專利名稱：半導(dǎo)體裝置、顯示模塊以及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及被稱為COF(Chip On FPC，Chip On Film)的、在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板上具有布線圖形，并且半導(dǎo)體芯片連接到該布線圖形上的半導(dǎo)體裝置、顯示模塊以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
作為顯示模塊，例如可以在有源矩陣型等的液晶顯示模塊中使用，同時，除電泳型顯示器、扭曲球(twist ball)型顯示器、使用了微小棱鏡片的反射型顯示器、使用了數(shù)字反射鏡裝置等的光調(diào)制元件的顯示器之外，也可以在使用了有機EL發(fā)光元件、無機EL發(fā)光元件、LED(Light Emitting Diode發(fā)光二極管)等發(fā)光亮度可變的元件作為發(fā)光元件的顯示器、場致發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示器中使用。
以前，作為液晶模塊120，如圖8所示，將半導(dǎo)體芯片104連接到形成了布線圖形102、103的由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板101上的半導(dǎo)體裝置，即COF(Chip On FPC，Chip On Film)110采用各向異性導(dǎo)電粘接劑(ACFAnisotropic Conductive Film)111粘接、并安裝到液晶顯示面板121上。
但是，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置、顯示模塊、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法中，由絕緣膜構(gòu)成的基板101和各向異性導(dǎo)電粘接劑111的粘接強度低、由于安裝后的機械應(yīng)力而在基板101和各向異性導(dǎo)電粘接劑111的粘接部可能會產(chǎn)生剝離。
為此，為了防止發(fā)生上述粘接部的剝離所引起的電氣缺陷，如圖8所示，以前需要在與液晶顯示面板121的接合部周邊追加涂敷增強劑112、113，導(dǎo)致在制造顯示模塊方面成本增大。
并且，為了提高增強劑的粘合性，例如，在日本國公開專利公報“特開平6-157875號公報(1994年6月7日公開)”中，使用環(huán)氧樹脂、松香脂、以及可溶性的聚酰亞胺硅氧烷構(gòu)成的、在有機溶劑中具有較高溶解性的環(huán)己烷聚酰亞胺溶液組成物作為增強劑，由此，能夠容易地進(jìn)行涂敷、干燥以及固化。
但是，上述公報的半導(dǎo)體裝置、顯示模塊、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法中，因為畢竟將所追加的增強劑112、113作為前提，因而不能在本質(zhì)上解決問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑的粘合性、并能夠排除所追加的粘合增強劑的半導(dǎo)體裝置、顯示模塊、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置涉及一種在由有機物構(gòu)成的絕緣膜形成的基板上具有布線圖形、并安裝了半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置，在上述絕緣膜的至少一個表面上進(jìn)行硅偶連(siliconcoupling)劑處理的同時，作為上述硅偶連劑之構(gòu)成要素的硅(Si)在絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)。
根據(jù)上述發(fā)明，用硅偶連劑對由有機物構(gòu)成的絕緣膜的表面進(jìn)行表面處理。因此，使用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接半導(dǎo)體裝置的布線圖形和外部電路基板的布線時，提高由絕緣膜構(gòu)成的基板與各向異性導(dǎo)電粘接劑的粘合性。作為其波及效果，可以減少因剝離引起的電氣缺陷，同時，不需要涂敷所追加的增強劑，即可實現(xiàn)降低成本。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，作為上述硅偶連劑的構(gòu)成元素的硅(Si)在絕緣膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)。
由此，可以可靠地提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性。此外，作為其波及效果，可以減少因剝離引起的電氣缺陷，同時，不需要涂敷追加的增強劑，即可實現(xiàn)降低成本。
其結(jié)果是，可以提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性、并能夠排除所追加的粘合增強劑的半導(dǎo)體裝置。
此外，如上所述，本發(fā)明的顯示模塊是使用了上述記載的半導(dǎo)體裝置的顯示模塊，是用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和上述半導(dǎo)體裝置的顯示模塊。
因此，可以提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑的粘合性、并能夠排除所追加的粘合增強劑的顯示模塊。
此外，如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含以下工序采用在絕緣膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)作為構(gòu)成元素的硅(Si)的硅偶連劑對由有機物構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理；在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板上形成布線圖形、并安裝半導(dǎo)體芯片。
因此，可以提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性粘接劑的粘合性、并能夠排除所追加的粘合增強劑的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
通過以下的記載可充分理解本發(fā)明的其它目的、特征以及優(yōu)點。此外，通過參照附圖所進(jìn)行的下述說明可以清楚本發(fā)明的優(yōu)點。


圖1(a)是表示本發(fā)明的液晶模塊的一個實施方式的剖面圖。
圖1(b)是表示安裝于上述液晶模塊上的半導(dǎo)體裝置的基板上所使用的、由硅偶連劑進(jìn)行表面處理后的絕緣膜的剖面圖。
圖2(a)是表示由上述COF構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖2(b)是表示由上述COF構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖3是表示在上述基板上安裝了多個半導(dǎo)體芯片以及電子部件的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖4是表示上述半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖面圖。
圖5是表示用上述硅偶連劑進(jìn)行表面處理后的絕緣膜的粘接強度測量方法的剖面圖。
圖6(a)是表示未用上述硅偶連劑進(jìn)行表面處理的絕緣膜的粘接強度測量結(jié)果的圖表。
圖6(b)是表示使用了上述硅偶連劑進(jìn)行表面處理后的情況下的絕緣膜的粘接強度測量結(jié)果的圖表。
圖7是表示上述硅偶連劑的添加量所引起的粘接強度測量結(jié)果的圖表。
圖8是表示現(xiàn)有的液晶模塊的剖面圖。
具體實施例方式
參照圖1至圖7對本發(fā)明的一個實施方式進(jìn)行如下說明。
如圖1(a)所示，作為本實施方式的顯示模塊的液晶模塊20，是在作為由TFT(Thin Film Transistor薄膜晶體管)基板21a以及濾光片基板21b構(gòu)成的顯示面板的液晶顯示面板21上安裝了半導(dǎo)體芯片10而構(gòu)成的。此外，在上述半導(dǎo)體裝置10的與液晶顯示面板21相反一側(cè)安裝了PW(Printed Wiring印制線路)基板30。并且，這些液晶顯示面板21以及PW基板30具有作為本發(fā)明的外部電路基板的功能。
上述半導(dǎo)體裝置10是用于驅(qū)動上述液晶顯示面板21的裝置，如圖2(a)、圖2(b)所示，半導(dǎo)體芯片4連接到形成了布線圖形2、3的由有機物構(gòu)成的絕緣薄膜所構(gòu)成的基板1上，以所謂的COF(ChipOn FPC，Chip On Film)來形成。即，在COF中，直接在柔性薄膜上安裝半導(dǎo)體芯片4。
上述布線圖形2、3例如是在銅(Cu)構(gòu)成的布線上進(jìn)行錫(Sn)電鍍而成的。此外，在半導(dǎo)體芯片4上設(shè)置了由金(Au)構(gòu)成的突起電板5。并且，該突起電極5和上述布線2、3相連接，由此，使二者電連接。
即，COF的半導(dǎo)體芯片4上的突起電極5和絕緣膜上的布線圖形2、3相接合時進(jìn)行對位，以使實施了錫電鍍的布線圖形2、3和半導(dǎo)體芯片4上的金(Au)突起電極5相對，從與半導(dǎo)體芯片4的形成突起電極5的面相反側(cè)的面、或者與絕緣膜的形成布線圖形2、3的面相反側(cè)的面施加一定時間的熱壓焊，并通過金(Au)-錫(Sn)的合金進(jìn)行接合。
此外，本實施方式中，例如，將突起電極5和絕緣膜上的布線圖形2、3進(jìn)行接合后，向半導(dǎo)體芯片4和絕緣膜之間所形成的間隙以及半導(dǎo)體芯片4的周邊注入由樹脂構(gòu)成的填充材料6。由此，謀求提高半導(dǎo)體裝置10的耐濕性以及機械強度。
并且，根據(jù)需要，在絕緣膜的外部連接端子以外、以及半導(dǎo)體芯片4和其外周部上以外的絕緣膜上涂敷由絕緣材料構(gòu)成的阻焊劑7。由此，可防止導(dǎo)電性異物直接附著在布線圖形2、3上而造成的短路。
并且，在制造過程中，上述半導(dǎo)體裝置10與圖2(a)所示的連續(xù)的絕緣膜相連續(xù)地設(shè)置多個。因此，如圖2(a)所示，通過以該絕緣膜的用戶(user)外形8進(jìn)行切出，從而形成為在由絕緣膜構(gòu)成的基板1上安裝了半導(dǎo)體芯片4的1個半導(dǎo)體裝置10。
但是，在本實施方式的液晶模塊20中，如圖1(a)所示，使用各向異性導(dǎo)電粘接劑(ACFAnisotropic Conductive Film)11將上述半導(dǎo)體裝置10粘接在液晶顯示面板21以及PW基板30上，由此，進(jìn)行電連接。該各向異性導(dǎo)電粘接劑11是在厚度為15～45μm的粘合性薄膜中分散直徑為3～15μm的導(dǎo)電粒子的粘接劑。因此，因為是導(dǎo)電粒子分散在薄膜中，所以各向異性導(dǎo)電粘接劑11本身是絕緣物。但是，通過在電路圖形之間填入該各向異性導(dǎo)電粘接劑11，并進(jìn)行加熱、加壓，由此，可使上下的電極間導(dǎo)通、使相鄰的電極間絕緣、并同時進(jìn)行上下的粘接。
此處，本實施方式中，如上所述，構(gòu)成上述基板1的絕緣膜由有機物構(gòu)成，同時，如圖1(b)所示，用硅偶連劑31對該基板1的表面進(jìn)行表面處理。
詳細(xì)地說，本實施方式中，構(gòu)成基板1的絕緣膜例如由聚酰亞胺等有機物構(gòu)成。該聚酰亞胺是在主鏈上具有酰亞胺鍵的塑料，是耐熱性最突出的塑料之一。并且，構(gòu)成基板1的絕緣膜并不限于此，也可由其它的有機物構(gòu)成。
另一方面，在本實施方式中，硅偶連劑31使用具有例如SiOn、Si(OH)n、SiOn(OH)n等SiOX結(jié)構(gòu)作為構(gòu)成元素的物質(zhì)。并且，n的個數(shù)可變。
即，一般地，在由有機物構(gòu)成的絕緣膜的表面發(fā)生水(H2O)分子的物理吸附(范德瓦耳斯鍵)以及化學(xué)吸附(氫鍵)，所以，在絕緣膜的表面上存在水的多分子層。因此，絕緣膜的表面成為親水基。所以，例如使環(huán)氧樹脂系的各向異性導(dǎo)電粘接劑11與成為親水基的絕緣膜的表面相接觸時，在環(huán)氧樹脂的羥基(-OH)和吸附在表面上的水分子之間產(chǎn)生鍵，使環(huán)氧樹脂的粘合性降低。因此，為了迅速從絕緣膜的表面除去水的多分子層，使絕緣膜的表面具有疏水性，用硅偶連劑31對絕緣膜進(jìn)行表面處理。這樣，通過對絕緣膜進(jìn)行進(jìn)行涂敷硅偶連劑31等表面處理，從而硅偶連劑31和絕緣膜表面的羥基(-OH)反應(yīng)，從而將絕緣膜的表面作成疏水基。其結(jié)果是，提高絕緣膜和環(huán)氧樹脂的各向異性導(dǎo)電粘接劑11之間的粘合力。
本實施方式中，優(yōu)選在絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為上述硅偶連劑31之構(gòu)成元素的硅(Si)。即，硅偶連劑31成為通過包含溶劑并進(jìn)行干燥，從而在絕緣膜表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的偶連劑31。并且，優(yōu)選在絕緣膜表面存在1.0～6.0atomic％(表面元素濃度)的作為上述硅偶連劑31之構(gòu)成元素的硅(Si)。
由于存在該硅偶連劑31，如后述的實施例所示，與以前相比，可提高各向異性導(dǎo)電粘接劑11和構(gòu)成基板1的絕緣膜之間的附著強度。因此，例如，即使半導(dǎo)體裝置10的部分相對液晶顯示面板21彎曲的情況下，也可以防止由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11的剝離。此外，如圖7所示，在絕緣膜的表面上存在0.4atomic％(表面元素濃度)以下的硅偶連劑31的情況與未進(jìn)行表面處理的情況相同，看不出粘合性提高。此外，存在13atomic％(表面元素濃度)以上的硅偶連劑31時粘接強度降低。
然后，對本實施方式的半導(dǎo)體裝置10以及液晶模塊20的制造方法進(jìn)行說明。
首先，用硅偶連劑31對絕緣膜進(jìn)行表面處理。進(jìn)行表面處理時，例如，從絕緣膜的兩面噴涂硅偶連劑31，之后使其干燥。干燥也可為過熱干燥。并且，并不限于絕緣膜的兩面，也可以只是一個表面。由此，硅偶連劑31附著在絕緣膜上進(jìn)行表面處理。此外，涂裝并不限于噴涂，刷涂、滾涂等一般性的涂裝就可以。
然后，如圖2(a)、圖2(b)所示，在由上述有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板1上形成布線圖形2、3，并且，將布線圖形2、3連接到這些布線圖形2、3上，形成半導(dǎo)體裝置10。并且，在所連接的絕緣膜上進(jìn)行該半導(dǎo)體裝置10的形成工序，最后按照用戶外形8切出，形成各個半導(dǎo)體裝置10。
然后，如圖1(a)所示，使用各向異性導(dǎo)電粘接劑11電連接半導(dǎo)體裝置10的布線圖形2和液晶顯示面板21。此外，也進(jìn)行半導(dǎo)體裝置10的布線圖形3和PW基板30的連接。由此，完成液晶模塊20。
本實施方式的液晶模塊20中，通過用硅偶連劑31進(jìn)行的表面處理，可提高各向異性導(dǎo)電粘接劑11和構(gòu)成基板1的絕緣膜之間的粘接強度。其結(jié)果是，即使與現(xiàn)有技術(shù)相比使半導(dǎo)體裝置10的絕緣膜彎曲，二者也不容易剝離。由此，可減少基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11發(fā)生剝離引起的電氣缺陷，同時，不需要涂敷現(xiàn)有技術(shù)中需要追加的增強劑。
并且，本發(fā)明并不限于上述實施方式，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。例如，在上述的實施方式中，說明了設(shè)置在液晶模塊20上的半導(dǎo)體裝置10上有1個半導(dǎo)體芯片4，但并不限于此，例如，如圖3所示，也可以是在基板1上安裝了多個半導(dǎo)體芯片41、42的半導(dǎo)體裝置40。即，半導(dǎo)體芯片4可以是2、3個以上。
此外，這些多個半導(dǎo)體芯片41、42并不一定具有相同的功能，例如，可以是液晶顯示驅(qū)動用、系統(tǒng)用、或存儲器用等各種功能的半導(dǎo)體芯片。具體地說，可以是液晶驅(qū)動驅(qū)動器用的半導(dǎo)體芯片41、液晶驅(qū)動控制器用的半導(dǎo)體芯片42等。
并且，在半導(dǎo)體裝置40的基板1上不僅可以安裝半導(dǎo)體芯片41、42，還可以根據(jù)需要安裝例如電阻、電容、LED(Light EmittingDiode)等電子部件43。
此外，在上述說明中，布線圖形2、3例如可以采用錫(Sn)或錫(Sn)電鍍來形成，但是并不限于此，例如，如圖4所示，可以采用金(Au)或金(Au)電鍍來形成布線圖形2、3。
由此，可以利用由金(Au)或金(Au)電鍍構(gòu)成的布線圖形2、3和由金(Au)構(gòu)成的突起電極5的同種類的金(Au)進(jìn)行接合，所以傳輸效率提高。
這樣，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置10中，在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板1上具有布線圖形2、3，安裝半導(dǎo)體芯片4，并且用各向異性導(dǎo)電粘接劑11電連接液晶顯示面板21以及PW基板30。
并且，在本實施方式中，用硅偶連劑31對由有機物構(gòu)成的絕緣膜的表面進(jìn)行表面處理。因此，當(dāng)用各向異性導(dǎo)電粘接劑11電連接半導(dǎo)體裝置10的布線圖形2、3和液晶顯示面板21以及PW基板30的各布線時，由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11的粘合性得到提高。此外，作為波及效果，可以減少因剝離引起的電氣缺陷，同時，不需要涂敷所追加的增強劑，即可實現(xiàn)降低成本。
其結(jié)果是，可以提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性粘接劑11的粘合性，并能夠排除所追加的粘合增強劑的半導(dǎo)體裝置10。
此外，本實施方式的半導(dǎo)體裝置10中，絕緣膜由聚酰亞胺構(gòu)成。因此，通過用硅偶連劑對由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理，增大粘合性提高效果。
此外，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置10中，在絕緣膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為硅偶連劑31之構(gòu)成元素的硅(Si)。由此，可以可靠地提高由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11之間的粘合性。
此外，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置40中，可以在基板1上安裝各種功能的半導(dǎo)體芯片4。例如，液晶顯示驅(qū)動用、系統(tǒng)用、或存儲器用等各種功能的半導(dǎo)體芯片41、42。
由此，不管半導(dǎo)體芯片41、42的功能種類如何，都可以提高由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11之間的粘合性。
此外，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置40中，可在基板1上安裝多個半導(dǎo)體芯片41、42。
由此，在安裝了多個半導(dǎo)體芯片41、42的半導(dǎo)體裝置40中，也可以提高由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11之間的粘合性。
此外，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置10、40中，優(yōu)選形成在半導(dǎo)體芯片4、42、42上的突起電極由金(Au)構(gòu)成；另一方面，基板1上的布線圖形2、3由錫(Sn)或錫(Sn)電鍍構(gòu)成。
由此，半導(dǎo)體芯片4、42、42的突起電極5和基板1的布線圖形2、3的接合方式是采用金(Au)-錫(Sn)的合金接合來進(jìn)行的，所以接合強度提高。
此外，本實施方式的半導(dǎo)體裝置10、40中，優(yōu)選形成在半導(dǎo)體芯片4、42、42上的突起電極5由金(Au)構(gòu)成，同時，基板1上的布線圖形2、3也由金(Au)或金(Au)電鍍構(gòu)成。
由此，半導(dǎo)體芯片4、42、42的突起電極5和基板1的布線圖形2、3的接合方式是通過金(Au)-金(Au)的合金來進(jìn)行的，所以接合強度提高。
此外，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置40中，在基板1上除了安裝半導(dǎo)體芯片42、42外，還可以安裝電阻、電容、LED等電子部件43。
由此，在除了安裝半導(dǎo)體芯片42、42外，還安裝了電阻、電容、LED等電子部件43的半導(dǎo)體裝置40中，可以提高由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11之間的粘合性。
此外，本實施方式的液晶模塊20中，通過各向異性導(dǎo)電粘接劑11電連接液晶顯示面板21和半導(dǎo)體裝置10，同時，該半導(dǎo)體裝置10采用硅偶連劑31對由有機物構(gòu)成的絕緣膜的表面進(jìn)行表面處理。
因此，可提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性粘接劑11之間的粘合性，并排除所追加的粘合增強劑的液晶模塊20。
此外，在制造本實施方式的液晶模塊20時，用硅偶連劑31對由有機物構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理之后，在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板1上形成布線圖形2、3，并且，將半導(dǎo)體芯片4連接到該布線圖形2、3上形成半導(dǎo)體裝置10。此時，在絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為硅偶連劑31之構(gòu)成元素的硅(Si)。并且，首先形成半導(dǎo)體裝置10之后，可以采用硅偶連劑31對由有機物構(gòu)成絕緣膜進(jìn)行表面處理。
然后，使用各向異性導(dǎo)電粘接劑11電連接半導(dǎo)體裝置10的布線圖形2、3和液晶顯示面板21。
由此，可以提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板1和各向異性導(dǎo)電粘接劑11的粘合性，并可排除所追加的粘合增強劑的液晶模塊20的制造方法。
實施例1為了確認(rèn)效果，對上述實施方式中記載的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了驗證試驗并說明如下。
首先，驗證用硅偶連劑31進(jìn)行表面處理后的絕緣膜和各向異性導(dǎo)電粘接劑11之間的粘接強度。
硅粘接劑31使用在溶劑中混入了SiX的粘接劑，并且在絕緣膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)。
在測量粘接強度過程中，如圖5所示，首先在液晶顯示面板21的TFT基板21a上包夾各向異性導(dǎo)電粘接劑11，粘接作為基板1的構(gòu)成材料的絕緣膜。其后，將拉伸角作成90度，用拉伸工具50拉伸上述絕緣膜。
其結(jié)果是，如圖6(a)所示，60℃/90％RH中的放置時間0小時后、100小時后、300小時后、500小時后任意一個，與未進(jìn)行圖6(b)所示的硅偶連劑31的涂敷處理的COF相比，可知粘接強度得到了提高。整體上，粘合性約提高了88％(316/168＝1.88)。并且，上述圖6(a)、圖6(b)所示的各向異性導(dǎo)電粘接劑11的接合強度值是將絕緣膜寬度的單位長度作為基準(zhǔn)的值，在各樣品中，表示多個樣本中的最小值。
此外，圖7示出了硅偶連劑31的添加量引起的粘接強度測量結(jié)果。其結(jié)果是，絕緣膜的表面存在0.4atomic％(表面元素濃度)以下的硅偶連劑31，和未進(jìn)行表面處理的情況相同，未發(fā)現(xiàn)粘合強度提高。此外，存在13atomic％(表面元素濃度)以上的硅偶連劑31時，接合強度降低。
實施例2然后，在制造液晶模塊20時，因為進(jìn)行溶劑的清洗，所以，也對將該溶劑作為對象的耐溶劑性進(jìn)行了確認(rèn)試驗。
作為溶劑，使用了在清洗中使用的異丙醇和丙酮。試驗中，在常溫下將用硅偶連劑31進(jìn)行了表面處理后的絕緣膜在這些異丙醇和丙酮中浸泡1小時后，并進(jìn)行了目視觀察。此時，在絕緣膜的表面也存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的硅偶連劑31。
其結(jié)果如表1所示，用硅偶連劑31進(jìn)行了表面處理后的絕緣膜與未進(jìn)行表面處理的絕緣膜相同，在剝離、膨脹、溶解、裂隙方面沒有異常。
表1


如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選上述絕緣膜由聚酰亞胺構(gòu)成。
一般地，半導(dǎo)體裝置的基板多使用具有高耐熱性的聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣膜。另一方面，聚酰亞胺和例如多使用環(huán)氧樹脂的各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性不太好。因此，用硅偶連劑對由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理，由此，增大了粘合性提高效果。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，可在基板上安裝各種功能的半導(dǎo)體芯片。例如，液晶顯示驅(qū)動用、系統(tǒng)用、或者存儲器用等各種功能的半導(dǎo)體芯片。
由此，不管半導(dǎo)體芯片的功能如何都可以提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，可以在基板上安裝多個半導(dǎo)體芯片。
由此，即使在安裝了多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置中，也可以提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑的粘合性。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選形成在半導(dǎo)體芯片上的突起電極由金(Au)構(gòu)成，另一方面，基板上的布線圖形由錫(Sn)或錫(Sn)電鍍構(gòu)成。
由此，半導(dǎo)體芯片的突起電極和基板上的布線圖形的接合方式通過金(Au)-錫(Sn)的合金接合來進(jìn)行，所以，接合強度提高。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選形成在半導(dǎo)體芯片上的突起電極由金(Au)構(gòu)成，同時，基板上的布線圖形也由金(Au)或金(Au)電鍍構(gòu)成。
由此，半導(dǎo)體芯片的突起電極和基板上的布線圖形的接合方式由金(Au)-金(Au)結(jié)合來進(jìn)行，所以傳輸效率提高。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在基板上除安裝半導(dǎo)體芯片外，還安裝了電阻、電容、LED等電子部件。
由此，在除了安裝半導(dǎo)體芯片外，還安裝了電阻、電容、LED等電子部件的半導(dǎo)體裝置中，可以提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性。
此外，為了解決上述課題，本發(fā)明的顯示模塊是使用了上述半導(dǎo)體裝置的顯示模塊，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和上述半導(dǎo)體裝置。
按照上述發(fā)明，顯示模塊用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和半導(dǎo)體裝置，同時，該半導(dǎo)體裝置用硅偶連劑對由有機物構(gòu)成的絕緣膜的表面進(jìn)行表面處理。
因此，可提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性，并能夠排除所追加的粘合增強劑的顯示模塊。
此外，本發(fā)明的顯示模塊中，優(yōu)選顯示面板是液晶顯示面板。
由此，可提供一種在將半導(dǎo)體裝置接合到液晶顯示面板上時，提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性，并能夠排除所追加的粘合增強劑的液晶顯示模塊。
此外，為了解決上述課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包含用絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為構(gòu)成元素的硅(Si)之硅粘接劑對由有機物構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理的工序；在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板上形成布線圖形，并安裝半導(dǎo)體芯片的工序。而且，對絕緣膜進(jìn)行的表面處理可以是對絕緣膜的表面或背面的任意一面、或這兩個面所進(jìn)行的處理。此外，可先在基板上安裝了半導(dǎo)體芯片之后，用硅偶連劑對由有機物構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理。
按照上述發(fā)明，在制造半導(dǎo)體裝置時，用硅偶連劑對由有機物構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理之后，在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板上形成布線圖形并安裝半導(dǎo)體芯片。此外，硅偶連劑在絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為構(gòu)成元素的硅(Si)。
由此，可以提供一種提高由絕緣膜構(gòu)成的基板和各向異性導(dǎo)電粘接劑之間的粘合性，并能夠排除所追加的粘合增強劑的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
并且，發(fā)明的詳細(xì)說明項中的具體實施方式
或?qū)嵤├吘故菫榱耸贡景l(fā)明的技術(shù)內(nèi)容明確的內(nèi)容，并非只限于那樣的具體例而進(jìn)行狹義地解釋，在本發(fā)明的精神和所記載的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種變更并進(jìn)行實施。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板上具有布線圖形并安裝了半導(dǎo)體芯片，其特征在于對所述絕緣膜的至少一個表面進(jìn)行硅偶連劑處理，同時，在絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為所述硅偶連劑的構(gòu)成元素的硅(Si)。
2.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述絕緣膜由聚酰亞胺構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1或2記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于可在所述基板上安裝各種功能的半導(dǎo)體芯片。
4.如權(quán)利要求3記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述基板上安裝了多個半導(dǎo)體芯片。
5.如權(quán)利要求1或2記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于形成于所述半導(dǎo)體芯片上的突起電極由金(Au)構(gòu)成，而所述基板上的布線圖形由錫(Sn)或錫(Sn)電鍍構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1或2記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于形成于所述半導(dǎo)體芯片上的突起電極由金(Au)構(gòu)成，同時，所述基板上的布線圖形也由金(Au)或金(Au)電鍍構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1或2記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述基板上除安裝半導(dǎo)體芯片外，還安裝了電阻、電容、LED等電子部件。
8.一種顯示模塊，使用了權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和所述半導(dǎo)體裝置。
9.一種顯示模塊，使用了權(quán)利要求2記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和所述半導(dǎo)體裝置。
10.一種顯示模塊，使用了權(quán)利要求3記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和所述半導(dǎo)體裝置。
11.一種顯示模塊，使用了權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和所述半導(dǎo)體裝置。
12.一種顯示模塊，使用了權(quán)利要求5記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和所述半導(dǎo)體裝置。
13.一種顯示模塊，使用了權(quán)利要求6記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和所述半導(dǎo)體裝置。
14.一種顯示模塊，使用了權(quán)利要求7記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接顯示面板和所述半導(dǎo)體裝置。
15.如權(quán)利要求8記載的顯示模塊，其特征在于所述顯示面板是液晶顯示面板。
16.如權(quán)利要求9記載的顯示模塊，其特征在于所述顯示面板是液晶顯示面板。
17.如權(quán)利要求10記載的顯示模塊，其特征在于所述顯示面板是液晶顯示面板。
18.如權(quán)利要求11記載的顯示模塊，其特征在于所述顯示面板是液晶顯示面板。
19.如權(quán)利要求12記載的顯示模塊，其特征在于所述顯示面板是液晶顯示面板。
20.如權(quán)利要求13記載的顯示模塊，其特征在于所述顯示面板是液晶顯示面板。
21.如權(quán)利要求14記載的顯示模塊，其特征在于所述顯示面板是液晶顯示面板。
22.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序采用絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為構(gòu)成元素的硅(Si)之硅偶連劑對由有機物構(gòu)成的絕緣膜進(jìn)行表面處理；在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板上形成布線圖形，并安裝半導(dǎo)體芯片。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，在由有機物構(gòu)成的絕緣膜所形成的基板上具有布線圖形，并安裝半導(dǎo)體芯片，用各向異性導(dǎo)電粘接劑電連接液晶顯示面板和PW基板。用硅偶連劑對絕緣膜的至少一個表面進(jìn)行處理。在絕緣膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素濃度)的作為硅偶連劑之構(gòu)成元素的硅(Si)。
文檔編號H01L21/60GK1808712SQ20061000631
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月18日
發(fā)明者田中康彥, 豐澤健司 申請人:夏普株式會社