專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種提升發(fā)光亮度的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，因?yàn)榘l(fā)光二極管制造技術(shù)的快速進(jìn)步，使得發(fā)光二極管的發(fā)光效率增加。因此，發(fā)光二極管開始在照明領(lǐng)域上應(yīng)用，例如以發(fā)光二極管制造的手電筒或發(fā)光二極管的汽車頭燈。
發(fā)光二極管芯片常配合不同顏色的熒光粉，借以激發(fā)出所需顏色的光源?，F(xiàn)有熒光粉是混合于封裝發(fā)光二極管芯片的樹脂中，烘烤后散布于發(fā)光二極管芯片的周圍。因?yàn)闊晒夥郾戎剌^大的原因，熒光粉在烘烤后并不能均勻散布于發(fā)光二極管芯片的周圍，而影響熒光粉被激發(fā)的效率。
為了使發(fā)光二極管組件整體的發(fā)光效率增加，發(fā)光二極管光電組件的制造商都在極力的尋求解決方式，以克服上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此本實(shí)用新型的目的就是在提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，用以提升發(fā)光二極管激發(fā)其周圍熒光粉的效率。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，將發(fā)光二極管芯片先形成一覆晶結(jié)構(gòu)單體，再封裝入反射器中。覆晶結(jié)構(gòu)單體是一發(fā)光二極管芯片，以覆晶方式固定于一基板上，且覆蓋上一混合熒光粉的樹脂。此覆晶結(jié)構(gòu)單體以樹脂封裝于反射器的凹陷中。覆晶結(jié)構(gòu)單體的設(shè)計(jì)有效的增加了熒光粉被激發(fā)的效率。
由上述可知，應(yīng)用本實(shí)用新型的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，通過覆晶結(jié)構(gòu)及均勻散布熒光粉于芯片四周，有效的增加了熒光粉被激發(fā)的效率，而提升二極管發(fā)光組件整體的發(fā)光效率。


圖1所示為依照本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的覆晶結(jié)構(gòu)單體剖面圖；圖2所示為依照本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的分解圖；以及圖3所示為依照本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
附圖標(biāo)記說明100覆晶結(jié)構(gòu)單體102芯片102a/102b電極104混合熒光粉的樹脂層106基板106a/106b導(dǎo)電區(qū)110反射器112凹陷114樹脂層具體實(shí)施方式
為了使二極管發(fā)光組件的整體發(fā)光效率更好，本實(shí)用新型提出一種改進(jìn)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，將發(fā)光二極管芯片先形成一覆晶結(jié)構(gòu)單體，再封裝入反射器中。覆晶結(jié)構(gòu)單體是一發(fā)光二極管芯片，以覆晶方式固定于一基板上，且覆蓋上一混合熒光粉的樹脂。此覆晶結(jié)構(gòu)單體有效的增加了熒光粉被激發(fā)的效率。以下將通過實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，其所示為依照本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的覆晶結(jié)構(gòu)單體剖面圖。不同于現(xiàn)有的封裝方法—將發(fā)光二極管直接封裝入反射器中，本實(shí)用新型先將發(fā)光二極管芯片形成一覆晶結(jié)構(gòu)單體100，再封裝入反射器中。覆晶結(jié)構(gòu)單體100是一發(fā)光二極管芯片102，以覆晶方式固定于一基板106上。發(fā)光二極管芯片102的電極102a及102b分別與基板106上的導(dǎo)電區(qū)106a及106b接觸。發(fā)光二極管芯片102的周圍覆蓋一混合熒光粉的樹脂層104?；旌蠠晒夥鄣臉渲瑢?04是以模壓制程成型，使混合于其內(nèi)的熒光粉得以均勻的散布于發(fā)光二極管芯片102的周圍?；旌蠠晒夥鄣臉渲瑢?04的材質(zhì)可以是環(huán)氧樹脂、壓克力(Acrylic)、硅膠或上述材料的組合。此外，發(fā)光二極管芯片102以覆晶方式固定在一基板106上的結(jié)構(gòu)，更使發(fā)光二極管芯片102得以發(fā)出更多的光來激發(fā)均勻散布于其四周的熒光粉，進(jìn)而提升二極管發(fā)光組件整體的發(fā)光效率。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其所示為依照本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的分解圖。覆晶結(jié)構(gòu)單體100焊接于反射器110的凹陷112內(nèi)。反射器材質(zhì)可以是環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或以上材質(zhì)的任意組合。凹陷12可以鍍上一金屬反射層，其材質(zhì)可以是金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫、鎂或以上材質(zhì)的任意組合。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其所示為依照本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。覆晶結(jié)構(gòu)單體100焊接于反射器110的凹陷112內(nèi)后，樹脂層114接著填入凹陷并烘干。樹脂層114的材質(zhì)可以是環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。因?yàn)榘l(fā)光二極管芯片102以覆晶方式固定于基板106，使得其電極102a及102b(參照?qǐng)D1)不會(huì)阻擋光線，進(jìn)而可以發(fā)出更多的光激發(fā)均勻散布于其四周混合熒光粉的樹脂層104內(nèi)的熒光粉。
由上述本實(shí)用新型較佳實(shí)施例可知，應(yīng)用本實(shí)用新型的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，通過覆晶結(jié)構(gòu)及均勻散布熒光粉于芯片四周，有效的增加了熒光粉被激發(fā)的效率，而提升二極管發(fā)光組件整體的發(fā)光效率。
雖然本實(shí)用新型已以一較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉此技術(shù)的人，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可作各種的改動(dòng)與修飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包含一反射器，具有一凹陷部；一基板，焊接于該凹陷部內(nèi)；一發(fā)光二極管芯片，以覆晶方式固定于所述的基板上；一混合熒光粉的第一樹脂層，覆蓋于所述的發(fā)光二極管芯片的周圍；以及一第二樹脂層，填入所述的凹陷部借以封裝該發(fā)光二極管芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的反射器材質(zhì)是環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或以上材質(zhì)的任意組合。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的凹陷部還包含一金屬反射層，其材質(zhì)是金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫、鎂或以上材質(zhì)的任意組合。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一樹脂層是環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第二樹脂層是環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
專利摘要一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，將發(fā)光二極管芯片先形成一覆晶結(jié)構(gòu)單體，再封裝入反射器中。覆晶結(jié)構(gòu)單體是一發(fā)光二極管芯片，以覆晶方式固定于一基板上，且覆蓋上一混合熒光粉的樹脂。此覆晶結(jié)構(gòu)單體有效的增加了熒光粉被激發(fā)的效率。
文檔編號(hào)H01L33/00GK2826702SQ20052000459
公開日2006年10月11日 申請(qǐng)日期2005年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月5日
發(fā)明者張正宜, 蔡志嘉, 陳崇福 申請(qǐng)人:億光電子工業(yè)股份有限公司