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      液晶顯示器件及其制造方法

      文檔序號:6857338閱讀:179來源:國知局
      專利名稱:液晶顯示器件及其制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及液晶顯示器件及其制造方法,尤其涉及具有短的工藝時(shí)間的小液晶顯示器件及其制造方法。
      背景技術(shù)
      液晶顯示器件利用電場控制液晶的透光率,由此顯示圖像。如圖1和圖2所示,液晶顯示器件包括薄膜晶體管陣列基板70和濾色片陣列基板80,二者彼此相對并在其間具有液晶50。
      薄膜晶體管陣列基板70包括位于下基板1上彼此交叉的柵線2和數(shù)據(jù)線4;在柵線2和數(shù)據(jù)線4交叉處形成的薄膜晶體管30;與薄膜晶體管30相連的像素電極22;和分散在上面用于排列液晶的下定向膜。
      濾色片陣列基板80包括形成于上基板11上用于防止漏光的黑矩陣18;實(shí)現(xiàn)色彩的濾色片12;與像素電極22形成垂直電場的公共電極14;以及分散在上面用于排列液晶的上定向膜。
      如圖2所示,在密封劑16的外面形成銀點(diǎn)10,以將公共電壓施加到濾色片陣列基板80的公共電極14上。銀點(diǎn)10置于薄膜晶體管基板70和濾色片基板80之間。然后利用密封劑將兩個(gè)基板70和80粘結(jié)起來。由于在將基板1、11粘結(jié)起來時(shí)施加其上的壓力,銀點(diǎn)10擴(kuò)展到相鄰的區(qū)域。為了使銀點(diǎn)10擴(kuò)展到相鄰的區(qū)域而且不會因劃線工藝受損傷,需要有較寬的銀點(diǎn)區(qū)域處于劃線內(nèi)。此外,對于小液晶顯示器件來說,在母基板上形成多個(gè)小面板區(qū)域后,要在所有的面板區(qū)域上實(shí)施銀點(diǎn)工序,因而存在的問題是該工藝變得更為復(fù)雜并且需要比大液晶顯示器件更多的工藝時(shí)間。

      發(fā)明內(nèi)容
      因此,本發(fā)明致力于一種液晶顯示器件及其制造方法,其基本上克服了因相關(guān)技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)造成的一個(gè)或者多個(gè)問題。
      本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種小尺寸并且減少了工藝時(shí)間的液晶顯示器件及其制造方法。
      本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中加以闡述,并且一部分從該描述中可顯然獲知,或者可以通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)將通過在書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)和獲得。
      為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其它目的,按照本發(fā)明一方面的液晶顯示器件包括形成有公共電極的上基板;與所述上基板相對的下基板;向位于下基板上的柵線供應(yīng)柵信號的多個(gè)柵驅(qū)動集成電路;向位于下基板上的數(shù)據(jù)線供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路;在驅(qū)動液晶時(shí)通過柵驅(qū)動集成電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路向公共電極供應(yīng)公共電壓的公共線;和在相鄰的柵驅(qū)動集成電路之間和在相鄰的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路之間其中之一的區(qū)域內(nèi)將公共電極電連接到公共線的導(dǎo)電密封劑。
      按照本發(fā)明另一方面的液晶顯示器件包括位于上基板上的公共電極;與位于與該上基板相對的下基板上的信號線重疊且其間具有至少一層絕緣膜的供應(yīng)圖案,以將公共電壓供應(yīng)給該公共電極;和包括將該上基板粘結(jié)到下基板并且將該公共電極電連接到該供應(yīng)圖案的導(dǎo)電襯墊料的密封劑。
      按照本發(fā)明又一方面的液晶顯示器件的制造方法包括提供形成有公共電極的上基板;提供向其供應(yīng)來自柵驅(qū)動集成電路的柵信號和來自數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的數(shù)據(jù)信號的下基板;用導(dǎo)電密封劑粘結(jié)該上基板和下基板,并且其中提供該下基板的步驟包括形成公共線,以在驅(qū)動液晶時(shí)通過該柵驅(qū)動集成電路和該數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路將公共電壓供應(yīng)給該公共電極;以及在位于相鄰的柵驅(qū)動集成電路之間和位于相鄰的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路之間其中之一的區(qū)域內(nèi)通過該導(dǎo)電密封劑將該公共電極電連接到該公共線。
      按照本發(fā)明再一方面的液晶顯示器件的制造方法包括提供形成有公共電極的上基板;提供下基板,其中形成有公共圖案,該公共圖案與信號線重疊并且其間具有至少一層絕緣膜,以將公共電壓供應(yīng)給該公共電極;以及利用包括有導(dǎo)電襯墊料的密封劑將該上基板和該下基板粘結(jié)在一起,該導(dǎo)電襯墊料將公共電極電連接到公共圖案。
      應(yīng)該理解,上面的概述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的,意欲對要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


      附圖提供了對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解,其與本說明書結(jié)合并且構(gòu)成其一部分,示出了本發(fā)明的實(shí)施例,并且連同說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
      在圖中圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件的平面圖;圖2是表示為向圖1所示的公共電極施加公共電壓的銀點(diǎn)的平面圖;圖3是表示按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示器件的平面圖;圖4是圖3所示的區(qū)域A的放大平面圖;圖5是表示沿圖4中II-II’線提取的液晶顯示器件的截面圖;圖6是表示按照本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示器件的平面圖;圖7是沿圖6中III-III’、IV-IV’線提取的液晶顯示器件的截面圖;圖8是表示具有與第二供應(yīng)圖案同時(shí)形成的反射電極的透反型液晶顯示器件的截面圖;圖9A到9F是表示圖7和圖8所示的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的截面圖。
      圖10是表示按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件的視圖;圖11A和11B是圖10中區(qū)域B的放大圖;圖12A和12B是圖10中區(qū)域C的放大圖;圖13A到13D是表示按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件的制造方法的視圖;以及圖14是表示包括在圖11B和12B所示的導(dǎo)電密封劑中的導(dǎo)電球的制造步驟的視圖。
      具體實(shí)施例方式
      現(xiàn)在將詳細(xì)地討論本發(fā)明的實(shí)施方式,其實(shí)施例示于附圖中。
      參照圖3到圖14,將對本發(fā)明的實(shí)施方式作如下解釋。
      圖3是用于解釋按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示器件的平面圖。
      圖3所示的液晶顯示器件包括其中形成有薄膜晶體管陣列的薄膜晶體管基板170;其中形成有濾色片陣列的濾色片基板180;和用于將薄膜晶體管基板170和濾色片基板180粘結(jié)在一起的密封劑186。
      薄膜晶體管陣列基板170具有在下基板上形成的薄膜晶體管陣列,其中該薄膜晶體管陣列包括彼此交叉以限定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線;形成在其交叉部分的薄膜晶體管;與薄膜晶體管連接的像素電極;分散在上面用于排列液晶的下定向膜。
      如圖5所示,濾色片陣列基板180具有在上基板111上形成的濾色片陣列,其中該濾色片陣列包括用于防止漏光的黑矩陣;用于實(shí)現(xiàn)色彩的濾色片;用于與像素電極產(chǎn)生垂直電場的公共電極182;和分散在上面用于排列液晶的上定向膜。
      通過密封劑186連接到公共電極182的連接部分190形成在下基板101上,以將公共電壓施加到公共電極182。如圖4和圖5所示,連接部分190包括第一供給圖案192,其形成在沿密封劑186與密封劑186重疊的區(qū)域;第二供給圖案196,其通過貫穿至少一層絕緣膜150的供給接觸孔194連接到第一供給圖案192;和用于連接第二供給圖案196和公共電極182的導(dǎo)電襯墊料184。
      第一供給圖案192由與連接到柵線的柵接線(gate link)102相同的金屬形成,并且二者形成在同一層上,因而第一供給圖案192與柵接線102彼此分隔開一段距離形成。第一供給圖案192從連接到電源(未示出)的供給焊盤188延伸形成。
      第二供給圖案196由與像素電極(未示出)相同的金屬形成,并且二者形成在同一層上。第二供給圖案196以與形成為線形的第一供給圖案192相同的方式形成為線形,或者形成為點(diǎn)形,以與第一供給圖案192部分重疊。
      如果是透射型液晶顯示器件,則供給接觸孔194貫穿包括柵絕緣膜和鈍化膜的絕緣膜150以暴露第一供應(yīng)圖案192。對于透反型液晶顯示器件,則供給接觸孔194貫穿包括柵絕緣膜、鈍化膜和有機(jī)膜的至少其中一個(gè)的絕緣膜150以包括第一供應(yīng)圖案192。
      導(dǎo)電襯墊料184由導(dǎo)電玻璃纖維和導(dǎo)電球的至少其中之一形成。這里,該導(dǎo)電球通過在球狀襯墊料外側(cè)涂布導(dǎo)電材料例如銀Ag、金Au以使之導(dǎo)電而形成。所述導(dǎo)電球即使在預(yù)定壓力下也可以固定基板之間的間隙,這不同于包括在各向異性導(dǎo)電膜ACF中的導(dǎo)電球。
      該導(dǎo)電襯墊料184與密封劑186混合分散在基板上,或者密封劑186分散在其上形成有導(dǎo)電襯墊料184的基板上。
      按照這種方式,按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示器件利用包括導(dǎo)電襯墊料的密封劑將形成于上基板上的公共電極連接到形成于下基板上的連接部件。在這種情況下,不需要單獨(dú)的銀點(diǎn)工藝,因此制造工藝得到簡化。
      另一方面,按照本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示器件具有沿基板101的外部區(qū)域與柵接線102以預(yù)定間距形成的第一供應(yīng)圖案192。該第一供應(yīng)圖案192增大了液晶的邊緣區(qū)域,即注入了液晶但是沒有包括在有效圖像區(qū)域的區(qū)域,因而對于小尺寸的基板101存在困難。
      圖6是用于解釋按照本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示器件的平面圖,圖7是用于解釋圖6中液晶顯示器件沿線III-III’、IV-IV’提取的截面圖。
      圖6和圖7所示的液晶顯示器件包括與圖4和圖5所示的液晶顯示器件相同的元件,除了連接部件190與柵接線102重疊地形成之外。因而,省去對相同元件的詳細(xì)描述。
      連接部件190包括第一供應(yīng)圖案192;通過貫穿至少一層的絕緣膜150的供應(yīng)接觸孔194連接到第一供應(yīng)圖案192的第二供應(yīng)圖案196;和用于將第二供應(yīng)圖案196連接到公共電極182的導(dǎo)電襯墊料184。
      第一供應(yīng)圖案192形成在基板101的一側(cè),以與位于基板101最外區(qū)域的最后柵接線102的傾斜區(qū)域相鄰。第一供應(yīng)圖案192從與電源(未示出)相連的供應(yīng)焊盤188延伸形成。
      第二供應(yīng)圖案196沿密封劑186與密封劑186重疊地形成以通過供應(yīng)接觸孔194與第一供應(yīng)圖案192相連。此外,第二供應(yīng)圖案196形成為與柵接線102重疊,并且其間具有至少一層絕緣膜。這里,供應(yīng)接觸孔194形成在與密封劑186重疊的區(qū)域。
      如圖8所示,對于在反射模式和透射模式工作的透反型液晶顯示器件,第二供應(yīng)圖案196由與反射電極130相同的材料形成,并且二者形成在同一層上。這時(shí),第二供應(yīng)圖案196形成為與第一供應(yīng)圖案192重疊,并且其間具有柵絕緣膜112、第一鈍化膜118和有機(jī)膜128。供應(yīng)接觸孔120貫穿柵絕緣膜112、鈍化膜118和有機(jī)膜128以暴露第一供應(yīng)圖案192。另一方面,如果外部光充足,則透反型液晶顯示器件以反射模式顯示圖像,也即,外部光如自然光在形成有反射電極的反射區(qū)域反射,而如果外部光不充足,則透反型液晶顯示器件以透射模式顯示圖像,即,在未形成反射電極的透射區(qū)域中利用從背光單元入射的光顯示圖像。
      對于利用從背光單元入射的光顯示圖像的透射型液晶顯示器件,第二供應(yīng)圖案196由與圖8所示的像素電極122相同的材料形成,并且二者形成在同一層上。此外,第二供應(yīng)圖案196形成為與第一供應(yīng)圖案192重疊,其間具有柵絕緣膜112和鈍化膜118。供應(yīng)接觸孔194貫穿柵絕緣膜112和鈍化膜118以暴露第一供應(yīng)圖案192。
      導(dǎo)電襯墊料184由導(dǎo)電玻璃纖維或者導(dǎo)電球形成。導(dǎo)電襯墊料184與密封劑186混合分散在基板上,或者密封劑186分散在其上形成有導(dǎo)電襯墊料184的基板上。
      以這種方式,按照本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示器件具有與密封劑區(qū)域和柵接線重疊地形成的連接部件。這時(shí),公共電極和連接部件利用密封劑中所包括的導(dǎo)電襯墊料相連,因而不需要單獨(dú)的銀點(diǎn)工藝,工藝得以簡化。此外,連接部件中所包括的供應(yīng)圖案形成為與柵接線重疊,因而可以將液晶邊緣區(qū)域減小供應(yīng)圖案的寬度那么多,由此能夠制造小尺寸的液晶顯示器件。
      另一方面,圖8所示的透反型液晶顯示器件的薄膜晶體管陣列基板包括限定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線;與柵線和數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管;在像素區(qū)域形成并與薄膜晶體管相連的像素電極122;和在像素區(qū)域的反射區(qū)域形成的反射電極130。
      薄膜晶體管響應(yīng)來自柵線的柵信號向像素電極122選擇性施加來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號。為此,薄膜晶體管包括與柵線相連的柵極106;與數(shù)據(jù)線相連的源極108;與像素電極122相連的漏極110;與柵極106重疊且其間有柵絕緣膜112并且在源極108和漏極110之間形成溝道的有源層114;和用于提供源極118和漏極110與有源層114之間歐姆接觸的歐姆接觸層116。
      像素電極122在由數(shù)據(jù)線和柵線交叉限定的像素區(qū)域中形成,并且像素電極122與漏極110相連。像素電極122利用由薄膜晶體管所施加的數(shù)據(jù)信號與公共電極(未示出)之間產(chǎn)生電勢差。該電勢差引起液晶的旋轉(zhuǎn),因而透光率由位于各反射區(qū)域和透射區(qū)域中的液晶的旋轉(zhuǎn)程度所確定。
      反射電極130將通過濾色片基板(未示出)的外部光反射到濾色片基板。反射電極130沿形成為具有浮雕表面的有機(jī)膜128而具有浮雕形狀,因此通過散射光而增加了反射效率。形成反射電極130的區(qū)域是位于各像素區(qū)域中的反射區(qū)域,并且沒有形成反射電極130的區(qū)域是位于各像素區(qū)域中的透射區(qū)域。
      在透射區(qū)域形成貫穿有機(jī)膜128的透射孔132,使得通過反射區(qū)域和透射區(qū)域的液晶的光路徑長度相等。結(jié)果,入射到反射區(qū)域上的反射光通過液晶層在反射電極130上反射,并且通過液晶層出射到外面。入射到透射區(qū)域的背光單元(未示出)的透射光透射通過液晶層出射到外面。因此,光路徑的長度在反射區(qū)域和透射區(qū)域相等,因而液晶顯示器件的反射模式的透射效率就與液晶顯示器件的透射模式的相同。
      圖9A到9F是用于解釋按照本發(fā)明的透反型薄膜晶體管陣列基板的制造方法的截面圖。
      參照圖9A,在下基板101上形成第一導(dǎo)電圖案組,其包括柵接線102、柵極106和第一供應(yīng)圖案192。
      通過沉積方法例如濺射法在下基板101上形成柵金屬層。通過光刻工藝和蝕刻工藝對該柵金屬層構(gòu)圖,以形成包括柵接線102、柵極106和第一供應(yīng)圖案192的第一圖案組。該柵金屬層是由金屬例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金或者Cu合金構(gòu)成的單層或者多層結(jié)構(gòu)。
      參照圖9B,在形成有第一導(dǎo)電圖案組的下基板101上形成柵絕緣膜112。接著,在其上形成包括有源層和歐姆接觸層的半導(dǎo)體圖案以及包括數(shù)據(jù)線、源極108和漏極110的第二導(dǎo)電圖案組。
      通過沉積方法例如PECVD和濺射法在形成有第一導(dǎo)電圖案組的下基板101上依次形成柵絕緣膜112、非晶硅層、摻有雜質(zhì)的非晶硅層和源/漏金屬層。柵絕緣膜112可以由無機(jī)絕緣材料例如氧化硅SiOx或者氮化硅SiNx形成,而源/漏金屬層可以由金屬例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金或者Cu合金以單層或者雙層結(jié)構(gòu)形成。
      形成光致抗蝕劑圖案,其位于源/漏金屬層上的溝道區(qū)域具有的高度比整個(gè)源/漏區(qū)域上的光致抗蝕劑要低。對源/漏金屬層利用光致抗蝕劑圖案通過濕刻工藝進(jìn)行構(gòu)圖,由此形成第二導(dǎo)電圖案組,其包括數(shù)據(jù)線、源極108、和與源極108成一整體的漏極110。
      然后,利用同一光致抗蝕劑圖案通過干刻工藝對摻有雜質(zhì)的非晶硅層和非晶硅層同時(shí)構(gòu)圖,由此形成歐姆接觸層116和有源層114。
      在通過灰化工藝除去位于溝道區(qū)域內(nèi)高度較低的光致抗蝕劑圖案之后,溝道區(qū)域的歐姆接觸層116和源/漏圖案通過干刻工藝被蝕刻掉。因而,溝道部分的有源層114暴露出來,并且源極108和漏極彼此分開。
      隨后,通過剝離工藝將殘留在第二導(dǎo)電圖案組上的光致抗蝕劑圖案除去。
      參照圖9C,在形成有第二導(dǎo)電圖案組的基板101上形成第一鈍化膜118,并且在其上形成有機(jī)膜128,其中該有機(jī)膜128具有孔和透射孔132并且具有浮雕表面。
      第一鈍化膜118和有機(jī)膜128在形成有第二導(dǎo)電圖案組的柵絕緣膜112上順序形成。第一鈍化膜118可以由無機(jī)絕緣材料例如柵絕緣膜112形成,有機(jī)膜128可以由無機(jī)絕緣材料例如丙烯酸樹脂形成。
      然后,通過光刻工藝對有機(jī)膜128構(gòu)圖,由此形成孔和透射孔132。這里,用于形成有機(jī)膜128的掩模具有這樣的結(jié)構(gòu)在除了與透射孔對應(yīng)的透射區(qū)域之外的其余區(qū)域內(nèi)屏蔽區(qū)域和衍射曝光區(qū)域重復(fù)出現(xiàn)。因而,有機(jī)膜128構(gòu)圖為這樣的結(jié)構(gòu)具有臺階形狀的屏蔽區(qū)域(凸起)和衍射曝光區(qū)域(槽)重復(fù)出現(xiàn)。隨后,焙燒凸起和槽重復(fù)出現(xiàn)的有機(jī)膜128,由此使臺階邊緣平滑并且在有機(jī)膜128的表面形成浮雕形狀。特別是,形成有機(jī)膜128以使得像素區(qū)域與密封劑接觸的區(qū)域具有浮雕形狀。
      另一方面,可以將開口孔和透射孔132形成為貫穿柵絕緣膜112、第一鈍化膜118以及有機(jī)膜128,以與供應(yīng)接觸孔194相同的方式形成。
      參照圖9D,在具有浮雕形狀的有機(jī)膜128上形成第三導(dǎo)電圖案組,其包括反射電極130和第二供應(yīng)圖案196。
      反射金屬層呈現(xiàn)浮雕形狀并且沉積在有機(jī)膜128上。該反射金屬層可以由具有高反射率的金屬例如Al或者AlNd形成。隨后,通過光刻工藝和蝕刻工藝對該反射金屬層構(gòu)圖,由此形成包括反射電極130和第二供應(yīng)圖案196的第三導(dǎo)電圖案組。
      參照圖9E,在形成有第三導(dǎo)電圖案組的有機(jī)膜128上形成具有接觸孔120的第二鈍化膜136。也可以省去第二鈍化膜136。
      第二鈍化膜在形成有第三導(dǎo)電圖案組的有機(jī)膜上形成。第二鈍化膜136可以由例如第一鈍化膜118這樣的無機(jī)絕緣材料形成。然后,通過光刻工藝和蝕刻工藝對第二鈍化膜136構(gòu)圖,以形成接觸孔120。接觸孔120將薄膜晶體管的漏極110暴露出來。
      參照圖9F,在第二鈍化膜136上形成第四導(dǎo)電圖案組,其包括像素電極122。
      在第二鈍化膜136的整個(gè)表面上形成透明導(dǎo)電層。氧化銦錫ITO、氧化錫TO、氧化銦鋅IZO和氧化銦錫鋅ITZO可以用作透明導(dǎo)電層。通過光刻工藝和蝕刻工藝對該透明導(dǎo)電層構(gòu)圖,由此形成包括像素電極122的第四導(dǎo)電圖案組。
      圖10是用于解釋按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件的視圖。
      圖10所示的液晶顯示器件包括其中形成有薄膜晶體管陣列的薄膜晶體管基板270;其中形成有濾色片陣列的濾色片基板180;和用于將該薄膜晶體管基板270和該濾色片基板180粘結(jié)在一起的導(dǎo)電密封劑186。
      薄膜晶體管陣列基板270包括彼此交叉以限定像素單元的柵線220和數(shù)據(jù)線230;在各交叉區(qū)域處形成的薄膜晶體管;與該薄膜晶體管相連的像素電極;和分散在其上用于排列液晶的下定向膜。
      此外,柵線220與驅(qū)動?xùn)啪€220的柵驅(qū)動集成電路(以下稱之為“D-IC”)223電連接。柵線220和柵D-IC通過從柵線220延伸的柵接線221相連。數(shù)據(jù)線230與驅(qū)動數(shù)據(jù)線230的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(以下稱之為“D-IC”)233電連接。數(shù)據(jù)線230和數(shù)據(jù)D-IC通過從數(shù)據(jù)線230延伸的數(shù)據(jù)接線231相連。
      參照后面要描述的圖11B或者12B,在濾色片陣列基板180上形成濾色片陣列,其包括用于防止漏光的黑矩陣;用于實(shí)現(xiàn)色彩的濾色片;與像素電極形成垂直電場的公共電極182;和分散在其上用于排列液晶的上定向膜。
      在下基板上形成連接部件291、292、291A和292A,其通過導(dǎo)電密封劑186與公共電極182相連,以向公共電極182施加公共電壓。如圖10所示,連接部件291、292、291A和292A可以在相鄰的柵D-IC 223和數(shù)據(jù)D-IC 233的至少任一區(qū)域形成。
      另一方面,薄膜晶體管陣列基板270分為其中設(shè)有多個(gè)像素單元的陣列區(qū)域和包圍該陣列區(qū)域的非陣列區(qū)域。在薄膜晶體管陣列基板270中所形成的連接部件291、292、291A和292A可以沿與數(shù)據(jù)D-IC 233或者柵D-IC 223相反的方向延伸到非陣列區(qū)域,其中數(shù)據(jù)D-IC 233或者柵D-IC 223之間具有陣列區(qū)域。
      此外,可以這樣形成連接部件291、292、291A和292A,使之分為連接到柵D-IC 223的第一連接部件291和連接到數(shù)據(jù)D-IC 233的第二連接部件292。第一連接部件291可以由與位于相對側(cè)的連接部件291A相同的組件形成,其間具有陣列區(qū)域,并且第二連接部件292可以由與相對側(cè)的連接部件292A相同的組件形成,其間具有陣列區(qū)域。下面將參照圖11A到圖12B對連接部件291、292、291A和292A的組件進(jìn)行描述。
      前述的連接部件291、292、291A、292A與柵D-IC 223和數(shù)據(jù)D-IC 233電連接,柵D-IC 223和數(shù)據(jù)D-IC 233與信號線261電連接,而信號線261與施加公共電壓的電源260相連,由此接收公共電壓。
      本發(fā)明包括從數(shù)據(jù)D-IC 233和柵D-IC 223延伸的連接部件291A和292A,由此可以增加電連接到公共電極182的點(diǎn)的數(shù)目。第一和第二連接部件291A、292A可以設(shè)在與一個(gè)柵D-IC 223和一個(gè)數(shù)據(jù)D-IC 233相連的柵接線221和數(shù)據(jù)接線231的外面。位于與一個(gè)D-IC 223、233外面相連的接線221、231和與相鄰的D-IC 223、233外面相連的接線221、231之間的空間比位于這些接線221、231之間的空間要大。如果在寬裕的區(qū)域內(nèi)執(zhí)行形成連接部件291、292的工藝,可以防止各線之間產(chǎn)生短路的現(xiàn)象,由此提高了工藝的可靠性。
      以這種方式,連接部件291、292、291A、292A以各種方式在相鄰的柵D-IC223和數(shù)據(jù)D-IC之間形成,并且通過信號線261、柵D-IC 223和數(shù)據(jù)D-IC接收由電源260提供的公共電壓。
      圖11A和11B是示出與圖10中的柵D-IC 223相連的第一連接部件291的部分區(qū)域B的放大圖。
      如圖11A和11B所示,第一連接部件291包括在沿密封劑186與密封劑186重疊的區(qū)域內(nèi)形成的第一公共線290A;貫穿柵絕緣膜250和鈍化膜253以暴露第一公共線290A暴露出來的第一供應(yīng)接觸孔294A;通過第一供應(yīng)接觸孔294A與第一公共線290A相連的第一導(dǎo)電圖案296A;和用于將第一導(dǎo)電圖案296A連接到公共電極182的導(dǎo)電襯墊料184。
      第一公共線290A以與連接到柵線的柵接線221相同的金屬形成在同一平面內(nèi),因而第一公共線290A與柵接線221分隔開預(yù)定的間隙。第一公共線290A的一側(cè)與柵D-IC 223相連,而第一公共線290A的另一側(cè)連接到與連接到第一公共線290A一側(cè)的柵D-IC 223相鄰的柵D-IC 223。
      第一導(dǎo)電圖案296A由與像素電極相同的材料在同一時(shí)間形成。第一導(dǎo)電圖案296A沿形成為線形的第一公共線290A形成為線形,或者第一導(dǎo)電圖案296A形成為點(diǎn)形,以與第一公共線290A部分重疊。
      此外,第一導(dǎo)電圖案296A形成在不與柵接線221重疊的區(qū)域內(nèi)。在不與柵接線221重疊的區(qū)域內(nèi)形成第一導(dǎo)電圖案296A的原因是為了防止出現(xiàn)這種現(xiàn)象在實(shí)施制造工藝時(shí),第一導(dǎo)電圖案296A與柵接線221短路。
      形成至少一個(gè)第一供應(yīng)接觸孔294A,并且該第一供應(yīng)接觸孔貫穿柵絕緣膜250和鈍化膜253,以暴露第一公共線290A。通過第一供應(yīng)接觸孔294A暴露的第一公共線290A與第一導(dǎo)電圖案296A接觸。
      圖10中所描述的位于第一連接部件291相對側(cè)并且其間具有陣列區(qū)域的連接部件291A可以由與第一連接部件291相同的組件(第一公共線、第一導(dǎo)電層、第一供應(yīng)接觸孔)形成。此外,可以形成連接部件291A與導(dǎo)電密封劑186電接觸的區(qū)域,以與第一連接部件291與導(dǎo)電密封劑186電接觸的部分對稱。
      圖12A和12B是示出與圖10中的數(shù)據(jù)D-IC 233相連的第二連接部件292的部分區(qū)域C的放大圖。
      如圖12A和12B所示,第二連接部件292包括在沿密封劑186與密封劑186重疊的區(qū)域內(nèi)形成的第二公共線290B;貫穿鈍化膜253以將第二公共線290B暴露出來的第二供應(yīng)接觸孔294B;通過第二供應(yīng)接觸孔294B與第二公共線290B相連的第二導(dǎo)電圖案296B;和用于將第二導(dǎo)電圖案296B連接到公共電極182的導(dǎo)電襯墊料184。
      第二公共線290B以與連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)接線231相同的金屬形成在同一平面內(nèi),因而第二公共線290B形成為與數(shù)據(jù)接線231分隔開預(yù)定間隙。第二公共線290B的一側(cè)與數(shù)據(jù)D-IC 233相連,而第二公共線290B的另一側(cè)連接到與連接到第二公共線290B的一側(cè)的數(shù)據(jù)D-IC 233相鄰的數(shù)據(jù)D-IC 233。
      與數(shù)據(jù)線相連的數(shù)據(jù)接線231和第二公共線290B由包括有源層255和歐姆接觸層257的半導(dǎo)體圖案和該半導(dǎo)體圖案上部的數(shù)據(jù)金屬圖案230形成。
      第二導(dǎo)電圖案296B由與像素電極相同的材料在同一時(shí)間形成。第二導(dǎo)電圖案296B沿形成為線形的第二公共線290B形成為線形,或者第二導(dǎo)電圖案296B可以形成為點(diǎn)形,以與第二公共線290B部分重疊。
      此外,第二導(dǎo)電圖案296B形成在不與數(shù)據(jù)接線231重疊的區(qū)域內(nèi)。在不與數(shù)據(jù)接線231重疊的區(qū)域內(nèi)形成第二導(dǎo)電圖案296B的原因是為了防止出現(xiàn)這種現(xiàn)象在實(shí)施制造工藝時(shí),第二導(dǎo)電圖案296B與數(shù)據(jù)接線231短路。
      形成至少一個(gè)第二供應(yīng)接觸孔294B,并且第二供應(yīng)接觸孔貫穿鈍化膜253、數(shù)據(jù)金屬圖案230和歐姆接觸層257以暴露部分第二公共線290B。第二供應(yīng)接觸孔294B也可以通過貫穿鈍化膜253形成以暴露第二公共線290B的數(shù)據(jù)金屬圖案230的上部。
      通過第二供應(yīng)接觸孔294暴露出來的第二公共線290B與第二導(dǎo)電圖案296B接觸。
      圖10中所述的位于第二連接部件292相對側(cè)并且其間具有陣列區(qū)域的連接部件292A可以由與第二連接部件292相同的組件(第二公共線、第二導(dǎo)電層、第二供應(yīng)接觸孔)形成。此外,可以形成連接部件292A與導(dǎo)電密封劑186電接觸的部分以與第二連接部件292與導(dǎo)電密封劑186電接觸的部分對稱。
      圖11A到圖12B所示的導(dǎo)電襯墊料184可以由導(dǎo)電玻璃纖維和導(dǎo)電球制成。
      導(dǎo)電襯墊料184與密封劑186混合分散在基板上,或者密封劑186分散在形成有導(dǎo)電襯墊料184的基板上。
      按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件利用包括導(dǎo)電襯墊料的密封劑將形成于上基板上的公共電極連接到形成于下基板上的連接部件。此外,按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件通過改變形成于薄膜晶體管基板中的圖案而增加了將公共電壓施加到濾色片基板的點(diǎn),由此可以比在以銀點(diǎn)方式向?yàn)V色片基板供應(yīng)公共電壓時(shí)更穩(wěn)定的供應(yīng)電壓。因?yàn)楣搽妷悍€(wěn)定地供應(yīng)到濾色片基板,因此按照本發(fā)明第三實(shí)施例的液晶顯示器件可以改善例如呈綠色、圖像殘留等缺陷。
      圖13A到13D是用于解釋按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件的薄膜晶體管陣列基板的制造方法的視圖。
      參照圖13A,在下基板201上形成第一導(dǎo)電圖案組,其包括柵接線221和第一公共線290A。
      為了詳細(xì)描述形成第一導(dǎo)電圖案組的工藝,通過沉積方法例如濺射法在下基板201上形成柵金屬層。通過光刻工藝和蝕刻工藝對該柵金屬層構(gòu)圖,由此形成包括柵接線221和第一公共線290A的第一導(dǎo)電圖案組。這里,柵金屬層可以形成為金屬例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金、Cu合金等的單層或者多層結(jié)構(gòu)。
      參照圖13B,在形成有第一導(dǎo)電圖案組的下基板201上形成柵絕緣膜250,并且在該柵絕緣膜250上形成包括數(shù)據(jù)接線231和第二公共線290B的第二導(dǎo)電圖案組,該數(shù)據(jù)接線231和第二公共線290B包括數(shù)據(jù)金屬圖案230和包含有源層255和歐姆接觸層257的半導(dǎo)體圖案。
      為了詳細(xì)描述形成第二導(dǎo)電圖案組的步驟,通過沉積方法例如PECVD、濺射法在形成有第一導(dǎo)電圖案組的下基板201上順序形成柵絕緣膜250、非晶硅層、n+非晶硅層和數(shù)據(jù)金屬層。這里,柵絕緣膜250的材料可以是無機(jī)絕緣材料例如氧化硅SiOx或者氮化硅SiNx。數(shù)據(jù)金屬層可以由金屬例如Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金或者Cu合金的單層或者雙層結(jié)構(gòu)形成。
      隨后,在數(shù)據(jù)金屬層上要形成第二供應(yīng)接觸孔部分的區(qū)域形成光致抗蝕劑圖案,利用光致抗蝕劑圖案通過濕刻工藝對該數(shù)據(jù)金屬層進(jìn)行構(gòu)圖,由此形成包括數(shù)據(jù)接線231和第二公共線290B的第二導(dǎo)電圖案組。
      在通過灰化工藝除去在第二供應(yīng)接觸區(qū)域中具有較低高度的這部分光致抗蝕劑圖案之后,通過干刻工藝對第二供應(yīng)接觸孔的歐姆接觸層和數(shù)據(jù)金屬圖案230進(jìn)行蝕刻。因而,數(shù)據(jù)供應(yīng)接觸孔部分的有源層255的上平面以及金屬層230和歐姆接觸層257的側(cè)面暴露出來以形成初始第二供應(yīng)接觸孔294B’。
      隨后,通過剝離工藝將殘留在第二導(dǎo)電圖案組上的光致抗蝕劑圖案除去。
      參照圖13C,在形成有第二導(dǎo)電圖案組的柵絕緣膜250上形成鈍化膜253,并且在其上形成第一供應(yīng)接觸孔294A和第二供應(yīng)接觸孔294B。
      為了詳細(xì)描述圖13C的工藝,通過沉積方法例如PECVD等在形成有第二導(dǎo)電圖案組的柵絕緣膜250的整個(gè)表面上形成鈍化膜253。隨后,通過光刻工藝和蝕刻工藝對鈍化膜253構(gòu)圖,由此形成第一供應(yīng)接觸孔294A和第二供應(yīng)接觸孔294B。第一供應(yīng)接觸孔294A貫穿鈍化膜253和絕緣膜250以暴露第一公共線290A,而第二供應(yīng)接觸孔294B貫穿鈍化膜253以將有源層255的上平面以及金屬層230和歐姆接觸層257的側(cè)面暴露出來。
      鈍化膜253可以是如柵絕緣膜250一樣的無機(jī)絕緣材料或者例如PFCB、BCB或者內(nèi)烯酸有機(jī)化合物等具有低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料。
      可以將圖13B和13C中的第二供應(yīng)接觸孔294B形成為僅暴露金屬層230的上平面。
      參照圖13D,隨著在鈍化膜253上形成第一導(dǎo)電圖案296A和第二導(dǎo)電圖案296B,就形成了第一連接部件291和第二連接部件292。
      為了詳細(xì)描述形成第一導(dǎo)電圖案296A和第二導(dǎo)電圖案296B,通過沉積方法例如濺射法在整個(gè)鈍化膜253上分散透明導(dǎo)電金屬層。隨后,通過光刻工藝和蝕刻工藝對該透明導(dǎo)電金屬層構(gòu)圖,由此形成第一導(dǎo)電圖案296A和第二導(dǎo)電圖案296B。
      這里,氧化銦錫ITO、氧化錫TO、氧化銦鋅IZO和氧化銦錫鋅ITZO中任何一種都可以用作透明導(dǎo)電金屬層的材料。
      第一導(dǎo)電圖案296A通過第一供應(yīng)接觸孔294A與第一公共線290A相連,而第二導(dǎo)電圖案296B通過第二供應(yīng)接觸孔294B與第二公共線290B相連。
      在前述圖11A到圖13D中僅示出了包括以不同結(jié)構(gòu)形成的第一連接部件291和第二連接部件292在內(nèi)的薄膜晶體管陣列基板,但是按照本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板可以形成為具有第一連接部件291和第二連接部件292中任何一個(gè)。
      當(dāng)按照本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板形成為包括第一連接部件291和第二連接部件292兩者時(shí),通過將第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案形成為相連的狀態(tài)而將第一連接部件291和第二連接部件292相連。
      圖14是用于顯示包括在圖11B和圖12B所示的導(dǎo)電襯墊料中的導(dǎo)電球的制造步驟的視圖。
      參照圖14,該導(dǎo)電球通過在陶瓷材料的球形襯墊料外面涂布導(dǎo)電材料例如銀Ag、金Au等形成,以使之具有導(dǎo)電性并且保持其高度。該球形襯墊料的材料可以是代替陶瓷的硅或者塑料。相比于包括在各向異性導(dǎo)電膜ACF中的導(dǎo)電球,本發(fā)明的導(dǎo)電球即使受到給定的壓力也可以保持其高度。
      如上所述,按照本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法使供應(yīng)圖案形成為與密封劑和柵接線重疊,其中要求該供應(yīng)圖案向公共電極供應(yīng)電壓。這種供應(yīng)圖案與點(diǎn)形供應(yīng)圖案相比使得電阻減小,因而功耗降低并且由線電阻引起的公共電壓的變化得以避免,由此提高了圖像質(zhì)量。此外,按照本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法使供應(yīng)圖案形成為與密封劑重疊,從而使得液晶邊緣區(qū)域減小了該供應(yīng)圖案的寬度。因而可以制造小尺寸的液晶顯示器件。此外,按照本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法利用包括在密封劑中的導(dǎo)電襯墊料將公共電極和連接部件連接起來,因而不需要單獨(dú)的銀點(diǎn)工藝,因此工藝得以簡化。
      此外,按照本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法通過改變形成于薄膜晶體管基板上的圖案增加了向?yàn)V色片基板供應(yīng)公共電壓的點(diǎn),由此使得與通過銀點(diǎn)向?yàn)V色片基板供應(yīng)公共電壓的方式相比,供應(yīng)公共電壓能夠更穩(wěn)定。因?yàn)楣搽妷悍€(wěn)定地供應(yīng)到濾色片基板,因此按照本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件能夠克服例如呈綠色、圖像殘留等缺陷。
      按照本發(fā)明的液晶顯示器件及其制造方法將供應(yīng)公共電壓的導(dǎo)電圖案形成為不與數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)接線重疊,由此能夠防止先前的柵接線和數(shù)據(jù)接線與導(dǎo)電圖案短路的現(xiàn)象。
      對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,顯然,本發(fā)明能夠在不脫離發(fā)明的精神和范圍的前提下進(jìn)行各種修改和變化。因而,本發(fā)明意欲包括本發(fā)明的這些修改和變化,只要它們落在所附權(quán)利要求及其等效物的范圍內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種液晶顯示器件,包括形成有公共電極的上基板;與上基板相對的下基板;向位于下基板上的柵線供應(yīng)柵信號的多個(gè)柵驅(qū)動集成電路;向位于下基板上的數(shù)據(jù)線供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路;在驅(qū)動液晶時(shí)通過柵驅(qū)動集成電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路向公共電極供應(yīng)公共電壓的公共線;和在相鄰的柵驅(qū)動集成電路之間和在相鄰的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路之間的區(qū)域其中之一內(nèi)將公共電極電連接到公共線的導(dǎo)電密封劑。
      2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述下基板分為設(shè)有多個(gè)像素單元的陣列區(qū)域和包圍該陣列區(qū)域的非陣列區(qū)域,所述公共線延伸到與數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路相對并且其間具有陣列區(qū)域的非陣列區(qū)域,并且該公共線電連接到與數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路相對的非陣列區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電密封劑。
      3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件,其特征在于,將與數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路相對形成并且其間具有陣列區(qū)域的公共線電連接到導(dǎo)電密封劑的區(qū)域與將位于相鄰的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路之間的公共線電連接到該導(dǎo)電密封劑的區(qū)域?qū)ΨQ。
      4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述下基板分為設(shè)有多個(gè)像素單元的陣列區(qū)域和包圍該陣列區(qū)域的非陣列區(qū)域,該公共線延伸到與柵驅(qū)動集成電路相對并且其間具有陣列區(qū)域的非陣列區(qū)域,并且該公共線電連接到位于與柵驅(qū)動集成電路相對的該非陣列區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電密封劑。
      5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器件,其特征在于,將與柵驅(qū)動集成電路相對形成并且其間具有陣列區(qū)域的公共線電連接到導(dǎo)電密封劑的區(qū)域與將位于相鄰的柵驅(qū)動集成電路之間的公共線電連接到導(dǎo)電密封劑的部分對稱。
      6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述導(dǎo)電密封劑包括導(dǎo)電玻璃纖維或者導(dǎo)電球其中之一。
      7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述導(dǎo)電球包括由陶瓷、硅和塑料其中之一制成的球形襯墊料。
      8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述公共線包括穿過所述柵驅(qū)動集成電路的第一公共線;和穿過所述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的第二公共線。
      9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器件,其特征在于,還包括從連接到所述柵驅(qū)動集成電路的柵線延伸出的柵接線;和從連接到所述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的數(shù)據(jù)接線延伸出的數(shù)據(jù)接線。
      10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述公共線位于與一個(gè)柵驅(qū)動集成電路共同連接的柵接線的外面部分。
      11.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述公共線位于與一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路共同連接的數(shù)據(jù)接線的外面部分。
      12.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一公共線和第二公共線由與所述柵接線相同的材料在同一時(shí)間形成。
      13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器件,其特征在于,還包括覆蓋所述第一和第二公共線的柵絕緣膜;形成于所述柵絕緣膜上的鈍化膜;貫穿所述柵絕緣膜和鈍化膜以暴露所述第一公共線的第一供應(yīng)接觸孔;貫穿所述柵絕緣膜和鈍化膜以暴露所述第二公共線的第二供應(yīng)接觸孔;通過所述第一供應(yīng)接觸孔與第一公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第一導(dǎo)電圖案;和通過所述第二供應(yīng)接觸孔與第二公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第二導(dǎo)電圖案。
      14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一和第二導(dǎo)電圖案在不與所述柵接線重疊的區(qū)域內(nèi)形成。
      15.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一公共線和第二公共線由與所述數(shù)據(jù)接線相同的材料在同一時(shí)間形成。
      16.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器件,其特征在于,還包括覆蓋所述第一和第二公共線的鈍化膜;貫穿所述鈍化膜以暴露所述第一公共線的第一供應(yīng)接觸孔;貫穿所述鈍化膜以暴露所述第二公共線的第二供應(yīng)接觸孔;通過所述第一供應(yīng)接觸孔與第一公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第一導(dǎo)電圖案;以及通過所述第二供應(yīng)接觸孔與第二公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第二導(dǎo)電圖案。
      17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一和第二導(dǎo)電圖案在不與所述數(shù)據(jù)接線重疊的區(qū)域形成。
      18.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一公共線由與所述柵接線相同的材料并且在同一時(shí)間形成,而所述第二公共線由與所述數(shù)據(jù)接線相同的材料并且在同一時(shí)間形成。
      19.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器件,其特征在于,還包括覆蓋所述第一公共線的柵絕緣膜;覆蓋位于所述柵絕緣膜上的第二公共線的鈍化膜;貫穿所述柵絕緣膜和鈍化膜以暴露所述第一公共線的第一供應(yīng)接觸孔;貫穿所述鈍化膜以暴露第二公共線的第二供應(yīng)接觸孔;通過所述第一供應(yīng)接觸孔與第一公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第一導(dǎo)電圖案;和通過所述第二供應(yīng)接觸孔與第二公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第二導(dǎo)電圖案。
      20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述第一和第二導(dǎo)電圖案在不與所述柵接線和數(shù)據(jù)接線重疊的區(qū)域內(nèi)形成。
      21.一種液晶顯示器件,包括位于上基板上的公共電極;與位于與該上基板相對的下基板上的信號線重疊且其間具有至少一層絕緣膜的供應(yīng)圖案,以將公共電壓供應(yīng)給所述公共電極;和包括將所述上基板粘結(jié)到下基板并且將所述公共電極電連接到供應(yīng)圖案的導(dǎo)電襯墊料的密封劑。
      22.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述導(dǎo)電襯墊料由導(dǎo)電玻璃纖維和導(dǎo)電球之一形成。
      23.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述信號線是形成于所述下基板上的柵線和數(shù)據(jù)線其中之一。
      24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示器件,其特征在于,還包括形成于所述下基板一側(cè)上與所述柵線相鄰的第二公共線;和貫穿所述至少一層的絕緣膜以暴露所述第二公共線的接觸孔。
      25.如權(quán)利要求24所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述接觸孔在與所述密封劑重疊的區(qū)域內(nèi)形成。
      26.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示器件,其特征在于,還包括位于像素區(qū)域內(nèi)與該所述公共電極一起產(chǎn)生電場的像素電極。
      27.如權(quán)利要求26所述的液晶顯示器件,其特征在于,還包括形成于所述像素區(qū)域的反射區(qū)域中的反射電極。
      28.如權(quán)利要求26所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述供應(yīng)圖案由與所述像素電極和反射電極其中之一相同的材料形成。
      29.一種制造液晶顯示器件的方法,包括提供形成有公共電極的上基板;提供向其施加來自柵驅(qū)動集成電路的柵信號和來自數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的數(shù)據(jù)信號的下基板;用導(dǎo)電密封劑粘結(jié)所述上基板和下基板,并且其中提供所述下基板的步驟包括形成公共線,以在驅(qū)動液晶時(shí)通過所述柵驅(qū)動集成電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路將公共電壓供應(yīng)給所述公共電極;以及在位于相鄰的柵驅(qū)動集成電路之間和位于相鄰的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路之間之一的區(qū)域內(nèi)通過所述導(dǎo)電密封劑將所述公共電極電連接到所述公共線。
      30.如權(quán)利要求29所述的制造方法,其特征在于,所述導(dǎo)電密封劑包括導(dǎo)電玻璃纖維和導(dǎo)電球其中之一。
      31.如權(quán)利要求30所述的制造方法,其特征在于,所述導(dǎo)電球包括由陶瓷、硅和塑料其中之一制成的球形襯墊料。
      32.如權(quán)利要求29所述的制造方法,其特征在于,所述形成公共線包括形成穿過所述柵驅(qū)動集成電路的第一公共線和穿過所述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的第二公共線。
      33.如權(quán)利要求32所述的制造方法,其特征在于,還包括形成從所述柵驅(qū)動集成電路接收掃描信號的柵線以及將該柵線連接到該柵驅(qū)動集成電路的柵接線;和形成從所述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路接收數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線以及將該數(shù)據(jù)線連接到該數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的數(shù)據(jù)接線。
      34.如權(quán)利要求33所述的制造方法,其特征在于,所述第一和第二公共線由與所述柵接線和柵線相同的材料并且在同一時(shí)間形成。
      35.如權(quán)利要求34所述的制造方法,其特征在于,通過所述導(dǎo)電密封劑將公共線電連接到該公共電極包括形成覆蓋所述第一和第二公共線的柵絕緣膜;在該柵絕緣膜上形成鈍化膜;形成貫穿所述柵絕緣膜和鈍化膜以暴露所述第一公共線的第一供應(yīng)接觸孔,以及貫穿所述柵絕緣膜和鈍化膜以暴露所述第二公共線的第二供應(yīng)接觸孔;和形成通過所述第一供應(yīng)接觸孔與第一公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第一導(dǎo)電圖案,和通過所述第二供應(yīng)接觸孔與第二公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第二導(dǎo)電圖案。
      36.如權(quán)利要求33所述的制造方法,其特征在于,所述第一和第二公共線由與所述數(shù)據(jù)接線和數(shù)據(jù)線相同的材料并且在同一時(shí)間形成。
      37.如權(quán)利要求36所述的制造方法,其特征在于,通過所述導(dǎo)電密封劑將公共線電連接到該公共電極包括形成覆蓋所述第一和第二公共線的鈍化膜;形成貫穿所述鈍化膜以暴露所述第一公共線的第一供應(yīng)接觸孔,以及貫穿所述鈍化膜以暴露所述第二公共線的第二供應(yīng)接觸孔;和形成通過所述第一供應(yīng)接觸孔與第一公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第一導(dǎo)電圖案,和通過所述第二供應(yīng)接觸孔與第二公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第二導(dǎo)電圖案。
      38.如權(quán)利要求33所述的制造方法,其特征在于,所述第一公共線由與所述柵接線和柵線相同的材料并且在同一時(shí)間形成,并且所述第二公共線由與所述數(shù)據(jù)接線和數(shù)據(jù)線相同的材料并且在同一時(shí)間形成。
      39.如權(quán)利要求38所述的制造方法,其特征在于,所述通過導(dǎo)電密封劑將公共線電連接到該公共電極的步驟包括形成覆蓋所述第一公共線的柵絕緣膜;在所述柵絕緣膜上形成第二公共線;形成覆蓋所述第二公共線的鈍化膜;形成貫穿所述柵絕緣膜和鈍化膜以暴露所述第一公共線的第一供應(yīng)接觸孔,以及貫穿所述鈍化膜以暴露所述第二公共線的第二供應(yīng)接觸孔;和形成通過所述第一供應(yīng)接觸孔與第一公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第一導(dǎo)電圖案,和通過所述第二供應(yīng)接觸孔與第二公共線接觸并且與該導(dǎo)電密封劑接觸的第二導(dǎo)電圖案。
      40.一種制造液晶顯示器件的方法,包括提供形成有公共電極的上基板;提供下基板,其中形成有公共圖案,該公共圖案與信號線重疊并且其間具有至少一層的絕緣膜,以將公共電壓供應(yīng)給所述公共電極;以及利用包括有導(dǎo)電襯墊料的密封劑將該上基板和該下基板粘結(jié)在一起,該導(dǎo)電襯墊料將所述公共電極電連接到公共圖案。
      41.如權(quán)利要求40所述的制造方法,其特征在于,所述導(dǎo)電襯墊料是導(dǎo)電玻璃纖維和導(dǎo)電球其中之一。
      42.如權(quán)利要求40所述的制造方法,其特征在于,還包括在下基板上與所述信號線相鄰的一側(cè)形成第二公共圖案;和形成貫穿所述至少一層的絕緣膜以暴露所述第二公共圖案的接觸孔。
      43.如權(quán)利要求42所述的制造方法,其特征在于,所述接觸孔在與所述密封劑重疊的區(qū)域中形成。
      44.如權(quán)利要求40所述的制造方法,其特征在于,還包括在像素區(qū)域內(nèi)形成與公共電極一起產(chǎn)生電場的像素電極。
      45.如權(quán)利要求44所述的制造方法,其特征在于,還包括在所述像素區(qū)域的反射區(qū)域中形成反射電極。
      46.如權(quán)利要求40所述的制造方法,其特征在于,所述供應(yīng)圖案由與所述像素電極和反射電極其中之一相同的材料形成。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種能夠制造小尺寸并且縮短工藝時(shí)間的液晶顯示器件及其制造方法。按照本發(fā)明實(shí)施方式的液晶顯示器件包括形成有公共電極的上基板;與該上基板相對的下基板;向位于下基板上的柵線供應(yīng)柵信號的多個(gè)柵驅(qū)動集成電路;向位于下基板上的數(shù)據(jù)線供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的多個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路;在驅(qū)動液晶時(shí)通過柵驅(qū)動集成電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路向公共電極供應(yīng)公共電壓的公共線;和在相鄰的柵驅(qū)動集成電路之間和在相鄰的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路之間其中之一的區(qū)域內(nèi)將公共電極電連接到公共線的導(dǎo)電密封劑。
      文檔編號H01L29/66GK1794071SQ200510132400
      公開日2006年6月28日 申請日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
      發(fā)明者姜童縞, 鄭泰容, 裵鐘勛 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社
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