專利名稱：一種滅弧室瓷套的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型所屬的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種電料，具體地說是涉及一種運(yùn)用于252KV的 滅弧室瓷套。
技術(shù)背景瓷套，包括中間的瓷柱和兩端的法蘭盤，目前，涉及運(yùn)用于252KV這樣高電壓等級 的瓷套大都是圓柱形的，即瓷柱內(nèi)部的空心是一個底面積相同的圓柱體，這樣的瓷套具有 爬電距離短、安全性不高、耐受力不強(qiáng)的特點(diǎn)；另外現(xiàn)有的瓷套在設(shè)計尺寸上也有缺點(diǎn)，難 以滿足客戶對爬電長、耐受力高、扭矩大的要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種耐受力更高、爬距大的252KV滅弧室
ο本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是；一種滅弧室瓷套，包括中間的瓷柱和兩端的法 蘭盤，其特征在于瓷柱的外形是大圓柱的兩個底面分別連接上圓臺和下圓臺的大底面、上 圓臺和下圓臺的小底兩端又分別連接上小圓柱和下小圓柱組成的具有空心部分紡錘形；所 述的瓷套的長度是2500mm ；所述的法蘭盤包括上法蘭盤和下法蘭盤，所述上法蘭盤的高度 是105mm，直徑為436mm ；所述下法蘭盤的高度是130mm，直徑為456mm ；所述的瓷柱還包括 外部間隔的大傘和小傘，大傘為34個，小傘為33個。本實(shí)用新型的有益效果是由于瓷柱采取了空心紡錘形具有爬電距離大，彎曲破 壞力矩大的特點(diǎn)；由于上述的具體尺寸結(jié)構(gòu)使得這樣的滅弧室瓷套具有爬電距離可以達(dá)到9400mm ； 瓷套內(nèi)水壓破壞力矩不小于ISMpa ；破壞壓力大于3. 7Mpa ；能夠滿足高電壓，大力矩的需 求。

圖1是本實(shí)用新型一種滅弧室瓷套的結(jié)構(gòu)示意圖其中；1、瓷柱2、法蘭盤3、大圓柱4、上圓臺5、下圓臺6、上小圓柱7、下 小圓柱8、空心部分9、大傘10、小傘21、上法蘭盤22、下法蘭盤，L-瓷柱的高h(yuǎn)「上法蘭的高h(yuǎn)2-下法蘭的高rr上法蘭的直徑r2_下法蘭的直徑具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。如圖所示，一種滅弧室瓷套，包括中間的瓷柱1和兩端的法蘭盤2，其特征在于瓷柱1的外形是大圓柱2的兩個底面分別連接上圓臺4和下圓臺5的大底面、上圓臺4和下 圓臺5的小底兩端又分別連接上小圓柱6和下小圓柱7組成的具有空心部分8紡錘形；所 述的瓷套1的長度L是2500mm ；所述的法蘭盤2包括上法蘭盤21和下法蘭盤22，所述上 法蘭盤21的高度Ill是105mm，直徑巧為436mm ；所述下法蘭盤22的高度h2是130mm，直徑 r2為456mm ；所述的瓷柱還包括外部間隔的大傘9和小傘10，大傘9為34個，小傘10為33 個。本實(shí)用新型在礦山、鐵路等領(lǐng)域運(yùn)用廣泛。
權(quán)利要求一種滅弧室瓷套，包括中間的瓷柱和兩端的法蘭盤，其特征在于瓷柱的外形是大圓柱的兩個底面分別連接上圓臺和下圓臺的大底面、上圓臺和下圓臺的小底兩端又分別連接上小圓柱和下小圓柱組成的具有空心部分紡錘形。
2.根據(jù)權(quán)力要求1所述的瓷套，其特征在于所述的瓷套的長度是2500mm；所述的法 蘭盤包括上法蘭盤和下法蘭盤，所述上法蘭盤的高度是105mm，直徑為436mm ；所述下法蘭 盤的高度是130mm，直徑為456mm ；所述的瓷柱還包括外部間隔的大傘和小傘，大傘為34個， 小傘為33個。
專利摘要本實(shí)用新型所屬的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種電料，涉及一種滅弧室瓷套。其包括中間的瓷柱和兩端的法蘭盤，瓷柱的外形是大圓柱的兩個底面分別連接上圓臺和下圓臺的大底面、上圓臺和下圓臺的小底兩端又分別連接上小圓柱和下小圓柱組成的具有空心部分紡錘形；所述的瓷套的長度是2500mm；所述的法蘭盤包括上法蘭盤和下法蘭盤，所述上法蘭盤的高度是105mm，直徑為436mm；所述下法蘭盤的高度是130mm，直徑為456mm；由于瓷柱采取了空心紡錘形具有爬電距離大，彎曲破壞力矩大的特點(diǎn)；在礦山、鐵路等領(lǐng)域運(yùn)用廣泛。
文檔編號H01B17/58GK201562509SQ200920257929
公開日2010年8月25日 申請日期2009年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者胡月香 申請人:河南愛迪德電力設(shè)備有限責(zé)任公司