專利名稱：一種真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的連接構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的真空滅弧室中，金屬屏蔽筒是套在瓷殼中，并與瓷殼通過釬焊固定的。隨著真空滅弧室朝著小型化方向的發(fā)展，金屬屏蔽筒可能采用高膨脹系數(shù)的金屬材料制作。但當(dāng)金屬屏蔽筒采用高膨脹系數(shù)的金屬材料制作時(shí)，采用現(xiàn)有的釬焊材料對(duì)屏蔽筒和瓷殼進(jìn)行直接，則可能會(huì)因瓷殼的應(yīng)力不匹配，造成瓷殼炸裂。使得產(chǎn)品質(zhì)量非常不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于，提供一種真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造。該構(gòu)造可以解決高膨脹系數(shù)的金屬屏蔽筒與瓷殼的釬焊固定問題，防止因屏蔽筒脫落或固定不牢靠、瓷殼炸裂產(chǎn)生的故障。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案。一種真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造，構(gòu)成包括屏蔽筒1和瓷殼2；其特征在于瓷殼2的內(nèi)側(cè)設(shè)有環(huán)型凸臺(tái)3，在屏蔽筒1的外側(cè)對(duì)應(yīng)于環(huán)型凸臺(tái)3上、下方位置分別設(shè)有金屬環(huán)5和金屬環(huán)4，或僅在屏蔽筒1的外側(cè)對(duì)應(yīng)于環(huán)型凸臺(tái)3下方位置設(shè)有金屬環(huán)4。
上述的真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造，金屬環(huán)4、金屬環(huán)5采用與瓷殼2的膨脹系數(shù)非常接近的金屬材料或用質(zhì)軟，延展性好的金屬材料制成。
上述的真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造，所述的金屬材料是無氧銅、鐵鎳鈷瓷封合金、銀銅合金或鎳銅合金。
與現(xiàn)有技術(shù)比較，本實(shí)用新型采用了一種新的連接構(gòu)造，解決了高膨脹系數(shù)的金屬屏蔽筒與瓷殼的釬焊固定問題。防止了因屏蔽筒的膨脹造成瓷殼的破裂，以及使屏蔽筒脫落或固定不牢靠產(chǎn)生故障。提高了產(chǎn)品的可靠性，拓寬了屏蔽筒使用材料的選擇，更有利于真空滅弧室朝著小型化的方向發(fā)展。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型采用只有一端用金屬環(huán)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型凸臺(tái)為錐面時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中標(biāo)記為，1-屏蔽筒，2-瓷殼，3-環(huán)型凸臺(tái)，4-金屬環(huán)，5-金屬環(huán)，6-金屬絲料，7-環(huán)型斜面，。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1。真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造，如圖1、2所示，構(gòu)成包括屏蔽筒1和瓷殼2，瓷殼2的內(nèi)側(cè)設(shè)有環(huán)型凸臺(tái)3，在屏蔽筒1的外側(cè)對(duì)應(yīng)于環(huán)型凸臺(tái)3上、下方位置分別設(shè)有金屬環(huán)5和金屬環(huán)4或僅在下方位置設(shè)有金屬環(huán)4。金屬環(huán)4和金屬環(huán)5用質(zhì)軟，延展性好的金屬或用與瓷殼2的膨脹系數(shù)非常接近的金屬材料制成，這些金屬材料可以是無氧銅、鐵鎳鈷瓷封合金、銀銅合金或鎳銅合金。如圖3所示，環(huán)型凸臺(tái)3的上部也可制作成環(huán)型斜面7，如果這樣，金屬環(huán)5也可用金屬絲料6代替。
本實(shí)用新型中，金屬環(huán)的高度和幾何形狀根據(jù)設(shè)計(jì)需要可以有所變動(dòng)，瓷殼內(nèi)的環(huán)型凸臺(tái)也可以沿軸向移動(dòng)。屏蔽筒可以使用兩節(jié)分體式的，也可以使用一體化的。
權(quán)利要求1.一種真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造，構(gòu)成包括屏蔽筒(1)和瓷殼(2)；其特征在于瓷殼(2)的內(nèi)側(cè)設(shè)有環(huán)型凸臺(tái)(3)，在屏蔽筒(1)的外側(cè)對(duì)應(yīng)于環(huán)型凸臺(tái)(3)上、下方位置分別設(shè)有金屬環(huán)(5)和金屬環(huán)(4)，或僅在屏蔽筒(1)的外側(cè)對(duì)應(yīng)于環(huán)型凸臺(tái)(3)下方位置設(shè)有金屬環(huán)(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造，其特征在于金屬環(huán)(4)、金屬環(huán)(5)用與瓷殼(2)的膨脹系數(shù)非常接近的金屬材料或用質(zhì)軟，延展性好的金屬材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造，其特征在于所述的金屬材料是無氧銅、鐵鎳鈷瓷封合金、銀銅合金或鎳銅合金。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種真空滅弧室中屏蔽筒與瓷殼的新型連接構(gòu)造。它包括屏蔽筒(1)和瓷殼(2)；特點(diǎn)是瓷殼(2)的內(nèi)側(cè)設(shè)有環(huán)型凸臺(tái)(3)，在屏蔽筒(1)的外側(cè)對(duì)應(yīng)于環(huán)型凸臺(tái)(3)上、下方位置分別設(shè)有金屬環(huán)(5)和金屬環(huán)(4)，或僅在屏蔽筒(1)的外側(cè)對(duì)應(yīng)于環(huán)型凸臺(tái)(3)下方位置設(shè)有金屬環(huán)(4)。本實(shí)用新型解決了高膨脹系數(shù)的金屬屏蔽筒與瓷殼的釬焊固定問題。防止了因屏蔽筒的膨脹造成瓷殼的破裂，以及使屏蔽筒脫落或固定不牢靠產(chǎn)生故障。提高了產(chǎn)品的可靠性，拓寬了屏蔽筒使用材料的選擇，更有利于真空滅弧室朝著小型化的方向發(fā)展。
文檔編號(hào)H01H33/664GK2829059SQ200520006379
公開日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2005年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
發(fā)明者王德志 申請(qǐng)人:中國(guó)振華(集團(tuán))科技股份有限公司宇光分公司