發(fā)光二極管封裝體及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝體，包括基板、設置在基板上表面的第一電極、第二電極及位于第一電極及第二電極之間的發(fā)光二極管，還包括由疏水性材料制成的擋圈，所述擋圈固定于所述基板上且圍設所述發(fā)光二極管于其內，封裝層形成在所述擋圈內并包覆所述發(fā)光二極管，所述封裝層包括一底面及自底面延伸的弧形側面，所述封裝層的弧形側面貼設所述擋圈的內表面。
【專利說明】
發(fā)光二極管封裝體及其制造方法
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝體及其制造方法。
【背景技術】
[0002] LED作為一種高效光源，具有環(huán)保、省電、壽命長等諸多特點已經被廣泛應用到各 種領域。
[0003] 傳統(tǒng)的LED封裝體將LED芯片固定在封裝基板上，通過在LED芯片外圍涂覆封裝 材料層而保護LED芯片。所述的大部分封裝材料層由膠體與熒光粉混合而成，自LED芯片 出射的光線進入封裝材料層并激發(fā)熒光粉后出射至外界。然而普通封裝材料層中，因膠體 固有的強粘滯性使得形成在LED各周緣部的封裝材料層形狀不一，導致自LED芯片出射的 光線對熒光粉的激發(fā)程度不一而使LED封裝體出光不均勻。
【發(fā)明內容】
[0004] 有鑒于此，有必要提供一種出光均勻的發(fā)光二極管封裝體及其制造方法。
[0005] -種發(fā)光二極管封裝體，包括基板、設置在基板上表面的第一電極、第二電極及位 于第一電極及第二電極之間的發(fā)光二極管，還包括由疏水性材料制成的擋圈，所述擋圈固 定于所述基板上且圍設所述發(fā)光二極管于其內，封裝層形成在所述擋圈內并包覆所述發(fā)光 二極管，所述封裝層包括一底面及自底面延伸的弧形側面，所述封裝層的弧形側面貼設所 述擋圈的內表面。
[0006] 本發(fā)明中，所述擋圈使得所述封裝層相互聚集后關于發(fā)光二極管對稱，所述發(fā)光 二極管產生的光線可均勻激發(fā)所述封裝層中的熒光粉而均勻出光，從而提高了當所述發(fā)光 二極管封裝體出光均勻性。
【附圖說明】
[0007] 圖1是本發(fā)明所述發(fā)光二極管封裝體的立體圖。
[0008] 圖2為圖1所示發(fā)光二極管封裝體的沿II-II剖面的剖視圖。
[0009] 圖3為圖1所示發(fā)光二極管封裝體的俯視圖。
[0010] 圖4-7為本發(fā)明所述的發(fā)光二極管封裝體制造方法流程圖。
[0011] 主要元件符號說明
如下【具體實施方式】將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0012] 如圖1-2所示，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管封裝體包括一基板10,設置在基板10 - 側表面的多個發(fā)光二極管（LED)20、一第一電極11和一第二電極12、設置在基板10上且分 別圍設在發(fā)光二極管20周圍的多個擋圈30、以及設置于擋圈30內用以包覆所述發(fā)光二極 管20的封裝層40。
[0013] 所述基板10呈長方體狀，其由可透光的透明材料，如玻璃，藍寶石等制成。在本實 施例中所述基板10具有如下尺寸：長度L :30毫米；寬度W為：0. 8毫米；高度Η為：0. 4毫 米。
[0014] 所述基板10包括一上表面101、一與上表面101相對的下表面102。
[0015] 所述第一電極11和第二電極12分別固定在基板10的上表面101的兩端且與發(fā) 光二極管20間隔設置。
[0016] 所述多個發(fā)光二極管20固定在基板10的上表面101上且位于第一電極21與第 二電極22之間。在本實施例中，所述發(fā)光二極管20的數(shù)量為兩個的時候，所述發(fā)光二極管 20之間通過串行連接后其引出的兩端分別與第一電極21和第二電極22電連接。
[0017] 可以理解的，在其他實施例中，所述發(fā)光二極管20為單個時，所述多個發(fā)光二極 管20的Ν電極和Ρ電極直接與基板10的第一電極11和第二電極12電連接。
[0018] 請同時參考圖3，所述擋圈30為疏水性材料制成的一環(huán)形結構，所述擋圈30的材 料可為光致抗蝕劑。所述擋圈30設置在所述基板10的上表面101將所述發(fā)光二極管20 圍設其中。在本實施例中，所述擋圈30的橫截面呈圓形，其高度為HI :100-300微米，最佳 高度H1為200微米；厚度W1為：0. 05-0. 1微米，最佳厚度W1為0. 07微米。
[0019] 所述擋圈30具體包括連接基板10的上表面101的內側壁31、外側壁32和連接內 側壁31與外側壁32的頂壁33。在本實施例中，所述內側壁31和外側壁32為為自上表面 101垂直向上延伸的圓弧面，頂壁33為與上表面101平行的圓弧面。
[0020] 所述封裝層40由膠體與熒光粉混合而成。所述封裝層40設置在基板10的上表 面101位于所述擋圈30內側處且包覆所述發(fā)光二極管20。所述封裝層40包括一底面41 和自底面41邊緣朝向內側壁31處延伸的弧形側面42。所述底面41呈水平面。在本實施 例中，所述弧形側面42與所述擋圈30的內側壁31之間夾角為A :30-60度，最佳角度A為 45度，所述封裝層40的高度為H2 :1-3毫米，最佳高度H2為2毫米。所述封裝層40關于 所述發(fā)光二極管20的光軸對稱。
[0021] 本發(fā)明還提供上述發(fā)光二極管封裝結構的制造方法，具體步驟如下： 步驟一：如圖4所示，提供一基板10 ; 所述基板10呈長方體，其由可透光的透明材料制成。基板10包括一上表面101和與 上表面101相對的下表面102。所述上表面101兩端設置有第一電極11和第二電極12。
[0022] 步驟二：如圖5所示，在基板10的上表面101上設置發(fā)光二極管20,并在發(fā)光二 極管20周圍定義出一涂設區(qū)域； 步驟三：如圖6所示，使用點膠機在所述發(fā)光二極管20外圍的涂設區(qū)域內涂設形成擋 圈30 ; 所述擋圈30為疏水性材料制成的一環(huán)形結構。在本實施例中，所述擋圈30的橫截面 呈圓形，其高度為100-300微米，最佳高度為200微米；厚度為0. 05-0. 1微米，最佳厚度為 0.07微米。
[0023] 步驟四：如圖7所示，在基板10于擋圈30內側部涂覆封裝層40以包覆所述發(fā)光 二極管20 ; 在本發(fā)明中，通過在所述發(fā)光二極管20外圍環(huán)設擋圈30后，設置封裝層40于擋圈30 內側并包覆發(fā)光二極管20。所述封裝層40成型時，擋圈30的疏水性對封裝層40產生斥力 而使得封裝層40相互聚集后關于發(fā)光二極管20的光軸對稱，所述發(fā)光二極管20產生的光 線可均勻激發(fā)所述封裝層40中熒光粉而產生均勻白光，從而提高發(fā)光二極管封裝體的出 光均勻性。
【主權項】
1. 一種發(fā)光二極管封裝體，包括基板、設置在基板上表面的第一電極、第二電極及位于 第一電極及第二電極之間的發(fā)光二極管，其特征在于：還包括由疏水性材料制成的擋圈，所 述擋圈固定于所述基板上且圍設所述發(fā)光二極管于其內，封裝層形成在所述擋圈內并包覆 所述發(fā)光二極管，所述封裝層包括一底面及自底面延伸的弧形側面，所述封裝層的弧形側 面貼設所述擋圈的內表面。2. 如權利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述擋圈包括與基板上表面連 接的內側壁、外?壁和連接內側壁和外側壁的頂壁。3. 如權利要求2所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述內側壁、外側壁和頂壁均為 自基板上表面垂直向上延伸的圓弧面，所述頂壁與所述基板上表面平行。4. 如權利要求2所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述弧形側面與擋圈的內側壁 之間呈30-60度的夾角。5. 如權利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述擋圈由疏水性材料制成。6. 如權利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述擋圈的高度為100-300微 米，所述擋圈的厚度為〇. 05-0. 1微米。7. 如權利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述基板呈長方體，其由可透光 的透明材料制成。8. 如權利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述封裝層由膠體與熒光粉混 合而成。9. 如權利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述封裝層關于所述發(fā)光二極 管的光軸對稱。10. -種發(fā)光二極管封裝體的制造方法，具體步驟如下： 步驟一：提供一基板，所述基板包括一上表面，所述上表面設置第一電極和第二電極； 步驟二：在基板上表面設置發(fā)光二極管，并定義出一涂設區(qū)域； 步驟三：在發(fā)光二極管外圍的涂設區(qū)域內涂設形成擋圈，所述擋圈將所述發(fā)光二極管 圍設于其中部； 步驟四：在基板于擋圈內側部涂覆封裝層以包覆所述發(fā)光二極管。
【文檔編號】H01L33/48GK105990492SQ201510074191
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月12日
【發(fā)明人】邱鏡學, 林雅雯, 凃博閔, 黃世晟
【申請人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司