專利名稱：：晶體管的電極結(jié)構(gòu)和包括該結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電極結(jié)構(gòu)，更詳細(xì)來說，涉及一種薄膜晶體管的電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：近年來，平面顯示器的發(fā)展越來越迅速，已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器。現(xiàn)今的平面顯示器主要有下列幾種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OrganicLight-EmittingDiodesDisplay；OLED)、等離子體顯示器(PlasmaDisplayPanel；PDP)、液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay；LCD)以及場發(fā)射顯示器(FieldEmissionDisplay；FED)等。其中控制這些平面顯示器中每個像素開啟與關(guān)閉的薄膜晶體管(TFT)，即為這些平面顯示器中相當(dāng)關(guān)鍵性的元件之一。如圖1所示，一般薄膜晶體管的電極結(jié)構(gòu)1包括柵極電極10、源極電極11、漏極電極12及半導(dǎo)體層13。該半導(dǎo)體層13形成在該柵極電極10之上，該源極電極11和該漏極電極12形成在該半導(dǎo)體層13的部分上，且彼此分隔并分別與該柵極電極10部分重迭。一般而言，源極電極寬度LS和漏極電極寬度LD都約為4微米，利用這種尺寸的電極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，完成控制像素的開啟與關(guān)閉的功能。然而，在電流由漏極電極12流至源極電極11時，由漏極電極12的圓弧部分15流出的電流僅能流入源極電極11的圓頭部分14；但是源極電極11的圓頭部分14對于漏極電極12的圓弧部分15而言，其相對重迭區(qū)域非常有限，且此圓頭部分14極易受到工藝變異的影響，進(jìn)而阻止正常電流傳輸。此將嚴(yán)重影響電流量，且造成電流不穩(wěn)定。因此要如何增加并穩(wěn)定漏極電極12流向源極電極11的電流量，以使顯示器的TFT電性傳輸無虞且較為穩(wěn)定，即為需要努力和改善的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種晶體管的電極結(jié)構(gòu)，通過改變其中兩個電極的相對尺寸關(guān)系，以提高并穩(wěn)定電極間所傳遞的電流量。上述電極結(jié)構(gòu)，包括第一電極和第二電極。該第一電極具有至少兩個第一區(qū)域和至少一個第二區(qū)域。各該第一區(qū)域互相平行且具有第一寬度，該第二區(qū)域具有第二寬度，并連接該第一區(qū)域，以便于界定出具有開口的空間。該第二電極透過該開口，設(shè)置在部分該空間中。其中，該第一寬度實質(zhì)上大于該第二寬度。實現(xiàn)上述目的的另一種實施方式，是該電極結(jié)構(gòu)，包括第一電極和第二電極。該第一電極具有至少兩個第一區(qū)域和至少一個第二區(qū)域。各該第一區(qū)域互相平行且具有第一寬度，該第二區(qū)域具有第二寬度，并連接該第一區(qū)域，以便于界定出具有開口的空間。該第二電極具有本體和端部區(qū)域，該端部區(qū)域透過該開口，設(shè)置在部分該空間中，而該端部區(qū)域的寬度比該本體的寬度大。本發(fā)明的另一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括前段所述的任一晶體管的電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一目的在于提供一種顯示裝置，包括前段所述的任一晶體管的電極結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過改變晶體管的電極結(jié)構(gòu)中的電極寬度來提高并穩(wěn)定電極間所傳遞的電流，且使得電極間溝道長度仍然可以保持在設(shè)計法則的規(guī)定中。如此一來，即可在不改變設(shè)計法則的規(guī)定下，實現(xiàn)提高并穩(wěn)定電流量的目的。在參閱附圖及隨后描述的實施方式后，該
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員便可了解本發(fā)明的其它目的，以及本發(fā)明的技術(shù)手段和實施方式。圖1為現(xiàn)有薄膜晶體管的電極結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為本發(fā)明電極結(jié)構(gòu)第一實施例的示意圖；圖2B為本發(fā)明電極結(jié)構(gòu)第一實施例中，連接部位在另一位置的示意圖；圖3A為本發(fā)明電極結(jié)構(gòu)第二實施例的示意圖；圖3B為本發(fā)明電極結(jié)構(gòu)第二實施例中，連接部位在另一位置的示意圖；圖4A為本發(fā)明電極結(jié)構(gòu)第三實施例的示意圖；及圖4B為本發(fā)明的第三實施例中，連接部位在另一位置的示意圖；圖5為不同晶體管間，其漏極電極電流ID對漏極電極電壓VD的實驗曲線圖；圖6為不同晶體管間，其漏極電極電流ID對漏極電極電壓VD的另一實驗曲線圖；和圖7為本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)與顯示裝置間的關(guān)系示意圖。簡單符號說明1薄膜晶體管的電極結(jié)構(gòu)10柵極電極11源極電極12漏極電極13半導(dǎo)體層14源極電極的圓頭部分15漏極電極的圓弧部分LS源極電極寬度LD漏極電極寬度2晶體管的電極結(jié)構(gòu)20柵極電極21源極電極22漏極電極23預(yù)定材料層220、221第一區(qū)域222第二區(qū)域223連接部LS源極電極寬度LD1第一寬度LD2第二寬度3晶體管的電極結(jié)構(gòu)30柵極電極31源極電極32漏極電極33預(yù)定材料層310本體311端部區(qū)域320、321第一區(qū)域322第二區(qū)域323連接部4晶體管之電極結(jié)構(gòu)40柵極電極41源極電極42漏極電極43預(yù)定材料層410本體411端部區(qū)域420、421第一區(qū)域422第二區(qū)域423連接部7顯示裝置71像素結(jié)構(gòu)LS1端部區(qū)域?qū)挾萀S2本體寬度LD1第一寬度LD2第二寬度具體實施例方式為便于理解，所述的第一電極和第二電極都以較常見實施方式的漏極與源極進(jìn)行說明。本發(fā)明的第一實施例如圖2A及圖2B所示，為一種晶體管的電極結(jié)構(gòu)2，其包括柵極電極20、源極電極21、漏極電極22和預(yù)定材料層23。預(yù)定材料層23形成在柵極電極20之上，源極電極21和漏極電極22形成在部分的預(yù)定材料層23上，且彼此分隔并分別與柵極電極20部分重迭。漏極電極22具有兩個第一區(qū)域220、221、一個第二區(qū)域222和連接部223。第一區(qū)域220、221互相平行，并且都具有第一寬度LD1，第二區(qū)域222具有第二寬度LD2，并連接第一區(qū)域220、221，用以使漏極電極22界定出具有開口的空間。而在本實施例當(dāng)中，第一寬度LD1實質(zhì)上大于第二寬度LD2。第一實施例所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)2其中一種方式如圖2A所展示，將漏極電極22的連接部223連接到第二區(qū)域222。而另一種方式則如圖2B所展示，將漏極電極22的連接部223連接到第一區(qū)域220。而在本實施例之中，源極電極21的寬度LS實質(zhì)上與第一寬度LD1相等。第一實施例各種參數(shù)將進(jìn)行如下的例示說明第一寬度LD1和源極電極21的寬度LS實質(zhì)上為4微米，第二寬度LD2實質(zhì)上為2微米至3.8微米。因此，第一寬度LD1與第二寬度LD2實質(zhì)上相差0.2微米至2微米；源極電極21的寬度LS與第二寬度LD2實質(zhì)上相差0.2微米至2微米。換句話說，第二寬度LD1實質(zhì)上等于第一寬度LD1減去至少0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LD2＝LD1-n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)。舉例而言，若n＝0.2，LD1＝4，則LD2＝3.8；若n＝1，LD1＝4，則LD2＝3；若n＝0.4，LD1＝5，則LD2＝4.6；若n＝1.25，LD1＝4，則LD2＝2.75，若n＝1，LD1＝3，則LD2＝2，可依設(shè)計的需求來加以改變，且需注意的是第二寬度LD1，也可以源極電極21的寬度LS減去至0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LD2＝LS-n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)，在此不再贅言。經(jīng)過計算可以得知，第一寬度LD1與第二寬度LD2的比值實質(zhì)上為1.05至2；源極電極21的寬度LS與第二寬度LD2的比值實質(zhì)上也為1.05至2。本發(fā)明的第二實施例如圖3A和圖3B所示，為一種晶體管的電極結(jié)構(gòu)3，其包括柵極電極30、源極電極31、漏極電極32和預(yù)定材料層33。預(yù)定材料層33形成在柵極電極30之上，源極電極31和漏極電極32形成在部分的預(yù)定材料層33上，且彼此分隔并分別與柵極電極30部分重迭。漏極電極32具有兩個第一區(qū)域320、321、一個第二區(qū)域322及連接部323。第一區(qū)域320、321互相平行，并且都具有第一寬度LD1，第二區(qū)域322具有第二寬度LD2，并連接第一區(qū)域320、321，用以使漏極電極32界定出具有開口的空間。源極電極31具有本體310和端部區(qū)域311，端部區(qū)域311設(shè)置在部分的漏極電極32所界定的具有開口的空間。而在本實施例當(dāng)中，第一寬度LD1實質(zhì)上等于第二寬度LD2，端部區(qū)域311的寬度LS1比本體310的寬度LS2大，且端部區(qū)域311的寬度LS1實質(zhì)上大于第一寬度LD1和第二寬度LD2。第二實施例所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)3其中一種方式如圖3A所展示，將漏極電極32的連接部323連接到第二區(qū)域322。而另一種方式則如圖3B所展示，將漏極電極32的連接部323連接到第一區(qū)域320。第二實施例的各種參數(shù)將進(jìn)行如下的例示說明第一寬度LD1和第二寬度LD2實質(zhì)上為4微米，源極電極31的端部區(qū)域311的寬度LS1實質(zhì)上為4.2微米至8微米，源極電極31的本體310的寬度LS2實質(zhì)上為4微米至6微米。因此，端部區(qū)域311的寬度LS1與本體310的寬度LS2實質(zhì)上相差0.2微米至2微米；端部區(qū)域311的寬度LS1與第一寬度LD1實質(zhì)上相差2.2微米至4微米。換句話說，端部區(qū)域311的寬度LS1實質(zhì)上等于本體LS2加上至少0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LS1＝LS2+n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)。舉例而言，若n＝0.2，LS2＝4，則LS1＝4.2；若n＝1，LS2＝4，則LS1＝5；若n＝0.2，LS2＝6，則LS1＝6.2；若n＝1.25，LS2＝4，則LS1＝5.25，若n＝1，LS2＝3，則LS1＝4，可依設(shè)計的需求來加以改變，且需注意的是，端部區(qū)域311的寬度LS1也可以第一寬度LD1加上至少0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LS1＝LD1+n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)，在此不再贅言。經(jīng)過計算可以得知，端部區(qū)域311的寬度LS1與本體310的寬度LS2的比值實質(zhì)上為1.03至1.33；端部區(qū)域311的寬度LS1與第一寬度LD1的比值實質(zhì)上為1.55至2。本發(fā)明的第三實施例如圖4A及圖4B所示，為一種晶體管的電極結(jié)構(gòu)4，其包括柵極電極40、源極電極41、漏極電極42及預(yù)定材料層43。預(yù)定材料層43形成在柵極電極40之上，源極電極41和漏極電極42形成在部分的預(yù)定材料層43上，且彼此分隔并分別與柵極電極40部分重迭。漏極電極42具有兩個第一區(qū)域420、421、一個第二區(qū)域422和連接部423。第一區(qū)域420、421互相平行，并且都具有第一寬度LD1，第二區(qū)域422具有第二寬度LD2，并連接第一區(qū)域420、421，用以使漏極電極42界定出具有開口的空間。源極電極41具有本體410和端部區(qū)域411，端部區(qū)域411設(shè)置在部分的漏極電極42所界定的具有開口的空間。而在本實施例當(dāng)中，第一寬度LD1實質(zhì)上大于第二寬度LD2，端部區(qū)域411的寬度LS1比本體410的寬度LS2大，且端部區(qū)域411的寬度LS1實質(zhì)上大于第一寬度LD1。第三實施例所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)4其中一種方式如圖4A所展示，將漏極電極42的連接部423連接到第二區(qū)域422。而另一種方式則如圖4B所展示，將漏極電極42的連接部423連接到第一區(qū)域420。第三實施例的各種參數(shù)將進(jìn)行如下的例示說明第一寬度LD1實質(zhì)上為4微米，第二寬度LD2實質(zhì)上為2微米至3.8微米，源極電極41的端部區(qū)域411的寬度LS1實質(zhì)上為4.2微米至8微米，源極電極41的本體410的寬度LS2實質(zhì)上為4微米至6微米。因此，端部區(qū)域411的寬度LS1與本體410的寬度LS2實質(zhì)上相差0.2微米至2微米；端部區(qū)域411的寬度LS1與第一寬度LD1實質(zhì)上相差2.2微米至4微米；第一寬度LD1與第二寬度LD2實質(zhì)上相差0.2微米至2微米。換句話說，端部區(qū)域411的寬度LS1實質(zhì)上等于本體LS2加上至少0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LS1＝LS2+n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)。舉例而言，若n＝0.2，LS2＝4，則LS1＝4.2；若n＝1，LS2＝4，則LS1＝5；若n＝0.2，LS2＝6，則LS1＝6.2；若n＝1.25，LS2＝4，則LS1＝5.25，若n＝1，LS2＝3，則LS1＝4，可依設(shè)計的需求來加以改變，且需注意的是端部區(qū)域411的寬度LS1，也可以第一寬度LD1加上至少0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LS1＝LD1+n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)，在此不再贅言。第二寬度LD1實質(zhì)上等于第一寬度LD1減上至少0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LD2＝LD1-n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)。舉例而言，若n＝0.2，LD1＝4，則LD2＝3.8；若n＝1，LD1＝4，則LD2＝3；若n＝0.4，LD1＝5，則LD2＝4.6；若n＝1.25，LD1＝4，則LD2＝2.75，若n＝1，LD1＝3，則LD2＝2，可依設(shè)計的需求來加以改變，且需注意的是第二寬度LD1，也可以本體LS2減去至0.2微米的差異，可用下列方程式來表示LD2＝LS2-n，其中，n為大于或等于0.2的自然數(shù)，在此不再贅言。經(jīng)過計算可以得知，端部區(qū)域411的寬度LS1與本體410的寬度LS2的比值實質(zhì)上為1.03至1.33；端部區(qū)域411的寬度LS1與第一寬度LD1的比值實質(zhì)上為1.55至2；第一寬度LD1與第二寬度LD2的比值實質(zhì)上則為1.05至2。圖5和圖6是展示各種不同形式的晶體管，在控制像素開啟與關(guān)閉時的漏極電極電流(ID)對漏極電極電壓(VD)曲線圖；其中，圖5是展示像素為全暗時，ID對VD的曲線圖，圖6則展示像素單位面積的發(fā)光強(qiáng)度為5000尼特(nit)時，ID對VD的曲線圖。詳細(xì)地講，參閱圖5，元件符號510、511、512為柵極電極電壓(VG)為10伏特時，各種不同形式的晶體管的ID對VD曲線，其中元件符號510為使用圖1的電極結(jié)構(gòu)1的晶體管，元件符號511為使用圖2A的電極結(jié)構(gòu)2的晶體管，元件符號512為使用圖4A的電極結(jié)構(gòu)4的晶體管。元件符號520、521、522是VG為20伏特時，各種不同形式的晶體管的ID對VD曲線，同樣的，元件符號520、521、522分別為使用圖1的電極結(jié)構(gòu)1、圖2A的電極結(jié)構(gòu)2、圖4A的電極結(jié)構(gòu)4的晶體管。元件符號530、531、532是VG為30伏特的類似結(jié)果。參閱圖6，元件符號610、611、612為柵極電極電壓(VG)為10伏特時，各種不同形式的晶體管的ID對VD曲線，其中元件符號610為使用圖1的電極結(jié)構(gòu)1的晶體管，元件符號611為使用圖2A的電極結(jié)構(gòu)2的晶體管，元件符號612為使用圖4A的電極結(jié)構(gòu)4的晶體管。元件符號620、621、622是VG為20伏特時，各種不同形式的晶體管的ID對VD曲線，同樣的，元件符號620、621、622分別為使用圖1的電極結(jié)構(gòu)1、圖2A的電極結(jié)構(gòu)2、圖4A的電極結(jié)構(gòu)4的晶體管。元件符號630、631、632是VG為30伏特的類似結(jié)果。。進(jìn)行前述各種不同實驗中，電極結(jié)構(gòu)的晶體管的參考尺寸如下使用圖1的電極結(jié)構(gòu)1的晶體管的源極電極11的寬度LS和漏極電極12的寬度LD都為4微米。使用圖2A的電極結(jié)構(gòu)2的晶體管的源極電極21的寬度LS和漏極電極22的第一寬度LD1都為4微米，而漏極電極22的第二寬度LD2則為3微米。使用圖4A的電極結(jié)構(gòu)4的晶體管的源極電極41的本體410的寬度LS2和漏極電極42的第一寬度LD1都為4微米，源極電極41的端部區(qū)域411的寬度LS1為5微米，而漏極電極42的第二寬度LD2則為3微米。由前述的圖5和圖6可以得知，相對于現(xiàn)有技術(shù)(圖1)，使用具有本發(fā)明特征電極結(jié)構(gòu)(如第2A、4A圖)的晶體管，足以明顯地提高電極間(即上述的漏極電極和源極電極間)所傳遞的電流量。參閱圖7，前段所述的第一實施例和第二實施例的晶體管的電極結(jié)構(gòu)2、3、4均可以使用于一種顯示裝置7中，該顯示裝置7包括像素結(jié)構(gòu)71，像素結(jié)構(gòu)71中還包括信號線(未圖標(biāo))，均與漏極電極22、32的連接部223、323連接。前述的顯示裝置包括屏幕、電視、筆記型計算機(jī)、觸控式面板(touchpanel)、攜帶式電子產(chǎn)品的顯示屏(如移動電話、數(shù)字相機(jī)、數(shù)字錄像機(jī)、數(shù)字影音撥放機(jī)、數(shù)字秘書(如PDA(個人數(shù)字助理)、黑莓機(jī)(blackberry)或其它類似的產(chǎn)品)、掌上型游戲機(jī)(如GameBoy、PSP(playstationportable)、NintendoDSLite或其它類似的游戲機(jī)))、汽車影音裝置、戶外或室內(nèi)顯示板、戶外或室內(nèi)指示板等各種可供顯示的顯示裝置。除了上述的顯示裝置運(yùn)用類型之外，也包括不同種類的顯示裝置，所述顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OrganicLight-EmittingDiodesDisplay；OLED)、等離子體顯示器(PlasmaDisplayPanel；PDP)、液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay；LCD)以及場發(fā)射顯示器(FieldEmissionDisplay；FED)等。以上敘述僅就本發(fā)明的特征電極結(jié)構(gòu)予以說明，關(guān)于像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置等一般基本架構(gòu)，因非屬本案特征，且也為本
技術(shù)領(lǐng)域：
普通技術(shù)人員可予理解的技術(shù)架構(gòu)，在本案中則不另贅述。再者，必需說明的是，上述實施例的附圖，均以趨近于U型為漏極電極的范例，然而漏極電極的型態(tài)并不限于此，只要能被本發(fā)明實施例的描述所涵蓋者(如C型或其它方式)，均為可以替代的方案。并且，該電極結(jié)構(gòu)可適用的晶體管類型，包括底柵型(如背溝道蝕刻型(BCE)、蝕刻終止型(Etching-stopper))、頂柵型(top-gate)或其它類似的類型。此外，上述本發(fā)明實施例的預(yù)定材料層，以半導(dǎo)體層為范例說明，然而也并不限于該型態(tài)，也可包括介電層或上述的組合。半導(dǎo)體層的材料包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅或上述的組合，且半導(dǎo)體層也可摻雜N型摻雜劑、P型摻雜劑或上述的組合。當(dāng)半導(dǎo)體層摻雜摻雜劑時，該摻雜劑可為水平式摻雜或垂直式摻雜在部分的半導(dǎo)體層中，并且，該摻雜子的濃度也可隨著其水平式或垂直式方向增加或減少。然而，半導(dǎo)體層也可區(qū)分為數(shù)個分層，且前述的摻雜劑也可摻雜于至少一個分層中。介電層的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、有機(jī)化合物或上述的組合。另外，上述實施例的附圖，均以柵極電極20、30、40的寬度實質(zhì)上大于預(yù)定材料層23、33、43的寬度為實施范例，然而，該柵極電極20、30、40的寬度也可實質(zhì)上小于或等于預(yù)定材料層23、33、43的寬度。換言之，柵極電極20、30、40的面積實質(zhì)上大于預(yù)定材料層23、33、43的面積為實施范例，然而，該柵極電極20、30、40的面積也可實質(zhì)上小于或等于預(yù)定材料層23、33、43的面積。此外，上述實施例的附圖都是以第一寬度LD1、源極電極21的寬度LS、源極電極31、41的本體310、410的寬度LS2都以4微米為實施范例和實驗數(shù)據(jù)說明之，然而，只要能符合本發(fā)明所述的設(shè)計規(guī)則(designrule)并滿足機(jī)器的分辨率(resolution)，則電極結(jié)構(gòu)所述的部分，如第一寬度LD1、源極電極21的寬度LS、源極電極31、41的本體310、410的寬度LS2都可使用其它尺寸大小，如3微米、3.5微米、2微米、1微米、1.25微米或其它的尺寸大小。由上述可知，本發(fā)明在制造晶體管時，通過改變原本晶體管電極結(jié)構(gòu)中的固定電極寬度，來提高并穩(wěn)定電極間(即上述的漏極和源極間)所傳遞的電流量，且使得電極間溝道長度仍然可以保持在業(yè)界設(shè)計法則的定義中，例如漏極電極22、32、42與源極電極21、31、41之間的距離仍保持在4微米。如此一來，即可在不改變設(shè)計法則下，也可達(dá)到所需的技術(shù)突破目的。上述的實施例僅用來例舉本發(fā)明的實施方式，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，并非用來限制本發(fā)明的范圍。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員可輕易完成的改變或其等同物均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種晶體管的電極結(jié)構(gòu)，包括第一電極，具有至少兩個第一區(qū)域，互相平行，且各該第一區(qū)域具有第一寬度；和至少一個第二區(qū)域，具有第二寬度，并連接所述第一區(qū)域，以便于界定出具有開口的空間；以及第二電極，透過該開口，設(shè)置在部分該空間中；其中，該第一寬度實質(zhì)上大于該第二寬度。2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一電極還具有連接部，與所述第一區(qū)域的其中之一連接。3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一電極還具有與該第二區(qū)域連接的連接部。4.如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度與該第二寬度的比值實質(zhì)上為1.05至2。5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度與該第二寬度實質(zhì)上相差0.2至2微米。6.如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第二電極的寬度實質(zhì)上等于第一寬度。7.如權(quán)利要求6所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第二電極的寬度與該第二寬度的比值實質(zhì)上為1.05至2。8.如權(quán)利要求6所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第二電極的寬度與該第二寬度實質(zhì)上相差0.2至2微米。9.如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度實質(zhì)上為4微米。10.如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第二寬度實質(zhì)上為2至3.8微米。11.一種晶體管的電極結(jié)構(gòu)，包括第一電極，具有至少兩個第一區(qū)域，互相平行，且各該第一區(qū)域具有第一寬度；和至少一個第二區(qū)域，具有第二寬度，且連接所述第一區(qū)域，以便于界定出具有開口的空間；以及第二電極，具有本體和端部區(qū)域，該端部區(qū)域透過該開口，設(shè)置在部分該空間中；其中，該端部區(qū)域的寬度比該本體的寬度大。12.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該端部區(qū)域的寬度與該本體的寬度的比值實質(zhì)上為1.03至1.33。13.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該本體的寬度實質(zhì)上為4至6微米。14.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該端部區(qū)域的寬度實質(zhì)上為4.2至8微米。15.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度實質(zhì)上大于該第二寬度。16.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度與該第二寬度的比值實質(zhì)上為1.05至2。17.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一寬度實質(zhì)上為4微米。18.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第二寬度實質(zhì)上為2至3.8微米。19.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該端部區(qū)域的寬度與該本體的寬度實質(zhì)上相差0.2至2微米。20.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該端部區(qū)域的寬度實質(zhì)上大于該第一寬度。21.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該端部區(qū)域的寬度與該第一寬度的比值實質(zhì)上為1.55至2。22.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該端部區(qū)域的寬度與該第一寬度實質(zhì)上相差2.2微米至4微米。23.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一電極還具有連接部，與所述第一區(qū)域的其中之一連接。24.如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)，其中該第一電極還具有與該第二區(qū)域連接的連接部。25.一種像素結(jié)構(gòu)，包括如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)。26.如權(quán)利要求25所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一電極還具有與所述第一區(qū)域的其中之一連接的連接部。27.如權(quán)利要求26所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括與該連接部連接的信號線。28.如權(quán)利要求25所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一電極還具有與該第二區(qū)域連接的連接部。29.如權(quán)利要求28所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括與該連接部連接的信號線。30.一種像素結(jié)構(gòu)，包括如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)。31.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)。32.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求11所述的晶體管的電極結(jié)構(gòu)。全文摘要本發(fā)明揭示一種晶體管的電極結(jié)構(gòu)和包括該電極結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)及顯示裝置。該晶體管的電極結(jié)構(gòu)包括第一電極和第二電極。該第一電極具有至少兩個第一區(qū)域和至少一個第二區(qū)域。各該第一區(qū)域互相平行且具有第一寬度，該第二區(qū)域具有第二寬度，并連接所述第一區(qū)域，以便于界定出具有開口的空間。該第一寬度實質(zhì)上大于該第二寬度。文檔編號H01L29/786GK1937242SQ20061014167公開日2007年3月28日申請日期2006年10月9日優(yōu)先權(quán)日2006年10月9日發(fā)明者林友民,方國龍,甘豐源申請人:友達(dá)光電股份有限公司