專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的陣列基板結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示技術(shù)發(fā)展得非?？?，由于其重量輕，液晶顯示器件被廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)張，需要在制造技術(shù)方面降低成本和提高生產(chǎn)率。一個(gè)液晶顯示器件的制作是通過一組薄膜的沉積和光刻工藝形成圖案來完成的。光刻用的掩膜版數(shù)目是衡量制造液晶顯示器件工藝繁簡(jiǎn)程度。一次光刻工藝使用一個(gè)掩膜版。許多研究者已經(jīng)研究了減少掩膜版數(shù)目的可能方法，因?yàn)闇p少一個(gè)掩膜版意味著制造成本的降低。
通常一個(gè)液晶顯示器件由彩膜基板、陣列基板和夾于二者之間的液晶組成。其陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1a和圖1b所示。陣列基板包括一組柵極掃描線1、柵電極2，一組數(shù)據(jù)掃描線5、源電極6、漏電極7，薄膜晶體管開關(guān)器件以及透明像素電極10。柵極掃描線1相互平行與數(shù)據(jù)掃描線5交叉形成矩陣結(jié)構(gòu)。在柵極掃描線1與數(shù)據(jù)掃描線5交叉的位置形成一個(gè)薄膜晶體管開關(guān)器件。它包含一個(gè)從柵極掃描線1引出的柵電極2，一個(gè)從數(shù)據(jù)掃描線5引出的源電極6，和一個(gè)與源電極處于相對(duì)位置的漏電極7。漏電極7是薄膜晶體管開關(guān)器件的輸出端。一個(gè)透明像素電極10通過鈍化層8上的過孔與漏電極7形成電接觸。柵極掃描線1的一部分，即與透明像素電極10重疊的凸起部分和透明像素電極10一起形成存儲(chǔ)電容。
上述液晶顯示器的陣列基板制造工藝流程如圖2和圖3所示。五次掩膜技術(shù)依次通過如圖2所示的五步工藝完成，使用了五塊掩膜版。四次掩膜技術(shù)依次通過如圖3所示的四步工藝完成，使用了四塊掩膜版。每一步工藝基本均由薄膜沉積、掩膜版曝光、刻蝕和光刻膠剝離四道工序組成。
圖1a和圖1b所示的薄膜晶體管液晶顯示器制造工藝過程如下所述。通過柵極掩膜版在玻璃基板上面形成柵電極2及柵極掃描線1；在柵極金屬上連續(xù)沉積柵極絕緣層4、有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過半導(dǎo)體層掩膜版形成半導(dǎo)體層3；通過源漏電極掩膜版形成源電極6、漏電極7以及數(shù)據(jù)掃描線5；通過鈍化層掩膜版形成鈍化層薄膜的過孔；最后通過透明像素電極掩膜版形成透明像素電極10。
而四次掩膜技術(shù)是利用灰色調(diào)半透明掩膜版，把半導(dǎo)層和源漏電極的光刻工藝合并到同一次掩膜工藝當(dāng)中。其方法是連續(xù)沉積柵極絕緣層4、有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜、以及用于形成源電極6和漏電極7的第二層金屬薄膜。首先利用灰色調(diào)半透明掩膜版的全透明區(qū)域形成薄膜晶體管器件的硅島，然后利用灰色調(diào)半透明掩膜版的半透明區(qū)域和光刻膠的灰化工藝在薄膜晶體管硅島上形成源電極6、漏電極7以及薄膜晶體管的溝道部分13。改變掩膜版的設(shè)計(jì)和薄膜沉積工藝次序，也有其它的五次掩膜和四次掩膜工藝技術(shù)。
前述薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的五次掩膜和四次掩膜工藝均存在光刻工藝復(fù)雜，使用掩膜版數(shù)量多的缺陷。有些工藝在使用離地剝離工藝時(shí)，使用的特殊剝離液不僅腐蝕光刻膠，還對(duì)其他材料進(jìn)行腐蝕。以上缺陷造成了制造中良品率低、成本高等弊端。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板結(jié)構(gòu)，以及一種不同于先前的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板的制造方法。本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板結(jié)構(gòu)，使不同材料之間具有良好的接觸，增加透明像素電極和漏電極的接觸面積，并降低生產(chǎn)中的不良率。本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種采用灰色調(diào)半透明掩膜版和離地剝離工藝的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法，使用三次掩膜完成液晶顯示器件的陣列基板制作。減少了掩膜版的數(shù)目，簡(jiǎn)化了制造工藝。本發(fā)明的第三個(gè)目的是優(yōu)化離地剝離工藝，在形成鈍化層圖案時(shí)，在光刻的曝光顯影工藝中，使光刻膠的側(cè)壁垂直，而在刻蝕工藝中，使鈍化層側(cè)壁內(nèi)凹。在進(jìn)行離地剝離工藝時(shí)，利用這種側(cè)壁結(jié)構(gòu)，可使用普通剝離液，僅對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離，而不需腐蝕其它材料，提高了離地剝離工藝的效率和可靠性，降低了成本。通過以下對(duì)本發(fā)明的描述以及具體實(shí)施例，還能了解到本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板，形成于玻璃基板上柵極掃描線、數(shù)據(jù)掃描線、薄膜晶體管和透明像素電極，所述透明像素電極和所述薄膜晶體管漏電極的電連接是通過透明像素電極覆蓋到薄膜晶體管漏電極上表面，形成全接觸的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的。
其中，所述的透明像素電極在薄膜晶體管的側(cè)壁處與有源層和歐姆接觸層側(cè)壁直接接觸電連接。在制造薄膜晶體管陣列基板工藝中，對(duì)鈍化層薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，實(shí)現(xiàn)內(nèi)凹的側(cè)壁形貌，因此在沉積透明像素電極時(shí)，就形成了透明像素電極在鈍化層薄膜的內(nèi)凹側(cè)壁處斷開的結(jié)構(gòu)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，包括下列步驟首先，提供一個(gè)絕緣透明襯底；在絕緣襯底上依次形成第一層金屬薄膜和一層光刻膠；使用第一塊掩膜版定義光刻膠的圖案，并刻蝕形成第一層金屬薄膜的圖案，即柵電極和柵極掃描線；然后，在基板上沉積一層絕緣層、至少一層半導(dǎo)體層和一層金屬薄膜；在金屬薄膜上涂布一層光刻膠；使用第二塊掩膜版，即灰色調(diào)半透明掩膜版，經(jīng)過曝光顯影和刻蝕形成薄膜晶體管硅島，利用光刻膠灰化工藝和刻蝕，形成源漏電極和薄膜晶體管開關(guān)器件的溝道；最后，在基板上沉積一層鈍化層薄膜；用第三塊掩膜版通過曝光顯影形成光刻膠圖案，去除未被光刻膠覆蓋的鈍化層薄膜，使部分漏電極暴露出來；在基板上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，利用離地剝離工藝，剝離尚存的光刻膠，其上沉積的透明導(dǎo)電薄膜也隨之去除，鈍化層薄膜上表面以及部分漏電極上表面的透明導(dǎo)電薄膜保留下來，形成透明像素電極。
其中，所述灰色調(diào)半透明掩膜版在基板上形成多層薄膜圖案的方法包括下面一些步驟在玻璃基板上沉積薄膜；在薄膜上涂布一層光刻膠；使用灰色調(diào)半透明掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，形成一定的圖案；所述灰色調(diào)半透明掩膜版，包括完全透明區(qū)域、半透明區(qū)域和不透光區(qū)域，完全透明區(qū)域和半透明區(qū)域是具有不同透光率的兩個(gè)透光部分，使得照射在光刻膠上的光強(qiáng)不同；用形成圖案的光刻膠作為掩膜，對(duì)薄膜材料進(jìn)行刻蝕，形成薄膜圖案。其中，所述灰色調(diào)半透明掩膜版定義的曝光顯影后無光刻膠的區(qū)域包括透明像素電極、柵極掃描線和與外部電路連接部分；半透明區(qū)域包括薄膜晶體管溝道部分；曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線。所述第三塊掩膜版，在曝光顯影形成所述鈍化層圖案時(shí)，控制曝光顯影條件，形成側(cè)壁垂直的光刻膠圖案。曝光顯影后，對(duì)所述鈍化層薄膜刻蝕時(shí)，控制刻蝕條件，形成側(cè)壁內(nèi)凹的鈍化層薄膜圖案。采用所述離地剝離工藝時(shí)，利用所述垂直的光刻膠側(cè)壁和內(nèi)凹的鈍化層薄膜側(cè)壁結(jié)構(gòu)，可以使用不含腐蝕其他材料成分的普通光刻膠剝離液，所述剝離液只與光刻膠進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，從而僅對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離，不腐蝕包括透明導(dǎo)電薄膜在內(nèi)的其它材料，光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜隨光刻膠的剝離而被去除。
本發(fā)明提供一種三次掩膜工藝的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法，使液晶顯示器件的制造工藝得以簡(jiǎn)化，降低了液晶顯示器件陣列基板制作的成本，提高了生產(chǎn)效率。相對(duì)其它三次掩膜工藝中第三塊掩膜版必須是灰色調(diào)半透明掩膜，本發(fā)明的第三塊掩膜版可以使用普通掩膜版，這樣工藝過程中不必進(jìn)行光刻膠灰化處理，進(jìn)一步減少了工藝步驟以及相應(yīng)的產(chǎn)品缺陷。本發(fā)明提供的一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的結(jié)構(gòu)不同于先前陣列基板，先前陣列基板上透明像素電極是在鈍化保護(hù)膜過孔處和薄膜晶體管漏電極形成接觸，本發(fā)明的陣列基板結(jié)構(gòu)中去除鈍化保護(hù)膜的過孔，代之以漏電極表面的全接觸。增大了透明像素電極和漏電極的接觸面積，形成更可靠的電連接，有效提高了產(chǎn)品良率。傳統(tǒng)的離地剝離工藝中使用特殊的剝離液，其除了對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離外，還腐蝕其他材料，而本發(fā)明優(yōu)化了離地剝離工藝，提高了離地剝離工藝的效率和可靠性，降低了成本。上述特征以及優(yōu)點(diǎn)在附圖和具體實(shí)施例中得到更加明顯的體現(xiàn)。


圖1a是先前五次掩膜工藝制作的一種典型薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖1b是先前五次掩膜工藝制作的一種典型薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)截面圖；圖2是典型的五次掩膜工藝技術(shù)流程；圖3是典型的四次掩膜工藝技術(shù)流程；圖4是本發(fā)明的三次掩膜工藝流程；圖5a是本發(fā)明第一次掩膜的全部工藝完成后像素的俯視圖；圖5b是本發(fā)明第一次掩膜的全部工藝完成后圖5a中A-A處的截面圖；圖6是本發(fā)明第二次掩膜的全部工藝完成后像素的俯視圖；圖7a是本發(fā)明第二次掩膜的光刻工藝完成后圖6中A-A處截面圖；圖7b是本發(fā)明第二次掩膜的第一次刻蝕工藝完成后圖6中A-A處截面圖；圖7c是本發(fā)明第二次掩膜的光刻膠灰化工藝完成后圖6中A-A處截面圖；圖7d是本發(fā)明第二次掩膜的第二次刻蝕形成薄膜晶體管溝道的工藝和光刻膠剝離工藝完成后，圖6中A-A處截面圖；圖8是本發(fā)明第三次掩膜的全部工藝完成后像素的俯視圖；圖9是本發(fā)明第三次掩膜的光刻工藝完成后像素的俯視圖；圖10a是本發(fā)明第三次掩膜的光刻工藝完成后圖9中A-A處的截面圖；圖10b是本發(fā)明第三次掩膜的刻蝕工藝完成后圖9中A-A處的截面圖；
圖10c是本發(fā)明第三次掩膜的透明導(dǎo)電鍍膜沉積工藝完成后圖9中A-A處的截面圖；圖10d是圖10c中B處的放大圖；圖10e是本發(fā)明第三塊掩膜的工藝完成后圖8中A-A處的截面圖。
圖中標(biāo)識(shí)1、柵極掃描線；2、柵電極；3、半導(dǎo)體層；4、柵絕緣層；5、數(shù)據(jù)掃描線；6、源電極；7、漏電極；8、鈍化層；9、光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜；10、透明像素電極；11、沒有光刻膠覆蓋的鈍化層部分；12、有光刻膠覆蓋的鈍化層部分；13、薄膜晶體管溝道部分；14、灰色調(diào)半透明掩膜版半透明部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠；15、灰色調(diào)半透明掩膜版的不透明部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠；16、光刻膠側(cè)壁；17、鈍化層薄膜側(cè)壁。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明首先，使用第一塊掩膜版，在玻璃基板上形成柵極掃描線1和柵電極2參看圖5a和圖5b，先在玻璃基板上，通過磁控濺射或其它成膜方法形成第一層金屬薄膜，即柵極金屬薄膜。柵極金屬薄膜的材料可以是鉬、鋁、鋁鎳合金、鎢、鉻、或銅等金屬，也可以是上述幾種金屬材料的合金。在某些情況下還可以是多層膜結(jié)構(gòu)，各層薄膜的材料可以從上述材料中挑選。接下來使用第一塊掩膜版，通過光刻和刻蝕工藝形成柵極掃描線1和柵電極2的圖案。
然后，使用第二塊掩膜版，形成柵絕緣層4、半導(dǎo)體層3、源電極6、漏電極7和數(shù)據(jù)掃描線5等的圖案，其中半導(dǎo)體層3包括有源層和歐姆接觸層。先在形成了柵極掃描線1和柵電極2的基板上，依次形成柵絕緣層4、半導(dǎo)體層3、以及用于形成數(shù)據(jù)掃描線5、源電極6和漏電極7的第二層金屬層等多層薄膜，其中半導(dǎo)體層3包括一層本征半導(dǎo)體層，即有源層和一層摻雜半導(dǎo)體層，即歐姆接觸層。柵絕緣層4可以采用氧化物、氮化物、氮氧化物、有機(jī)絕緣介質(zhì)或其它絕緣介質(zhì)。柵絕緣層4和半導(dǎo)體層3可以通過等離子體輔助化學(xué)氣相沉積或其它成膜方法形成，使用的反應(yīng)氣體可以包括但不限于SiH4、NH3、N2、N2O、SiH2Cl2、H2、TEOS等。所述第二層金屬層可以通過磁控濺射或其它成膜方法形成，其材料可以是各種合適的金屬或合金。形成多層薄膜后，進(jìn)行光刻膠涂布，然后使用第二塊掩膜版進(jìn)行曝光，所述的第二塊掩膜版是灰色調(diào)半透明掩膜版，若使用正性光刻膠，所述灰色調(diào)半透明掩膜版的半透明區(qū)域包括薄膜晶體管的溝道部分13；完全透明區(qū)域包括透明像素電極10、柵極掃描線1和與外部電路連接的部分；不透光區(qū)域包括源電極6、漏電極7和數(shù)據(jù)掃描線5。經(jīng)過曝光顯影后，形成如圖7a所示的結(jié)構(gòu)?；疑{(diào)半透明掩膜版半透明部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠14與灰色調(diào)半透明掩膜版的不透明部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的光刻膠15具有不同的厚度。其它完全曝光的區(qū)域，即對(duì)應(yīng)于掩膜版完全透明區(qū)域的光刻膠被去除。然后進(jìn)行第一次刻蝕，去除無光刻膠覆蓋區(qū)域的多層薄膜，即去除透明像素電極10、柵極掃描線1和與外部電路連接部分等區(qū)域之上覆蓋的第二層金屬層和半導(dǎo)體層3，第一次刻蝕完成后如圖7b所示。然后對(duì)剩余的光刻膠進(jìn)行灰化處理，減薄其厚度，使光刻膠厚度較薄的區(qū)域，即薄膜晶體管溝道部分13區(qū)域上方的光刻膠14去除，露出其下的第二層金屬層，而其它光刻膠厚度較厚的區(qū)域上的光刻膠15仍保留有一定厚度，光刻膠灰化工藝完成后的結(jié)構(gòu)如圖7c所示。接下來對(duì)薄膜晶體管溝道部分13上方的薄膜進(jìn)行刻蝕，去除其上覆蓋的第二層金屬層和歐姆接觸層，由于采用了過刻蝕，還將刻蝕掉部分厚度的有源層，形成薄膜晶體管溝道部分13，完成后如圖7d所示。這樣僅使用一塊灰色調(diào)半透明掩膜版就完成了柵絕緣層4、半導(dǎo)體層3(包括有源層和歐姆接觸層)、源電極6、漏電極7和數(shù)據(jù)掃描線1等的圖案，完成后的圖案如圖6所示。
最后，使用第三塊掩膜版，形成鈍化層8、透明像素電極10和透明像素電極10與漏電極7的電接觸部分先在第二塊掩膜版形成的如圖6所示的基板上沉積一層鈍化層薄膜，其材料可以是氮化硅、氮氧化硅或其它合適的絕緣材料，沉積方法可以是等離子體輔助化學(xué)氣相沉積或其它成膜方法。然后進(jìn)行光刻膠涂布，使用第三塊掩膜版進(jìn)行曝光，所述的第三塊掩膜版為普通掩膜版，即非灰色調(diào)半透明掩膜版。曝光顯影后，形成如圖9和圖10a所示的光刻膠圖案，形成沒有光刻膠覆蓋的鈍化層部分11和有光刻膠覆蓋的鈍化層部分12。接下來進(jìn)行刻蝕，去除沒有光刻膠覆蓋的鈍化層部分11，這樣一部分漏電極7暴露出來，如圖10b所示。完成刻蝕后，接著沉積透明導(dǎo)電薄膜，如圖10c所示。圖10d所示的圖10c中B處的形貌是通過在光刻和刻蝕工藝中控制工藝條件獲得的，在光刻時(shí)，使曝光顯影后剩余光刻膠側(cè)壁16形成垂直的形貌，在刻蝕時(shí)，采取過刻蝕使剩余的鈍化層薄膜側(cè)壁17形成內(nèi)凹的形貌。這樣當(dāng)沉積透明導(dǎo)電薄膜時(shí)，垂直的光刻膠側(cè)壁16和內(nèi)凹的鈍化層薄膜側(cè)壁17上基本不會(huì)沉積上透明導(dǎo)電薄膜。沉積完透明導(dǎo)電薄膜后，采用離地剝離工藝，剝離剩余的光刻膠及其上的透明導(dǎo)電薄膜，由于垂直的光刻膠側(cè)壁16和內(nèi)凹的鈍化層薄膜側(cè)壁17上基本沒有透明導(dǎo)電薄膜，這樣透明導(dǎo)電薄膜在內(nèi)凹的鈍化層薄膜側(cè)壁17處就斷開來，光刻膠剝離液能夠很容易地從所述斷開處接觸光刻膠側(cè)壁16從而對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離，因此所述的剝離液只與光刻膠進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，不腐蝕包括透明導(dǎo)電薄膜在內(nèi)的其它材料，而光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜是隨光刻膠的剝離而被去除的。離地剝離工藝完成后的結(jié)構(gòu)如圖10e所示，形成的透明像素電極10與漏電極7的表面全接觸，而且透明像素電極10與漏電極7一側(cè)的有緣層和歐姆接觸層的側(cè)壁也直接接觸，從而使透明像素電極10與漏電極7形成良好的電連接。在透明像素電極10其它邊沿處，透明像素電極10與鈍化層薄膜在內(nèi)凹的鈍化層薄膜側(cè)壁17處斷開。最終形成的薄膜晶體管陣列單元結(jié)構(gòu)如圖8和10e所示。
通過上述步驟，使用三塊掩膜版完成了本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作。本實(shí)施例僅用于說明而不是限定本發(fā)明所述的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。除非特別指出的部分，本發(fā)明不局限于上述描述的具體細(xì)節(jié)。在不偏離實(shí)質(zhì)性特征和核心工藝技術(shù)的前提下，本發(fā)明還有其它的具體實(shí)施例。任何符合本發(fā)明特征的修改和變化，都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板，形成于玻璃基板上的柵極掃描線、數(shù)據(jù)掃描線、薄膜晶體管和透明像素電極，其特征在于所述透明像素電極和所述薄膜晶體管漏電極的電連接是通過透明像素電極覆蓋到薄膜晶體管漏電極的上表面，形成全接觸的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明像素電極在薄膜晶體管的側(cè)壁處與有源層和歐姆接觸層側(cè)壁直接接觸電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述透明像素電極在鈍化層薄膜的內(nèi)凹側(cè)壁處斷開。
4.一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于首先，提供一個(gè)絕緣透明襯底；在絕緣襯底上依次形成第一層金屬薄膜和一層光刻膠；使用第一塊掩膜版定義光刻膠的圖案，并刻蝕形成第一層金屬薄膜的圖案，即柵電極和柵極掃描線；然后，在基板上沉積一層絕緣層、至少一層半導(dǎo)體層和一層金屬薄膜；在金屬薄膜上涂布一層光刻膠；使用第二塊掩膜版，即灰色調(diào)半透明掩膜版，經(jīng)過曝光顯影和刻蝕形成薄膜晶體管硅島，利用光刻膠灰化工藝和刻蝕，形成源漏電極和薄膜晶體管開關(guān)器件的溝道；最后，在基板上沉積一層鈍化層薄膜；用第三塊掩膜版通過曝光顯影形成光刻膠圖案，去除未被光刻膠覆蓋的鈍化層薄膜，使部分漏電極暴露出來；在基板上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，利用離地剝離工藝，剝離尚存的光刻膠，其上沉積的透明導(dǎo)電薄膜也隨之去除，鈍化層薄膜上表面以及部分漏電極上表面的透明導(dǎo)電薄膜保留下來，形成透明像素電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于由所述灰色調(diào)半透明掩膜版定義的曝光顯影后無光刻膠的區(qū)域包括透明像素電極、柵極掃描線和與外部電路連接部分；半透明區(qū)域包括薄膜晶體管溝道部分；保留全部光刻膠的區(qū)域包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)掃描線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于所述曝光顯影形成所述鈍化層圖案時(shí)，控制曝光顯影條件形成側(cè)壁垂直的光刻膠圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于對(duì)所述鈍化層薄膜刻蝕時(shí)，形成側(cè)壁內(nèi)凹的鈍化層薄膜圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于對(duì)所述鈍化層薄膜刻蝕時(shí)，形成側(cè)壁內(nèi)凹的鈍化層薄膜圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于所述第三塊掩膜版可以是普通的掩膜版；采用所述離地剝離工藝時(shí)，剝離液只與光刻膠進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，不腐蝕包括透明導(dǎo)電薄膜在內(nèi)的其它材料，光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜隨光刻膠的剝離而被去除。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種制作薄膜晶體管陣列基板的方法，其特征在于所述第三塊掩膜版可以是普通的掩膜版；采用所述離地剝離工藝時(shí)，剝離液只與光刻膠進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，不腐蝕包括透明導(dǎo)電薄膜在內(nèi)的其它材料，光刻膠上的透明導(dǎo)電薄膜隨光刻膠的剝離而被去除。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明公開的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板結(jié)構(gòu)通過增大透明像素電極與薄膜晶體管的漏電極的接觸面積，來形成良好的電連接。本發(fā)明公開的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板的制造方法包含三次掩膜版光刻工藝步驟首先，使用第一個(gè)普通掩膜版進(jìn)行第一層金屬薄膜的圖案定義，形成柵極掃描線和柵電極；然后，使用第二個(gè)掩膜版，即灰色調(diào)半透明掩膜版進(jìn)行第二層金屬薄膜和有源層的圖案定義，形成數(shù)據(jù)掃描線、硅島、源漏電極和薄膜晶體管的溝道；最后，使用第三個(gè)普通掩膜版進(jìn)行第二層絕緣薄膜，即鈍化膜的圖案定義，再利用離地剝離工藝形成透明導(dǎo)電薄膜的圖案，即透明像素電極。本方法減少掩膜版的數(shù)目和光刻工藝次數(shù)，簡(jiǎn)化了薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板制造工藝。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1987622SQ20051013242
公開日2007年6月27日 申請(qǐng)日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月23日
發(fā)明者龍春平 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司