專利名稱：無線芯片以及具有該無線芯片的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠通過無線通信發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的無線芯片，以及具有該無線芯片的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，包括多個電路和天線的無線芯片已經(jīng)得到長足的發(fā)展。這樣的無線芯片被稱作ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、IC芯片、RF(射頻)標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或RFID(射頻識別)標(biāo)簽，并且已經(jīng)被引入某些市場。
目前實(shí)際使用的這些無線芯片中許多都是具有使用例如硅的半導(dǎo)體襯底的電路(這樣的電路也稱作IC(集成電路)芯片)和天線。通過印刷方法、刻蝕導(dǎo)電薄膜的方法、電鍍方法等形成天線(例如見專利文獻(xiàn)1日本專利申請已公開No.H9-1970)。
通過上述方法形成的天線是薄膜或厚膜。連接到例如紙或塑料的柔性材料上的天線存在問題，天線對彎曲或折疊敏感，因此天線的一部分容易折斷。
而且，在使用半導(dǎo)體襯底形成無線芯片的情況下，半導(dǎo)體襯底用作導(dǎo)體并阻擋電波；因此，存在根據(jù)信號發(fā)送的方向信號容易衰減的問題。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度的無線芯片。另外，本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠防止電波被阻擋的無線芯片。
在本發(fā)明的無線芯片中，通過各向異性導(dǎo)電粘合劑或?qū)щ妼訉⒕哂行纬稍诮^緣襯底上的薄膜晶體管的層固定到天線，并且薄膜晶體管連接到天線。而且，通過各向異性導(dǎo)電粘合劑或?qū)щ妼訉⒕哂行纬稍诮^緣襯底上的薄膜晶體管的層、無源元件和天線彼此固定到一起，并且薄膜晶體管或無源元件連接到天線。
可以通過堆疊多個具有薄膜晶體管的層來形成具有薄膜晶體管的層?；蛘?，可以通過各向異性導(dǎo)電粘合劑將多個具有薄膜晶體管的層彼此固定到一起。此外，無源元件可以是多個無源元件，例如感應(yīng)器、電容器(capacitor，電容器)和電阻器。
天線具有介電層、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，其中在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間是介電層，其中第一導(dǎo)電層用作發(fā)射電極，第二到導(dǎo)電層用作接地體。而且，天線具有供電層或供電點(diǎn)。
此外，本發(fā)明包括以下結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的一種無線芯片包括具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層；形成在具有薄膜晶體管的層的表面上并連接到薄膜晶體管的連接端；具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、以及夾在第一導(dǎo)電層與第二到導(dǎo)電層之間的介電層的天線；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接天線與連接端的有機(jī)樹脂層。而且，無線芯片可以具有第三導(dǎo)電層，替代具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層，用于連接天線與連接端。
本發(fā)明的一種無線芯片包括具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層；形成在具有薄膜晶體管的層的表面上并連接到薄膜晶體管的第一連接端和第二連接端；天線，該天線具有介電層，在介電層的第一平面上的用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層，在隔著介電層與第一平面相對的第二平面上的用作接地體的第二導(dǎo)電層，形成在第一平面、第二平面以及與第一平面和第二平面接觸的第三平面上的用作供電體的第三導(dǎo)電層；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第一連接端與第二導(dǎo)電層、連接第二連接端與第三導(dǎo)電層的有機(jī)樹脂層。無線芯片可以具有第四導(dǎo)電層和第五導(dǎo)電層，替代具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層，用于連接第一連接端與第二導(dǎo)電層，以及用于連接第二連接端與第三導(dǎo)電層。
本發(fā)明的一種無線芯片包括具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層；形成在具有薄膜晶體管的層的表面上并連接到薄膜晶體管的第一連接端；具有選自于電感器、電容器和電阻器(capacitor，電容器)的一個或多個無源元件的層；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的第一平面上的第二連接端；形成在與第一平面相對的第二平面上的第三連接端；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第一連接端與第二連接端的第一有機(jī)樹脂層；具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、以及夾在第一導(dǎo)電層與第二到導(dǎo)電層之間的介電層的天線；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第三連接端與天線的第二有機(jī)樹脂層。無線芯片可以具有第三導(dǎo)電層，替代具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層，用于連接天線與第三連接端。
通過堆疊具有薄膜晶體管的多個層來形成具有薄膜晶體管的層。在絕緣襯底上，將形成具有薄膜晶體管的層的區(qū)域不同于將提供天線的區(qū)域。
本發(fā)明的一種無線芯片包括具有形成在絕緣襯底上的第一薄膜晶體管的第一層；形成在第一層的表面上并連接到第一薄膜晶體管的第一連接端；具有第二薄膜晶體管的第二層；形成在第二層的第一平面上的第二連接端；形成在與第一平面相對的第二平面上的第三連接端；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第一連接端與第二連接端的第一有機(jī)樹脂層；具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的天線；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第三連接端與天線的第二有機(jī)樹脂層。無線芯片可以具有第三導(dǎo)電層，替代具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層，用于連接天線與第三連接端。
本發(fā)明的一種無線芯片包括具有形成在絕緣襯底上的第一薄膜晶體管的第一層；形成在第一層的表面上并連接到第一薄膜晶體管的第一連接端；具有第二薄膜晶體管的第二層；形成在第二層的第一平面上的第二連接端；形成在與第一平面相對的第二平面上的第三連接端；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第一連接端與第二連接端的第一有機(jī)樹脂層；具有選自于電感器、電容器(capacitor，電容器)和電阻器的一個或多個無源元件的層；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的第一平面上的第四連接端；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的與第一平面相對的第二平面上的第五連接端；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第三連接端與第四連接端的第二有機(jī)樹脂層；具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的天線；具有導(dǎo)電顆粒的用于連接第五連接端與天線的第三有機(jī)樹脂層。
本發(fā)明的一種無線芯片包括具有形成在絕緣襯底上的第一薄膜晶體管的第一層；形成在第一層的表面上并連接到第一薄膜晶體管的第一連接端；具有第二薄膜晶體管的第二層；形成在第二層的第一平面上的第二連接端；形成在與第一平面相對的第二平面上的第三連接端；用于連接第一連接端與第二連接端的第一導(dǎo)電層；具有選自于電感器、電容器(capacitor，電容器)和電阻器的一個或多個無源元件的層；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的第一平面上的第四連接端；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的與第一平面相對的第二平面上的第五連接端；用于連接第三連接端與第四連接端的第二導(dǎo)電層；具有用作發(fā)射電極的第三導(dǎo)電層、用作接地體的第四導(dǎo)電層、夾在第三導(dǎo)電層與第四導(dǎo)電層之間的介電層的天線；用于連接第五連接端與天線的第五導(dǎo)電層。
在絕緣襯底上，將形成具有薄膜晶體管的層的區(qū)域不同于將提供天線的區(qū)域。
所述具有薄膜晶體管的層、第一層和第二層具有1至10微米的厚度范圍，優(yōu)選地是1至5微米。
本發(fā)明的一種無線芯片包括形成在絕緣襯底上并具有第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和連接到第一薄膜晶體管的第一天線的層；形成在具有第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和連接到第一薄膜晶體管的第一天線的層的表面上并連接到第二薄膜晶體管的連接端；具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的第二天線；以及具有導(dǎo)電顆粒的用于連接上述連接端與第二天線的有機(jī)樹脂層。無線芯片可以具有第三導(dǎo)電層，替代具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層，用于連接第二天線和上述連接端。
除了高頻電路之外，無線芯片可以具有中央處理單元或檢測部分。
此外，絕緣襯底優(yōu)選地是非柔性絕緣襯底，并且通常使用玻璃襯底或石英襯底。
通過陶瓷、有機(jī)樹脂或陶瓷和有機(jī)樹脂的混合物形成上述介電層。作為陶瓷的典型示例，給出了氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鋯鈦酸鉛。作為介電層的典型示例，給出了環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂(bismaleimide triazine resin)、乙烯苯(vinylbenzyl)和聚延胡索酸酯(polyfumarate)。
本發(fā)明提供了一種具有上述的無線芯片的電子設(shè)備。作為電子設(shè)備的典型示例，給出了液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置、移動電話、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、揚(yáng)聲器裝置、頭戴耳機(jī)、導(dǎo)航裝置、或電子鑰匙。
能夠形成具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層，使其具有幾乎與天線相同的尺寸。絕緣襯底用作具有薄膜晶體管的層的保護(hù)物以及天線的保護(hù)物。因此，增強(qiáng)了無線芯片的機(jī)械強(qiáng)度。
由于片狀天線(patch antenna)具有高的機(jī)械強(qiáng)度，因此能夠重復(fù)地使用該片狀天線。因此，能夠?yàn)榭裳h(huán)的容器(例如，可回收的容器)提供具有片狀天線的無線芯片。
此外，由于在本發(fā)明的無線芯片中使用電隔離的薄膜晶體管來形成集成電路，因此與具有使用半導(dǎo)體襯底形成的集成電路的無線芯片相比更難阻擋電波，由此抑制了由于電波阻擋導(dǎo)致的信號的衰減。因此，能夠高效率的發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。
由于包括使用通過厚膜形式形成的無源元件以及薄膜晶體管所形成的集成電路的無線芯片，具有由適當(dāng)功能的元件形成的每個電路，因此無線芯片具有復(fù)合的功能。通過將本發(fā)明的無線芯片安裝在布線襯底上，能夠減少安裝部件的數(shù)量，由此允許減小布線襯底的尺寸以及具有該布線襯底的電子設(shè)備的尺寸。


在附圖中圖1A和1B是顯示本發(fā)明無線芯片的剖面圖；圖2是顯示本發(fā)明無線芯片的剖面圖；圖3是顯示本發(fā)明無線芯片的剖面圖；圖4是顯示本發(fā)明無線芯片的剖面圖；圖5是顯示本發(fā)明無線芯片的剖面圖；圖6A和6B是顯示本發(fā)明無線芯片的發(fā)展圖和剖面圖；圖7A至7D是顯示可用于本發(fā)明的片狀(patch)天線的透視圖；圖8A至8C是顯示可用于本發(fā)明的天線的頂視圖；圖9A至9C顯示了本發(fā)明的無線芯片；圖10顯示了可用于本發(fā)明的中央處理單元；圖11A至11F顯示了本發(fā)明的無線芯片的應(yīng)用示例；圖12A至12D顯示了本發(fā)明的無線芯片的應(yīng)用示例；圖13顯示了本發(fā)明的無線芯片的應(yīng)用示例的發(fā)展圖；圖14顯示了可用于本發(fā)明的高頻電路；圖15A至15H是顯示可用于本發(fā)明的薄膜晶體管制造步驟的剖面圖；圖16A至16H是顯示可用于本發(fā)明的薄膜晶體管制造步驟的剖面圖；圖17顯示了本發(fā)明的無線芯片的應(yīng)用示例；圖18A和18B是顯示可用于本發(fā)明的薄膜晶體管的剖面圖；具體實(shí)施方式
實(shí)施方式將參照

本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例。但是，由于本發(fā)明能夠表現(xiàn)為許多不同的方式，所以本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下可以對方式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種修改。因此，本發(fā)明不應(yīng)解釋為限制在實(shí)施方式和實(shí)施例的說明。在用于說明實(shí)施方式和實(shí)施例的所有附圖中，對于具有類似功能或相同功能的部分給出相同的參考標(biāo)記，并且對這樣的部分不再重復(fù)說明。
實(shí)施方式1圖1A和1B中顯示了本發(fā)明無線芯片的實(shí)施方式。圖1A和1B是無線芯片的剖面圖。
在此實(shí)施方式的無線芯片中，通過各向異性導(dǎo)電粘合劑104將具有形成在絕緣襯底101上的薄膜晶體管的層102固定到天線103。而且，通過在各向異性導(dǎo)電粘合劑104中分散的導(dǎo)電顆粒109電連接具有薄膜晶體管的層102的連接端107與天線的供電層113。此外，盡管沒顯示，但是具有薄膜晶體管的層的地線電連接到作為天線的接地體的導(dǎo)電層。
作為絕緣襯底101，優(yōu)選不易變形(非撓性)的絕緣襯底。使用石英襯底或玻璃襯底，例如無堿玻璃襯底。
具有薄膜晶體管的層102包括形成在絕緣襯底101表面上的絕緣層105、形成在絕緣層105上的薄膜晶體管106、形成在薄膜晶體管106上的層間絕緣層108，以及暴露在層間絕緣層108表面并連接到薄膜晶體管106的連接端107。具有薄膜晶體管的層102除了薄膜晶體管還可以具有電阻元件、電容器(capacitor，電容器)等。
絕緣襯底101和具有形成在絕緣襯底101上的薄膜晶體管的層102優(yōu)選地與天線103一樣大，是幾毫米×幾毫米至幾十毫米×幾十毫米。而且，具有薄膜晶體管的層102的厚度范圍從幾微米(μm)至幾十微米，典型地從1至10μm，優(yōu)選地是2至5μm。
在絕緣襯底是無堿玻璃襯底的情況下，提供形成在絕緣襯底101表面上的絕緣層105。絕緣層105能夠防止無堿玻璃襯底中可移動離子的運(yùn)動。通過例如濺射方法或等離子CVD方法的已知方法由氧化硅、氮氧化硅、氮化氧化硅(silicon nitride oxide)、氮化硅等形成絕緣層105。
參照圖18A和18B說明薄膜晶體管106的模式。圖18A顯示了頂部柵極薄膜晶體管的示例。在絕緣襯底101上形成絕緣層105，在絕緣層105上提供薄膜晶體管106。在薄膜晶體管106中，在絕緣層105上提供半導(dǎo)體層1302，在半導(dǎo)體層1302上提供用作柵極絕緣層的絕緣層1303。在絕緣層1303上，形成對應(yīng)于半導(dǎo)體層1302的柵極電極1304。在柵極電極1304上形成用作保護(hù)層的絕緣層1305，在絕緣層1305上提供用作層間絕緣層的絕緣層1306?？梢赃M(jìn)一步在絕緣層1306上提供用作保護(hù)層的絕緣層。
由具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體形成半導(dǎo)體層1302。能夠使用非單晶半導(dǎo)體或單晶半導(dǎo)體。特別地，優(yōu)選地使用通過使用激光照射使無定形或微晶半導(dǎo)體結(jié)晶所獲得的晶體半導(dǎo)體、通過熱處理使無定形或微晶半導(dǎo)體結(jié)晶所獲得的晶體半導(dǎo)體、或者通過使用熱處理與激光照射的組合使無定形或微晶半導(dǎo)體結(jié)晶所獲得的晶體半導(dǎo)體。在熱處理中，能夠使用利用金屬元素的結(jié)晶化方法，金屬元素例如是能夠促進(jìn)硅半導(dǎo)體結(jié)晶化的鎳。
在通過激光照射結(jié)晶化的情況下，能夠按照下面的方式實(shí)施結(jié)晶化在激光傳遞的方向上連續(xù)地移動通過激光照射熔化的晶體半導(dǎo)體的一部分，其中激光是連續(xù)波激光或者是具有10MHz或更高的重復(fù)頻率和1納秒或更小(優(yōu)選地是1至100皮秒)的脈寬的超短脈沖激光。通過使用這樣的結(jié)晶化方法，能夠獲得晶粒界面在一個方向延伸的具有大晶粒直徑的晶體半導(dǎo)體。通過使載流子的漂移方向與晶粒界面延伸的方向一致，能夠增加晶體管中的電場效應(yīng)遷移率。例如，能夠獲得400cm2/V·sec或更大。
在對結(jié)晶化工藝使用上述結(jié)晶化步驟的情況下，其中溫度不高于玻璃襯底的上限溫度(大約600℃)，能夠使用大的玻璃襯底。因此，能夠通過一個襯底制造大量的無線芯片，并且能夠降低成本。
可以在比玻璃襯底的上限溫度更高的溫度下進(jìn)行熱處理通過實(shí)施結(jié)晶化步驟來形成半導(dǎo)體層1302。通常，使用石英襯底作為絕緣襯底101，并將無定形或微晶半導(dǎo)體在700℃或更高溫度下加熱，以形成半導(dǎo)體層1302。結(jié)果，能夠形成具有較好結(jié)晶度的半導(dǎo)體。因此，能夠提供在響應(yīng)速度、遷移率等方面較好的并且能夠高速操作的薄膜晶體管。
此外，可以通過單晶半導(dǎo)體形成半導(dǎo)體層1302?？梢允褂肧IMOX(注氧隔離)襯底形成這樣的半導(dǎo)體層，在SIMOX襯底中按順序堆疊了第一單晶半導(dǎo)體層、絕緣層和第二單晶半導(dǎo)體層，其形成方式是在制造了使用第一單晶半導(dǎo)體層作為溝道部分的晶體管之后，刻蝕第二單晶半導(dǎo)體層，然后在絕緣襯底101上附著絕緣層。作為第二單晶半導(dǎo)體層的刻蝕方法，可以采用使用例如砂輪的研磨裝置的拋光、使用刻蝕劑的干法刻蝕或濕法刻蝕、或者研磨拋光裝置與刻蝕劑的組合。作為刻蝕劑，在濕法刻蝕的情況下，使用其中通過水或氟化銨稀釋的氟酸的混合溶液，氟酸和硝酸的混合溶液，氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液，過氧化氫與氟酸的混合溶液，過氧化氫與氨水的混合溶液，過氧化氫與鹽酸的混合溶液等。在干法刻蝕的情況下，使用含有鹵素(例如氟)分子或原子的氣體，或者含有氧氣的氣體。優(yōu)選地使用含有鹵素氟化物或鹵素化合物的氣體或流體。例如，優(yōu)選地使用三氟化氯(ClF3)作為含有鹵素氟化物的氣體。
由于其中通過單晶半導(dǎo)體形成半導(dǎo)體層的晶體管具有高的響應(yīng)速度、遷移率等，因此能夠提供能夠高速操作的晶體管。而且，由于晶體管在其特性方面具有很少的改變，所以能夠提供已經(jīng)獲得高的可靠性的無線芯片。
能夠通過金屬或摻雜了施予一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的多晶半導(dǎo)體來形成柵極電極1304。在使用金屬的情況下，可以使用鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)等。此外，也能夠使用通過氮化上述金屬獲得的金屬氮化物。或者，可以采用其中堆疊了含有金屬氮化物的第一層和含有該金屬的第二層。在堆疊層的情況下，第一層的一端可以比第二層的一端更靠外面。通過使用金屬氮化物形成第一層，第一層能夠用作金屬勢壘。換言之，第一層能夠防止第二層的金屬分散進(jìn)入絕緣層1303以及在絕緣層1303下面的半導(dǎo)體層1302中。
在柵極電極1304的側(cè)表面上形成側(cè)壁(側(cè)壁間隔物)1308。能夠通過CVD方法在襯底上形成含有氧化硅的絕緣層并通過RIE(反應(yīng)離子刻蝕)方法刻蝕該絕緣層來形成側(cè)壁。
通過組合半導(dǎo)體層1302、絕緣層1303、柵極電極1304等形成的晶體管可以具有任意的結(jié)構(gòu)，例如單漏極結(jié)構(gòu)、LDD(輕摻雜漏極)結(jié)構(gòu)或柵極重疊的漏極結(jié)構(gòu)。此處，顯示了具有LDD結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，其中在半導(dǎo)體層與側(cè)壁重疊的部分中形成低濃度雜質(zhì)區(qū)域1310。而且，能夠采用單柵極結(jié)構(gòu)、多柵極結(jié)構(gòu)或雙柵極結(jié)構(gòu)，其中多柵極結(jié)構(gòu)中串聯(lián)了施加有相同電位的柵極電壓的多個晶體管，雙柵極結(jié)構(gòu)在其上側(cè)和下側(cè)的柵極電極之間夾有半導(dǎo)體層。
通過例如氧化硅或氮氧化硅的無機(jī)絕緣材料、或例如丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂的有機(jī)絕緣材料形成絕緣層1306。在通過涂覆方法(例如旋涂或滾涂機(jī))形成絕緣層的情況下，在施加了溶解在有機(jī)溶劑中的絕緣膜材料之后，對其進(jìn)行熱處理，由此通過氧化硅形成絕緣層。例如，在利用涂覆方法形成含有硅氧烷鍵的膜之后，在200℃至400℃下進(jìn)行熱處理，由此通過氧化硅形成絕緣層。通過使用由涂覆方法形成的絕緣層或者已經(jīng)通過回流平坦化的絕緣層作為絕緣層1306，能夠防止將要形成在該層上的布線斷裂。此外，當(dāng)形成多層布線時也能夠有效地利用該絕緣層。
能夠提供形成在絕緣層1306上的布線1307，以便與通過和柵極電極1304相同的層所形成的布線交叉，并具有多層布線結(jié)構(gòu)。能夠通過在具有與絕緣層1306類似功能的多個堆疊絕緣層上形成布線來獲得多層布線結(jié)構(gòu)。布線1307優(yōu)選地具有低阻材料(例如鋁)與使用具有高熔點(diǎn)的金屬材料(例如鈦(Ti)或鉬(Mo))的金屬勢壘的組合。例如，給出了包括鈦(Ti)和鋁(Al)的多層結(jié)構(gòu)，包括鉬(Mo)和鋁(Al)的多層結(jié)構(gòu)等。
圖18B顯示了底部柵極薄膜晶體管的示例。在絕緣襯底101上形成絕緣層105，在絕緣層105上提供薄膜晶體管106。在薄膜晶體管106中，提供了柵極電極1304、作為柵極絕緣層的絕緣層1303、半導(dǎo)體層1302、溝道保護(hù)層1309、作為保護(hù)層的絕緣層1305、和作為層間絕緣層的絕緣層1306。而且，可以在其上形成作為保護(hù)層的絕緣層。能夠在絕緣層1305上或絕緣層1306上形成布線1307。在形成底部柵極薄膜晶體管的情況下，不必形成絕緣層105。
通過類似于絕緣層1306的方法形成圖1A中所示的層間絕緣層108。通過類似于布線1307的方法形成連接端107。在布線的最上面的表面上，可以印刷方法、鍍覆方法、濺射方法等由選自于金、銀、銅、鈀和鉑中的一種或多種元素來形成層。
各向異性導(dǎo)電粘合劑104是粘性的有機(jī)樹脂，其中分散了導(dǎo)電顆粒109(每個顆粒具有大約幾納米至幾微米的顆粒直徑)。給出了環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂等作為該有機(jī)樹脂。通過選自于金、銀、銅、鈀和鉑的一種或多種元素來形成導(dǎo)電顆粒，或者導(dǎo)電顆?？梢允蔷哂羞@些元素的多層結(jié)構(gòu)的顆粒。此外，可以使用通過表面涂覆了薄膜的樹脂形成的導(dǎo)電顆粒，其中薄膜是由選自于金、銀、銅、鈀和鉑的一種或多種元素形成的。
替代各向異性的導(dǎo)電粘合劑104，可以使用通過固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層。作為通過固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層的典型示例，給出了包括選自于錫(Sn)、銀(Ag)、鉍(Bi)、銅(Cu)、銦(In)、鎳(Ni)、銻(Sb)和鋅(Zn)的多種元素的合金。
天線103具有介電層110、形成在介電層110一個表面上的第一導(dǎo)電層111、形成在介電層110另一個表面上并且隔著介電層110與第一導(dǎo)電層111相對的第二導(dǎo)電層112、以及供電層113。下面將具有這種結(jié)構(gòu)的天線稱作片狀天線。第一導(dǎo)電層111用作發(fā)射電極。第二導(dǎo)電層112用作接地體。提供供電層113，使其不與第一導(dǎo)電層111和第二導(dǎo)電層112接觸。電力通過供電層113從天線輸送到包括薄膜晶體管的電路，或者從包括薄膜晶體管的電路輸送到天線。
在此實(shí)施方式中，連接端107通過包含在各向異性導(dǎo)電層104中的導(dǎo)電顆粒109電連接到供電層113。盡管沒有顯示，但是包含薄膜晶體管的電路的接地電極通過導(dǎo)電顆粒109電連接到天線103的第二導(dǎo)電層112。
此處說明片狀天線。
能夠通過陶瓷、有機(jī)樹脂、陶瓷或有機(jī)樹脂的混合物等形成片狀天線的介電層110。作為陶瓷的典型示例，給出了氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石等。而且，可以混合多種陶瓷。為了獲得高的介電常數(shù)，優(yōu)選地通過鐵電材料形成介電層110。作為鐵電材料的典型示例，給出了鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、鈦酸鍶(SrTiO3)、鋯酸鉛(PbZrO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)、鋯鈦酸鉛(PTZ)等。而且，可以使用多種鐵電材料的混合物。
作為能夠用作介電層110的有機(jī)樹脂，適當(dāng)?shù)厥褂脽峁绦詷渲驘崴苄詷渲?。作為有機(jī)樹脂的典型示例，能夠使用樹脂材料，例如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂、乙烯苯、聚延胡索酸酯、氟樹脂等。而且，也可以使用多種有機(jī)樹脂材料的混合物。
在通過陶瓷與有機(jī)樹脂的混合物形成介電層110的情況下，優(yōu)選地以陶瓷顆粒分散在有機(jī)樹脂中的方式形成介電層110。此處，陶瓷顆粒在介電層110中的含量優(yōu)選地是大于等于20vol％且小于等于60vol％。而且，陶瓷顆粒的直徑優(yōu)選地是從1至50μm。
介電層110的相對介電常數(shù)優(yōu)選地從2.6至150，更優(yōu)選地是2.6至40。通過使用具有高相對介電常數(shù)的鐵電材料，能夠降低片狀天線的電容。
能夠通過選自于金、銀、銅、鈀、鉑和鋁的金屬，包括該金屬的合金等形成片狀天線的第一導(dǎo)電層111、第二導(dǎo)電層112和供電層113。能夠通過印刷方法或鍍覆方法形成片狀天線的第一導(dǎo)電層111、第二導(dǎo)電層112和供電層113。能夠通過蒸發(fā)方法、濺射方法等在介電層上形成導(dǎo)電膜并局部地刻蝕該導(dǎo)電層來形成這些導(dǎo)電層的每層。
片狀天線優(yōu)選地是尺寸為12mm×12mm×4mm，7mm×7mm×3mm或7mm×7mm×1.5mm的矩形平板；但是，尺寸不限于這些。也能夠使用圓形平板。
參照圖7A至7D說明此實(shí)施方式的將用作天線103的片狀天線。
圖7A顯示了具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層202、用作接地體的第二導(dǎo)電層203以及供電點(diǎn)204的片狀天線。如果用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層202是圓形的并且退化分離元件205存在于點(diǎn)對稱的兩個區(qū)域中，則片狀天線是圓極化波天線。同時，如果第一導(dǎo)電層202是圓形的，則片狀天線是直線極化波天線。
圖7B顯示了具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層212、介電層211、用作接地體的第二導(dǎo)電層213以及供電點(diǎn)214的片狀天線。如果用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層212是矩形的并且退化分離元件215存在于點(diǎn)對稱的兩個區(qū)域中，則片狀天線是圓極化波天線。同時，如果第一導(dǎo)電層212是矩形的，則片狀天線是直線極化波天線。
圖7C顯示了具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層222、介電層221、用作接地體的第二導(dǎo)電層223以及供電層224的片狀天線。用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層222是矩形的，并且在兩個點(diǎn)對稱的角部分具有退化分離元件225。如果用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層222是矩形的并且退化分離元件225存在于點(diǎn)對稱的兩個區(qū)域中，則片狀天線是圓極化波天線。同時，如果第一導(dǎo)電層222是矩形的，則片狀天線是直線極化波天線。用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層222和供電層224通過縫隙容性耦合。而且，由于供電層224形成在介電層的側(cè)表面，所以能夠進(jìn)行表面安裝。
由于圖7A至7C中所示的片狀天線在介電層201、211和221的一個表面上具有用作接地體的第二導(dǎo)電層203、213和223，所以在第一導(dǎo)電層202、212和222一側(cè)存在方向性。
圖7D顯示了具有用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層242、介電層241、用作接地體的第二導(dǎo)電層243以及供電層244的片狀天線。在第一導(dǎo)電層242中，在對角線上形成正交切口。換言之，提供了十字切口。因此，以十字方式暴露出介電層241。用作發(fā)射電極的第一導(dǎo)電層242和供電層244通過縫隙容性耦合。作為具有這種形狀的片狀天線的典型示例，給出了CABPB 1240、CABPB 0730和CABPB 0715(由TDK公司制造)。而且，由于供電層244形成在介電層的側(cè)表面，所以能夠進(jìn)行表面安裝。由于具有這種結(jié)構(gòu)的片狀天線通過發(fā)射電極的正交切口而具有非方向性，所以不需要選擇將要安裝的位置和將要設(shè)置的角度。
還能夠使用除了圖7A至7D所示的片狀天線以外的已知片狀天線。
通過使用片狀天線，能夠發(fā)送和接收以下內(nèi)容GPS(全球定位系統(tǒng)(1.5GHz))；衛(wèi)星數(shù)字廣播(2.6GHz)；例如無線LAN(局域網(wǎng))(2.4GHz、5.2GHz)、用于連接信息裝置的無線通信技術(shù)(藍(lán)牙(注冊商標(biāo))(2.4GHz))或UWB(超寬帶)(3至10GHz)的PAN(個人區(qū)域網(wǎng)絡(luò))；三代數(shù)據(jù)通信；包通信等。
如圖1B所示，可以在絕緣層上堆疊具有薄膜晶體管的多個層。具體地，在具有薄膜晶體管的第一層121上形成具有薄膜晶體管的第二層122。在具有薄膜晶體管的第二層122上形成具有薄膜晶體管的第三層123。在具有薄膜晶體管的第三層123中，在薄膜晶體管上形成絕緣層127。此外，在絕緣層127的表面上，形成連接到從具有薄膜晶體管的第一層至具有薄膜晶體管的第三層中任何一個薄膜晶體管的連接端126。
在具有薄膜晶體管的第一層121中，在薄膜晶體管上形成第一絕緣層124。在第一絕緣層124中，在具有薄膜晶體管的第一層121中的薄膜晶體管與在具有薄膜晶體管的第二層122中的薄膜晶體管電性地斷開連接。此外，在具有薄膜晶體管的第二層122中，在薄膜晶體管上形成第二絕緣層125。在第二絕緣層125中，在具有薄膜晶體管的第二層122中的薄膜晶體管與在具有薄膜晶體管的第三層123中的薄膜晶體管電性地斷開連接。在具有薄膜晶體管的第三層123中，在薄膜晶體管上形成第三絕緣層127。在第三絕緣層127中，在具有薄膜晶體管的第三層123中的薄膜晶體管與連接端電性地斷開連接。
能夠通過使用具有薄膜晶體管的第一層至具有薄膜晶體管的第三層的每一層形成處理單元、電源電路、時鐘發(fā)生電路、數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路、控制電路、接口電路、存儲電路、檢測電路等來獲得緊湊的多功能無線芯片。
使用圖1B中的具有薄膜晶體管的第一層至具有薄膜晶體管的第三層顯示具有薄膜晶體管的層120；但是，本發(fā)明不限于此。具有薄膜晶體管的層120可以包括具有薄膜晶體管的兩層。此外，具有薄膜晶體管的層120可以包括具有薄膜晶體管的四層或更多層。
此處，參照圖9A至9C和圖10來說明本發(fā)明無線芯片的結(jié)構(gòu)。如圖9A所示，本發(fā)明的無線芯片20具有無線地發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的功能，還具有電源電路11、時鐘發(fā)生電路12、數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路13、控制其它電路的控制電路14、接口電路15、存儲電路16、總線17和天線18。
此外，如圖9B所示，本發(fā)明的無線芯片20具有無線地發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的功能，并且除了具有電源電路11、時鐘發(fā)生電路12、數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路13、控制其它電路的控制電路14、接口電路15、存儲電路16、總線17和天線18之外還可以具有微處理器(CPU)21。
而且，如圖9C所示，本發(fā)明的無線芯片20具有無線地發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的功能，并且除了具有電源電路11、時鐘發(fā)生電路12、數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路13、控制其它電路的控制電路14、接口電路15、存儲電路16、總線17、天線18和中央處理單元21之外還可以具有包括檢測元件31和檢測控制電路32的檢測部分30。
在本發(fā)明的無線芯片中，通過使用具有薄膜晶體管的層除了形成電源電路11、時鐘發(fā)生電路12、數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路13、控制其它電路的控制電路14、接口電路15、存儲電路16、總線17、天線18和中央處理單元21之外，還形成包括檢測元件31和檢測控制電路32等的檢測部分30。
電源電路11是根據(jù)天線18輸入的交變信號產(chǎn)生各種將提供至無線芯片20中各個電路的電源的電路。時鐘發(fā)生電路12是根據(jù)天線18輸入的交變信號產(chǎn)生各種將提供至無線芯片20中各個電路的時鐘信號的電路。數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路13具有調(diào)制/解調(diào)將被發(fā)送至或從讀取器/寫入器19接收的數(shù)據(jù)的功能?？刂齐娐?4具有控制存儲電路16的功能。天線18具有向讀取器/寫入器19發(fā)送以及從讀取器/寫入器19接收電場或電波的功能。讀取器/寫入器19具有與無線芯片交換數(shù)據(jù)、控制無線芯片、以及控制對發(fā)送到無線芯片或從無線芯片接收的數(shù)據(jù)的處理的功能。無線芯片不限于上述結(jié)構(gòu)，例如，可以增加其它的元件，例如電源電壓的限幅電路或僅用于處理代碼的硬件。
存儲電路16具有選自于DRAM、SRAM、FeRAM、掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM、閃存和有機(jī)存儲器的一個或多個元件。
有機(jī)存儲器在一對電極之間具有包含有機(jī)化合物的層。而且，在一對電極之間，有機(jī)存儲器具有其中有機(jī)化合物與無機(jī)化合物混合的層。作為有機(jī)化合物的典型示例，使用通過電作用或光照射改變其形狀、傳導(dǎo)率或結(jié)晶條件的物質(zhì)。典型地，能夠使用摻雜了通過吸收光產(chǎn)生酸的化合物(光酸發(fā)生劑)的共軛聚合物、具有高的空穴傳輸特性的有機(jī)化合物、或具有高的電子傳輸特性的有機(jī)化合物。
在一對電極之間提供有機(jī)化合物和無機(jī)化合物的混合層的情況下，優(yōu)選地混合具有高的空穴傳輸特性的有機(jī)化合物與容易接收電子的無機(jī)化合物。此外，優(yōu)選地混合具有高的電子傳輸特性的有機(jī)化合物與容易施予電子的無機(jī)化合物。通過具有這樣的結(jié)構(gòu)，在最初本身幾乎沒有載流子的有機(jī)化合物中產(chǎn)生許多空穴載流子或電子載流子，因此有機(jī)化合物表現(xiàn)出極高的空穴注入/傳輸特性或電子注入/傳輸特性。
由于能夠在有機(jī)存儲器中同時實(shí)現(xiàn)尺寸減小、薄膜厚度降低以及電容增加，所以通過使用有機(jī)存儲器形成存儲單元16，無線芯片可以是緊湊且質(zhì)輕的。
能夠在形成薄膜晶體管的同時形成掩模ROM。由多個晶體管形成掩模ROM。此時，能夠通過打開或不打開用于布線(例如，布線連接到晶體管的漏區(qū))的接觸孔來寫入數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)打開接觸孔時能夠?qū)?(開啟)的數(shù)據(jù)(信息)寫入存儲單元，當(dāng)沒有打開接觸孔時能夠?qū)?(關(guān)閉)的數(shù)據(jù)(信息)寫入存儲單元。
例如，在使用例如分檔器的曝光裝置通過標(biāo)線片(光掩模)曝光抗蝕劑的步驟之前或之后，通過電子束或激光照射形成在圖1A所示薄膜晶體管106上的層間絕緣層108上的將提供接觸孔的一部分抗蝕劑。之后，如通常一樣進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離抗蝕劑的步驟，以形成布線。這能夠僅通過選擇將通過電子束或激光照射的區(qū)域來獨(dú)立地形成提供接觸孔的圖形以及不提供接觸孔的圖形，而不會改變標(biāo)線片(光掩模)。換言之，通過選擇將通過電子束或激光照射的區(qū)域，能夠制造其中在生產(chǎn)時對每個半導(dǎo)體器件寫入不同數(shù)據(jù)的掩模ROM。
能夠通過使用這樣的掩模ROM制造每個半導(dǎo)體器件的UID(唯一標(biāo)識符)等。
此處，將參照圖10的方塊圖說明中央處理單元21的結(jié)構(gòu)。
首先，將信號輸入到總線17，然后在分析電路1003(也稱作指令譯碼器)中對信號進(jìn)行解碼，將解碼的信號輸入到控制信號發(fā)生電路1004(CPU定時控制器)。一旦輸入信號，控制信號就從控制信號發(fā)生電路1004輸出到算術(shù)電路(以下稱作ALU1009)和存儲電路(以下稱作寄存器1010)。
控制信號發(fā)生電路1004包括用于控制ALU 1009的ALU控制器(以下稱作ACON)1005、用于控制寄存器1010的電路(以下稱作RCON)1006、用于控制定時的定時控制器(以下稱作TCON)1007、以及用于控制中斷的中斷控制器(以下稱作ICON)1008。
同時，在處理信號輸入到總線17之后，將信號輸出到ALU 1009和寄存器1010。然后，根據(jù)從控制信號發(fā)生電路1004輸入的控制信號(例如存儲器讀取周期、存儲器寫入周期、I/O讀取周期、I/O寫入周期等)進(jìn)行處理。
寄存器1010包括通用寄存器、堆棧指針(SP)、程序計(jì)數(shù)器(PC)等。
地址控制器1011將16位的地址輸出到總線17。
此實(shí)施例中顯示的中央處理單元的結(jié)構(gòu)不限制本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。除了上述的結(jié)構(gòu)，也可以使用已知的中央處理單元的結(jié)構(gòu)。
檢測部分30能夠通過物理或化學(xué)的手段檢測溫度、壓力、流率、光、磁、聲波、加速度、濕度、氣體成分、流體成分以及其它的特征。而且，檢測部分30具有用于檢測物理量或化學(xué)量的檢測元件31、以及用于將檢測元件31檢測的物理量或化學(xué)量轉(zhuǎn)換成適當(dāng)信號(例如電信號)的檢測控制電路32。作為檢測元件31，能夠使用電阻元件、電容耦合元件、電感耦合元件、光電動元件、光電轉(zhuǎn)換元件、熱電動元件、晶體管、熱敏電阻、二極管、壓力元件、靜電電容元件、壓電元件等。檢測部分30的數(shù)量可以不止一個，在此情況下，能夠同時檢測多個物理量或化學(xué)量。
此處所述的物理量意味著溫度、壓力、流率、光、磁、聲波、加速度、濕度等，而化學(xué)量意味著化學(xué)物質(zhì)，例如像離子的氣體成分或流體成分等。此外，也可以包括例如在血液、汗液、尿液等(例如，血液中的血糖水平)中包含的特別的生物學(xué)物質(zhì)的有機(jī)化合物。特別地，在檢測化學(xué)量的情況下，由于需要選擇地檢測特別的物質(zhì)，所以事先在檢測元件31中提供與待檢測物質(zhì)選擇地反應(yīng)的物質(zhì)。例如，在檢測生物學(xué)物質(zhì)的情況下，優(yōu)選地在聚合物等中固定可與將通過檢測元件31檢測的生物學(xué)物質(zhì)選擇地反應(yīng)的酶、電阻分子、微生物細(xì)胞等。
在讀取器/寫入器與無線芯片之間的通信，能夠通過使用檢測部分30檢測溫度、壓力、流率、光、磁、聲波、加速度、濕度、氣體成分、流體成分以及其它的特征。可以對無線芯片使用膜狀的二次電池。作為膜狀二次電池的典型示例，能夠使用具有滲透了電解液的凝膠體的薄的二次電池。在此情況下，即使不與讀取器/寫入器進(jìn)行通信，也能夠通過使用檢測部分30檢測上述特征。
在本實(shí)施方式的無線芯片中，能夠形成天線以及具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層，使其具有幾乎相同的尺寸。絕緣襯底用作具有薄膜晶體管的層的保護(hù)物以及天線的保護(hù)物。因此，增強(qiáng)了無線芯片的機(jī)械強(qiáng)度。
實(shí)施方式2圖2中顯示了本發(fā)明無線芯片的實(shí)施方式。圖2是無線芯片的剖面圖。在此實(shí)施方式中，說明了具有片狀天線以及具有薄膜晶體管的多層的無線芯片的結(jié)構(gòu)，其中這些層通過各向異性導(dǎo)電粘合劑彼此固定在一起。
在此實(shí)施方式的無線芯片中，類似于實(shí)施方式1，在絕緣襯底101上形成具有薄膜晶體管的第一層102。此外，具有薄膜晶體管的第一層102和具有薄膜晶體管的第二層131通過各向異性導(dǎo)電粘合劑133彼此固定在一起。
通過在各向異性導(dǎo)電粘合劑133中分散的導(dǎo)電顆粒將形成在具有薄膜晶體管的第一層102表面上的第一連接端電連接到形成在具有薄膜晶體管的第二層表面上的第二連接端。
在已經(jīng)提供在襯底上的剝離層上形成具有薄膜晶體管的第二層131之后，從剝離層剝離具有薄膜晶體管的第二層131，并通過各向異性導(dǎo)電粘合劑133將第二層131附著到具有薄膜晶體管的第一層102上。作為剝離方法，能夠適當(dāng)?shù)厥褂孟旅娴姆椒?1)在具有高熱阻的襯底與具有薄膜晶體管的第二層之間提供金屬氧化物膜作為剝離層，通過結(jié)晶化弱化該金屬氧化物薄，由此剝離具有薄膜晶體管的第二層；(2)在具有高熱阻的襯底與具有薄膜晶體管的第二層之間提供含有氫的無定形硅膜作為剝離層，通過激光照射或刻蝕去除該無定形硅膜，由此剝離具有薄膜晶體管的第二層；(3)機(jī)械地去除或使用例如NF3、BrF3或ClF3的溶液或鹵素氟化物的氣體刻蝕已經(jīng)形成了具有薄膜晶體管的第二層的具有高熱阻的襯底(玻璃襯底、硅襯底等)；(4)在具有高熱阻的襯底與具有薄膜晶體管的第二層之間提供金屬層和金屬氧化物膜，通過結(jié)晶化弱化該金屬氧化物膜，使用例如NF3、BrF3或ClF3的溶液或鹵素氟化物的氣體刻蝕金屬層的一部分，然后物理地剝離弱化的金屬氧化物膜；(5)在具有高熱阻的襯底與絕緣層之間提供剝離層和金屬氧化物膜，在絕緣層上形成具有薄膜晶體管的第二層131，同時弱化該金屬氧化物膜，通過激光照射具有薄膜晶體管的第二層131的一部分絕緣層以形成開口部分(開口部分用于暴露剝離層的一部分)，基底材料連接到具有薄膜晶體管的第二層131上，使用弱化的金屬氧化物層從襯底物理地剝離具有薄膜晶體管的第二層131；等。
類似于具有薄膜晶體管的第一層102和具有薄膜晶體管的第二層131，具有薄膜晶體管的第二層131與具有薄膜晶體管的第三層132通過各向異性導(dǎo)電粘合劑134彼此固定在一起。
通過在各向異性導(dǎo)電粘合劑134中分散的導(dǎo)電顆粒將形成在具有薄膜晶體管的第二層131表面上的第三連接端電連接到形成在具有薄膜晶體管的第三層132表面上的第四連接端。
能夠通過使用具有薄膜晶體管的第一層102至具有薄膜晶體管的第三層132的每一層形成處理單元、電源電路、時鐘發(fā)生電路、數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路、控制電路、接口電路、存儲電路、檢測電路等的任何一個來獲得緊湊的多功能無線芯片。
通過在各向異性導(dǎo)電粘合劑中的導(dǎo)電顆粒將形成在具有薄膜晶體管的第三層132表面上的第五連接端電連接到天線103。盡管此處沒有顯示，形成有薄膜晶體管的電路的接地電極通過導(dǎo)電顆粒類似地電連接到天線的第二導(dǎo)電層112。代替各向異性導(dǎo)電粘合劑135，可以使用通過固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層。
盡管顯示了其中具有薄膜晶體管的第一層至具有薄膜晶體管的第三層通過各向異性導(dǎo)電粘合劑彼此固定在一起的無線芯片，但是本發(fā)明不限于此，可以使用具有薄膜晶體管的兩層。而且，可以使用具有薄膜晶體管的四層或更多層。
此外，本實(shí)施方式可適當(dāng)?shù)嘏c實(shí)施方式1進(jìn)行組合。
在本實(shí)施方式的無線芯片中，能夠形成天線以及具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層，使其具有幾乎相同的尺寸。絕緣襯底用作具有薄膜晶體管的層的保護(hù)物以及天線的保護(hù)物。因此，增強(qiáng)了無線芯片的機(jī)械強(qiáng)度。
而且，由于在此實(shí)施方式的無線芯片中具有薄膜晶體管的多層被固定到片狀天線，所以無線芯片具有復(fù)合的功能。
實(shí)施方式3將參照圖3說明本發(fā)明的無線芯片的實(shí)施方式。圖3是無線芯片的剖面圖。此實(shí)施方式將說明其中具有薄膜晶體管的層和片狀天線提供在絕緣層上的不同區(qū)域中的無線芯片(的)結(jié)構(gòu)。
在絕緣襯底101上，在第一區(qū)域145中形成具有薄膜晶體管的層141。在具有薄膜晶體管的層141的表面上，形成連接端143。能夠與實(shí)施方式1中形成具有薄膜晶體管的第一層102類似地形成具有薄膜晶體管的層141。此外，如圖3所示，可以去除第二區(qū)域146中部分的薄膜晶體管及其上形成的絕緣層。
通過各向異性導(dǎo)電粘合劑142將天線103固定在第二區(qū)域146上。形成具有薄膜晶體管的層141的連接端143，以便第一區(qū)域145和第二區(qū)域146重疊。天線103的供電層113通過分散在各向異性導(dǎo)電粘合劑142中的導(dǎo)電顆粒電連接到具有薄膜晶體管的層141的連接端143。盡管沒有顯示，但是形成有薄膜晶體管的電路的接地電極通過導(dǎo)電顆粒類似地電連接到天線的第二導(dǎo)電層112。代替各向異性導(dǎo)電粘合劑142，可以使用通過固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層。
在此實(shí)施方式中，具有薄膜晶體管的層具有單層結(jié)構(gòu)；但是，具有薄膜晶體管的層可以具有如實(shí)施方式2中所示的多層結(jié)構(gòu)。此外，如實(shí)施方式3中所示，可以通過各向異性導(dǎo)電粘合劑將具有薄膜晶體管的多層彼此固定到一起。
由于在此實(shí)施方式的無線芯片中具有薄膜晶體管的多層被固定到片狀天線，所以無線芯片具有復(fù)合的功能。
實(shí)施方式4將參照圖4說明本發(fā)明無線芯片的實(shí)施方式。圖4是無線芯片的剖面圖。此實(shí)施方式將說明其中通過各向異性導(dǎo)電粘合劑、導(dǎo)電層等將形成在絕緣襯底上的具有薄膜晶體管的層、無源元件和片狀天線固定到一起的無線芯片的結(jié)構(gòu)。
如實(shí)施方式1所示，在絕緣襯底101上形成具有薄膜晶體管的層102。通過各向異性導(dǎo)電粘合劑104將具有薄膜晶體管的層102與無源元件150彼此固定到一起。此處，通過第一無源元件151和第二無源元件152來顯示無源元件150。而且，通過各向異性導(dǎo)電粘合劑104中的導(dǎo)電顆粒將暴露在具有薄膜晶體管的層102表面處的連接端107電連接到無源元件150的第一連接端161。可以使用通過固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層來代替各向異性導(dǎo)電粘合劑104。
無源元件150和天線103通過導(dǎo)電層171和172彼此固定。天線103的供電層113、無源元件150的第二連接端168、片狀天線的用作接地體的第二導(dǎo)電層112、以及無源元件的第三連接端169分別通過導(dǎo)電層171和172電連接。通過固化導(dǎo)電糊劑形成導(dǎo)電層171和172。作為通過固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層的典型示例，給出了含有選自于錫(Sn)、銀(Ag)、鉍(Bi)、銅(Cu)、銦(In)、鎳(Ni)、銻(Sb)和鋅(Zn)中的多種元素的合金。
第一無源元件151通過使用絕緣層154至157以及在其間提供的導(dǎo)電層162至164而具有電容器、電感器和電阻器中的一個或多個。類似地，第二無源元件152通過使用絕緣層157至160以及在其間提供的導(dǎo)電層165至167而具有電容器、電感器和電阻器中的一個或多個。
優(yōu)選地是，第一無源元件151或第二無源元件152的絕緣層154至160的相對介電常數(shù)是2.6至40。通過具有高的電導(dǎo)率的金屬(例如，金、銀、銅或鋁、或者含有選自于這些金屬的多種元素的合金)形成導(dǎo)電層162至167。
以下說明用于形成第一無源元件151和第二無源元件152的方法。在厚度為10至150μm的含有以片狀形狀形成的氧化鋁和氧化硅的陶瓷上(其是所謂的印刷電路基板或坯片)，通過印刷方法由具有高電導(dǎo)率的金屬(例如，金、銀、銅或鋁、或者含有選自于這些金屬的多種元素的合金)形成導(dǎo)電層。如果必要，可以在印刷電路基板上形成通孔，并可以通過導(dǎo)電糊劑填充通孔來形成插塞。可以通過適當(dāng)?shù)鼗旌嫌糜谛纬蓪?shí)施方式1中所示片狀天線的介電層110的陶瓷、有機(jī)樹脂等來形成印刷電路基板。多個已經(jīng)印刷了導(dǎo)電層的這樣的印刷電路基板能夠堆疊在一起，并在對其施加熱量時能夠壓緊，然后加工使其具有預(yù)定的尺寸。之后，能夠在800至1300℃下烘烤絕緣層和導(dǎo)電層，由此形成第一無源元件151和第二無源元件152。而且，可以在絕緣層的側(cè)表面形成導(dǎo)電層，并且該導(dǎo)電層連接到形成在各個層中的導(dǎo)電層。
通過組合例如電容器、電感器、電阻器和布線的多個無源元件，能夠形成包括電容器(capacitor，電容器)、雙工器(天線共用器)和低通濾波器的天線前端模塊；包括隔離器、連接器、衰減器和功率放大器的隔離器功率放大器模塊；VCO(電壓控制振蕩器)；帶通濾波器(BPF)；多層濾波器；不平衡變壓器；介質(zhì)濾波器；連接器；共振器等。
使用具有薄膜晶體管的層和無源元件形成電源電路、時鐘發(fā)生電路、數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路、用于控制其它電路的控制電路、接口電路、存儲電路、總線、天線、中央處理單元、包括檢測元件和檢測控制電路的檢測部分等。
本實(shí)施方式可適當(dāng)?shù)嘏c實(shí)施方式1至3的任何一個進(jìn)行組合。
本實(shí)施方式的無線芯片包括使用通過薄膜方式形成的薄膜晶體管和無源元件形成的集成電路。因此，由于使用具有適當(dāng)功能的元件形成每個電路，所以無線芯片具有復(fù)合的功能。通過將本發(fā)明的無線芯片安裝在布線襯底上，能夠減少安裝部件的數(shù)量。因此，能夠減小布線襯底的尺寸以及具有該布線襯底的電子設(shè)備的尺寸。
實(shí)施方式5圖5說明了本發(fā)明無線芯片的實(shí)施方式。圖5是無線芯片的剖面圖。此實(shí)施方式將說明其中通過各向異性導(dǎo)電粘合劑、導(dǎo)電層等將通過各向異性導(dǎo)電粘合劑彼此固定的具有薄膜晶體管的多個層、無源元件和片狀天線彼此固定的無線芯片的結(jié)構(gòu)。
類似于實(shí)施方式3，在絕緣層101上形成具有薄膜晶體管的第一層102。具有薄膜晶體管的第一層102和具有薄膜晶體管的第二層131通過各向異性導(dǎo)電粘合劑133彼此固定在一起。
通過在各向異性導(dǎo)電粘合劑133中分散的導(dǎo)電顆粒將形成在具有薄膜晶體管的第一層102表面上的第一連接端電連接到形成在具有薄膜晶體管的第二層表面上的第二連接端。
類似于具有薄膜晶體管的第一層102和具有薄膜晶體管的第二層131，具有薄膜晶體管的第二層131與具有薄膜晶體管的第三層132通過各向異性導(dǎo)電粘合劑134彼此固定在一起。
通過在各向異性導(dǎo)電粘合劑134中分散的導(dǎo)電顆粒將形成在具有薄膜晶體管的第二層131表面上的第三連接端電連接到形成在具有薄膜晶體管的第三層132表面上的第四連接端。
通過各向異性導(dǎo)電粘合劑135將無源元件150與具有薄膜晶體管的第三層132彼此固定。此處，類似于實(shí)施方式4，由第一無源元件151和第二無源元件152顯示無源元件150。而且，各向異性導(dǎo)電粘合劑中的導(dǎo)電顆粒將暴露在具有薄膜晶體管的第三層132的表面處的連接端電連接到無源元件150的第一連接端?？梢允褂猛ㄟ^固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層來代替各向異性導(dǎo)電粘合劑135。
類似于實(shí)施方式4，無源元件150和天線103通過導(dǎo)電層171和172彼此固定。天線103的供電層113、無源元件150的第二連接端168、片狀天線的用作接地體的第二導(dǎo)電層112、以及無源元件的第三連接端169分別通過導(dǎo)電層171和172電連接。通過固化導(dǎo)電糊劑形成導(dǎo)電層171和172。
本實(shí)施方式可適當(dāng)?shù)嘏c實(shí)施方式1至4的任何一個進(jìn)行組合。
本實(shí)施方式的無線芯片包括使用通過厚膜方式形成的薄膜晶體管和無源元件形成的集成電路。因此，由于使用具有適當(dāng)功能的元件形成每個電路，所以無線芯片具有復(fù)合的功能。通過將本發(fā)明的無線芯片安裝在布線襯底上，能夠減少安裝部件的數(shù)量。因此，能夠減小布線襯底的尺寸以及具有該布線襯底的電子設(shè)備的尺寸。
實(shí)施方式6圖6A和6B中顯示了本發(fā)明無線芯片的實(shí)施方式。圖6A是無線芯片的發(fā)展圖，而圖6B是沿著圖6A中線A-B的剖面圖。此實(shí)施方式將說明具有多個天線的無線芯片的結(jié)構(gòu)，特別是說明具有片狀天線以及提供在具有薄膜晶體管的層上的天線的無線芯片的結(jié)構(gòu)。
類似于實(shí)施方式1，在絕緣襯底101上形成具有薄膜晶體管的第一層102。在具有薄膜晶體管的層102上，形成層間絕緣層182。在層間絕緣層182上形成第一天線181。在第一天線181上，形成絕緣層183，在絕緣層183的表面上形成連接端184。
通過各向異性導(dǎo)電粘合劑104將暴露連接端184的絕緣層183與用作第二天線103的片狀天線彼此固定。此外，通過各向異性導(dǎo)電粘合劑104中分散的導(dǎo)電顆粒將連接端184與片狀天線的供電層113彼此電連接。連接端184電連接到形成在具有薄膜晶體管的層102中的第一薄膜晶體管185。而且，形成在具有薄膜晶體管的層102中的第二薄膜晶體管186連接到第一天線181。可以使用通過固化導(dǎo)電糊劑形成的導(dǎo)電層來代替各向異性導(dǎo)電粘合劑。
通過含有鋁、銅或銀的金屬材料形成第一天線181。例如，能夠通過絲網(wǎng)印刷、偏置印刷或噴墨印刷形成銅或銀的糊狀合成物?；蛘?，可以通過濺射形成鋁膜并通過刻蝕圖形化鋁膜。此外，可以使用電鍍方法或無電鍍方法。
此處，第一天線181具有如圖8A所示的方形線圈的形狀。
參照圖8A至8C說明第一天線181的形狀。圖8A至8C是顯示層間絕緣層182和形成在層間絕緣層182上的天線的頂視圖。盡管在此實(shí)施方式中第一天線181具有如圖6A和圖8A所示的方形線圈形狀181a，但是形狀不限于此。天線可以具有圓形線圈形狀。此外，如圖8B所示，天線能夠具有方形環(huán)形狀181b。天線還能夠具有圓形環(huán)形狀。此外，如圖8C所示，天線可以具有線性偶極子形狀181c。而且，天線可以具有曲線偶極子形狀。
本實(shí)施方式能夠適當(dāng)?shù)嘏c實(shí)施方式1至5的任何一個進(jìn)行組合。
通過以此方式提供多個天線，能夠形成可以通過一個無線芯片接收許多電波的多頻帶兼容的無線芯片。
本實(shí)施方式的無線芯片包括使用通過厚膜方式形成的薄膜晶體管和無源元件形成的集成電路。因此，由于使用具有適當(dāng)功能的元件形成每個電路，所以無線芯片具有復(fù)合的功能。通過將本發(fā)明的無線芯片安裝在布線襯底上，能夠減少安裝部件的數(shù)量。因此，能夠減小布線襯底的尺寸以及具有該布線襯底的電子設(shè)備的尺寸。
實(shí)施例1此實(shí)施例將參照圖15A至15H和圖16A至16H說明用于制造能夠用于本發(fā)明無線芯片的薄膜晶體管的方法。
如圖15A所示，在襯底401上形成用作阻擋膜的絕緣層402。接下來，通過日本專利申請公開No.2002-313811中公開的方法形成晶體半導(dǎo)體層403。具體地，在加熱已經(jīng)添加了催化元素的無定形半導(dǎo)體層之后，通過激光照射無定形半導(dǎo)體層以形成晶體半導(dǎo)體層403。接下來，在晶體半導(dǎo)體層上以厚度為1至5納米的氧化物膜形成絕緣層，形成厚度為10至400納米的已經(jīng)添加了惰性氣體的無定形半導(dǎo)體層并加熱，以便形成其中催化元素的濃度已經(jīng)降低的晶體半導(dǎo)體層403。
能夠通過由低溫?zé)酑VD方法、等離子CVD方法、濺射方法等獲得的半導(dǎo)體材料形成無定形半導(dǎo)體層，例如使用硅或含有硅作為其主要成分的合金。
接下來，在晶體半導(dǎo)體層403的表面上通過臭氧水形成薄的氧化物膜之后，施加抗蝕劑并烘烤。之后，進(jìn)行曝光和顯影以形成掩模。接下來，使用掩模將晶體半導(dǎo)體層403刻蝕成預(yù)期形狀，由此以預(yù)期形狀形成分開的晶體半導(dǎo)體層411和412。在形成晶體半導(dǎo)體層411和412之后，去除掩模(參照圖15B)。
接下來，在晶體半導(dǎo)體層411和412的表面上形成厚度為1至10納米的絕緣層413和414。通過在氧氣環(huán)境下UV光照射、熱氧化方法、使用包含羥基或過氧化氫的臭氧水的工藝等，在晶體半導(dǎo)體層411和412的表面上形成絕緣層413和414。或者，通過等離子CVD方法在襯底的所有表面上形成含有氧化硅的絕緣層。此處，通過使用臭氧水處理晶體半導(dǎo)體層的表面，由氧化硅形成絕緣層413和414。
接下來，如圖15C所示，在施加抗蝕劑并烘烤抗蝕劑之后，進(jìn)行曝光和顯影以便在絕緣層413和414上形成掩模415和416。接下來，通過對晶體半導(dǎo)體層411和412摻雜雜質(zhì)元素形成高濃度的雜質(zhì)區(qū)域417和418。此處，通過使用磷作為雜質(zhì)元素來進(jìn)行摻雜。
接下來，如圖15D所示，在去除了掩模415和416之后，加熱晶體半導(dǎo)體層。此處，通過在450到650℃下加熱，殘留在晶體半導(dǎo)體層411和412中的催化元素分散在高濃度的雜質(zhì)區(qū)域417和418中，以降低由掩模覆蓋的晶體半導(dǎo)體層的區(qū)域421和422中的催化元素的濃度。
接下來，如圖15E所示，在去除絕緣層413和414之后，在襯底表面上形成用作柵極絕緣層的絕緣層423。此處，通過CVD方法使用氧化硅形成絕緣層423。
接下來，在絕緣層423上形成用作柵極電極的導(dǎo)電層424和425。能夠通過類似于形成實(shí)施方式1中所示的薄膜晶體管106的柵極電極的方法形成導(dǎo)電層424和425。
接下來，如圖15F所示，在施加抗蝕劑并烘烤抗蝕劑之后，進(jìn)行曝光和顯影以便在晶體半導(dǎo)體層412上形成掩模431。然后，使用導(dǎo)電層424作為掩模對晶體半導(dǎo)體層411摻雜雜質(zhì)元素，由此形成低濃度的雜質(zhì)區(qū)域432。此處，通過使用磷作為雜質(zhì)元素來進(jìn)行摻雜。
隨后，如圖15G所示，在去除掩模431之后，通過類似于掩模431的步驟在晶體半導(dǎo)體層411上形成掩模441。接下來，使用導(dǎo)電層425作為掩模對晶體半導(dǎo)體層412摻雜雜質(zhì)元素，由此形成高濃度的雜質(zhì)區(qū)域443。此處，通過使用硼作為雜質(zhì)元素來進(jìn)行摻雜。
接下來，在襯底上形成絕緣層之后，進(jìn)行晶體半導(dǎo)體層的氫化處理以及低濃度雜質(zhì)區(qū)域和高濃度雜質(zhì)區(qū)域中的雜質(zhì)的激活，由此形成提供n型導(dǎo)電類型的源極和漏極區(qū)域444和提供p型導(dǎo)電類型的源極和漏極區(qū)域445，以及提供n型導(dǎo)電類型的低濃度雜質(zhì)區(qū)域446。
接下來，在襯底上形成絕緣層451之后，去除一部分絕緣層451，以便露出源極和漏極區(qū)域444和445。接下來，形成源極和漏極電極452和453。
通過這些步驟，能夠形成具有提供n型導(dǎo)電類型的源極和漏極區(qū)域444、溝道形成區(qū)域447、用作柵極絕緣層的絕緣層423、用作柵極電極的導(dǎo)電層424、以及源極和漏極區(qū)域452的n溝道薄膜晶體管454。而且，能夠形成具有提供p型導(dǎo)電類型的源極和漏極區(qū)域445、溝道形成區(qū)域448、用作柵極絕緣層的絕緣層423、用作柵極電極的導(dǎo)電層425、以及源極和漏極區(qū)域453的p溝道型薄膜晶體管455。
而且，能夠通過將n溝道型薄膜晶體管454的源極或漏極電極連接到p溝道型薄膜晶體管455的源極或漏極電極來制造CMOS電路。
接下來，參照圖16A至圖16H在晶體半導(dǎo)體層411和412以及形成在其表面上的絕緣層的制造步驟方面來說明不同于圖15A至圖15H中所示步驟的薄膜晶體管的制造步驟。
如圖16A所示，類似于圖15A，在襯底401上形成用作阻擋膜的絕緣層402。接下來，形成晶體半導(dǎo)體層403。
接下來，在晶體半導(dǎo)體層403的表面上形成厚度為1至10納米的絕緣層461。能夠通過類似于圖15B所示的形成絕緣層413和414的步驟形成絕緣層461。
接下來，在施加抗蝕劑并烘烤抗蝕劑之后，進(jìn)行曝光和顯影以便形成掩模。接下來，使用掩模將絕緣層461和晶體半導(dǎo)體層403刻蝕成預(yù)期形狀，由此以預(yù)期形狀形成分開的絕緣層462和463以及晶體半導(dǎo)體層411和412。在形成晶體半導(dǎo)體層411和412之后，去除掩模(參照圖16B)。
接下來，施加抗蝕劑并烘烤抗蝕劑之后，進(jìn)行曝光和顯影以便在絕緣層462和463上形成掩模415和416。
接下來，如圖16C所示，通過對晶體半導(dǎo)體層411和412摻雜雜質(zhì)元素以形成高濃度的雜質(zhì)區(qū)域417和418。此處，通過使用磷作為雜質(zhì)元素來進(jìn)行摻雜。
隨后，如圖16D所示，在去除了掩模415和416之后，加熱晶體半導(dǎo)體層411和412。此處，通過在450到650℃進(jìn)行加熱，殘留在晶體半導(dǎo)體層中的催化元素被分散在高濃度的雜質(zhì)區(qū)域417和418中，由此降低了由掩模覆蓋的晶體半導(dǎo)體層的區(qū)域中的催化元素的濃度。
接下來，如圖16E所示，在去除了晶體半導(dǎo)體層411和412上的絕緣層462和463之后，在襯底表面上形成用作柵極絕緣層的絕緣層423。此處，通過CVD方法使用氧化硅形成絕緣層423。
通過圖15E至15H所示的步驟，能夠形成n溝道型薄膜晶體管454和p溝道薄膜晶體管455。
由于在此實(shí)施例中，在形成薄膜晶體管454和455的過程中兩次進(jìn)行了降低晶體半導(dǎo)體層中催化元素濃度的步驟，所以降低了晶體半導(dǎo)體層中催化元素的濃度。這能夠降低薄膜晶體管454和455的導(dǎo)通電流。
此實(shí)施例能夠適當(dāng)?shù)嘏c上述實(shí)施方式的任何一個進(jìn)行組合。
實(shí)施例2本發(fā)明的無線芯片能夠被廣泛地使用。例如，能夠?qū)o線芯片20提供給車輛(自行車3901(見圖11B)、汽車等)、食品、植物、衣物、一般的商品(手袋3900(見圖11A)等)、電子設(shè)備、檢查裝置等。電子設(shè)備包括液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置(也簡單的稱作TV、TV接收機(jī)或電視接收機(jī))、移動電話3902(見圖11C)、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、護(hù)目鏡3903(見圖11E)、揚(yáng)聲器裝置3904(見圖11E)、頭戴耳機(jī)3905(見圖11F)、導(dǎo)航裝置、電子鑰匙等。
通過將本發(fā)明的無線芯片20提供給手袋3900、自行車3901等，能夠通過GPS檢測這些東西的位置。結(jié)果，能夠找到被盜的自行車。此外，搜索失蹤的人變得容易。
此外，通過在移動電話3902中提供無線芯片20，能夠發(fā)送并接收信息和電話。
而且，通過將本發(fā)明的無線芯片20提供在具有耳機(jī)的護(hù)目鏡3903、揚(yáng)聲器裝置3904、和頭戴耳機(jī)3905中，能夠欣賞由音頻裝置播放的音樂，而不需要使用引線連接到音頻裝置。而且，可以在具有耳機(jī)的護(hù)目鏡3903中與無線芯片20一起提供緊湊的硬盤(存儲裝置)。而且，在無線芯片20具有中央處理單元的情況下，能夠通過具有耳機(jī)的護(hù)目鏡3903、頭戴耳機(jī)3905和揚(yáng)聲器裝置3904接收、解碼、并放大在音頻裝置中編碼的音頻信號。因此，能夠以高秘密性收聽音頻。而且，由于不必使用引線，所以能夠容易地安裝具有耳機(jī)的護(hù)目鏡3903和頭戴耳機(jī)3905，由此揚(yáng)聲器裝置3904的提供是很容易的。在此情況下，優(yōu)選地是揚(yáng)聲器裝置具有電池。
通過將無線芯片安裝在印刷襯底、將無線芯片粘到其表面，或者將無線芯片嵌入其中，可將本發(fā)明的無線芯片固定在產(chǎn)品上。例如，如果產(chǎn)品是包含有機(jī)樹脂的包裝，則通過將無線芯片嵌入在有機(jī)樹脂中從而將無線芯片固定到該產(chǎn)品。當(dāng)把本發(fā)明的無線芯片提供給例如食品、植物、動物、人體、衣物、一般的商品、電子設(shè)備等的產(chǎn)品時，可以使例如檢測系統(tǒng)的系統(tǒng)更加有效。
接下來，將參照

將本發(fā)明的無線芯片安裝到電子設(shè)備的一種模式。此處，將舉例的電子設(shè)備是移動電話，包括機(jī)殼2700和2706、面板2701、外罩2702、印刷布線基板2703、操作按鈕2704、電池2705等(見圖13)。面板2701可移除地結(jié)合在外罩2702中，并且外罩2702固定在印刷布線基板2703中。外罩2702的形狀和尺寸可按照其中將結(jié)合面板2701的電子設(shè)備適當(dāng)?shù)馗淖?。在印刷布線基板2703上，安裝了多個封裝的半導(dǎo)體器件。將被安裝在印刷布線基板2703上的半導(dǎo)體器件具有選自于控制器、中央處理單元、存儲器、電源電路、音頻處理電路、發(fā)送/接收電路等中的任何功能。而且，能夠使用本發(fā)明的無線芯片2710。
面板2701通過連接膜2708連接到印刷布線基板2703。上述面板2701、外罩2702和印刷布線基板2703與操作按鈕2704和電池2705一起封裝在機(jī)殼2700和2706中。在面板2701中提供像素區(qū)域2709，以便通過機(jī)殼2700中提供的開口窗被觀察。
應(yīng)注意，機(jī)殼2700和2706僅僅是移動電話的外部形狀的示例，本發(fā)明的電子設(shè)備能夠按照功能和預(yù)期目的被修改為各種模式。
此處，參照圖14說明以移動電話的數(shù)據(jù)調(diào)制/解調(diào)電路為代表的高頻電路的方塊圖。
首先說明將通過天線接收的信號發(fā)送到基帶單元的步驟。輸入到天線301的接收信號從雙工器302輸入到低噪聲放大器(LAN)303，并放大成預(yù)定的信號。輸入到低噪聲放大器(LAN)303的接收信號通過帶通濾波器(BPF)304輸入到混頻器305。在混頻器305中，從混合電路306輸入RF信號，在帶通濾波器307中去除RF信號分量并解調(diào)。從混頻器305輸出的接收信號通過SAW濾波器308在放大器309中被放大之后被輸入到混頻器310。在混頻器310中，來自本地振蕩器電路311的預(yù)定頻率的本地振蕩信號被輸入并轉(zhuǎn)換成預(yù)定的頻率，并在放大器312中被放大到預(yù)定的水平。然后，將信號發(fā)送到基帶單元313。天線301、雙工器302和低通濾波器328被顯示為天線前端模塊331。
接下來，說明振蕩通過天線從基帶單元發(fā)送的信號的步驟。通過混頻器321將基帶單元313發(fā)送的傳輸信號與來自混合電路306的RF信號混合?；旌想娐?06連接到電壓控制振蕩器電路(VCO)322，并提供預(yù)定頻率的RF信號。
功率放大器(PA)324放大通過帶通濾波器(BPF)323的已經(jīng)被混頻器321射頻調(diào)制的傳輸信號。連接器325取出來自功率放大器(PA)324的一部分輸出，并通過衰減器(APC)326將其調(diào)整到具有預(yù)定水平。然后，將該輸出再次輸入到功率放大器(PA)324，并調(diào)整使得功率放大器(PA)324的傳輸增益成為常數(shù)。連接器325發(fā)送的傳輸信號通過用于防止逆流的隔離裝置327和低通濾波器(LPF)328輸入到雙工器302，并從連接到雙工器302的天線301發(fā)送。衰減器(APC)326、功率放大器(PA)324、連接器325、和隔離裝置327被顯示為隔離裝置功率放大器模塊332。
由于本發(fā)明的無線芯片具有上述的高頻電路，所以能夠減少部件數(shù)量。因此，能夠減少在布線基板上安裝的部件的數(shù)量，由此能夠減少布線基板的尺寸。結(jié)果，能夠減小移動電話的尺寸。
接下來，參照圖12A和12B說明能夠無線地發(fā)送檢測到的生物體的功能數(shù)據(jù)的檢查裝置的示例。圖12A中所示的檢查裝置3950具有本發(fā)明的無線芯片3951，無線芯片3951位于涂覆有保護(hù)層的膠囊3952內(nèi)。膠囊3952與無線芯片3951之間的間隔可以填充填充物3953。
在圖12B所示的檢查裝置3955中，本發(fā)明的無線芯片3951設(shè)置在涂覆有保護(hù)層的膠囊3952內(nèi)。無線芯片的電極3956暴露在膠囊3952的外側(cè)。膠囊3952與無線芯片3951之間的間隔可以填充填充物3953。
檢查裝置3950和3955中的無線芯片3951是具有如圖9C所示的檢測部分的無線芯片。在檢測部分中測量物理量或化學(xué)量，以便檢測生物體的功能數(shù)據(jù)。能夠?qū)z測的結(jié)果轉(zhuǎn)換成信號，并發(fā)送至讀取器/寫入器。在檢測例如壓力量、光或聲波的物理量的情況下，能夠使用如圖12A所示的其中電極沒有暴露在膠囊3952外側(cè)的檢查裝置3950。而且，在檢測溫度、流率、磁、加速度、濕度、氣體成分、例如像離子的流體成分的化學(xué)物質(zhì)等的情況下，優(yōu)選地使用如圖12B所示的其中電極3956暴露在膠囊3952外側(cè)的檢查裝置3950。
在使用檢查裝置拍攝身體內(nèi)部的圖像的情況下，檢查裝置可以具有發(fā)光器件，例如LED或EL。這使得能夠在身體內(nèi)部拍攝圖像。
提供在膠囊表面上的保護(hù)層優(yōu)選地含有金剛石狀的碳(DLC)、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、或氮化碳。膠囊和填充物可以是已知的適當(dāng)選取的那些。通過在膠囊上提供保護(hù)層，能夠防止膠囊和無線芯片在身體內(nèi)部溶解或改變其性質(zhì)。
為了從檢查裝置自發(fā)地向讀取器/寫入器發(fā)送檢查結(jié)果，檢查裝置可以具有已知的電池。
接下來，說明使用檢查裝置的方法。如圖12C所示，受測試者吞下檢查裝置3950或3955，并使檢查裝置3950或3955在身體的空腔3963內(nèi)移動。通過無線芯片中的檢測部分檢測到的結(jié)果被發(fā)送至在受測試者附近設(shè)置的讀取器/寫入器3961。通過讀取器/寫入器接收此結(jié)果。因此，能夠在此位置檢測受測試者的生物體的功能數(shù)據(jù)，而不用收集無線芯片。而且，能夠拍攝體腔和消化器官內(nèi)的圖像。
此外，如圖12D所示，通過埋入在受測試者3962體內(nèi)的檢查裝置3950或3955，無線芯片中的檢測部分檢測到的結(jié)果被發(fā)送至在受測試者附近設(shè)置的讀取器/寫入器3964。在此情況下，檢查裝置3955埋入在受測試者的體內(nèi)，使得電極3956與受測試者身體的待測量部分接觸。讀取器/寫入器接收此結(jié)果。將接收的結(jié)果記錄在生物信息管理計(jì)算機(jī)中并在其中進(jìn)行處理，因此能夠管理受測試者的生物信息。通過在床3960中提供讀取器/寫入器3964，能夠在任何時間檢測遭受官能障礙并很難走動的受測試者的生物信息，并且能夠管理受測試者的治療狀態(tài)和健康條件。
此實(shí)施例能夠適當(dāng)?shù)嘏c上述實(shí)施方式的任何一個進(jìn)行組合。
實(shí)施例3此實(shí)施例將參照圖17說明填充了流體的容器從制造商配送到交付代理人等的管理系統(tǒng)。
圖17中所示的填充了流體的容器的管理系統(tǒng)包括供給器501和填充了流體的容器502。供給器501具有用于從容器引出流體的引管503、用于向外部供應(yīng)流體的供給管嘴504、用于控制從引管引出的流體向供給管嘴流動的第一閥門505、用于控制流體從第一閥門向供給管嘴流動的第二閥門506、用于讀取存儲在無線芯片中的信息的讀取器/寫入器507、和用于根據(jù)讀取器/寫入器發(fā)送的信號控制第一閥門控制部分508。
容器502具有如上述實(shí)施方式和實(shí)施例中所示的無線芯片509。在無線芯片509中存儲了用于填充容器502的流體的信息，例如制造數(shù)據(jù)、制造商、以及材料。在制造商的管理中心511管理該信息。無線芯片509可以具有電池。通過提供電池，無線芯片能夠自發(fā)地將信息發(fā)送到讀取器/寫入器。此外，無線芯片509可以具有檢測部分。能夠通過讀取器/寫入器和接口將關(guān)于檢測部分檢測到的流體的信息發(fā)送至制造商的管理中心。
通過金屬、塑料、陶瓷等形成容器502。
作為用于填充容器502的流體的典型示例，給出了例如可飲用水、溫泉水或日常生活用水的液體；例如丙烷氣體、天然氣、氫氣、氧氣或氮?dú)獾臍怏w；或例如漿糊、冰淇淋或湯的凝膠狀流體。
當(dāng)容器502連接到供給器501時，供給器501的讀取器/寫入器507讀取存儲在容器502的無線芯片509中的信息。接下來，通過接口512將讀取器/寫入器讀取的信息發(fā)送至制造商的管理中心511。接口512將存儲在無線芯片509中的信息發(fā)送到外面，并且用作終端側(cè)信息發(fā)送/接收裝置，用于從管理中心511接收信號?？梢允褂靡蛱鼐W(wǎng)、電話線等作為接口512。
從接口512發(fā)送的流體的信息被發(fā)送至制造商的管理中心511內(nèi)的服務(wù)器513。在管理中心內(nèi)的服務(wù)器513判斷流體的信息，具體地為使用日期、產(chǎn)品有效期、制造商和材料。在無線芯片509具有檢測部分的情況下，除了上述的流體信息外，還能夠接收流體的各種信息，例如新鮮度、溫度等。此處，根據(jù)容器的裝運(yùn)列表514和過去使用的容器的列表515，通過判斷容器502和供給器501的選擇的一致性以及流體的使用日期、產(chǎn)品有效期和制造商來判斷是否供應(yīng)流體。在制造商的管理中心511，容器的裝運(yùn)列表514和過去使用的容器的列表515存儲在服務(wù)器513中。
接下來，是否供應(yīng)該流體的判斷結(jié)果從管理中心511發(fā)送至供給器501。供給器501的讀取器/寫入器507接收來自管理中心的傳輸。如果將要供應(yīng)該流體，則將信號發(fā)送到供給器的控制部分508，第一閥門505開啟。當(dāng)?shù)陠T打開第二閥門506時，該流體能夠通過供給管嘴504被提供到外面。優(yōu)選地，第一閥門505是自動可控的，可以通過電磁閥來形成第一閥門505。優(yōu)選地，第二閥門506是手動可控或自動可控的，可以通過手控閥或自動閥來形成第二閥門506。如果第二閥門506是自動可控的，則通過連接到由店員操作的開關(guān)的電磁閥來控制該閥門的開啟和關(guān)閉。
通過使用這樣的系統(tǒng)，制造商能夠計(jì)算該流體在交付代理人處的消耗量。因此，能夠自動地進(jìn)行填充該流體的容器的裝運(yùn)管理，這簡化了在交付代理人和制造商處運(yùn)輸和接收定單的步驟。
由于第一閥門505的開啟和關(guān)閉由存儲在無線芯片509中的信息控制，所以能夠自動地控制流體的供應(yīng)。因此，能夠防止流體超出使用日期和產(chǎn)品有效期，避免了由于較差的保存狀態(tài)等而變質(zhì)的流體被提供給消費(fèi)者。
而且，根據(jù)存儲在無線芯片509中的信息，能夠區(qū)別由某公司制造的容器502和填充容器502的流體與由其它公司制造的容器和流體。因此，能夠防止由其它公司制造的同種流體與由某公司制造的供給器相連而被供給。
此實(shí)施例能夠適當(dāng)?shù)嘏c上述實(shí)施方式的任何一個進(jìn)行組合。
本申請是以2005年3月8日在日本專利局提交的日本專利申請序列號No.2005-064271為基礎(chǔ)，所述申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文。
權(quán)利要求
1.一種無線芯片，包括具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層；形成在具有所述薄膜晶體管的所述層的表面上并連接到所述薄膜晶體管的連接端；具有第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的天線；以及用于電連接所述天線與連接端的連接層。
2.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中通過堆疊具有薄膜晶體管的多個層來形成所述具有薄膜晶體管的層。
3.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中在所述絕緣襯底上，將形成有所述具有薄膜晶體管的層的區(qū)域不同于將提供所述天線的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中該無線芯片具有高頻電路。
5.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中該無線芯片具有微處理器。
6.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中該無線芯片具有檢測元件。
7.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中所述絕緣襯底是玻璃襯底。
8.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中通過選自于氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鋯鈦酸鉛的一種或多種材料形成所述介電層。
9.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中通過選自于環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂、乙烯苯和聚延胡索酸酯的一種或多種材料形成所述介電層。
10.一種具有如權(quán)利要求1所述的無線芯片的電子設(shè)備。
11.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中電子設(shè)備是液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置、移動電話、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、帶耳機(jī)的護(hù)目鏡、揚(yáng)聲器裝置、頭戴耳機(jī)、導(dǎo)航裝置、或電子鑰匙。
12.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中所述連接層包括具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層。
13.如權(quán)利要求1所述的無線芯片，其中所述連接層包括第三導(dǎo)電層。
14.一種無線芯片，包括具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層；形成在具有所述薄膜晶體管的所述層的表面上并連接到所述薄膜晶體管的第一連接端和第二連接端；天線，具有介電層、在所述介電層的第一平面上的第一導(dǎo)電層、在隔著所述介電層與所述第一平面相對的第二平面上的用作接地體的第二導(dǎo)電層、形成在所述第一平面、所述第二平面以及與所述第一平面和第二平面接觸的第三平面上的用作供電體的第三導(dǎo)電層；以及連接層，用于電連接所述第一連接端與第二導(dǎo)電層，并用于電連接所述第二連接端與第三導(dǎo)電層。
15.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中通過堆疊具有薄膜晶體管的多個層來形成所述具有薄膜晶體管的層。
16.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中在所述絕緣襯底上，將形成有所述具有薄膜晶體管的層的區(qū)域不同于將提供所述天線的區(qū)域。
17.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中該無線芯片具有高頻電路。
18.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中該無線芯片具有微處理器。
19.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中該無線芯片具有檢測元件。
20.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中所述絕緣襯底是玻璃襯底。
21.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中通過選自于氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鋯鈦酸鉛的一種或多種材料形成所述介電層。
22.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中通過選自于環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂、乙烯苯和聚延胡索酸酯的一種或多種材料形成所述介電層。
23.一種具有如權(quán)利要求14所述的無線芯片的電子設(shè)備。
24.如權(quán)利要求23所述的電子設(shè)備，其中電子設(shè)備是液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置、移動電話、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、帶耳機(jī)的護(hù)目鏡、揚(yáng)聲器裝置、頭戴耳機(jī)、導(dǎo)航裝置、或電子鑰匙。
25.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中所述連接層包括具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層。
26.如權(quán)利要求14所述的無線芯片，其中所述連接層包括第四導(dǎo)電層。
27.一種無線芯片，包括具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層；形成在具有所述薄膜晶體管的所述層的表面上并連接到所述薄膜晶體管的第一連接端；具有選自于電感器、電容器和電阻器中的一個或多個無源元件的層；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的第一平面上的第二連接端；形成在與所述第一平面相對的第二平面上的第三連接端；用于電連接所述第一連接端與第二連接端的第一連接層；具有第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的天線；以及用于電連接所述第三連接端與天線的第二連接層。
28.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中通過堆疊具有薄膜晶體管的多個層來形成所述具有薄膜晶體管的層。
29.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中在所述絕緣襯底上，將形成有具有薄膜晶體管的層的區(qū)域不同于將提供所述天線的區(qū)域。
30.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中該無線芯片具有高頻電路。
31.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中該無線芯片具有微處理器。
32.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中該無線芯片具有檢測元件。
33.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中所述絕緣襯底是玻璃襯底。
34.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中通過選自于氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鋯鈦酸鉛的一種或多種材料形成所述介電層。
35.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中通過選自于環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂、乙烯苯和聚延胡索酸酯的一種或多種材料形成所述介電層。
36.一種具有如權(quán)利要求27所述的無線芯片的電子設(shè)備。
37.如權(quán)利要求36所述的電子設(shè)備，其中電子設(shè)備是液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置、移動電話、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、帶耳機(jī)的護(hù)目鏡、揚(yáng)聲器裝置、頭戴耳機(jī)、導(dǎo)航裝置、或電子鑰匙。
38.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中所述第一連接層包括具有第一導(dǎo)電顆粒的第一有機(jī)樹脂層，所述第二連接層包括具有第二導(dǎo)電顆粒的第二有機(jī)樹脂層。
39.如權(quán)利要求27所述的無線芯片，其中所述第一連接層包括第三導(dǎo)電層，所述第二連接層包括第四導(dǎo)電層。
40.一種無線芯片，包括具有形成在絕緣襯底上的第一薄膜晶體管的第一層；形成在所述第一層的表面上并連接到所述第一薄膜晶體管的第一連接端；具有第二薄膜晶體管的第二層；形成在所述第二層的第一平面上的第二連接端；形成在與所述第一平面相對的第二平面上的第三連接端；用于電連接所述第一連接端與第二連接端的第一連接層；具有第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的天線；以及用于電連接所述第三連接端與天線的第二連接層。
41.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中在所述絕緣襯底上，將形成有所述第一層和第二層的區(qū)域不同于將提供所述天線的區(qū)域。
42.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中所述第一層和第二層具有1微米至10微米的厚度。
43.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中所述第一層和第二層具有1微米至5微米的厚度。
44.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中該無線芯片具有高頻電路。
45.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中該無線芯片具有微處理器。
46.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中該無線芯片具有檢測元件。
47.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中所述絕緣襯底是玻璃襯底。
48.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中通過選自于氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鋯鈦酸鉛的一種或多種材料形成所述介電層。
49.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中通過選自于環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂、乙烯苯和聚延胡索酸酯的一種或多種材料形成所述介電層。
50.一種具有如權(quán)利要求40所述的無線芯片的電子設(shè)備。
51.如權(quán)利要求50所述的電子設(shè)備，其中電子設(shè)備是液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置、移動電話、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、帶耳機(jī)的護(hù)目鏡、揚(yáng)聲器裝置、頭戴耳機(jī)、導(dǎo)航裝置、或電子鑰匙。
52.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中所述第一連接層包括具有第一導(dǎo)電顆粒的第一有機(jī)樹脂層，所述第二連接層包括具有第二導(dǎo)電顆粒的第二有機(jī)樹脂層。
53.如權(quán)利要求40所述的無線芯片，其中所述第一連接層包括第三導(dǎo)電層，所述第二連接層包括第四導(dǎo)電層。
54.一種無線芯片，包括具有形成在絕緣襯底上的第一薄膜晶體管的第一層；形成在所述第一層的表面上并連接到所述第一薄膜晶體管的第一連接端；具有第二薄膜晶體管的第二層；形成在所述第二層的第一平面上的第二連接端；形成在所述第二層的與第一平面相對的第二平面上的第三連接端；用于電連接第一連接端與第二連接端的第一連接層；具有選自于電感器、電容器和電阻器中的一個或多個無源元件的層；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的第一平面上的第四連接端；形成在所述具有一個或多個無源元件的層的與第一平面相對的第二平面上的第五連接端；用于電連接所述第三連接端與第四連接端的第二連接層；具有第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的天線；以及用于電連接所述第五連接端與天線的第三連接層。
55.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中在所述絕緣襯底上，將形成有所述第一層和第二層的區(qū)域不同于將提供所述天線的區(qū)域。
56.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中所述第一層和第二層具有1微米至10微米的厚度。
57.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中所述第一層和第二層具有1微米至5微米的厚度。
58.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中該無線芯片具有高頻電路。
59.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中該無線芯片具有微處理器。
60.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中該無線芯片具有檢測元件。
61.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中所述絕緣襯底是玻璃襯底。
62.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中通過選自于氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鋯鈦酸鉛的一種或多種材料形成所述介電層。
63.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中通過選自于環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂、乙烯苯和聚延胡索酸酯的一種或多種材料形成所述介電層。
64.一種具有如權(quán)利要求54所述的無線芯片的電子設(shè)備。
65.如權(quán)利要求64所述的電子設(shè)備，其中電子設(shè)備是液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置、移動電話、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、帶耳機(jī)的護(hù)目鏡、揚(yáng)聲器裝置、頭戴耳機(jī)、導(dǎo)航裝置、或電子鑰匙。
66.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中所述第一連接層包括具有第一導(dǎo)電顆粒的第一有機(jī)樹脂層，所述第二連接層包括具有第二導(dǎo)電顆粒的第二有機(jī)樹脂層，所述第三連接層包括具有第三導(dǎo)電顆粒的第三有機(jī)樹脂層。
67.如權(quán)利要求54所述的無線芯片，其中所述第一連接層包括第三導(dǎo)電層，所述第二連接層包括第四導(dǎo)電層，所述第三連接層包括第五導(dǎo)電層。
68.一種無線芯片，包括形成在絕緣襯底上并具有第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和連接到所述第一薄膜晶體管的第一天線的層；形成在所述具有第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和連接到所述第一薄膜晶體管的第一天線的層的表面上并連接到所述第二薄膜晶體管的連接端；具有第一導(dǎo)電層、用作接地體的第二導(dǎo)電層、夾在所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的第二天線；以及用于電連接所述連接端與第二天線的連接層。
69.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中該無線芯片具有高頻電路。
70.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中該無線芯片具有微處理器。
71.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中該無線芯片具有檢測元件。
72.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中所述絕緣襯底是玻璃襯底。
73.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中通過選自于氧化鋁、玻璃、鎂橄欖石、鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶、鋯酸鉛、鈮酸鋰和鋯鈦酸鉛的一種或多種材料形成所述介電層。
74.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中通過選自于環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚丁二烯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪系樹脂、乙烯苯和聚延胡索酸酯的一種或多種材料形成所述介電層。
75.一種具有如權(quán)利要求68所述的無線芯片的電子設(shè)備。
76.如權(quán)利要求75所述的電子設(shè)備，其中電子設(shè)備是液晶顯示器件、EL顯示器件、電視裝置、移動電話、打印機(jī)、照相機(jī)、個人計(jì)算機(jī)、帶耳機(jī)的護(hù)目鏡、揚(yáng)聲器裝置、頭戴耳機(jī)、導(dǎo)航裝置、或電子鑰匙。
77.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中所述連接層包括具有導(dǎo)電顆粒的有機(jī)樹脂層。
78.如權(quán)利要求68所述的無線芯片，其中所述連接層包括第三導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有高機(jī)械強(qiáng)度的無線芯片。而且，本發(fā)明還提供了一種能夠防止電波被阻擋的無線芯片。在本發(fā)明的無線芯片中，通過各向異性導(dǎo)電粘合劑將具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管的層固定到天線，并將薄膜晶體管連接到天線。天線具有介電層、第一導(dǎo)電層、和第二導(dǎo)電層；第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間是介電層；第一導(dǎo)電層用作發(fā)射電極；第二電極用作接地體。
文檔編號H01L27/12GK1832169SQ20061005889
公開日2006年9月13日 申請日期2006年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月8日
發(fā)明者鈴木幸惠, 荒井康行, 山崎舜平 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所