專利名稱：導(dǎo)線架及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種導(dǎo)線架制作技術(shù)，特別是關(guān)于一種能夠具有多個(gè)導(dǎo)電 區(qū)域或特殊電性區(qū)域并提供金屬板線路額外支撐強(qiáng)度的導(dǎo)線架及其制作方 法。
背景技術(shù)：
電子封裝的目的主要為傳遞電路信號(hào)、傳遞電能、提供散熱途徑以及結(jié)
構(gòu)保護(hù)與支持等。在進(jìn)行半導(dǎo)體后段的封裝工藝中，導(dǎo)線架(Lead frame) 及半導(dǎo)體載板(IC substrate)是作為集成電路芯片與外部電路連接的橋梁，以 用來(lái)傳輸芯片內(nèi)部電子信號(hào)至外部系統(tǒng)板。
然而，隨著芯片電路功能提升，導(dǎo)致芯片的輸入輸出接點(diǎn)也大幅增加， 承載芯片的導(dǎo)線架僅能利用四邊做引腳，無(wú)法提供足夠引腳；且導(dǎo)線架只能 進(jìn)行相連且單純的線路；而另一種利用一印刷電路板(PCB)作為承載芯片 的載板，并輔以其底部呈陣列式排列的錫球來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)以金屬導(dǎo)線架在周?chē)?做引腳的方式被提出，這種封裝技術(shù)的好處在于相同尺寸面積下，引腳數(shù)可 以變多，其封裝尺寸縮小許多。然而在這種封裝元件的消耗功率愈來(lái)愈大的 結(jié)果下，導(dǎo)致封裝元件的散熱問(wèn)題成為一無(wú)法克服的難題。
但隨著芯片功能的整合(SOC)筒化了線路設(shè)計(jì)， 一些CSP尺寸封裝轉(zhuǎn)向 使用導(dǎo)線架以達(dá)到散熱的需求；同時(shí)也孕育了線路設(shè)計(jì)復(fù)雜程度介于CSP 與導(dǎo)線架間的需求，例如QFN封裝產(chǎn)品需求量提升即是一個(gè)明顯的例子。 但是上下不對(duì)稱線路的需求轉(zhuǎn)為以傳統(tǒng)導(dǎo)線架制作方式并不容易，有l(wèi))半蝕 刻(Half etching)線路制作不易；2)灌膠(molding)時(shí)容易造成線路變形；以及 3，)灌膠時(shí)的溢膠污染接腳的問(wèn)題不易克服等問(wèn)題。所以，本發(fā)明針對(duì)上述 的問(wèn)題提出 一種新的導(dǎo)線架及其制造方法來(lái)解決上述的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是揭露一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是以金屬板局部雙面同時(shí)加 工形成較密及準(zhǔn)確對(duì)位的線路間距，局部羊面加工在金屬板上形成圖案化凹 槽，并填入絕緣材料或不同導(dǎo)電性的材料，使此金屬板隔絕為多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域 或特殊電性區(qū)域并提供金屬板線路額外的支撐強(qiáng)度。本發(fā)明是改善已知導(dǎo)線 架的制作限制，并且具有散熱效果佳以及有高引腳數(shù)變化性多的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種導(dǎo)線架的制造方法，其是利用雙面同 時(shí)蝕刻或機(jī)械加工深控成型貫穿或鑄造的方式，來(lái)制作較細(xì)密的線路間距部 分并可準(zhǔn)確對(duì)位，并配合局部單面蝕刻的方式產(chǎn)生凹槽，然后在通槽/凹槽中 填充填充物以得到支撐，再完成凹槽另一面的線路，以有效解決已知導(dǎo)線架 制作、封裝的問(wèn)題。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種導(dǎo)線架的制造方法，其是利用填充材 料與支撐結(jié)構(gòu)的制作使得線路多樣化，而可適用于各種半導(dǎo)體封裝需求。
本發(fā)明的又一目的，在于提供一種導(dǎo)線架的制造方法，其是直接制作出 上下表面相連通的柱狀導(dǎo)體，并在圖案其中填塞入填充材料支撐，而無(wú)須如 印刷電路板的導(dǎo)通需利用鉆孔及鍍通孔技術(shù)，故可省去繞線的麻煩而縮小載 板尺寸，或是在相同尺寸下可提供較大的可利用面積，接腳不限于導(dǎo)線架的
四周，可說(shuō)是LGA(Landgridarray)的導(dǎo)線架。
本發(fā)明的 一實(shí)施例為在一金屬板上形成有貫穿的圖案化通槽與未貫穿 的凹槽設(shè)計(jì)；并在圖案化通槽或凹槽中內(nèi)填塞入填充材料，以形成一具有多 個(gè)導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)線架。
本發(fā)明的另一實(shí)施例為導(dǎo)線架的制造方法，其是提供一金屬板；對(duì)金屬 板進(jìn)行蝕刻、機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以形成多個(gè)通槽與下/上凹槽； 在通槽與下/上凹槽內(nèi)選擇性填塞填充物；在金屬板上下表面上形成多個(gè)導(dǎo)電 層；隨后對(duì)金屬板進(jìn)行蝕刻、機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以在金屬板上 表面形成多個(gè)上/下凹槽，完成線路的制作。
本發(fā)明還提供另一種導(dǎo)線架的制造方法為提供一金屬板；對(duì)該金屬板 進(jìn)行蝕刻、機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以形成多個(gè)通槽與下/上凹槽，并
在這些通槽與下/上凹槽內(nèi)選擇性填塞填充物；接著再對(duì)該金屬板進(jìn)行蝕刻、 機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以在該金屬上表面形成多個(gè)通槽與上/下凹
槽，并在這些通槽與上/下凹槽內(nèi)選擇填塞填充物或不填塞填充物；以及在該 金屬板上、下表面形成多個(gè)導(dǎo)電層，完成線路的制作。 本發(fā)明的有益效果為
一、 可利用填充物材料與支撐結(jié)構(gòu)的制作使得線路多樣化，而可廣泛適 用于各種半導(dǎo)體封裝需求。
二、 可預(yù)先形成多個(gè)金屬球以降低封裝的報(bào)廢率及成本，提高封裝元件 的信賴性。
三、 因各接腳間均已用填充物將其填充，故可完全避免使用傳統(tǒng)導(dǎo)線架 封裝在灌膠時(shí)所產(chǎn)生的溢膠到上錫面(SMTPad)的問(wèn)題，可減少封裝的工藝、 提高優(yōu)良率及降低成本。
四、 可形成有一容置槽的導(dǎo)線架以降低整體封裝高度。
為使審查員對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效更有進(jìn)一 步的了解與 認(rèn)識(shí)，謹(jǐn)以較佳的實(shí)施例、附圖及配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如后。


圖1A至圖1J2為本發(fā)明的一實(shí)施例各步驟構(gòu)造剖視圖。 圖2A至圖2C2為本發(fā)明的另一實(shí)施例各步驟構(gòu)造剖視圖。 圖3是圖1B的金屬板上表面的圖案化抗蝕層圖案示意圖。 圖4是圖1B的金屬板下表面的圖案化抗蝕層圖案示意圖。 圖5A至圖5F4為本發(fā)明的又一實(shí)施例各步驟構(gòu)造剖視圖。 圖6為本發(fā)明將容置槽的形成步驟結(jié)合于上凹槽蝕刻步驟的示意圖。 圖7A與圖7B是形成多個(gè)金屬球，以作為對(duì)外連接的接口的實(shí)施例示 意圖。
圖號(hào)對(duì)照說(shuō)明:
10金屬板12圖案化抗蝕層
14圖案化抗蝕層16通槽
18下凹槽20填充物
22圖案化抗蝕層24圖案化抗蝕層
26上凹槽28填充物
30圖案化抗鍍層32圖案化抗鍍層
34導(dǎo)電層36圖案化抗鍍層
38圖案化抗鍍層42圖案化抗蝕層
44圖案化抗蝕層48芯片
50導(dǎo)線52封裝膠體
54容置槽56金屬球
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明為一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是利用選擇性蝕刻、深控成型技 術(shù)或鑄造方式、雙面蝕刻技術(shù)搭配填充物填充技術(shù)制作出一作為半導(dǎo)體載板 的金屬板導(dǎo)線架，使其同時(shí)兼具有散熱效果佳且可適用于高引腳數(shù)的半導(dǎo)體 封裝，以克服現(xiàn)有的導(dǎo)線架制作及封裝的問(wèn)題。
在此先說(shuō)明，本發(fā)明是利用通槽、上凹槽、下凹槽與填充技術(shù)來(lái)形成金 屬導(dǎo)線架，因此并不能以通槽、上凹槽、下凹槽形成的工藝點(diǎn)差異來(lái)局限本 發(fā)明。而以下是以先形成通槽與下凹槽為范例，來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的步驟流程。
首先，請(qǐng)參閱圖1A，在一金屬板10的上、下表面分別形成有一圖案化 抗蝕層12與一圖案化抗蝕層14，且圖案化抗蝕層12的圖案請(qǐng)參閱圖3所示， 而圖案化抗蝕層14的圖案請(qǐng)參閱圖4所示。
再同時(shí)以圖案化抗蝕層12與圖案化抗蝕層14為掩膜，對(duì)金屬板10進(jìn) 行蝕刻，以形成如圖1B所示的通槽16與下凹槽18,該蝕刻的方式可采用 濕式蝕刻方式，主要是因?yàn)闈袷轿g刻溶劑在咬蝕金屬載板10穿透后，易形
成較直的側(cè)壁，而有助于形成較細(xì)密的線路部分，并可得到準(zhǔn)確對(duì)位性，隨 后并移除圖案化抗蝕層12、 14。通槽或下凹槽的形成也可以是經(jīng)過(guò)多次的選 擇性蝕刻、多次的深控成型或鑄造的方式制作?？傊?，該凹槽或通槽的形成 方法可選自多次濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造或經(jīng)過(guò)深控成型方式。
接續(xù)，進(jìn)行填充工藝，在上述的通槽16與下凹槽18內(nèi)填塞支撐物或填 充物20，并經(jīng)過(guò)一研磨步驟進(jìn)行填充物20平坦化，使填充物20不會(huì)覆蓋在 金屬板10上將制作線路或覆蓋導(dǎo)電層的部分，如此即形成細(xì)密的線路部分 與下表面的線路部分，如圖1C所示。其中，填充物20的材質(zhì)可為樹(shù)脂、銀 膠、銅膠、碳墨等種種阻隔或改變電性的材料。且在該金屬板表面或位于該 填充材料上方還可選擇形成或不形成一防旱掩膜層。
然后，請(qǐng)參閱圖1D所示，在金屬板10上、下表面各形成一圖案化抗蝕 層22與一圖案化抗蝕層24，接續(xù)以圖案化抗蝕層22、 24為掩膜對(duì)金屬 板IO進(jìn)行蝕刻，以在金屬板10上形成多個(gè)上凹槽26，隨后移除圖案化抗蝕 層22、 24，形成如圖1E所示，而該蝕刻的方式可通過(guò)選擇性蝕刻方式或深 控成型來(lái)制作完成。
隨后在上述的多個(gè)上凹槽26中選擇是否選擇填塞支撐物或填充物28， 并在填塞支撐物或填充物28后經(jīng)過(guò)一研磨步驟進(jìn)行填充物平坦化，以形成 上表面的電路，如圖1F1或圖1F2所示。
接續(xù)， 在金屬板10上、下表面各形成一圖案化抗鍍層30、 32或防焊層， 如圖1G1或圖1G2所示。該圖案化抗鍍層30、 32或防焊層是定義出多個(gè)對(duì) 外導(dǎo)電層的位置。以該圖案化抗鍍層30、 32或防焊層為掩膜，在金屬板IO 上、下表面形成多個(gè)用以增加導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電性的對(duì)外導(dǎo)電層34，隨后移除 圖案化抗鍍層30、 32,或防焊層不移除，形成如圖1H1或者圖1H2所示的 結(jié)構(gòu)。其中該導(dǎo)電層是選自無(wú)電鍍錫、電鍍錫、無(wú)電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無(wú)電鍍鎳鈀金及無(wú)電鍍鎳浸金等等的各種金屬表面處理。
在完成導(dǎo)線架的制作后，可進(jìn)行芯片48安裝的步驟，在本實(shí)施例中是
以金屬板10中央作為安裝芯片預(yù)定區(qū)域，并通過(guò)導(dǎo)線50將芯片48與作為 對(duì)外導(dǎo)電接點(diǎn)的對(duì)外導(dǎo)電層34相連接，最后以一封裝膠體52覆蓋在金屬板10 的上表面，以包覆住該芯片48及導(dǎo)線50，此封裝膠體52通常為環(huán)氧樹(shù)脂 (epoxyresin),藉以提供一機(jī)械性的保護(hù)作用，避免受到外力侵害，形成如 圖111與圖112所示的結(jié)構(gòu)。另外，可在金屬板10中央先形成有一容置槽54 以降低整體封裝高度，隨后再進(jìn)行芯片48安裝等步驟，以形成如圖1J1與 圖U2所示的結(jié)構(gòu)。
而在前述的進(jìn)行金屬板10的通槽16與下凹槽18內(nèi)填塞支撐物或填充 物20的工藝步驟，也可依據(jù)金屬板上各區(qū)域?qū)﹄娦缘男枨?，選擇填塞入或 者不填塞入支撐物或填充物20，請(qǐng)參閱圖2A,其是一通槽16與部分下凹 槽18內(nèi)無(wú)填塞支撐物或填充物20的實(shí)施例示意圖。其隨后如利用同前述的 步驟在金屬板10上形成多個(gè)上凹槽26，并選擇需填入填塞支撐物或填充物28 的上凹槽26填入支撐物或填充物28，進(jìn)行填充物平坦化，以形成如圖2B 所示的上表面電路。隨后，在金屬板10的上、下表面形成多個(gè)對(duì)外導(dǎo)電層34， 并進(jìn)行芯片48安裝與封裝膠體52的步驟，形成如圖2C1或圖2C2所示的 結(jié)構(gòu)。
除了上述的實(shí)施例外，本發(fā)明也舉出另一種實(shí)施例，該實(shí)施例是先形成 一下/上凹槽或通槽后，在凹槽或通槽填塞填充物并平坦化后，再在金屬板上、 下表面特定區(qū)域形成多個(gè)導(dǎo)電層，隨后，再形成上/下凹槽與線路。
在此是舉一先形成下凹槽或通槽，再依序填塞填充物、形成導(dǎo)電層、上 凹槽的實(shí)施例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。首先請(qǐng)參照前述圖1A至圖1C所示的步驟，以 便形成已填充有填充物的下凹槽18與通槽16，如圖5A所示。
接續(xù)，請(qǐng)參閱圖5B，在金屬板10的上、下表面各形成一圖案化抗鍍 層36、 38，該圖案化抗鍍層36、 38是定義出多個(gè)對(duì)外導(dǎo)電層的位置。接續(xù)， 以該圖案化抗鍍層36、 38為掩膜，在金屬板10上、下表面形成多個(gè)用以增 加導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電性的對(duì)外導(dǎo)電層34，其中該導(dǎo)電層34是選自無(wú)電鍍錫、
電鍍錫、無(wú)電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳金、無(wú)電鍍鎳鈀金及無(wú)電鍍鎳浸金等等
的各種金屬表面處理，隨后移除圖案化抗鍍層36、 38，如圖5C所示。
在金屬板10的上、下表面分別形成一圖案化抗蝕層42、 44，以定義出 上凹槽的位置，接續(xù)，以圖案化抗蝕層42、 44與對(duì)外導(dǎo)電層34為掩膜，對(duì) 金屬板10進(jìn)行蝕刻，以形成如圖5D所示的上凹槽26，隨后，將圖案化抗 蝕層42、 44移除，接續(xù)，選擇性進(jìn)行填充工藝，在上述的上凹槽26內(nèi)填塞 支撐物或填充物28,以獲得一結(jié)合已知導(dǎo)線架與印刷電路板的技術(shù)與優(yōu)點(diǎn)的 導(dǎo)線架，如圖5E1或圖5E2所示。
隨后進(jìn)行芯片48、導(dǎo)線50裝設(shè)與封裝膠體52,以形成如圖5F1、圖5F2， 或者先進(jìn)行容置槽54蝕刻，再進(jìn)行芯片48、導(dǎo)線50裝設(shè)與封裝膠體52， 以形成具有芯片48容置槽54的圖5F3與圖5F4所示的結(jié)構(gòu)。
另外，容置槽54的形成步驟也可合并于上凹槽26的形成步驟內(nèi)，其工 藝步驟將變?yōu)樵诮饘侔?0的上、下表面分別形成一圖案化抗蝕層42、 44, 以定義出上凹槽26與容置槽54的位置，接續(xù)，以圖案化抗蝕層42、 44與 對(duì)外導(dǎo)電層34為掩膜，對(duì)金屬板10進(jìn)行蝕刻，以形成如圖6所示的上凹 槽26與容置槽54，隨后，將圖案化抗蝕層42、 44移除，接續(xù)，選擇性進(jìn)行 填充工藝與芯片安裝等步驟，因后續(xù)工藝步驟與先前所述相同，在此不再進(jìn) 行贅述。
請(qǐng)參閱圖7A與圖7B，其是本發(fā)明的又一實(shí)施例，這些實(shí)施例是在此導(dǎo) 線架的制作過(guò)程中，如選擇多個(gè)下凹槽不填充填充物時(shí)，形成多個(gè)金屬 球56(metal bump)以取代傳統(tǒng)的錫球(solder ball)，作為對(duì)外連接的接口 ，減 少不同金屬接口相黏接時(shí)所產(chǎn)生的信賴性問(wèn)題，可增加整體元件的信賴度， 并因減少植錫球的工藝，可降低整體封裝工藝報(bào)廢率及成本。
綜上所述，本發(fā)明為一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是利用一雙面蝕刻技 術(shù)來(lái)在金屬板上形成較密集的線路部分，并配合多次蝕刻、深控成型及填充 物填塞技術(shù)以有效的解決已知導(dǎo)線架制作、封裝的問(wèn)題。
本發(fā)明可歸納出下列幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)
一、 可利用填充物材料與支撐結(jié)構(gòu)的制作使得線路多樣化，而可廣泛適
用于各種半導(dǎo)體封裝需求。
二、 可預(yù)先形成多個(gè)金屬球以降低封裝的報(bào)廢率及成本，提高封裝元件 的信賴性。
三、 因各接腳間均已用填充物將其填充，故可完全避免使用傳統(tǒng)導(dǎo)線架
封裝在灌膠時(shí)所產(chǎn)生的溢膠到上錫面(SMT Pad)的問(wèn)題，可減少封裝的工藝、 提高優(yōu)良率及降低成本。
四、 可形成有一容置槽的導(dǎo)線架以降低整體封裝高度。
以上所述，僅為本發(fā)明一較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍， 故凡依本發(fā)明權(quán)利要求所述的工藝方法、特征及精神所做的均等變化與修 飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)線架，其特征在于包括一金屬板，其上形成有貫穿的圖案化通槽與未貫穿的凹槽設(shè)計(jì)；以及一填充材料，填充于所述金屬板的圖案化通槽或凹槽中，用以連結(jié)、支撐將該金屬板隔絕為多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述填充材料為一絕緣材 料，其是將所述金屬板隔絕為多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域。
3. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述填充材料為一導(dǎo)電性 材料，其是填充于所述金屬板特定的圖案化通槽及凹槽中，用以將該區(qū)域形 成特殊電性區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板的多個(gè)導(dǎo)電 區(qū)域表面更經(jīng)過(guò)一表面處理，以形成一導(dǎo)電層。
5. 如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述導(dǎo)電層是選自無(wú)電鍍 錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無(wú)電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳金、無(wú)電鍍鎳 鈀金及無(wú)電鍍鎳浸金的金屬表面處理。
6. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽的形成方 法是選自多次濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造或經(jīng)過(guò)深控成型方式。
7. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過(guò) 多次的選擇性蝕刻方式所制作完成的。
8. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過(guò) 多次的深控成型方式所制作完成的。
9. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過(guò) 鑄造方式所制作完成的。
10. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板上的芯片 安裝預(yù)定位置還設(shè)有T個(gè)或多個(gè)容置槽，以供安裝一個(gè)或多個(gè)芯片。
11. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板表面或位 于所述填充材料上方還可選擇形成或不形成一防焊掩膜層。
12. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述填充材料為樹(shù)脂、 銀膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
13. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板的下表面 還形成多個(gè)金屬球，以供半導(dǎo)體元件對(duì)外連接用。
14. 一種導(dǎo)線架制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一金屬板；對(duì)所述金屬板進(jìn)行加工，以形成多個(gè)通槽與下/上凹槽； 選擇性的在所述這些通槽與下/上凹槽內(nèi)填塞填充物； 在所述金屬板的上、下表面上形成多個(gè)導(dǎo)電層；以及 對(duì)所述金屬板進(jìn)行加工，以在該金屬板上表面形成多個(gè)上/下凹槽，并選 擇性的在這些上/下凹槽內(nèi)填塞填充物。
15. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，加工方法可 選自多次濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造或經(jīng)過(guò)深控成型方式。
16. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過(guò)多次的選擇性蝕刻方式所制作完成的。
17. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過(guò)多次的深控成型方式所制作完成的。
18. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過(guò)鑄造方式所制作完成的。
19. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層 是選自無(wú)電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無(wú)電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無(wú)電鍍鎳釔金及無(wú)電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與導(dǎo)線架作電性連接用的 金屬表面處理。
20. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述填充材料 為樹(shù)脂、銀膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
21. —種導(dǎo)線架制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一金屬板，對(duì)該金屬板進(jìn)行加工，以形成多個(gè)通槽與下/上凹槽； 在所述這些通槽與下/上凹槽內(nèi)選擇性的填塞填充物； 對(duì)所述金屬板進(jìn)行加工，以在該金屬板上表面形成多個(gè)上/下凹槽，并在這些上/下凹槽內(nèi)選擇性的填塞填充物；以及 在所述金屬板上/下表面形成多個(gè)導(dǎo)電層。
22. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述加工方 法可選自濕/干式蝕刻、鑄造或深控成型。
23. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過(guò)多次的選^^性蝕刻方式所制作完成的。
24. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過(guò)多次的深控成型方式所制作完成的。
25. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過(guò)鑄造方式所制作完成的。
26. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層 是選自無(wú)電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無(wú)電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無(wú)電鍍鎳釔金及無(wú)電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與導(dǎo)線架作電性連接用的 金屬表面處理。
27. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述填充材料 為樹(shù)脂、銀膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
28. —種半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于包括一金屬板，其上形成有一貫穿的圖案化通槽及上、下凹槽設(shè)計(jì)； 一填充物，其填充于所述金屬板的圖案化通槽或上、下凹槽中，用以將 該金屬板隔絕為一個(gè)或多個(gè)芯片預(yù)定區(qū)域與多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域；以及一個(gè)或多個(gè)芯片，安裝于所述金屬板上的芯片預(yù)定區(qū)域，并與所述導(dǎo)電 區(qū)域形成電性連接。
29. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，在所述金屬板 的多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域表面還經(jīng)過(guò)一表面處理，以形成一導(dǎo)電層。
30. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述導(dǎo)電層是 選自無(wú)電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無(wú)電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳金、 無(wú)電鍍鎳鈀金及無(wú)電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與半導(dǎo)體封裝元件作電性連 接用的金屬表面處理。
31. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，還包括一封裝 膠體包覆所述芯片。
32. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述凹槽或通 槽是經(jīng)過(guò)多次的選擇性蝕刻方式所制作完成的。
33. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述凹槽或 通槽是經(jīng)過(guò)多次的深控成型方式所制作完成的。
34. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過(guò)鑄造方式所制作完成的。
35. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述導(dǎo)電層 是選自無(wú)電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無(wú)電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無(wú)電鍍鎳鈀金及無(wú)電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與導(dǎo)線架作電性連接用的 金屬表面處理。
36. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述填充材料 為樹(shù)脂、4艮膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
37. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，在所述金屬板 上的芯片預(yù)定區(qū)域還設(shè)有一個(gè)或多個(gè)容置槽，以供容置安裝一個(gè)或多個(gè)芯片。
38. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，在所述金屬板 的下鳥(niǎo)面還形成一個(gè)或多個(gè)金屬球，以供半導(dǎo)體元件對(duì)外連接用。
全文摘要
本發(fā)明是揭露一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是以金屬板局部雙面同時(shí)加工形成較密及準(zhǔn)確對(duì)位的線路間距，局部單面加工在金屬板上形成圖案化凹槽，并填入絕緣材料或不同導(dǎo)電性的材料，使此金屬板隔絕為多個(gè)導(dǎo)電區(qū)域或特殊電性區(qū)域并提供金屬板線路額外的支撐強(qiáng)度。本發(fā)明是改善已知導(dǎo)線架的制作限制，并且具有散熱效果佳以及有高引腳數(shù)變化性多的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101097900SQ200610093539
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2006年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月26日
發(fā)明者張儀玲 申請(qǐng)人:張儀玲;臺(tái)灣應(yīng)解股份有限公司