專利名稱：Cmos圖像傳感器象素的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器象素。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器相對于CCD(電荷耦合器件)而言，具有集成度高、功耗低、成本低等優(yōu)勢，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。隨著科技進(jìn)步和市場需要，CMOS圖像傳感器的解像度越來越高，而象素尺寸越來越小，達(dá)到了2.2微米，甚至更小。如此小的象素中會導(dǎo)致一系列問題，其中之一就是金屬層會遮擋入射光，不僅使得象素靈敏度降低，而且金屬會反射和散射入射光，引起噪聲。為了解決這個問題，有人提出將每個象素的金屬層相對于感光區(qū)作一定偏移，并且每個象素的金屬層偏移量不同，達(dá)到有效降低金屬層遮光的目的。
但是，這種辦法也有它的局限性。如圖1所示，因為每個象素的金屬層偏移量不同，所以它們的版圖都不盡相同。不僅增加了版圖設(shè)計的工作量，而且在有些情況下，根本無法實現(xiàn)，尤其當(dāng)金屬層數(shù)較多時更是如此。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種CMOS圖像傳感器象素，它既可使象素中的金屬層不會遮擋入射光，又可有效減少版圖設(shè)計的工作量和難度。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所述的CMOS圖像傳感器象素是采用如下技術(shù)方案實現(xiàn)的，象素陣列中至少一層金屬，左側(cè)的金屬向右偏移，右側(cè)的金屬向左偏移；所述左側(cè)的金屬和右側(cè)的金屬偏移量相等，或其偏移量相差小于等于0.2微米。
本發(fā)明所述的CMOS圖像傳感器象素采用的另外一種技術(shù)方案是，象素陣列中至少一層金屬，上側(cè)的金屬向下偏移，下側(cè)的金屬向上偏移；所述上側(cè)的金屬和下側(cè)的金屬偏移量相等，或其偏移量相差小于等于0.2微米。
采用本發(fā)明的CMOS圖像傳感器象素以后，由于每個象素的金屬的偏移量大體上相等，所以版圖設(shè)計的難度降低，工作量減小，而且還可以達(dá)到不遮擋入射光的效果。


下面結(jié)合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)中象素的金屬層采用不同偏移量的象素陣列截面圖；圖2是本發(fā)明象素的金屬層采用鏡像偏移的象素陣列截面圖；圖3是采用本發(fā)明金屬層作鏡像偏移的一實施例示意圖。
具體實施例方式
如圖2所示，本發(fā)明所述的CMOS圖像傳感器象素，針對現(xiàn)有技術(shù)中將每個象素的金屬層相對于感光區(qū)作不同偏移的方法所存在的局限性，提出了鏡像偏移版圖設(shè)計的理念。即象素陣列中的某一層或某幾層金屬，相對于某一位置的分界線分為左側(cè)的金屬和右側(cè)的金屬；其中，左側(cè)的金屬向右偏移，右側(cè)的金屬向左偏移；所述左側(cè)的金屬和右側(cè)的金屬偏移量既可以完全相等，也可以不相等；但是當(dāng)其偏移量不相等時相差小于等于0.2微米，達(dá)到大致上相等。
本發(fā)明采用的另外一種技術(shù)方案是，象素陣列中至少一層金屬，上側(cè)的金屬向下偏移，下側(cè)的金屬向上偏移；所述上側(cè)的金屬和下側(cè)的金屬偏移量相等，或其偏移量相差小于等于0.2微米。
在圖3所示的本發(fā)明的一個實施例中，僅將第一層金屬作鏡像偏移。為了便于說明，圖中省略了所有不必要的版圖，只保留了感光區(qū)域(圖3中的方形區(qū)域)和第一層金屬(圖3中的豎直的長方形)。圖中所示是一個4X7的象素陣列，中央的虛線表示陣列豎直方向的中線。由圖3可知，第一層金屬相對于中線成鏡像對稱，即從左右兩邊向中線作一定量的偏移，并且其偏移量相等，達(dá)到不遮擋入射光的目的。
在沒有采用本發(fā)明時，位于象素陣列的中央，光線垂直入射，并且光斑通常小于金屬的開口，所以金屬層不會擋住入射光；隨著象素的位置離中線越遠(yuǎn)，光線的入射角越大，被金屬層擋住的可能性也越大。而采用本發(fā)明后，象素的金屬層有一個向中線的偏移量，讓開了光路，使得入射光線可以暢通無阻地投射到感光區(qū)域；并且，入射角越大，光線越不容易被擋住。
本發(fā)明不僅適用于第一層金屬，也適用于其他層的金屬，而且也不局限于一層金屬，也可以是幾層金屬一起偏移。
本發(fā)明在不遮擋入射光的前提下，大大減小了版圖設(shè)計的難度和工作量。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器象素，其特征在于象素陣列中至少一層金屬，左側(cè)的金屬向右偏移，右側(cè)的金屬向左偏移；所述左側(cè)的金屬和右側(cè)的金屬偏移量相等，或其偏移量相差小于等于0.2微米。
2.一種CMOS圖像傳感器象素，其特征在于象素陣列中至少一層金屬，上側(cè)的金屬向下偏移，下側(cè)的金屬向上偏移；所述上側(cè)的金屬和下側(cè)的金屬偏移量相等，或其偏移量相差小于等于0.2微米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種CMOS圖像傳感器象素，其中，所述象素陣列中至少一層金屬，左側(cè)的金屬向右偏移，右側(cè)的金屬向左偏移，所述左側(cè)的金屬和右側(cè)的金屬偏移量相等，或其偏移量相差小于等于0.2微米。本發(fā)明既可使象素中的金屬層不會遮擋入射光，又可有效減少版圖設(shè)計的工作量和難度。
文檔編號H01L23/528GK101064325SQ20061002624
公開日2007年10月31日 申請日期2006年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月29日
發(fā)明者李 杰, 董建民, 徐春花 申請人:格科微電子(上海)有限公司