專利名稱：帶屏蔽的真空斷路器室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于中壓開關(guān)設(shè)備的帶屏蔽的真空斷路器室。已知在緊湊結(jié)構(gòu)中為真空斷路器室裝備燒損用于大量短路電流切斷的一個(gè)防燒損屏蔽。真空斷路器室被用于低壓技術(shù)、中壓技術(shù)和高壓技術(shù)中。
上述用于真空斷路器室的屏蔽主要由材料銅和/或精煉鋼構(gòu)成。對(duì)于主要用于低壓技術(shù)、中壓技術(shù)或高壓技術(shù)中的真空斷路器室，在緊湊結(jié)構(gòu)的真空斷路器室中，包圍電路系統(tǒng)的屏蔽被很高地?zé)峒虞d。這個(gè)加載來源于金屬蒸氣電弧的等離子輻射，并且在磨損的弧中通過與屏蔽的直接接觸而產(chǎn)生。
在最后提到的那種情況下，防燒損材料是有利的。在大量應(yīng)用中，短路電流切斷的可實(shí)現(xiàn)數(shù)量受到精煉鋼屏蔽或銅屏蔽的熔斷的限制。在要求短路電流切斷的數(shù)量特別高的情況下，通過使用銅鉻氣缸管截面(復(fù)合材料-銅鉻)而增強(qiáng)包圍接觸系統(tǒng)的屏蔽。已知，屏蔽由鉻含量大于15％重量的復(fù)合材料銅鉻構(gòu)成。此外，出于成本的原因，不使用由CuCr構(gòu)成的附加屏蔽。
而且，為此已知通過粉末燒結(jié)處理形成的銅鉻屏蔽的燒結(jié)處理。為此，對(duì)于不同直徑，用于生成生坯的擠壓工具是必需的。隨后，通過在氫環(huán)境、惰性氣體環(huán)境或真空環(huán)境中在攝氏1000度左右溫度下燒結(jié)生坯而實(shí)現(xiàn)緊密材料的生產(chǎn)。
另一種方法是等離子金屬噴鍍，即用于涂覆銅鉻層的熱處理。等離子金屬噴鍍通過有利的方式，基于鉻在惰性氣體環(huán)境中強(qiáng)的吸氣效應(yīng)來執(zhí)行。但是，不可避免的是噴鍍層中更高的氣體含量。
另一種方法是所謂的MLC處理。這使用于生成真空斷路器室屏蔽或真空斷路器室接觸塊的板形(Blechform)的處理。
這在DE 19747242 C2中已知。
通過銅鉻屏蔽的使用，用于構(gòu)造緊湊真空斷路器室的設(shè)計(jì)帶寬更大了。但這樣會(huì)帶來真空斷路器室更高的成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)在于增加可能的短路電流切斷的數(shù)量。
根據(jù)本發(fā)明，在相應(yīng)類型的真空斷路器室中通過權(quán)利要求1中特征部分中的特征來實(shí)現(xiàn)所列出的任務(wù)。
其他有利實(shí)施方式在從屬權(quán)利要求中給出。
可通過根據(jù)本發(fā)明地使用低合金的銅材料來避免上述缺點(diǎn)，其中根據(jù)已知的成型法深沖或擠壓，用低合金的銅材料生成防燒損的屏蔽。
為了提高屏蔽的防燒損性能，由低合金的銅材料，例如具有鉻或鋯的銅合金，制造預(yù)制(einbaufertig)的屏蔽。鉻含量在＞0和5％重量之間的范圍中。有利地，由成分為Cr0.8、Zr0.08和其余為銅的普通合金CuCrZr(2.1293)生產(chǎn)屏蔽。
本發(fā)明的核心是，整個(gè)屏蔽由低合金的、并因此防燒損的合金構(gòu)成，其中這種合金由鉻和/或鋯在0和10％重量之間的銅構(gòu)成。
在另一有利實(shí)施方式中，屏蔽由CuCrZr合金構(gòu)成，成分為Cr0.8，Zr0.08和其余的銅，或者由CuCrAgFeTiSi合金構(gòu)成。
隨后可以通過一種標(biāo)準(zhǔn)造型方法(例如深沖)生成屏蔽。因此，可以避免附加的工作次序，例如制造防燒損的附加屏蔽部件或構(gòu)件的涂敷。
在另一有利實(shí)施方式中，真空斷路器室的屏蔽只是部分地由合金生產(chǎn)。
在另一有利實(shí)施方式中，除了根據(jù)上述內(nèi)容而制造的屏蔽之外，還附加地包括屏蔽涂層，在這個(gè)屏蔽涂層中，在銅中可以合金化或包含其他元素，即鎢和/或鉬和/或鉑和/或鉻和/或釔和/或鈀和/或銀。


本發(fā)明被表示在附圖中，并且以下對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
具體實(shí)施例方式
在附圖中顯示了包圍接觸系統(tǒng)的屏蔽部分。屏蔽部件10可以如圖所示地被構(gòu)造為屏蔽的一部分，或也可以被構(gòu)造為完整屏蔽。此外，通過選擇上述合金中的一種，存在這樣的可能性，即在深沖時(shí)或在將材料擠壓到屏蔽部件10上時(shí)在部件上形成卷邊(20)。
權(quán)利要求
1.用于中壓設(shè)備的帶屏蔽的真空斷路器室，其特征在于，整個(gè)屏蔽由低合金的并因此防燒損的合金構(gòu)成，其中所述合金由具有0.01和10％重量的鉻和/或鋯的銅構(gòu)成。
2.用于中壓設(shè)備的帶屏蔽的真空斷路器室，其特征在于，整個(gè)屏蔽由低合金的并因此防燒損的合金構(gòu)成，其中所述合金由具有0.1到0.5％重量的鉻和/或銀的銅構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的真空斷路器室，其特征在于，所述屏蔽由CuCrZr合金構(gòu)成，成分為Cr0.8Zr0.08和其余的銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3的真空斷路器室，其特征在于，所述屏蔽由CuCrAgFeTiSi合金構(gòu)成，成分為Cr0.5Ag0.1和富集FeTiSi和其余的銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1，2或3的真空斷路器室，其特征在于，所述屏蔽只有一部分由上述成分構(gòu)成。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的真空斷路器室，其特征在于，附加地具有涂層的屏蔽由具有合金成分鎢和/或鉬和/或鉑和/或鉻和/或釔和/或鈀和/或銀的銅構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的用于中壓設(shè)備的帶屏蔽的真空斷路器室。本發(fā)明的目的是增大可能的短路電流切斷的數(shù)量。為此，整個(gè)屏蔽由低合金的并因此防燒損的合金構(gòu)成，其中所述合金由具有0.01到10％重量的鉻和/或鋯的銅、或者由具有0.1到0.5％重量的鉻和/或銀的銅構(gòu)成。
文檔編號(hào)H01H33/66GK1918683SQ200580004695
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2005年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月11日
發(fā)明者迪特瑪爾·根茨克 申請(qǐng)人:Abb技術(shù)股份公司