專利名稱：微調(diào)電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
文中描述的是一種對其應(yīng)用了微調(diào)方法的電阻器(下文中亦稱為微調(diào)電阻器)。更具體地，本發(fā)明涉及微調(diào)電阻器、制造該微調(diào)電阻器的方法和使用該微調(diào)電阻器的電路基片。
背景技術(shù)：
在微調(diào)電阻器中，一種微調(diào)方法(電阻值調(diào)節(jié))被應(yīng)用于形成在電路基片上的電阻器，而一個含有一對電極的電阻器元件被連接至所述電阻器兩端。通常，將微調(diào)電阻器裝配到電路基片上，是為了適當(dāng)?shù)剡\(yùn)行該電路基片。微調(diào)電阻器是通過在電阻器制造工藝之后對未微調(diào)的電阻器的電阻值進(jìn)行調(diào)節(jié)的方式在電路基片上形成的。例如，可通過激光微調(diào)形成微調(diào)電阻器。激光微調(diào)通過使用激光除去部分的電阻器來提高電阻值，從而將電阻調(diào)節(jié)到所需的電阻值。
但是，當(dāng)進(jìn)行激光調(diào)節(jié)時，難以僅僅只除去電路基片上的電阻器部分，一部分基片可能也會隨著電阻器被除去。因此，基片有可能被激光所損壞，電路基片上器件的可靠性將下降。特別地，如果電路基片使用的是聚合物類有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)，則基片的耐熱性不高，基片很可能因?yàn)榧す獾妮椛錈崃慷艿綋p壞。而且，當(dāng)使用有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)時，基片的熱膨脹系數(shù)(CTE)比電阻器的CTE高很多。因此，一旦電阻器由于激光而產(chǎn)生裂紋時，之后溫度的變化可能會增加裂化的程度。在此情況下，電阻器的電阻值會迅速增加，不大可能獲得目標(biāo)電阻值。這會導(dǎo)致斷路。
鑒于此種情況，已經(jīng)開發(fā)了各種各樣不損害基片且不使用激光的形成微調(diào)電阻器的方法。例如，在JP H 05 -13206中，描述了一種將微調(diào)組合物鋪展在電阻器上的方法。該公開文獻(xiàn)的圖1顯示了在基片上形成若干導(dǎo)電墊、通過用微調(diào)組合物如導(dǎo)電糊料將導(dǎo)電墊連接起來來調(diào)節(jié)電阻值的方法。JPH05 -13206中的圖2顯示了在基片上形成電阻器、通過將電阻值低于該電阻器的諸如導(dǎo)電糊料之類的微調(diào)組合物鋪展到該電阻器上來調(diào)節(jié)電阻值的方法。圖中用一種分配器作為鋪展導(dǎo)電糊料的裝置。在圖1所述的方法中，要求有特殊的墊圖案用于微調(diào)。因此，半導(dǎo)體電路的面積增加，制造方法可能變得復(fù)雜。在圖2所述的方法中，當(dāng)使用導(dǎo)電糊料進(jìn)行鋪展時，鋪展部分的一端位于電阻器上。在圖2中，導(dǎo)電糊料的鋪展位置偏移，電阻值可能偏離期望的電阻值。
可以高度精確地獲得所希望的電阻值的微調(diào)電阻器是所需的改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面涉及一種微調(diào)電阻器，其包括設(shè)置在電路基片上的電阻體；設(shè)置在電阻體上的微調(diào)部，所述微調(diào)部從電阻體的兩端延伸出，跨越電阻體中電流的方向。本發(fā)明的另一個方面涉及制造微調(diào)電阻器的方法，所述方法包括以下步驟制備一個置于電路基片上的電阻體；施涂微調(diào)組合物，使得通過固化微調(diào)組合物形成一個可對應(yīng)于電流流動方向從電阻體的兩端伸出的微調(diào)部，微調(diào)部的電導(dǎo)率與電阻器的電導(dǎo)率不同、并且跨越電阻體中的電流方向。在上述方法中，可使用分配器、噴墨設(shè)備或通過手工施涂來鋪展微調(diào)組合物。在一個實(shí)施方式中，施涂和鋪展微調(diào)組合物的步驟通過使用噴墨設(shè)備進(jìn)行。
本發(fā)明的另一個方面涉及配備有上述微調(diào)電阻器的電路基片。


圖1顯示一電路，其中本發(fā)明的微調(diào)電阻器在基片上形成，(A)是顯示下側(cè)型電路(side down type circuit)的側(cè)面圖，(B)是它的俯視圖，(C)是顯示上側(cè)型電路(side up type circuit)的側(cè)面圖，(D)是它的俯視圖。
圖2依次解釋圖1(A)和(B)的下側(cè)型電路的制造方法。
圖3依次解釋圖1(C)和(D)的上側(cè)型電路的制造方法。
圖4依次解釋使用圖2(E)所示的下側(cè)型電路的電路基片的制造方法。
圖5依次解釋使用圖3(C)所示的上側(cè)型電路的電路基片的制造方法。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及一種微調(diào)電阻器，其中，電導(dǎo)率與電阻器不同的微調(diào)組合物按照指定的圖案鋪展在電阻器的表面上。特別地，本發(fā)明的微調(diào)電阻器是制造方法得以簡化、可以高度精確地得到所期望的電阻值的微調(diào)電阻器。在本發(fā)明的微調(diào)電阻器中，通過微調(diào)組合物的特定鋪展進(jìn)行一次性微調(diào)，高度精確地得到所期望的電阻值的概率得到提高。但是，本發(fā)明不排除重調(diào)電阻值，如果需要的話，重調(diào)或微調(diào)也可以進(jìn)行兩次或更多次。
所有導(dǎo)電油墨皆可應(yīng)用于微調(diào)組合物。微調(diào)組合物的電導(dǎo)率可與微調(diào)組合物施涂在其上的電阻器的電導(dǎo)率相同。微調(diào)組合物的電導(dǎo)率可以高于或低于電阻器的電導(dǎo)率。微調(diào)組合物的電導(dǎo)率與通過微調(diào)改變的電阻值的數(shù)量有關(guān)。如果微調(diào)組合物的電阻值低，則通過微調(diào)改變的電阻值的數(shù)量增加。對于更高精度的微調(diào)，也可以使用高電阻值的微調(diào)組合物來降低改變的數(shù)量。通過選擇適合使改變的電阻值達(dá)到必需量的微調(diào)組合物可以實(shí)現(xiàn)高效的微調(diào)。在此情況下，微調(diào)組合物的電導(dǎo)率與電阻器的相同，同樣的微調(diào)組合物可用于電阻器和微調(diào)電阻器。這樣可以降低生產(chǎn)成本。
本發(fā)明的微調(diào)電阻器可由形成在電路基片上的電阻器和形成在上述電阻器上的微調(diào)部組成，其中所述微調(diào)部延伸到上述電阻器的兩側(cè)之外，跨越上述電阻器的電流方向，并且該微調(diào)部的電導(dǎo)率與上述電阻器的電導(dǎo)率不同。
在圖中，10是半固化片(prepreg)，11是電阻器，12是電極，13是微調(diào)部。在圖1所示的兩種電路基片中，半固化片10是用作形成電路元件如微調(diào)電阻器的基底的基片。電阻器11是下側(cè)型(圖1(A))或上側(cè)型(圖1(C))元件。電極12是設(shè)置在半固化片10上且與電阻器11局部連接的一對電極。微調(diào)部13是鋪展在電阻器11上用于調(diào)節(jié)電阻值的元件。在本發(fā)明中，微調(diào)部13對應(yīng)于電阻器11中的電流流動方向延伸到電阻器11的兩側(cè)之外。這里，“電流流動方向”是指連接電極12的方向。術(shù)語“跨越電流流動方向的電阻器的兩側(cè)”是指組成電阻器的外邊界的電極連接方向的邊界。如圖1(B)和1(D)所示，微調(diào)部13的兩端14和15延伸到電阻器11之外。
在本發(fā)明的微調(diào)電阻器中，即使電阻器11上的微調(diào)部13的鋪展位置隨著電流方向移動，電阻器值也不會偏離目標(biāo)電阻值。例如，即使圖1的微調(diào)部13的形成位置偏移到電極12的一側(cè)，電阻器11上的微調(diào)部13的面積沒有變化。而且，即使圖1的微調(diào)部13的形成位置以與電流流動方向垂直的方向偏移，因?yàn)槲⒄{(diào)部13的端部14和15伸出，電阻器11上的微調(diào)部13的面積也沒有變化。因此，在本發(fā)明中，即使微調(diào)組合物的鋪展偏移，仍然可以實(shí)現(xiàn)有效的微調(diào)。微調(diào)組合物鋪展的自由度較高，可以實(shí)現(xiàn)有效的可加工性，甚至不需要使用高精確鋪展控制。微調(diào)部13的形狀沒有具體限制。根據(jù)電路基片的設(shè)計(jì)，優(yōu)選的是具有圖1所示橢圓形的微調(diào)部13，但是，如果橢圓形微調(diào)部是困難的，則可以使用平行四邊形的微調(diào)電阻器，或使用具有圓角形狀的橢圓微調(diào)電阻器。
基片可以是使用氧化鋁或氮化鋁的陶瓷類基片，可以使用塑料材料的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)。但是，基片不限于這些材料，任何能夠支撐電阻器和電極的材料都可以用于形成本發(fā)明的微調(diào)電阻器。
因?yàn)橛袡C(jī)層狀結(jié)構(gòu)會由于受熱而損壞，因此在溫度較高的激光微調(diào)中難以使用這種材料。但是，如果將微調(diào)組合物鋪展在電阻器上，則可以使用有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)。
如果使用有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)作為基片，則基片的CTE比電阻器的CTE大得多。因此，一旦基片上出現(xiàn)裂紋，之后的溫度變化會導(dǎo)致電阻值升高，可能導(dǎo)致斷路。如果有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)用作基片，因?yàn)镃TE較大，則基片的尺寸不是確定的，微調(diào)組合物的鋪展位置可能偏移?？紤]到有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)的這些性質(zhì)，本發(fā)明特別適用于當(dāng)基片是有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)的情況。
形成電阻器是為了控制電路中的電阻值。電阻器的組成沒有特別限制。例如，可以使用烘干電阻器或聚合物電阻器。含有酚基樹脂和碳粉的電阻器可用于聚合物電阻器。
可使用市售電阻器組合物來制造電阻器。例如，市售的烘干類產(chǎn)品是由DuPont Company制造的InterraTM。市售的聚合物類產(chǎn)品是AsahiChemical Institute K.K.的TU系列。
電極形成在基片上形成，并連接到電阻器的兩端。銅箔或其它材料可用于電極。
如上所述，本發(fā)明的微調(diào)電阻器是通過將微調(diào)組合物鋪展到電阻器上獲得的，而無需在基片上形成墊圖案。在本發(fā)明的微調(diào)電阻器中，即使微調(diào)組合物的鋪展位置有較大程度或較小程度的移動，微調(diào)部的有效面積沒有變化。因?yàn)槲⒄{(diào)組合物是鋪展的，所以它可以延伸到電阻器的兩側(cè)之外，即使微調(diào)組合物的鋪展發(fā)生偏移，在電阻上形成的面積不變。這樣防止了電阻值因?yàn)槲⒄{(diào)組合物鋪展位置的偏移而偏離所需值。
微調(diào)部通過鋪展并固化微調(diào)組合物來形成?？梢钥紤]所需的電導(dǎo)率、對電阻器的粘合或其它所需的性質(zhì)來選擇微調(diào)部。在電阻器上形成微調(diào)部是為了在電路組裝后調(diào)節(jié)電路的電阻值。
例如，如果微調(diào)部被鋪展來降低電阻器的電阻值，則微調(diào)組合物中包括導(dǎo)電顆粒以提供比電阻器高的電導(dǎo)率。例如，具體的導(dǎo)電顆粒包括，但不限于，如銀、銅、鈀、鎢、鎳、鉭、鉍、鉛、銦、錫、鋅、鈦、鋁、金、鉑之類的金屬，可以使用這些金屬的合金或這些金屬或合金的某些氧化物。金屬氧化物的一個例子是ITO(氧化銦錫)。
除了上述金屬外，導(dǎo)電顆粒可以由其它材料構(gòu)成。也可以使用具有這些金屬和聚合物的有形混合物的材料。而且，也可以使用表面上用電導(dǎo)體電鍍法涂布有上述金屬的聚合物微粒。
導(dǎo)電顆?？勺罱K發(fā)展電導(dǎo)率。當(dāng)微調(diào)組合物由顆粒組成時，并不需要已經(jīng)具有電導(dǎo)率。因此，可以使用含有金屬或有機(jī)化合物的非導(dǎo)電有機(jī)金屬化合物的顆粒來對微調(diào)組合物進(jìn)行調(diào)節(jié)，并鋪展到規(guī)定位置。在此情況下，通過對鋪展的調(diào)節(jié)組合物施加熱處理、化學(xué)處理或其它方法，含有非導(dǎo)體的金屬化合物分解，由金屬或金屬化合物組成的微調(diào)部可以在規(guī)定位置形成。
導(dǎo)電顆粒的大小沒有特別限制。在鋪展微調(diào)組合物的方法中，當(dāng)組合物是通過噴墨設(shè)備鋪展時，粒徑最好小一些。具體地，主要粒徑為100納米或小于100納米的顆粒容易維持穩(wěn)定的膠體狀態(tài)。而且，如果次要粒徑為200納米或小于200納米，則噴墨設(shè)備的油墨流動性和油墨涂層得到改善。
在一個實(shí)施方式中，以微調(diào)組合物總量為基準(zhǔn)計(jì)，微調(diào)組合物的導(dǎo)電顆粒的質(zhì)量為等于或大于5質(zhì)量％、小于95質(zhì)量％，在另一個實(shí)施方式中，為等于或大于10質(zhì)量％、小于80質(zhì)量％。如果使用噴墨設(shè)備，優(yōu)選在仔細(xì)觀察粘度的同時，確定導(dǎo)電顆粒和其它組分的含量。理想的粘度取決于噴墨設(shè)備。噴墨設(shè)備中使用的印刷頭是低粘度型、中粘度型、高粘度型等，可根據(jù)使用的印刷頭選擇粘度。例如，如果使用低粘度型設(shè)備，則25℃的粘度應(yīng)控制在0.530-15cP，在使用中粘度型設(shè)備的情況下，則粘度應(yīng)控制在5-50cP，在使用高粘度型設(shè)備的情況下，則粘度應(yīng)控制在10-10000cP。當(dāng)通過噴墨設(shè)備鋪展組合物時，重要的是提高形成中的膜的分散穩(wěn)定性和致密性等。除了上述組分外，例如，如果還含有多元醇或聚醚化合物，則可以提高含有金屬的薄膜的分散穩(wěn)定性和致密性。
多元醇可以選自包括但不限于以下所列的組乙二醇、二甘醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、2-丁烯-1，4-二醇、2，3-丁二醇、戊二醇、己二醇、辛二醇、丙三醇、1，1，1-三羥乙基乙烷、2-乙基-2-羥甲基-1，3-丙二醇、1，2，6-己三醇、1，2，3-己三醇和1，2，4-丁三醇。而且，可以使用糖醇，諸如丙三醇、蘇糖醇、赤糖蘚醇、季戊四醇、戊糖醇和己糖醇。
考慮到導(dǎo)電顆粒的分散性，多元醇的加入量優(yōu)選為微調(diào)組合物總量的0.1質(zhì)量％-95質(zhì)量％，更優(yōu)選為1質(zhì)量％-90質(zhì)量％。這些多元醇可單獨(dú)使用或以幾種醇的混合物形式使用。
聚醚化合物的例子包括聚醚均聚物，諸如聚乙二醇、聚丙二醇和聚丁二醇；二元共聚物，諸如乙二醇/丙二醇共聚物和乙二醇/丁二醇共聚物；三元直鏈共聚物，諸如乙二醇/丙二醇/乙二醇共聚物、丙二醇/乙二醇/丙二醇共聚物和乙二醇/丁二醇/乙二醇共聚物。
考慮到油墨粘度、膜可成形性等，聚醚化合物的加入量優(yōu)選為化合物總量的0.1質(zhì)量％-70質(zhì)量％。而且，加入量更優(yōu)選為1質(zhì)量％-50質(zhì)量％。這些聚醚化合物可以單獨(dú)使用或者與幾種多元醇混合使用。
可以適當(dāng)?shù)厥褂肑P2005-019248、2004-277627和2002-324966(專利參考文獻(xiàn)2-4)中所描述的微調(diào)組合物的組分。但是，不排除使用不同于上述組分的微調(diào)組合物組分。
制造微調(diào)電阻器的方法由以下步驟組成制備形成在電路基片上的電阻器；鋪展與上述電阻器電導(dǎo)率不同的微調(diào)組合物，使得該微調(diào)組合物可對應(yīng)于上述電阻器電流流動的方向延伸到上述電阻器的兩側(cè)之外。
圖2(A)-(E)依序解釋了下側(cè)型電路基片的制造過程。在圖2(A)-(E)中，20是電極，21是電阻器，22是半固化片，23是電極，24是微調(diào)部。
當(dāng)形成下側(cè)型電路基片時，如圖2(A)所示，首先，在Cu箔20上印刷成形的糊料電阻器21并進(jìn)行干燥。例如，絲網(wǎng)印刷法用作印刷方法。如圖2(B)所示，將印刷在Cu箔20上的電阻器21與Cu箔20一起烘烤。此外，如圖2(C)所示，使用熱壓機(jī)將Cu箔23和帶有電阻器21的Cu箔20通過半固化片22壓制在一起。那時，電阻器21被埋入到半固化片22中。而且，為了在半固化片22的兩個面內(nèi)都建立電阻器，將烤有電阻器的Cu箔層疊到半固化片22的兩個表面上。按照此方式，形成由Cu箔23、半固化片22、電阻器21和Cu箔20組成的層。接著，如圖2(D)所示，在半固化片22上表面上的Cu箔20蝕刻成所需形狀，電接觸部20a用作電極，這樣形成電路。
為了控制形成在電路基片上的電阻器的電阻值，形成微調(diào)電阻器。在制造本發(fā)明的微調(diào)電阻器的方法中，如圖2(E)所示，將微調(diào)組合物24鋪展到電阻器21上。那時，如圖1(B)所示，微調(diào)組合物被鋪展得使微調(diào)部13(24)的兩端14和15可伸到電阻器的兩側(cè)之外。按此方式，由電極20a、電阻器21和微調(diào)部24構(gòu)成的微調(diào)電阻器在半固化片(基片)22上形成。
圖3(A)-(C)依序解釋上側(cè)型電路基片的制造方法。在圖的(A)-(D)中，30是由半固化片30a和Cu箔30b組成的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)的核心部分，30d用作電極，31是電阻器，32是微調(diào)部。
當(dāng)形成上側(cè)型電路基片時，首先使用圖3(A)所示的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)的核心部分30，如圖3(B)所示，將電阻器31印刷并固化在所述核心部分30上。例如，絲網(wǎng)印刷可用作印刷方法。在印刷過程中，電阻器31連接到Cu箔30b上。連接部分30d用作電極。
如圖3(C)所示，為了控制形成在電路基片上的電阻器的電阻值，形成微調(diào)電阻器。在制造本發(fā)明的微調(diào)電阻器的方法中，將微調(diào)組合物32以垂直于紙面的方向鋪展到電阻器31上。那時，如圖1(D)所示，微調(diào)組合物被鋪展成使微調(diào)部分13(32)的兩端14和15可伸到電阻器的兩側(cè)之外。按此方式，由電極30d、電阻器31和微調(diào)部32構(gòu)成的微調(diào)電阻器在半固化片(基片)30a上形成。
在微調(diào)電阻器是在上述上側(cè)型(圖2)和下側(cè)型(圖3)電路中形成的情況中，詳細(xì)解釋微調(diào)組合物24和32的鋪展方法。微調(diào)組合物的電導(dǎo)率與通過微調(diào)改變的電阻值的數(shù)量有關(guān)。如果微調(diào)組合物的電阻值低，則通過微調(diào)改變的電阻值的數(shù)量增加。對于更高精確度的微調(diào)，也可以使用高電阻值的微調(diào)組合物，來減少改變的數(shù)量。通過選擇適合使改變的電阻值達(dá)到必需量的微調(diào)組合物可以實(shí)現(xiàn)高效的微調(diào)。因?yàn)樯衔闹幸呀?jīng)提及了微調(diào)組合物，這里省略對它的解釋。鋪展微調(diào)組合物的方法沒有特別限制。例如，文中提到使用噴墨設(shè)備的方法或使用分配器的方法。若不需要精確控制，或者當(dāng)制造原型時，也可以通過手動涂布來鋪展微調(diào)組合物。
當(dāng)使用噴墨設(shè)備時，將微調(diào)組合物放入到噴墨打印機(jī)頭的儲液槽中，以點(diǎn)狀鋪展。在這種鋪展中，根據(jù)鋪展的顆粒的平均粒徑，適當(dāng)?shù)剡x擇鋪展的圓點(diǎn)的平均直徑(例如，10-30微米)，且根據(jù)粒徑的選擇確定液滴的數(shù)量。換言之，噴墨設(shè)備噴射器發(fā)出適用于圓點(diǎn)平均直徑的液滴。因此，液滴的量取決于使用的噴墨打印機(jī)頭本身。因此，優(yōu)先選擇適用于目標(biāo)量液滴的打印機(jī)頭。
在本發(fā)明中，即使伸到電阻器外部的微調(diào)部的尺寸或多或少地偏移預(yù)期的尺寸，這種偏移對電阻值也沒有不利的影響。因此，當(dāng)使用噴墨設(shè)備鋪展微調(diào)組合物時，鋪展控制的自由度得以提高。不需要高度精確地控制噴墨設(shè)備，可加工性能得以改善。
在鋪展微調(diào)組合物中，也可以通過連續(xù)提供(施涂)來形成所需形狀的微調(diào)部。例如，如果使用噴墨系統(tǒng)鋪展微調(diào)組合物，通過移動印刷頭將微調(diào)組合物連續(xù)施涂到所需位置，規(guī)定的形狀即可作成。
如果噴墨系統(tǒng)的噴嘴排列區(qū)域很廣，則也可以同時由若干噴嘴施涂微調(diào)組合物。例如，準(zhǔn)備一個噴嘴的排列寬度超過電阻器兩側(cè)之間的寬度的噴墨設(shè)備，施涂微調(diào)組合物，使得寬度可超過電阻器兩側(cè)之間的寬度。然后，沿從一個電極到另一個電極的方向移動噴嘴依次由噴嘴施涂微調(diào)組合物。重復(fù)這一模式，可以形成具有規(guī)定寬度的微調(diào)部。
有時，準(zhǔn)備一個噴嘴的排列尺寸超過預(yù)期微調(diào)部分尺寸的噴墨設(shè)備。然后，將噴嘴移動到形成微調(diào)部的部分，從對應(yīng)于該形成微調(diào)部的部分的噴嘴噴射出微調(diào)組合物。如果采用該方法，可以非常有效地提供微調(diào)組合物，使得微調(diào)電阻器的制造效率得到提高。
當(dāng)所需形狀是通過順序地施涂微調(diào)組合物來形成時，優(yōu)選將微調(diào)組合物以微調(diào)組合物的鋪展開始位置和鋪展結(jié)束位置都位于電阻器之外的方式進(jìn)行鋪展。當(dāng)微調(diào)組合物鋪展時，在鋪展開始位置和鋪展結(jié)束位置容易發(fā)生鋪展不勻。因此，通過將微調(diào)組合物以微調(diào)組合物的鋪展開始位置和鋪展結(jié)束位置都位于電阻器之外的方式進(jìn)行鋪展，可以防止鋪展不勻?qū)ξ⒄{(diào)精確度的不利影響。可以適當(dāng)?shù)厥褂肑P2005-019248、2004-277627和2002-324966中所述的鋪展方法作為鋪展微調(diào)組合物的方法。但是，不排除使用不同于上述方法的鋪展方法作為所述鋪展方法。
本發(fā)明的電路基片的例子是層壓基片。該結(jié)構(gòu)的具體例子如圖4(C)和5(C)所示，其中有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)的核心部分與電路的上側(cè)和下側(cè)相連，該電路包括按照上述方法制得的微調(diào)電阻器，并且在兩層之間具有內(nèi)層連接。
圖4(A)-(C)依次解釋了使用包括圖2(E)所示微調(diào)電阻器的下側(cè)型電路的電路基片的制造方法。在4(A)-(C)中，40是裝有圖2(E)所示的微調(diào)電阻器的電路，41是由半固化片41a和Cu箔41b組成的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)，42是由半固化片42a和Cu箔42b組成的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)，以及內(nèi)層連接43、44和45。
在制造圖4(C)所示的電路基片時，首先，通過將層41和42與圖4(A)所示的電路40層壓在一起，形成圖4(B)所示的具有四層結(jié)構(gòu)的層狀結(jié)構(gòu)。接著，如圖4(C)所示制備層間連接43-45。按照此方式，四層電路板即告形成。此外，重復(fù)層壓操作，可形成具有多層結(jié)構(gòu)的電路基片。
圖4(C)所示的電路基片配備有本發(fā)明的微調(diào)電阻器。因此，可以得到所需的電阻值，實(shí)現(xiàn)極佳的可靠性。
圖5(A)-(C)依序解釋了使用圖3(C)所示上側(cè)型電路的電路基片的制造方法。在圖的(A)-(C)中，50是配備有圖3(C)所示的微調(diào)電阻器的電路，51是由半固化片51a和Cu箔51b組成的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)，52是由半固化片52a和Cu箔52b組成的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)。接著，制備層間連接53、54和55。此外，重復(fù)層壓操作，可形成具有多層結(jié)構(gòu)的電路基片。
在如圖4(C)中所示的電路基片中，圖5(C)所示的電路基片配備有本發(fā)明的微調(diào)電阻器。因此，可以得到所需的電阻值，實(shí)現(xiàn)極佳的可靠性。
實(shí)施例通過以下應(yīng)用實(shí)施例進(jìn)一步解釋本發(fā)明；但是，以下應(yīng)用實(shí)施例并非旨在使本發(fā)明局限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1制備構(gòu)建有21個大小為1.5毫米×1.5毫米的電阻器單元的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)(電極銅，電阻器由Du Pont Co.制造的EP204)，用數(shù)字萬用表測量各電阻器的電阻值。此外，制備導(dǎo)電糊料作為將鋪展到電阻器上的微調(diào)組合物。使用由Du Pont Co.制造的聚合物銀糊料5450作為導(dǎo)電糊料。
如圖1(B)所示，以各種不同的寬度鋪展導(dǎo)電糊料，使得微調(diào)部可以對應(yīng)于電阻器中電流流動的方向伸到電阻器兩側(cè)面之外。至于寬度，圖1(B)中寬度在紙面水平方向變化。導(dǎo)電糊料在150℃干燥和固化30分鐘，再次測量電阻值。通過最小二乘法的近似得到電阻值的變化率(鋪展糊料后的電阻值/鋪展糊料前的電阻值)與導(dǎo)電糊料的鋪展寬度之間的關(guān)系式。近似方程的相關(guān)系數(shù)為0.81。由近似方程得到的各電阻器的計(jì)算電阻值與實(shí)際電阻值的差值以百分?jǐn)?shù)計(jì)算，標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.8％。
對比例1與應(yīng)用實(shí)施例1類似，制備構(gòu)建有21個電阻器單元的有機(jī)層狀結(jié)構(gòu)和DuPont5450導(dǎo)電糊料。如JP H05 -13206的圖2所示，以各種寬度鋪展導(dǎo)電糊料，使得微調(diào)部的一端可以伸到電阻器之外，另一端在電阻器的上部。導(dǎo)電糊料在150℃干燥和固化30分鐘，再次測量電阻值。通過最小二乘法的近似得到電阻值的變化率(鋪展糊料后的電阻值/鋪展糊料前的電阻值)與導(dǎo)電糊料的鋪展寬度之間的關(guān)系式。近似方程的相關(guān)系數(shù)為0.77。由近似方程得到的各電阻器的計(jì)算電阻值與實(shí)際電阻值的差值以百分?jǐn)?shù)計(jì)算，CV(標(biāo)準(zhǔn)偏差除以平均數(shù))為6.0％。
上述應(yīng)用實(shí)施例1和對比例1的結(jié)果示于表I中。
表I

依據(jù)表I，當(dāng)導(dǎo)電糊料鋪展成使微調(diào)部的兩端都可以伸到電阻器之外時，CV值較小。換言之，應(yīng)理解為電阻值的離散較小。
相反，當(dāng)導(dǎo)電糊料鋪展成使導(dǎo)電糊料的一端可以保留時，CV值較大。換言之，應(yīng)理解為電阻值的離散較大。
通過應(yīng)用實(shí)施例1和對比例1的比較，應(yīng)理解本發(fā)明對于高精確度微調(diào)是有效的。
權(quán)利要求
1.一種微調(diào)電阻器，其包括設(shè)置在電路基片上的電阻體；和設(shè)置在電阻體上的微調(diào)部，所述微調(diào)部從電阻體的兩端伸出，并跨越電阻體中電流的方向。
2.如權(quán)利要求1所述的微調(diào)電阻器，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率與所述電阻器的電導(dǎo)率相同。
3.如權(quán)利要求1所述的微調(diào)電阻器，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率與所述電阻器的電導(dǎo)率不同。
4.如權(quán)利要求3所述的微調(diào)電阻器，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率低于所述電阻體的電導(dǎo)率。
5.如權(quán)利要求3所述的微調(diào)電阻器，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率高于所述電阻體的電導(dǎo)率。
6.如權(quán)利要求1所述的微調(diào)電阻器，其特征在于，所述微調(diào)部的形狀為矩形。
7.一種生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其包括以下步驟制備設(shè)置在電路基片上的電阻體；和施涂微調(diào)組合物，使得通過固化微調(diào)組合物形成的微調(diào)部可以從電阻體的兩端伸出，并跨越電阻體中電流的方向。
8.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率與所述電阻器的電導(dǎo)率相同。
9.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率與所述電阻器的電導(dǎo)率不同。
10.如權(quán)利要求8所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率低于所述電阻體的電導(dǎo)率。
11.如權(quán)利要求8所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，所述微調(diào)部的電導(dǎo)率比所述電阻體的電導(dǎo)率高。
12.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，使用分配器或噴墨設(shè)備施涂微調(diào)組合物。
13.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，使用噴墨設(shè)備施涂微調(diào)組合物。
14.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，微調(diào)組合物以平行于電流的方向施涂，使得涂層的寬度大于電阻體的寬度。
15.如權(quán)利要求11所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，其特征在于，所述施涂微調(diào)組合物的方法包括以下步驟準(zhǔn)備噴墨設(shè)備，噴嘴設(shè)置處的區(qū)域大于微調(diào)部的區(qū)域；將噴嘴移動到形成微調(diào)部的位置；從對應(yīng)于形成微調(diào)部的位置的噴嘴噴射微調(diào)組合物。
16.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)微調(diào)電阻器的方法，施涂微調(diào)組合物的起始點(diǎn)和施涂微調(diào)組合物的終止點(diǎn)在所述兩側(cè)之外。
17.一種電路板，其包括如權(quán)利要求1所述的微調(diào)電阻器。
18.如權(quán)利要求15所述的電路板，其特征在于，電路基片是包含聚合物的有機(jī)層狀板。
全文摘要
文中描述了一種應(yīng)用于微調(diào)方法的電阻器(下稱微調(diào)電阻器)，制造該微調(diào)電阻器的方法和使用該微調(diào)電阻器的電路基片。
文檔編號H01C17/22GK1945764SQ200610142198
公開日2007年4月11日 申請日期2006年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月7日
發(fā)明者秋元英樹 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司