或用作基底且含有碳的石蠟，或有機抗蝕劑。溶劑可以混合到保護材料中以提高涂布性能和及在短時間內(nèi)干燥。
上述的基底11，理想地，是SiC或無定形碳(或玻璃碳)，晶片W是硅晶片。特別是，SiC較佳是因為它對KOH有抗腐蝕性，而且它的熱膨脹系數(shù)與下面所示的硅晶片相似。各種材料的熱膨脹系數(shù)用例子方式示于下面硅晶片＝3.9×10-6/KSiC＝43×10-6/K
無定形碳＝3.0×10-6/K(用于比較)SUS304＝17.3×10-6/KTi＝8.9×10-6/K例如，在被加熱到大約為70°的高溫后，KOH腐蝕液用于在下文中描述的腐蝕裝置29。浸入腐蝕液中的晶片W和基底11將經(jīng)受從室溫(23℃)到70℃的溫度變化。當(dāng)基底11相對晶片W極大程度地膨脹時，由蠟W產(chǎn)生的黏附力降低，導(dǎo)致蠟W從基底11分離或移位，從而產(chǎn)生有缺限的處理。例如，在材料的長度為100mm和溫度變化ΔT為47°時，材料的延伸長度各自如下硅晶片100mm×47℃×3.9×10-6＝0.01833mmSiC100mm×47℃×4.3×10-6＝0.02021mm無定形碳100mm×47℃×3.0×10-6＝0.0141mmSUS304100mm×47℃×17.3×10-6＝0.08131mmTi100mm×47℃×8.9×10-6＝0.04183mm參照硅晶片的延伸長度，其它材料的延伸率如下所示SiC1.102無定形碳0.769SUS3044.435Ti2.282這些結(jié)果顯示SiC是作為基底的最理想材料，無定形碳其次。
下面將參照圖2描述腐蝕裝置。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的腐蝕裝置概要的垂直斷面的視圖。
通過化學(xué)腐蝕與基底粘結(jié)11的晶片W到預(yù)定的厚度，腐蝕裝置29構(gòu)制成執(zhí)行晶片W的變薄處理。裝置29包括用于存儲腐蝕液的內(nèi)部槽31，和用于收集從內(nèi)部槽31溢流的腐蝕液的外部槽33。內(nèi)部槽31和外部槽33構(gòu)成處理槽35。內(nèi)部槽31具有形成在底部用于引入腐蝕液的進液口37，配置在進液口27上的流量矯直裝置39。在流量矯直裝置39上的整個區(qū)域內(nèi)有許多細孔，用來矯直從進液口37引入的腐蝕液流體和引導(dǎo)液體流入內(nèi)部槽31。
在外部槽33的一個位置設(shè)有排液口41。循環(huán)管43與上述的排液口41和進液口37相連。循環(huán)管43上有從上游到下游以指定的順序排列的三通閥45，泵47，一字型加熱器49和過濾器51。腐蝕液源53與三通閥45相連。在排液口41和三通閥45之間支管55與循環(huán)管43相連。支管55上裝有轉(zhuǎn)換閥57，可操作轉(zhuǎn)換閥通過循環(huán)管道43和支管55從外部槽33中排出腐蝕液。、一字型加熱器49加熱作為腐蝕液的氫氧化鉀(KOH)到預(yù)定的溫度。
保持機構(gòu)59包括一對保持架63，從晶片W的正面看保持架呈現(xiàn)出倒Y形，在每個保持架的末端中設(shè)有安裝凹口65，兩個嚙合組件67固定地聯(lián)接于每一保持架63的兩個下安裝凹口，嚙合組件活動地連接在每一保持架64的一個上安裝凹口65。每個嚙合組件67確定了多個槽，未示出，用于嵌在基底11的邊緣。每個嚙合組件67兩端面連接到前保持架33和后保持架33。通過嚙合每個基底中的三個外圍的位置，嚙合組件穩(wěn)定地支撐與晶片連接的基底11。
前和后保持架63有銷69固定到中心位置并從中心位置向外伸出。銷69與從位于處理槽35上的驅(qū)動機構(gòu)懸掛下來的連接部件73相連。連接部件具有用螺釘與銷69固定的下端，以使得連接部件73相對保持架63是固定的。
驅(qū)動機構(gòu)71具有在內(nèi)部槽31中圍繞水平軸旋轉(zhuǎn)保持機構(gòu)59的功能，水平軸沿著基底11和晶片W排列的方向延伸。具體地，驅(qū)動機構(gòu)71包括底座75，連接于底座的電動機77，電動機齒輪79，和與齒輪79的下端嚙合的齒輪81。連接部件73在偏離齒輪的旋轉(zhuǎn)軸P的位置通過螺釘83與齒輪81可旋轉(zhuǎn)地連接。驅(qū)動機構(gòu)71通過未示出的提升機構(gòu)可在待機位置和處理位置之間垂直移動。
圖2中當(dāng)上述電動機77的旋轉(zhuǎn)軸被順時針驅(qū)動之際，連接部件73通過齒輪79和81環(huán)繞旋轉(zhuǎn)軸P旋轉(zhuǎn)，而連接部件73保持在垂直姿勢。結(jié)果是，固定在連接部件73下端的保持機構(gòu)59在內(nèi)部槽中做旋轉(zhuǎn)運動。
下面，參照圖3至10描述處理的具體例子。圖3和圖4是示出晶片粘合過程的示意圖。圖5和圖6是示出在晶片粘合時提供晶片的端面保護的示意圖。圖7是示出晶片端面保護狀態(tài)的垂直斷面圖。圖8是示出晶片端面保護狀態(tài)的平面圖。圖9是示出變薄處理期間的狀態(tài)的透視圖。圖10是示出變薄處理后晶片狀態(tài)的垂直斷面圖。
首先，基底11置于支撐臺3上，用加熱器9加熱到預(yù)定的溫度(例如，168℃)。蠟傳送機構(gòu)19，例如，在基底11的中心部分(圖3)，放置熔點為148℃的蠟HM。然后，蠟HM熔化和覆蓋了基底的整個上表面。此時，為了加速，蠟HM的擴散可以驅(qū)動電動機7以旋轉(zhuǎn)支撐臺3。
接下來，傳送機構(gòu)13運送晶片W并將其放在基底11的上表面上(圖4)。在此狀態(tài)下晶片W具有成形于晶片下表面的電路等等，上表面成為晶片的背面。放好晶片W后，加熱器9停止加熱。當(dāng)溫度下降遠遠低于蠟HM的熔點時，晶片W被粘合和固定在基底11上(粘合步驟)。當(dāng)加熱器9的加熱停止，未示出的冷卻機構(gòu)可以運行以縮短用于固定的時間。
在蠟HM硬化將晶片W固定到基底11后，如圖5所示噴嘴23移到晶片W的端面上面。然后，同時電動機7被驅(qū)動以低速旋轉(zhuǎn)支撐臺3，端面保護材料C從噴嘴23送出。在支撐臺作了一次旋轉(zhuǎn)時，電動機7的驅(qū)動停止。然后，如圖6至圖8所示，晶片W的邊緣在整個圓周上被保護材料C覆蓋。端面保護材料C也覆蓋了在晶片W的下表面和基底11上表面之間露出的蠟HM(端面保護步驟)。
如圖7和8所示，上面的端面保護理想地施加在從晶片W的邊緣(端面)向內(nèi)的預(yù)定寬度PW。由于端面保護材料C覆蓋晶片W從晶片W的邊緣向內(nèi)的相當(dāng)大的范圍，在下文中描述的晶片變薄處理時，為到達晶片的端面腐蝕液必須移動增加的距離。這種措施能可靠地避免由于腐蝕液擴散到晶片W的端面而導(dǎo)致的不便。
在晶片W的邊緣被端面保護材料C覆蓋時或覆蓋之后，可運行加熱器9以加熱晶片W和保護材料C到預(yù)定的溫度，從而縮短端面保護材料的固化時間。但是，這個溫度應(yīng)遠遠在蠟HM的熔點之下以使得已經(jīng)固定好的蠟不會又被熔化。
在端面保護材料變硬之后，傳送機構(gòu)13從支撐臺3移開晶片W與其粘合的基底11，新的一組基底11和晶片W進行如上所述的處理。當(dāng)預(yù)定數(shù)量的晶片W已經(jīng)被與基底粘結(jié)11上，開始執(zhí)行下面的變薄處理。
與晶片W粘結(jié)上的基底11被傳送到腐蝕裝置29。如圖2所示，由保持機構(gòu)59夾持的基底11被移入存有加熱到預(yù)定的溫度(例如，70℃)的腐蝕液的內(nèi)部槽31，由此晶片W被浸入腐蝕液。然后，如圖9所示，以預(yù)定的時間(例如，30分鐘)驅(qū)動電動機77以在腐蝕液中旋轉(zhuǎn)晶片W。結(jié)果，例如，6英寸直徑的晶片W的厚度減少到50微米或更小。圖10示意性地示出由變薄處理導(dǎo)致的晶片的垂直斷面圖。雖然每個晶片的厚度減小到如圖示的那樣，用端面保護材料C覆蓋的晶片W的邊緣沒有被腐蝕基本地保留了原始的厚度。
盡管晶片W與基底11一道長時間被浸入到熱的腐蝕液，用蠟HM與基底粘結(jié)11粘結(jié)的晶片W的邊緣被端面保護材料C在整個圓周用加強方法予以覆蓋。從而，蠟HM沒有被腐蝕液腐蝕或熔化，這防止了諸如晶片W從基底11分離的有缺限的處理。
因為基底11由具有與晶片W的熱膨脹系數(shù)相似的材料組成，基底11相對于晶片W不會大程度地膨脹。這防止了用蠟HM粘合性的降低，從而防止了晶片W從基底11分離或移位，因此也防止了有缺限的處理。
變薄時期一結(jié)束，驅(qū)動機構(gòu)71運行，會從內(nèi)部槽31移走與晶片W粘結(jié)的基底11。然后，如圖10所示，每個晶片W以端面保護材料C的預(yù)定寬度PW略微向內(nèi)的的切割寬度(CW)切割(切割步驟)。；例如，這一切割步驟由高輸出激光束執(zhí)行。從而，如圖1所示，晶片W以比原始直徑略小的直徑和減小的厚度切割。
每個晶片W可以通過在溶解端面保護材料C的溶液中浸入晶片W和基底11的溶解步驟與基底11分離，替代執(zhí)行上面的切割操作。每個晶片W通過砂磨可以從基底剝離。
在上述實施例中，端面保護材料C以從晶片W的邊緣向內(nèi)的預(yù)定寬度PW覆蓋了晶片W的上表面。如圖12所示，端面保護材料C與蠟HM一道僅僅覆蓋晶片W的邊緣(端面)。然后，如圖13所示，距離晶片W邊緣的預(yù)定寬度PW部分可以被有效地在隨后的步驟中使用。這也能夠降低端面保護材料的成本。
本發(fā)明不局限于上述實施例，但可以做出如下修改(1)例如，端面保護材料可以根據(jù)晶片W的外徑預(yù)先制成圓形，然后裝于晶片W邊緣上。這種修改保證了和前述實施例的同樣的功能和效果，在前述實施例中，端面保護材料C直接從對應(yīng)于第二涂布機構(gòu)和保護材料涂布機構(gòu)的噴嘴23施加，本修改還縮短了要求提供端面保護的施時間。
(2)在描述的結(jié)構(gòu)中，支撐臺3是旋轉(zhuǎn)的把端面保護材料C施加到整個晶片的圓周。代替移動支撐臺3，噴嘴23可以根據(jù)晶片W的形狀移動以施加保護材料C。
(3)在前述實施例中，變薄處理是批量型的。作為替換，可采用單一晶片型用于每次處理一個晶片W。
(4)作為加熱機構(gòu)，安裝在支撐臺3的加熱器9可以被從支撐臺上面發(fā)射光的加熱機構(gòu)取代。
在不背離本發(fā)明的精神和本質(zhì)特征的情況下本發(fā)明也可以以其它具體形式體現(xiàn)，因此，當(dāng)指示本發(fā)明的范圍時，應(yīng)當(dāng)引用附屬的權(quán)利要求書而不是前述的說明書。
權(quán)利要求
1.一種晶片處理裝置，它包括用于支撐類似板狀的基底的支撐物；用于加熱放置在所述支撐物上的基底的加熱機構(gòu)；用于在放置于所述支撐物上的基底表面上涂布固定成分的第一涂布機構(gòu)；用于在涂布有固定成分的基底上面裝載晶片的裝載機構(gòu)；用于在與所述基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料的第二涂布機構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述第二涂布機構(gòu)被設(shè)置成在晶片上涂布端面保護材料直到離晶片邊緣向內(nèi)的預(yù)定寬度的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述支撐物被設(shè)置成支撐對用于變薄處理中的腐蝕液有抗腐蝕能力的和具有與晶片相似的熱膨脹系數(shù)的所述基底。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于所述支撐物被設(shè)置成支撐對用于變薄處理中的腐蝕液有抗腐蝕能力的和具有與晶片相似的熱膨脹系數(shù)的所述基底。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述基底由SiC組成。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述基底由無定形碳組成。
7.一種晶片處理方法，它包括將晶片放置于基底上，并用固定成分將所述晶片粘結(jié)到所述基底上的粘結(jié)步驟；在與所述基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料的端面保護步驟；通過將其上粘結(jié)了晶片的所述基底浸入存儲在處理槽中的腐蝕液中使所述晶片變薄的變薄步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述端面保護步驟被執(zhí)行，以在晶片上涂布端面保護材料至離晶片邊緣向內(nèi)的預(yù)定寬度的位置。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于還包括在所述的變薄步驟之后的切割步驟，用于在離晶片邊緣的預(yù)定寬度的向內(nèi)位置切割晶片。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于還包括在所述的變薄步驟之后溶解步驟，用于用溶液溶解和去除所述的端面保護材料。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于還包括在所述的變薄步驟之后溶解步驟，用于用溶液溶解和去除所述的端面保護材料。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述端面保護材料包括碳。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述端面保護材料包括碳。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述端面保護材料包括碳。
15.一種晶片處理裝置，它包括用于支撐對用于變薄處理中的腐蝕液有抗腐蝕能力的并具有與晶片相似的熱膨脹系數(shù)的類似板狀的基底的支撐物；用于加熱放置在所述支撐物上的基底的加熱機構(gòu)；用于在放置于所述支撐物上的基底的表面上涂布固定成分的涂布機構(gòu)；用于在涂布有所述固定成分的基底上面裝載晶片的裝載機構(gòu)。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于所述基底由SiC組成。
17.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于所述基底由無定形碳組成。
18.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于還包括用于在與所述基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料涂布機構(gòu)。
19.如權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于還包括用于在與所述基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料涂布機構(gòu)。
20.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于還包括用于在與所述基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料涂布機構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶片處理裝置，包括用于支撐類似板狀的基底的支撐物，用于加熱放置在支撐物上的基底的加熱機構(gòu)，用于在放置在支撐物上的基底的表面上涂布固定成分的第一涂布機構(gòu)，用于在涂布有固定成分的基底上面裝載晶片的裝載裝置，用于在與基底粘結(jié)的晶片邊緣的整個圓周上涂布端面保護材料的第二涂布機構(gòu)。
文檔編號H01L21/67GK1783428SQ20051011921
公開日2006年6月7日 申請日期2005年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月26日
發(fā)明者新居健一郎, 長谷川公二 申請人:日本網(wǎng)目版制造株式會社