專利名稱：Tft lcd陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
TFT LCD的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，TFT(薄膜晶體管)外圍走線的布局，包括防靜電的導(dǎo)電環(huán)，柵掃描線，數(shù)據(jù)掃描線，外圍公共電極走線，修復(fù)線(Repair line)和其他用于測(cè)試的花樣。這些花樣的存在對(duì)后工藝有很大影響，如成盒工藝，封框膠紫外線固化等有很大影響，可能引發(fā)不良如周邊液晶污染，切割不良，ESD等。在TFT外圍設(shè)置修復(fù)線是維修數(shù)據(jù)掃描線斷線的主要方法。某條數(shù)據(jù)掃描線斷線經(jīng)維修后，將通過修復(fù)線把數(shù)據(jù)掃描線的信號(hào)送入到像素區(qū)。而修復(fù)線在TFT外圍的走線方式因各種因素與外圍公共電極走線在陣列基板上出現(xiàn)交疊，而且因其他需求如公共電極電位均勻性的要求，考慮外圍公共電極走線的電阻不能太大，外圍公共電極走線很寬，因此交疊區(qū)域面積很大，造成修復(fù)線與外圍公共電極走線的耦合效應(yīng)，使修復(fù)失敗，對(duì)數(shù)據(jù)線短線的修復(fù)失敗是實(shí)際生產(chǎn)實(shí)踐中遇到的一類問題，造成了巨大的經(jīng)濟(jì)損失。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中外圍公共電極走線和修復(fù)線在TFT外圍交疊區(qū)俯視圖；圖2和圖3是圖1中沿A-A和的B-B位置的橫截面圖。如圖1所示，修復(fù)線1形成在陣列基板的外圍部分，柵極絕緣層3，形成于修復(fù)線1之上；外圍公共電極走線2形成于柵極絕緣層3之上，并與所述修復(fù)線1存在交疊；鈍化層4，形成于外圍公共電極走線2之上。由圖可見，修復(fù)線1和外圍公共電極走線2由于存在很大面積的交疊，故耦合效應(yīng)也相應(yīng)很大。
實(shí)踐中，這種走線上的交疊，考慮到其他外圍引線及靜電等各種因素，又是不可避免的。特別是大尺寸，交疊區(qū)域會(huì)更大，耦合效應(yīng)也會(huì)更明顯。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可降低外圍走線中修復(fù)線與外圍公共電極走線交疊區(qū)的耦合作用。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)，包括一基板及其形成于其上的陣列結(jié)構(gòu)；一修復(fù)線，形成與所述基板上；一柵極絕緣層，形成于所述修復(fù)線之上；一外圍公共電極走線，形成于所述柵極絕緣層之上，并與所述修復(fù)線存在交疊；其中，所述外圍公共電極走線在與所述修復(fù)線交疊區(qū)域呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
上述結(jié)構(gòu)還可包括一鈍化層，形成于所述外圍公共電極走線之上。
上述方案中，所述修復(fù)線或外圍公共電極走線為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅之一或任意組合。所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時(shí)提供一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟1，在基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板柵線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成修復(fù)線；步驟2，在完成步驟1的基板上沉積絕緣層薄膜；步驟3，在完成步驟2的基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板數(shù)據(jù)線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成外圍公共電極走線，并使形成的外圍公共電極走線在與修復(fù)線交疊的區(qū)域呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
上述方案中，所述步驟3中形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)外圍公共電極走線為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供另外一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)，包括一基板及其形成于其上的陣列結(jié)構(gòu)；一修復(fù)線，形成在所述基板上；一柵極絕緣層，形成于所述修復(fù)線之上；一外圍公共電極走線，形成于所述柵極絕緣層之上，并在所述修復(fù)線上方位置處斷開；一鈍化層，形成于所述外圍公共電極走線之上，并在所述外圍公共電極走線靠近斷開位置上形成過孔或槽；一連接引線，形成于所述鈍化層之上，并通過所述過孔或槽將所述斷開的外圍公共電極走線連接起來。
上述方案，所述連接引線的材料為透明像素電極。所述修復(fù)線或外圍公共電極走線為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅之一或任意組合。所述連接引線結(jié)構(gòu)呈網(wǎng)狀。所述網(wǎng)狀為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時(shí)提供另外一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟1，在基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板柵線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成修復(fù)線；步驟2，在完成步驟1的基板上沉積絕緣層薄膜；步驟3，在完成步驟2的基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板數(shù)據(jù)線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成外圍公共電極走線，并使外圍公共電極走線在與修復(fù)線相交位置處斷開；
步驟4，在完成步驟3的基板上沉積鈍化層，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板鈍化層過孔的同時(shí)，在外圍公共電極走線靠近修復(fù)線位置上方的形成連接外圍公共電極走線的孔或槽；步驟5，在完成步驟4的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成像素電極的同時(shí)，形成通過所述步驟4連接外圍公共電極走線的鈍化層過孔或槽將斷開的外圍公共電極起來的連接引線。
上述方案中，所述步驟5中形成的連接引線結(jié)構(gòu)呈網(wǎng)狀。所述網(wǎng)狀為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
與現(xiàn)有專利技術(shù)相比，本發(fā)明在滿足走線電阻的前提下，將外圍公共電極走線設(shè)計(jì)成網(wǎng)狀，同時(shí)將修復(fù)線變窄，縮小修復(fù)線和外圍公共電極走線的交疊面積，或同時(shí)增加修復(fù)線與外圍公共電極走線的空間距離，降低了走線間的電容耦合效應(yīng)，從而滿足了修復(fù)線正常修復(fù)的要求。
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)說明。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中外圍公共電極走線和修復(fù)線在TFT外圍交疊區(qū)結(jié)構(gòu)俯視圖；圖2是圖1中沿A-A的橫截面圖；圖3是圖1中沿B-B的橫截面圖；圖4是本發(fā)明的一種外圍公共電極走線和修復(fù)線在TFT外圍交疊區(qū)結(jié)構(gòu)俯視圖；圖5是圖4中沿C-C的橫截面圖；圖6是圖4中沿D-D的橫截面圖；圖7是本發(fā)明的另一種外圍公共電極走線和修復(fù)線在TFT外圍交疊區(qū)結(jié)構(gòu)俯視圖；
圖8是圖7中沿E-E的橫截面圖；圖9是圖7中沿F-F的橫截面圖；圖10本發(fā)明圖7結(jié)構(gòu)中外圍公共電極走線刻蝕完成后俯視圖。
圖中標(biāo)記1、修復(fù)線；2、外圍外圍公共電極走線；3、柵極絕緣層；4、鈍化層；5、連接引線；6、鈍化層過孔或槽。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例一圖4是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例外圍公共電極走線和修復(fù)線在TFT外圍交疊區(qū)結(jié)構(gòu)俯視圖，圖4中C-C位置和D-D位置的橫截面圖如圖5和圖6所示。如圖4所示，該結(jié)構(gòu)包括一個(gè)TFT基板(包含陣列基板)；一組修復(fù)線1，一般為兩條，也可變化為多條；；一層?xùn)艠O絕緣層3，形成于修復(fù)線1之上；外圍公共電極走線2形成于柵極絕緣層3之上，并與修復(fù)線1存在交疊；鈍化層4，形成于外圍公共電極走線2之上。其中，修復(fù)線1和外圍公共電極走線2的材料可為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅之一或任意組合。
如圖4所示，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中外圍公共電極走線2在與修復(fù)線1的交疊區(qū)域，外圍公共電極走線2為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并同時(shí)將修復(fù)線1在滿足電阻需求的條件下，盡可能做細(xì)，做窄，縮小修復(fù)線1和外圍公共電極走線2的交疊面積，力求降低走線間的電容耦合效應(yīng)。本實(shí)施例中該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)，也可變化為其他結(jié)構(gòu)，如變化為方孔與圓孔的結(jié)合或其它各種形狀的孔結(jié)合結(jié)構(gòu)。
以上是本實(shí)施例網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的典型實(shí)現(xiàn)。事實(shí)上，凡是利用網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來降低各類走線交疊區(qū)的耦合效應(yīng)，均可采用該結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例的具體實(shí)現(xiàn)工藝可以如下。
首先，使用磁控濺射方法，在玻璃基板上制備一層厚度在1000至7000的柵金屬薄膜。柵金屬材料通常使用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬。用柵極掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成柵線的同時(shí)，在玻璃基板像素區(qū)外圍的一定區(qū)域上形成修復(fù)線1的圖案，如圖4所示。
然后，利用化學(xué)汽相沉積的方法在陣列基板上連續(xù)淀積1000到6000的柵極絕緣層薄膜3和1000到6000的非晶硅薄膜。柵極絕緣層3材料通常是氮化硅。用有源層的掩模版進(jìn)行曝光后對(duì)非晶硅進(jìn)行刻蝕，形成半導(dǎo)體有緣層溝道。
接下來，采用和柵金屬類似的制備方法，在陣列基板上淀積一層類似于柵金屬的厚度在1000到7000金屬薄膜，通常使用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬。通過源漏極的掩模版的設(shè)計(jì)變更，在形成數(shù)據(jù)線或源漏電極的同時(shí)，形成本發(fā)明所涉及交疊區(qū)的外圍公共電極走線2，如圖4所示。
隨后，用和制備柵極絕緣層以及有源層相類似的方法，在整個(gè)陣列基板上沉積一層厚度在1000到6000的鈍化層5，其材料通常是氮化硅。
最后，使用磁控濺射方法形成透明電極，常用的透明電極為氧化銦錫等，厚度在100至1000之間。通過掩模光刻化學(xué)腐蝕等工藝，形成像素電極。
實(shí)施例二圖7是本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例外圍公共電極走線和修復(fù)線在TFT外圍交疊區(qū)俯視圖，圖7中E-E位置和F-F位置的橫截面圖如圖8和圖9所示。如圖7所示，該結(jié)構(gòu)包括一個(gè)TFT基板(包含陣列基板)；一組修復(fù)線1，一般為兩條，也可變化為多條；柵極絕緣層3，形成于修復(fù)線1之上；外圍公共電極走線2形成于柵極絕緣層3之上，并在修復(fù)線1上方位置處斷開；鈍化層4，形成于外圍公共電極走線2之上，并在外圍公共電極走線2靠近斷開位置上形成鈍化層過孔或槽6；連接引線5，形成于鈍化層4之上，并通過它將斷開的外圍公共電極走線連接起來。其中，修復(fù)線1和外圍公共電極走線2的材料可為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅之一或任意組合。
如圖7所示，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中外圍公共電極走線2在與修復(fù)線1的交疊區(qū)域，通過連接引線5進(jìn)行連接，連接引線5材料為透明像素電極，也可為其他材料。連接引線5呈條狀的網(wǎng)狀孔結(jié)構(gòu)，也可變化為其他結(jié)構(gòu)，如變化為方孔與圓孔的結(jié)合或其它各種形狀的孔結(jié)合結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例中在外圍公共電極走線2在交疊區(qū)部分采用了連接引線5，該連接引線5通過鈍化層過孔或槽6相連，截面圖如圖8和圖9所示。該結(jié)構(gòu)使得修復(fù)線1和外圍公共電極走線2在交疊區(qū)的距離變大，進(jìn)一步降低走線間的耦合效應(yīng)。同理，修復(fù)線1在滿足電阻需求的條件下，盡可能做細(xì)，做窄，縮小修復(fù)線1和連接引線5的交疊面積，力求進(jìn)一步降低走線間的電容耦合效應(yīng)。
本實(shí)施例的具體實(shí)現(xiàn)工藝可以如下。
首先，使用磁控濺射方法，在基板上制備一層厚度在1000至7000的柵金屬薄膜。柵金屬材料通常使用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬。用柵極掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成柵線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍的一定區(qū)域上形成修復(fù)線1的圖案，如圖7所示。
接著，利用化學(xué)汽相沉積的方法在陣列基板上連續(xù)淀積1000到6000的柵極絕緣層3和1000到6000的非晶硅薄膜。柵極絕緣層3材料通常是氮化硅。用有源層的掩模版進(jìn)行曝光后對(duì)非晶硅進(jìn)行刻蝕，形成半導(dǎo)體有緣層溝道。
然后，采用和柵金屬類似的制備方法，在陣列基板上淀積一層類似于柵金屬的厚度在1000到7000金屬薄膜，通常使用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬。通過源漏極的掩模版的設(shè)計(jì)變更，形成本發(fā)明所涉及交疊區(qū)的外圍公共電極走線2，如圖10所示，和其他花樣，如源漏極，數(shù)據(jù)掃描線等。
接下來，用和制備柵極絕緣層以及有源層相類似的方法，在整個(gè)陣列基板上沉積一層厚度在1000到6000的鈍化層5，其材料通常是氮化硅。通過鈍化層的掩模版的設(shè)計(jì)變更，利用曝光和刻蝕工藝形成在形成陣列基板鈍化層過孔的同時(shí)形成本發(fā)明的連接斷開的外圍公共電極走線的鈍化層過孔或槽6，如圖9所示的截面圖，和其他花樣。鈍化層過孔或槽6用以實(shí)現(xiàn)外圍公共電極走線2和連接引線5的連接，其尺度及形狀視需求而定，可以一個(gè)或多個(gè)，可以是孔或溝槽。
最后，使用磁控濺射方法形成透明電極，常用的透明電極為氧化銦錫等，厚度在100至1000之間。通過掩模版的設(shè)計(jì)變更，通過掩模光刻化學(xué)腐蝕等工藝形成本發(fā)明所設(shè)計(jì)的網(wǎng)狀透明像素電極連接引線5和像素區(qū)的像素電極，同時(shí)通過鈍化層過孔或槽6將外圍公共電極走線5連接起來，截面圖如圖8所示。在交疊區(qū)使用透明網(wǎng)狀連接引線5，進(jìn)一步加大了修復(fù)線1與外圍公共電極走線2的空間距離(由柵極絕緣層3和鈍化層4夠成)，在大尺寸屏設(shè)計(jì)中(各種走線因電阻要小的需求，進(jìn)一步變寬)，使進(jìn)一步降低耦合電容效應(yīng)成為可能。也可同時(shí)可降低因微?？赡茉斐傻男迯?fù)線與外圍公共電極走線間的短路的可能。
以上是本實(shí)施例所設(shè)計(jì)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的典型實(shí)現(xiàn)。事實(shí)上，凡是利用網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來降低各類走線交疊區(qū)的耦合效應(yīng)，均可采用該結(jié)構(gòu)。
歸納起來，本發(fā)明典型的工藝流程如下柵極層金屬的濺射成膜—掩模光刻—刻蝕(柵極掃描線，柵電極，交疊區(qū)的修復(fù)線)柵極絕緣層，有源層的成膜—掩模光刻—刻蝕(有源層，絕緣介質(zhì)層)源電極層金屬的濺射成膜—掩模光刻—刻蝕(源電極，漏電極，數(shù)據(jù)線，交疊區(qū)網(wǎng)狀公共電極連接引線或部分外圍公共電極走線)鈍化層的成膜—掩模光刻—刻蝕(鈍化層，連接部分外圍公共電極走線的鈍化層過孔)像素電極層的濺射成膜—掩模光刻—刻蝕(像素電極，部分外圍公共電極走線的網(wǎng)狀連接引線)
由上述工藝流程可見，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)方案與5MASK(5次光刻)或4Mask(4次光刻)工藝的主流程一致，只需改變各層掩模版設(shè)計(jì)就可完成，圖4的結(jié)構(gòu)只涉及柵極金屬層，源極金屬層的掩模版變更，圖7的結(jié)構(gòu)涉及柵極金屬層，源極金屬層，鈍化層，透明電極層的掩模版變更。因此，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可進(jìn)行多種變更，制造方法也可適用于各種光刻工藝。
最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)按照需要可使用不同材料和設(shè)備實(shí)現(xiàn)之，即可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板及其形成于其上的陣列結(jié)構(gòu)；一修復(fù)線，形成于所述基板上；一柵極絕緣層，形成于所述修復(fù)線之上；一外圍公共電極走線，形成于所述柵極絕緣層之上，并與所述修復(fù)線存在交疊；其中，所述外圍公共電極走線在與所述修復(fù)線交疊區(qū)域呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一鈍化層，形成于所述外圍公共電極走線之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述修復(fù)線或外圍公共電極走線為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅之一或任意組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
5.一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括步驟1，在基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板柵線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成修復(fù)線；步驟2，在完成步驟1的基板上沉積絕緣層薄膜；步驟3，在完成步驟2的基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板數(shù)據(jù)線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成外圍公共電極走線，并使形成的外圍公共電極走線在與修復(fù)線交疊的區(qū)域呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述步驟3中形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)外圍公共電極走線為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
7.一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板及其形成于其上的陣列結(jié)構(gòu)；一修復(fù)線，形成于所述基板上；一柵極絕緣層，形成于所述修復(fù)線之上；一外圍公共電極走線，形成于所述柵極絕緣層之上，并在所述修復(fù)線上方位置處斷開；一鈍化層，形成于所述外圍公共電極走線之上，并在所述外圍公共電極走線靠近斷開位置上形成過孔或槽；一連接引線，形成于所述鈍化層之上，并通過所述過孔或槽將所述斷開的外圍公共電極走線連接起來。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連接引線的材料為透明像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述修復(fù)線或外圍公共電極走線為鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅之一或任意組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連接引線結(jié)構(gòu)呈網(wǎng)狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述網(wǎng)狀為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
12.一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括步驟1，在基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板柵線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成修復(fù)線；步驟2，在完成步驟1的基板上沉積絕緣層薄膜；步驟3，在完成步驟2的基板上沉積金屬薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板數(shù)據(jù)線的同時(shí)，在基板像素區(qū)外圍區(qū)域上形成外圍公共電極走線，并使外圍公共電極走線在與修復(fù)線相交位置處斷開；步驟4，在完成步驟3的基板上沉積鈍化層，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成陣列基板鈍化層過孔的同時(shí)，在外圍公共電極走線靠近修復(fù)線位置上方的形成連接外圍公共電極走線的孔或槽；步驟5，在完成步驟4的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，采用掩模版通過曝光工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在形成像素電極的同時(shí)，形成通過所述步驟4連接外圍公共電極走線的鈍化層過孔或槽將斷開的外圍公共電極起來的連接引線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于所述步驟5中形成的連接引線結(jié)構(gòu)呈網(wǎng)狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述網(wǎng)狀為系列條狀的孔結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開了TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)，包括一基板及其形成于其上的陣列結(jié)構(gòu)；一修復(fù)線，形成在基板上；一柵極絕緣層，形成在修復(fù)線之上；一外圍公共電極走線，形成在柵極絕緣層之上，并與修復(fù)線存在交疊；其中外圍公共電極走線在與修復(fù)線交疊區(qū)域呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還同時(shí)公開了另外一種TFT LCD陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)以及這兩種陣列基板外圍走線結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明在滿足走線電阻的前提下，將外圍公共電極走線在于修復(fù)線交疊區(qū)域設(shè)計(jì)成網(wǎng)狀，降低了走線間的電容耦合效應(yīng)，從而滿足了修復(fù)線正常修復(fù)的要求。
文檔編號(hào)H01L23/522GK1945839SQ20061014988
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2006年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日
發(fā)明者彭志龍 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司